JPH021376B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH021376B2 JPH021376B2 JP56181596A JP18159681A JPH021376B2 JP H021376 B2 JPH021376 B2 JP H021376B2 JP 56181596 A JP56181596 A JP 56181596A JP 18159681 A JP18159681 A JP 18159681A JP H021376 B2 JPH021376 B2 JP H021376B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- lead
- container base
- melting point
- low melting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/421—Shapes or dispositions
- H10W70/424—Cross-sectional shapes
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は低融点ガラスの溶融により絶縁体基板
に取付けるリードフレームに係り、特に絶縁体基
板にリードフレームを取付ける際にリードフレー
ムの各リード先端上面を同一平面上に揃えること
ができる構造に関する。
に取付けるリードフレームに係り、特に絶縁体基
板にリードフレームを取付ける際にリードフレー
ムの各リード先端上面を同一平面上に揃えること
ができる構造に関する。
半導体集積回路（IC）素子を気密封止してな
る半導体装置の一つとして、セラミツク等の絶縁
体基板（以下素子収容容器基体と称する）に、知
融点ガラスにより、リードフレームを固着してな
る半導体装置が適用されている。
る半導体装置の一つとして、セラミツク等の絶縁
体基板（以下素子収容容器基体と称する）に、知
融点ガラスにより、リードフレームを固着してな
る半導体装置が適用されている。
第１図乃至第４図はかかる半導体装置の組み立
て工程の概略を示す。
て工程の概略を示す。
かかる技術にあつては、セラミツク材から構成
される素子収容容器基体１は、第１図に示される
如く、その一方の主面の中央部に凹状素子収容部
２が配設され、他は一様な厚さとされる。
される素子収容容器基体１は、第１図に示される
如く、その一方の主面の中央部に凹状素子収容部
２が配設され、他は一様な厚さとされる。
そして、前記素子収容容器基体１の前記主面上
には第２図に示される如く、低融点ガラス層３が
配設され、当該低融点ガラス層３が溶融状態とさ
れて例えばコバール等からなるリードフレーム４
が固着される。かかるリードフレーム４は後に切
断分離され外部接続端子を構成する。
には第２図に示される如く、低融点ガラス層３が
配設され、当該低融点ガラス層３が溶融状態とさ
れて例えばコバール等からなるリードフレーム４
が固着される。かかるリードフレーム４は後に切
断分離され外部接続端子を構成する。
次いで前記素子収容部２に半導体集積回路素子
が収容固着され、当該半導体集積回路素子の電極
と前記リードフレーム４のリード内端部４′とが
アルミニウム線等により接続（ワイヤボンデイン
グ）される。（かかる状態は図示せず） 一方、前記素子収容容器基体１に対応する大き
さを有し且つ一方の主面に前記素子収容部２に対
応する領域を除いて低融点ガラス層が配設された
セラミツク材からなる蓋部材が準備される。かか
る蓋部材は第３図に示されるように前記素子収容
部を覆つて配置され、前記低融点ガラス層の溶
融、固化によつて素子収容容器基体１に固着され
る。第３図において５は蓋部材を示す。
が収容固着され、当該半導体集積回路素子の電極
と前記リードフレーム４のリード内端部４′とが
アルミニウム線等により接続（ワイヤボンデイン
グ）される。（かかる状態は図示せず） 一方、前記素子収容容器基体１に対応する大き
さを有し且つ一方の主面に前記素子収容部２に対
応する領域を除いて低融点ガラス層が配設された
セラミツク材からなる蓋部材が準備される。かか
る蓋部材は第３図に示されるように前記素子収容
部を覆つて配置され、前記低融点ガラス層の溶
融、固化によつて素子収容容器基体１に固着され
る。第３図において５は蓋部材を示す。
しかる後、前記リードフレーム４は、第３図の
Ａ−A′に沿つて切断され、半導体装置が完成さ
れる。
