JPH02135654A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JPH02135654A JPH02135654A JP63290749A JP29074988A JPH02135654A JP H02135654 A JPH02135654 A JP H02135654A JP 63290749 A JP63290749 A JP 63290749A JP 29074988 A JP29074988 A JP 29074988A JP H02135654 A JPH02135654 A JP H02135654A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- scanning plate
- scanning
- ion beam
- parallel
- wafer
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 23
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 21
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はイオン注入装置に関し、特にイオンビームの走
査角誤差を減少させる装置に関する。
査角誤差を減少させる装置に関する。
従来、静電走査型のイオン注入装置は第３図に示すよう
にＸ軸、Ｙ軸方向にそれぞれ異なる周波数の三角波の高
電圧を対をなすＸ走査プレート１０゜Ｙ走査プレート９
にて印加することにより、イオンビームを走査するよう
になっていた０図中、５はビームマスク、６はウェハー
ホルダである。
にＸ軸、Ｙ軸方向にそれぞれ異なる周波数の三角波の高
電圧を対をなすＸ走査プレート１０゜Ｙ走査プレート９
にて印加することにより、イオンビームを走査するよう
になっていた０図中、５はビームマスク、６はウェハー
ホルダである。
上述した従来のイオン注入装置は以下のような欠点を有
する。すなわち、走査プレート９又は１０で走査される
イオンビームは１点から広がるために、ウェハー面内に
おいて、場所により異なる角度で走査される。ウェハー
中心を基準にすると、例えば６インチウェハーにおいて
、ウェハー周辺で２°〜３°の走査角誤差が生じ、第４
図のようにトレンチ１１の底にイオン注入する場合、ウ
ェハー中心がイオンビームと垂直になるようにしてもウ
ェハー周辺は第５図のようにトレンチ１１の底には注入
できない。
する。すなわち、走査プレート９又は１０で走査される
イオンビームは１点から広がるために、ウェハー面内に
おいて、場所により異なる角度で走査される。ウェハー
中心を基準にすると、例えば６インチウェハーにおいて
、ウェハー周辺で２°〜３°の走査角誤差が生じ、第４
図のようにトレンチ１１の底にイオン注入する場合、ウ
ェハー中心がイオンビームと垂直になるようにしてもウ
ェハー周辺は第５図のようにトレンチ１１の底には注入
できない。
また、走査角誤差を減少させるために、走査プレート９
又は１０とウェハーホルダ６間の距離を長くすると、装
置が大型化するという問題がある。
又は１０とウェハーホルダ６間の距離を長くすると、装
置が大型化するという問題がある。
さらに、近年生産用のウェハーは大口径化する方向にあ
り、ウェハー周辺部の走査角誤差は大きくなり、ウェハ
ー面内の均一性を保持できないという問題がある。
り、ウェハー周辺部の走査角誤差は大きくなり、ウェハ
ー面内の均一性を保持できないという問題がある。
本発明の目的は前記課題を解決したイオン注入装置を提
供することにある。
供することにある。
上述した従来のイオン注入装置に対し、本発明はイオン
ビームの走査を多段階にわけて行うことにより、平行も
しくは平行に近いイオンビームを得ることができるとい
う相違点を有する。
ビームの走査を多段階にわけて行うことにより、平行も
しくは平行に近いイオンビームを得ることができるとい
う相違点を有する。
前記目的を達成するため１本発明は静電走査型のイオン
注入装置において、イオンビームの走査を多段階にわけ
て行う機構を有するものである。
注入装置において、イオンビームの走査を多段階にわけ
て行う機構を有するものである。
