JPH02135778A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH02135778A JPH02135778A JP29070388A JP29070388A JPH02135778A JP H02135778 A JPH02135778 A JP H02135778A JP 29070388 A JP29070388 A JP 29070388A JP 29070388 A JP29070388 A JP 29070388A JP H02135778 A JPH02135778 A JP H02135778A
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- JP
- Japan
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- circuit
- container
- switching circuit
- snubber
- diode
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
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- Power Conversion In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野Ｊ
この発明は半導体装置、特にスイッチング素子を含む大
電力用半導体装置の改良ζこ関するものである。
電力用半導体装置の改良ζこ関するものである。
ゲートターンオフサイリスタ（以下ＧＴＯサイリスタと
称す）等のスイッチング素子を含む従来の大電力用半導
体装置の概略構成を第２図に示す。
称す）等のスイッチング素子を含む従来の大電力用半導
体装置の概略構成を第２図に示す。
この図にわいて（１）は放熱体、（２）はこの放熱体に
装着された回路収容部で、プラスチック等の部材で形成
されている。（３）は上記回路収容部に収容されたスイ
ッチング回路で、ＧＴＯサイリスタ（４）とフライホイ
ルダイオード（６）とを逆並列接続して構成され大電力
回路に接続されるものである。ＯのはＧＴＯサイリスタ
（４）の陽極端子、（６）は同じく陰極端子、■はＧＴ
Ｏサイリスタのトリガ用ゲート端子、■は同じくトリガ
用陰極端子である。
装着された回路収容部で、プラスチック等の部材で形成
されている。（３）は上記回路収容部に収容されたスイ
ッチング回路で、ＧＴＯサイリスタ（４）とフライホイ
ルダイオード（６）とを逆並列接続して構成され大電力
回路に接続されるものである。ＯのはＧＴＯサイリスタ
（４）の陽極端子、（６）は同じく陰極端子、■はＧＴ
Ｏサイリスタのトリガ用ゲート端子、■は同じくトリガ
用陰極端子である。
（６）は回路収容部に隣接して放熱体（１）に装着され
たスナバ−ダイオードで、図示していないが第３図に示
すようなスナバ−回路を構成するものである。即ち第３
図において、（６）は上述したスナバ−ダイオード、（
７）は抵抗、（８）はコンデンサ、（９）は陽極側端子
、Ｑ（Ｉは陰極側端子である。このスナバ−回路は、陽
極側端子（９）が上記ＧＴＯサイリスタの陽極端子（６
）に接続され、又、陰極側端子頭が上記ＧＴＯサイリス
タの陰極端子（６）に接続され、ＧＴＯサイリスタ（４
）がオン状態からオフ状態にスイッチングする際（こ過
電圧によってＧＴＯサイリスタ（４）が破壊されるのを
防止する周知の保護回路である。
たスナバ−ダイオードで、図示していないが第３図に示
すようなスナバ−回路を構成するものである。即ち第３
図において、（６）は上述したスナバ−ダイオード、（
７）は抵抗、（８）はコンデンサ、（９）は陽極側端子
、Ｑ（Ｉは陰極側端子である。このスナバ−回路は、陽
極側端子（９）が上記ＧＴＯサイリスタの陽極端子（６
）に接続され、又、陰極側端子頭が上記ＧＴＯサイリス
タの陰極端子（６）に接続され、ＧＴＯサイリスタ（４
）がオン状態からオフ状態にスイッチングする際（こ過
電圧によってＧＴＯサイリスタ（４）が破壊されるのを
防止する周知の保護回路である。
以上のよう篭こ構成された従来の半導体装置において、
ＧＴＯサイリスタの過電圧からの保護を十分にするため
には、スイッチング回路（３）からスナバ−回路に至る
配線の長さを極力短（することが必要であるが、従来の
半導体装置においてはスナバ−ダイオード（６）が通電
中における熱放散を効果的に行なうため放熱体（１）に
装着され、スイッチング回路（３）との接続は回路収容
部（２）の１端を経て行なわれていたため配線の長さを
短くするには一定の限界があった。
ＧＴＯサイリスタの過電圧からの保護を十分にするため
には、スイッチング回路（３）からスナバ−回路に至る
配線の長さを極力短（することが必要であるが、従来の
半導体装置においてはスナバ−ダイオード（６）が通電
中における熱放散を効果的に行なうため放熱体（１）に
装着され、スイッチング回路（３）との接続は回路収容
部（２）の１端を経て行なわれていたため配線の長さを
短くするには一定の限界があった。
この発明はこのような問題点を解消するためになされた
もので、スイッチング回路とスナバ−回路とを接続する
配線の長さを短くすることがでさ、ＧＴＯサイデスタ等
のスイッチング素子憂こ対する保護性能を向上し得る半
導体装置を提供しようとするものである。
もので、スイッチング回路とスナバ−回路とを接続する
配線の長さを短くすることがでさ、ＧＴＯサイデスタ等
のスイッチング素子憂こ対する保護性能を向上し得る半
導体装置を提供しようとするものである。
この発明に係る半導体装置は、スイッチング回路を収容
する収容部を熱伝導性の良好な部材、例えば金属によっ
て構成すると共に、スナバ−ダイオードを収容部の側壁
部に装着するよう醤こしたものである。
する収容部を熱伝導性の良好な部材、例えば金属によっ
て構成すると共に、スナバ−ダイオードを収容部の側壁
部に装着するよう醤こしたものである。
この発明によれば、スナバ−ダイオードが収容部の側壁
部に装着されるため収容部内のスイッチング回路と接続
する配線の長さを短くすることができる他、収容部を熱
伝導性の良好な部材で構成しているため通電時における
ＧＴＯサイリスタ等のスイッチング素子の発熱及びスナ
バ−ダイオードの発熱を収容部を介して放熱体に伝達す
ることかでさるものである。
部に装着されるため収容部内のスイッチング回路と接続
する配線の長さを短くすることができる他、収容部を熱
伝導性の良好な部材で構成しているため通電時における