Ａ−A′に沿つて切断され、半導体装置が完成さ
れる。
しかしながら、このような半導体装置にあつて
は、前記第２図に示されるリードフレームのリー
ド内端部４′各々の上面を同一平面に揃えること
が困難であり、前記ワイヤボンデイング工程でボ
ンデイング不良等の不都合を生じてしまう。
は、前記第２図に示されるリードフレームのリー
ド内端部４′各々の上面を同一平面に揃えること
が困難であり、前記ワイヤボンデイング工程でボ
ンデイング不良等の不都合を生じてしまう。
かかるリードフレームのリード内端部４′各々
の上面の同一平面化は、当該リードフレームのプ
レス加工時にリード内端部４′各々の上面を一様
な平面とすることが困難である点並びに前記素子
収容容器基板１上に配置される低融点ガラス層３
は第２図又は第４図（第３図Ｂ−B′断面）に示
されるように厚く、溶融した当該低融点ガラス層
３上に浮いた状態で置かれ当該低融点ガラス層３
の固化とともに固着される前記リードフレーム４
のリード内端部４′各々を同一平面に揃えること
が困難である点等からして、極めて困難であつ
た。
の上面の同一平面化は、当該リードフレームのプ
レス加工時にリード内端部４′各々の上面を一様
な平面とすることが困難である点並びに前記素子
収容容器基板１上に配置される低融点ガラス層３
は第２図又は第４図（第３図Ｂ−B′断面）に示
されるように厚く、溶融した当該低融点ガラス層
３上に浮いた状態で置かれ当該低融点ガラス層３
の固化とともに固着される前記リードフレーム４
のリード内端部４′各々を同一平面に揃えること
が困難である点等からして、極めて困難であつ
た。
本発明はこのような従来の半導体装置の有する
欠点を除去し、素子収容容器内におけるリード内
端部４′を同一平面上に配置可能として、ワイヤ
ボンデイング工程をすみやかに高い信頼性をもつ
て実施することができるリードフレーム固着構造
を提供しようとするものである。
欠点を除去し、素子収容容器内におけるリード内
端部４′を同一平面上に配置可能として、ワイヤ
ボンデイング工程をすみやかに高い信頼性をもつ
て実施することができるリードフレーム固着構造
を提供しようとするものである。
このため、本発明によれば、素子収容容器基体
に設けた素子収容部の周辺に低融点ガラスにより
固着するリードフレームにおいて、リード内端部
またはその近傍に前記素子収容容器基体に当接さ
せる凸状部を形成したことを特徴とするリードフ
レームが提供される。
に設けた素子収容部の周辺に低融点ガラスにより
固着するリードフレームにおいて、リード内端部
またはその近傍に前記素子収容容器基体に当接さ
せる凸状部を形成したことを特徴とするリードフ
レームが提供される。
以下本発明によるリードフレームを実施例をも
つて詳細に説明する。
つて詳細に説明する。
第５図は本発明によるリードフレームのリード
内端部またはその近傍に形成した凸状部の実施例
を示す。同図は複数あるリードフレーム内端部の
うち一本だけを示したものである。同図ａ〜ｄは
リード内端部に至る中間に凸状部をプレス加工に
より折曲げて成形したもの、ｅおよびｆはリード
内端部を同様に折曲げて成形したものであり、ｇ
はポンチによる張出し加工により突起を成形した
例、ｈはリード内端部と中間部の２箇所に凸状部
を成形した例、ｉは部分的に厚くして凸状部を成
形した例を示す。なお凸状部の成形はリードフレ
ームを成形加工する工程で同時に成形を行なうこ
とが作業性およびコストの面から望ましい。
内端部またはその近傍に形成した凸状部の実施例
を示す。同図は複数あるリードフレーム内端部の
うち一本だけを示したものである。同図ａ〜ｄは
リード内端部に至る中間に凸状部をプレス加工に
より折曲げて成形したもの、ｅおよびｆはリード
内端部を同様に折曲げて成形したものであり、ｇ
はポンチによる張出し加工により突起を成形した
例、ｈはリード内端部と中間部の２箇所に凸状部
を成形した例、ｉは部分的に厚くして凸状部を成
形した例を示す。なお凸状部の成形はリードフレ
ームを成形加工する工程で同時に成形を行なうこ
とが作業性およびコストの面から望ましい。
第６図乃至第９図は本発明によるリードフレー
ムを用いた半導体装置の組み立て工程の概略を示
す。
ムを用いた半導体装置の組み立て工程の概略を示
す。
本発明によれば、アルミナ（Al2O3）等のセラ
ミツク材から構成される素子収容容器基体１０１
は、第６図に示される如く、その一方の主面の中
央部に凹状素子収容部１０２が配設され、前記素
子収容容器基体１０１の前記主面上には、素子収
容部１０２を除いて融点300℃乃至650℃の、酸化
鉛（PbO）−酸化硼素（B2O3）系あるいは酸化亜
鉛（ZnO）−酸化鉛−酸化硼素系などの低融点ガ
ラスが塗布される。かかる低融点ガラス、結晶化
の核になる成分が入つている結晶化ガラスを用い
てもよい。この時前記素子収容容器基体１０１上
の低融点ガラス層の厚さは、リードフレームの取
り付け後かかるリードフレームの凸状部を含んだ
厚さとほぼ同一の厚さとなる。すなわち同一平面
を形成し得るガラス量を有する厚さとされる。か
かる状態を第６図に示す。同図において１０３は
低融点ガラス層を示す。
ミツク材から構成される素子収容容器基体１０１
は、第６図に示される如く、その一方の主面の中
央部に凹状素子収容部１０２が配設され、前記素
子収容容器基体１０１の前記主面上には、素子収
容部１０２を除いて融点300℃乃至650℃の、酸化
鉛（PbO）−酸化硼素（B2O3）系あるいは酸化亜
鉛（ZnO）−酸化鉛−酸化硼素系などの低融点ガ
ラスが塗布される。かかる低融点ガラス、結晶化
の核になる成分が入つている結晶化ガラスを用い
てもよい。この時前記素子収容容器基体１０１上
の低融点ガラス層の厚さは、リードフレームの取
り付け後かかるリードフレームの凸状部を含んだ
厚さとほぼ同一の厚さとなる。すなわち同一平面
を形成し得るガラス量を有する厚さとされる。か
かる状態を第６図に示す。同図において１０３は
低融点ガラス層を示す。
次いで、素子収容容器基体１０１の前記低融点
ガラス層１０３上に、コバール、42合金等の銑ニ
ツケルコバルト合金あるいは銑ニツケル合金から
なり、第５図に示す如く低融点ガラス層１０３と
の固着部に凸状部１０５を形成したリードフレー
ムを載置した後、低融点ガラス層１０３の溶融温
度まで加熱し、しかる後冷却してリードフレーム
を素子収容容器基体１０１に固着する。
ガラス層１０３上に、コバール、42合金等の銑ニ
ツケルコバルト合金あるいは銑ニツケル合金から
なり、第５図に示す如く低融点ガラス層１０３と
の固着部に凸状部１０５を形成したリードフレー
ムを載置した後、低融点ガラス層１０３の溶融温
度まで加熱し、しかる後冷却してリードフレーム
を素子収容容器基体１０１に固着する。
かかる状態を第７図に示す。同図において１０
４はリードフレームである。かかるリードフレー
ムは後に切断分離され、外部接続端子を構成す
る。
４はリードフレームである。かかるリードフレー
ムは後に切断分離され、外部接続端子を構成す
る。
この工程において素子収容容器基体１０１上に
位置したリードフレーム１０４の凸状部１０５
は、ガラス層１０３が溶融すると素子収容容器基
体１０１の上面に接する如くして位置決めされ、
凸状部１０５各々は同一平面上に揃つた状態で素
子収容容器基体１０１上に固着される。このよう
なリードフレーム固着工程においては、ガラス溶
融時に重りをリードフレームの凸状部１０５周辺
部にのせ凸状部１０５各々を素子収容容器基体１
０１の表面に押し当てることが可能であり、よつ
てリード内端部１０６各々の上面を同一平面上に
確実に位置出しすることができる。リード本数が
多い場合にはこの方法が好ましい。
位置したリードフレーム１０４の凸状部１０５
は、ガラス層１０３が溶融すると素子収容容器基
体１０１の上面に接する如くして位置決めされ、
凸状部１０５各々は同一平面上に揃つた状態で素
子収容容器基体１０１上に固着される。このよう
なリードフレーム固着工程においては、ガラス溶
融時に重りをリードフレームの凸状部１０５周辺
部にのせ凸状部１０５各々を素子収容容器基体１
０１の表面に押し当てることが可能であり、よつ
てリード内端部１０６各々の上面を同一平面上に
確実に位置出しすることができる。リード本数が
多い場合にはこの方法が好ましい。
次いで、前記素子収容部１０２に半導体集積回
路素子が収容、固着され、当該半導体集積回路素
子の電極と前記リードフレーム１０４のリード内
端部１０６とがアルミニウム線等の細線により接
続（ワイヤボンデイング）される。（かかる状態
は図示せず）かかるワイヤボンデイング処理工程
においては、前述の如くリード内端部１０６の
各々は同一平面上に位置して固定されているた
め、自動細線接続装置等を用いての細線接続を極
めて容易に実施することができる。
路素子が収容、固着され、当該半導体集積回路素
子の電極と前記リードフレーム１０４のリード内
端部１０６とがアルミニウム線等の細線により接
続（ワイヤボンデイング）される。（かかる状態