ＧＴＯサイリスタ等のスイッチング素子の発熱及びスナ
バ−ダイオードの発熱を収容部を介して放熱体に伝達す
ることかでさるものである。
以下、この発明の一実施例を第１図Ｅζついて説明する
。
。
この図罠ワいて鶴は従来の回路収容部と同様の収容部で
あるが熱伝導性の良好な部材、例えば金属によって構成
されている点が異なる。又、（６）はスナバ−ダイオー
ドで、上記収容部（財）の側壁部ｔζ装着されている。
あるが熱伝導性の良好な部材、例えば金属によって構成
されている点が異なる。又、（６）はスナバ−ダイオー
ドで、上記収容部（財）の側壁部ｔζ装着されている。
その他の構成は従来の装置と同様であるため説明を省略
する。このようにスナバ−ダイオード（６）を収容部に
）の側壁部に装着したこと昏こより、スナバ−ダイオー
ドからスイッチング回路に至るまでの距離が短（なるた
め両者を接続する配線も短くすることができる。
する。このようにスナバ−ダイオード（６）を収容部に
）の側壁部に装着したこと昏こより、スナバ−ダイオー
ドからスイッチング回路に至るまでの距離が短（なるた
め両者を接続する配線も短くすることができる。
又、収容部Ｑのを熱伝導性の良好な部材によって構成し
ているためスイッチング回路の通電中にＧＴｏサイリス
タから発生される熱は放熱体（１）のみならず収容部（
ハ）からも放熱される結果、スイッチング回路の通電能
力が向１する。
ているためスイッチング回路の通電中にＧＴｏサイリス
タから発生される熱は放熱体（１）のみならず収容部（
ハ）からも放熱される結果、スイッチング回路の通電能
力が向１する。
更に、スナバ−ダイオード（０）の通電中に発生する熱
も収容部に）から、あるいは収容部を経て放熱体（１）
に伝達され効率よ（放熱されることになる。
も収容部に）から、あるいは収容部を経て放熱体（１）
に伝達され効率よ（放熱されることになる。
なお、以上の説明ではスイッチング素子としてＧＴＯサ
イリスタを使用する実施例を挙げたが、これに限られる
ものではな（トランジスタ素子を使用しても同様な効果
を期待し得るものである。
イリスタを使用する実施例を挙げたが、これに限られる
ものではな（トランジスタ素子を使用しても同様な効果
を期待し得るものである。
以上のようにこの発明によれば、スイッチング回路を収
＠する収容部を熱伝導性の良好な部材によって構成する
と共に、スナバ−ダイオードを収容部の側壁部に装着す
るようにしたため、スナバ−回路とスイッチング回路と
を接続する配線を短（することがでさ、スイッチング時
におけるスイッチング素子の過電圧耐力を向上させるこ
とができる他、スイッチング素子及びスナバ−ダイオー
ドの通電時１こ８ける発熱を収容部を経て効率よく放熱
することができ、スイッチング回路の通電能力をも向上
させることかでさるものである。
＠する収容部を熱伝導性の良好な部材によって構成する
と共に、スナバ−ダイオードを収容部の側壁部に装着す
るようにしたため、スナバ−回路とスイッチング回路と
を接続する配線を短（することがでさ、スイッチング時
におけるスイッチング素子の過電圧耐力を向上させるこ
とができる他、スイッチング素子及びスナバ−ダイオー
ドの通電時１こ８ける発熱を収容部を経て効率よく放熱
することができ、スイッチング回路の通電能力をも向上
させることかでさるものである。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例を示す概略構成図、第２図
は従来の半導体装置を示す概略構成図、第３図はスナバ
−回路の構成を示す概略図である。 図において（１）は放熱体、（２１υは収容部、（３）
はスイッチング回路、（４）はＧＴＯサイリスタ、（５
）はフライホイルダイオード、（６）はスナバ−ダイオ
ードである。 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
は従来の半導体装置を示す概略構成図、第３図はスナバ
−回路の構成を示す概略図である。 図において（１）は放熱体、（２１υは収容部、（３）
はスイッチング回路、（４）はＧＴＯサイリスタ、（５
）はフライホイルダイオード、（６）はスナバ−ダイオ
ードである。 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 熱伝導性の良好な部材によつて構成され、スイッチン
グ素子とフライホイルダイオードとを逆並列接続して構
成されたスイッチング回路を収容すると共に、放熱体に
装着された収容部及びこの収容部の側壁部に装着され、
上記スイッチング回路に過電圧保護用として接続される
スナバー回路のスナバーダイオードを備えた半導体装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29070388A JPH02135778A (ja) | 1988-11-16 | 1988-11-16 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29070388A JPH02135778A (ja) | 1988-11-16 | 1988-11-16 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02135778A true JPH02135778A (ja) | 1990-05-24 |
Family
ID=17759420
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29070388A Pending JPH02135778A (ja) | 1988-11-16 | 1988-11-16 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02135778A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0638506A (ja) * | 1992-07-10 | 1994-02-10 | Hitachi Ltd | 電力変換器 |
-
1988
- 1988-11-16 JP JP29070388A patent/JPH02135778A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0638506A (ja) * | 1992-07-10 | 1994-02-10 | Hitachi Ltd | 電力変換器 |
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