は図示せず）かかるワイヤボンデイング処理工程
においては、前述の如くリード内端部１０６の
各々は同一平面上に位置して固定されているた
め、自動細線接続装置等を用いての細線接続を極
めて容易に実施することができる。
一方、前記素子収容容器基体１０１に対応する
大きさを有し且つ一方の主面に前記素子収容部１
０２に対応する領域を除いて低融点ガラス層が配
設されたセラミツク材からなる蓋部材が準備され
る。かかる蓋部材は第８図に示されるように前記
素子収容部を覆つて配置され、前記低融点ガラス
層の溶融、固化によつて素子収容容器１０１に固
着され、半導体集積回路素子は気密封止される。
大きさを有し且つ一方の主面に前記素子収容部１
０２に対応する領域を除いて低融点ガラス層が配
設されたセラミツク材からなる蓋部材が準備され
る。かかる蓋部材は第８図に示されるように前記
素子収容部を覆つて配置され、前記低融点ガラス
層の溶融、固化によつて素子収容容器１０１に固
着され、半導体集積回路素子は気密封止される。
第８図において１０７は蓋部材を示す。
しかる後リードフレーム１０４は第８図のＡ−
A′に沿つて切断され、半導体装置が完成される。
A′に沿つて切断され、半導体装置が完成される。
なお第９図は第７図のＣ−C′断面を示す。
このように本発明のリードフレームを用いるこ
とにより、素子収容容器基体１０１の素子収容部
１０２の周囲にはリードフレームのリード内端部
１０６またはその近傍に形成した凸状部１０５が
配設され、リードフレームの複数のリード内端部
１０６はかかる凸状部１０５によつて同一平面上
に位置決めされた状態で、低融点ガラスによつて
素子収容容器基体１０１に固着される。したがつ
て、前記素子収容部１０２に収容される半導体集
積回路素子の電極とリード内端部との間をワイヤ
ボンデイングする際には、かかるワイヤボンデイ
ング作業をすみやかに高い信頼性をもつて実施す
ることができる。
とにより、素子収容容器基体１０１の素子収容部
１０２の周囲にはリードフレームのリード内端部
１０６またはその近傍に形成した凸状部１０５が
配設され、リードフレームの複数のリード内端部
１０６はかかる凸状部１０５によつて同一平面上
に位置決めされた状態で、低融点ガラスによつて
素子収容容器基体１０１に固着される。したがつ
て、前記素子収容部１０２に収容される半導体集
積回路素子の電極とリード内端部との間をワイヤ
ボンデイングする際には、かかるワイヤボンデイ
ング作業をすみやかに高い信頼性をもつて実施す
ることができる。
なお、リードフレームのリード内端部またはそ
の近傍に設ける凸状部は、実施例に示される形状
位置、形成数に限られるものではない。また凸状
部を全てのリード内端部またはその近傍に配設し
てもよい。かかる場合には、リード本数の少ない
部分のリード内端部についても当該リード内端部
の位置出しが容易となる。なお、前記凸状部は、
リードフレームのリード内端部またはその近傍
に、半導体素子から導出される導体の接続に必要
な領域を確保できるような位置に設けられる。
の近傍に設ける凸状部は、実施例に示される形状
位置、形成数に限られるものではない。また凸状
部を全てのリード内端部またはその近傍に配設し
てもよい。かかる場合には、リード本数の少ない
部分のリード内端部についても当該リード内端部
の位置出しが容易となる。なお、前記凸状部は、
リードフレームのリード内端部またはその近傍
に、半導体素子から導出される導体の接続に必要
な領域を確保できるような位置に設けられる。
更に、本発明のリードフレームは、デユアルイ
ンライン型素子収容容器を掲げて説明を行なつた
が、本発明はこれに限られるものではなく、フラ
ツト型素子収容容器（いわゆるフラツトパツケー
ジ）に対しても適用することができる。
ンライン型素子収容容器を掲げて説明を行なつた
が、本発明はこれに限られるものではなく、フラ
ツト型素子収容容器（いわゆるフラツトパツケー
ジ）に対しても適用することができる。
第１図乃至第４図は従来の半導体装置の組み立
て工程の概略を示す外観斜視図及び断面図であ
り、第５図は本発明のリードフレームに設けた凸
状部の実施例を示す斜視図、第６図乃至第９図は
本発明のリードフレームを用いた半導体装置の組
み立て工程の概略を示す外観斜視図及び断面図で
ある。 図において、１，１０１……素子収容容器基
体、２，１０２……素子収容部、３，１０３……
ガラス層、４，１０４……リードフレーム、１０
５……凸状部、４′，１０６……リード内端部、
５，１０７……蓋部材である。
て工程の概略を示す外観斜視図及び断面図であ
り、第５図は本発明のリードフレームに設けた凸
状部の実施例を示す斜視図、第６図乃至第９図は
本発明のリードフレームを用いた半導体装置の組
み立て工程の概略を示す外観斜視図及び断面図で
ある。 図において、１，１０１……素子収容容器基
体、２，１０２……素子収容部、３，１０３……
ガラス層、４，１０４……リードフレーム、１０
５……凸状部、４′，１０６……リード内端部、
５，１０７……蓋部材である。
Claims (1)
- １ 素子収容容器基体に設けた素子収容部の周辺
に低融点ガラスにより固着するリードフレームに
おいて、リード内端部またはその近傍に前記素子
収容容器基体に当接させる凸状部を形成したこと
を特徴とするリードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56181596A JPS5882552A (ja) | 1981-11-12 | 1981-11-12 | リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56181596A JPS5882552A (ja) | 1981-11-12 | 1981-11-12 | リードフレーム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5882552A JPS5882552A (ja) | 1983-05-18 |
| JPH021376B2 true JPH021376B2 (ja) | 1990-01-11 |
Family
ID=16103569
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56181596A Granted JPS5882552A (ja) | 1981-11-12 | 1981-11-12 | リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5882552A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0675910U (ja) * | 1993-04-08 | 1994-10-25 | 小島プレス工業株式会社 | 車両用収納ボックスのドアロック機構 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4626478A (en) * | 1984-03-22 | 1986-12-02 | Unitrode Corporation | Electronic circuit device components having integral spacers providing uniform thickness bonding film |
| US4629824A (en) * | 1984-12-24 | 1986-12-16 | Gte Products Corporation | IC package sealing technique |
| US4684975A (en) * | 1985-12-16 | 1987-08-04 | National Semiconductor Corporation | Molded semiconductor package having improved heat dissipation |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5759367A (en) * | 1980-09-26 | 1982-04-09 | Fujitsu Ltd | Semiconductor container |
-
1981
- 1981-11-12 JP JP56181596A patent/JPS5882552A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0675910U (ja) * | 1993-04-08 | 1994-10-25 | 小島プレス工業株式会社 | 車両用収納ボックスのドアロック機構 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5882552A (ja) | 1983-05-18 |
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