以下、本発明の実施例を図により説明する。
（実施例１）
第１図は本発明の実施例１を示す構成図である。
第１図において１本発明はウェハーホルダ６に至るイオ
ンビームの光路中に、組をなす第１ｘ走査プレート２及
び第１Ｙ走査プレート１と５組をなす第２ｘ走査プレー
ト４及び第２Ｙ走査プレート３とをビームマスク５の前
方位置に前後に配列して設置し、前段の組をなす第１Ｘ
走査プレート２及び第１Ｙ走査プレート１に数百〜数千
Ｖの三角波の電圧を印加するとともに、後段の組をなす
第２Ｘ走査プレート４及び第２Ｙ走査プレート３に前記
プレート１，２への電圧と逆符号同電位の電圧を印加す
るようにしたものである。
ンビームの光路中に、組をなす第１ｘ走査プレート２及
び第１Ｙ走査プレート１と５組をなす第２ｘ走査プレー
ト４及び第２Ｙ走査プレート３とをビームマスク５の前
方位置に前後に配列して設置し、前段の組をなす第１Ｘ
走査プレート２及び第１Ｙ走査プレート１に数百〜数千
Ｖの三角波の電圧を印加するとともに、後段の組をなす
第２Ｘ走査プレート４及び第２Ｙ走査プレート３に前記
プレート１，２への電圧と逆符号同電位の電圧を印加す
るようにしたものである。
実施例において、イオンビームは、第１Ｙ走査プレート
１と第１ｘ走査プレート２に数百〜数千Ｖの三角波の電
圧を印加することにより走査され、発散する非平行ビー
ムとなる。次に第２Ｙ走査プレート３と第２Ｘ走査プレ
ート４に第１Ｙ走査プレート１と第１ｘ走査プレート２
とは逆符号同電位の電圧をかけて、イオンビームを平行
ビームにする。イオンビームはビームマスク５を通過し
。
１と第１ｘ走査プレート２に数百〜数千Ｖの三角波の電
圧を印加することにより走査され、発散する非平行ビー
ムとなる。次に第２Ｙ走査プレート３と第２Ｘ走査プレ
ート４に第１Ｙ走査プレート１と第１ｘ走査プレート２
とは逆符号同電位の電圧をかけて、イオンビームを平行
ビームにする。イオンビームはビームマスク５を通過し
。
ウェハーホルダ６に到達する。
これにより、ウェハーホルダ６には、平行なイオンビー
ムが到達し、走査角誤差が±０．５°以内のイオン注入
を行うことができる。またこのとき、ビームマスク５と
ウェハーホルダ６の距離を従来の装置より短くすること
が可能であり、特に２次電子抑制がある場合は１０〜２
０ａｍ程度（従来は５０〜７０１程度）にすることがで
きる。
ムが到達し、走査角誤差が±０．５°以内のイオン注入
を行うことができる。またこのとき、ビームマスク５と
ウェハーホルダ６の距離を従来の装置より短くすること
が可能であり、特に２次電子抑制がある場合は１０〜２
０ａｍ程度（従来は５０〜７０１程度）にすることがで
きる。
（実施例２）
第２図は本発明の実施例２を示す構成図である。
イオンビームは第１Ｙ走査プレート１と第１ｘ走査プレ
ート２により走査され、発散する非平行ビームとなる。
ート２により走査され、発散する非平行ビームとなる。
イオンビームはビームマスク５を通過した後、第２Ｙ走
査プレート３と第２Ｘ走査プレート４により平行ビーム
となり、ウェハーホルダ７に到達する。本実施例では、
第２Ｙ走査プレート３と第２ｘ走査プレート４の走査電
圧を変えることにより、ウェハーホルダ８の領域の走査
も可能となり、走査角誤差は若干あるが、ビームマスク
５の穴の口径を変更しないで、異なる口径のウェハーに
イオン注入することができるという利点がある。
査プレート３と第２Ｘ走査プレート４により平行ビーム
となり、ウェハーホルダ７に到達する。本実施例では、
第２Ｙ走査プレート３と第２ｘ走査プレート４の走査電
圧を変えることにより、ウェハーホルダ８の領域の走査
も可能となり、走査角誤差は若干あるが、ビームマスク
５の穴の口径を変更しないで、異なる口径のウェハーに
イオン注入することができるという利点がある。
以上説明したように本発明はイオンビームの走査を多段
階にわけて行うことにより、平行なイオンビームを得る
ことができ、ウェハー面内の走査角誤差の少ないイオン
注入を行うことができる効果がある。
階にわけて行うことにより、平行なイオンビームを得る
ことができ、ウェハー面内の走査角誤差の少ないイオン
注入を行うことができる効果がある。
第１図は本発明の実施例１を示す構成図、第２図は本発
明の実施例２を示す構成図、第３図は従来の静電走査型
イオン注入装置を示す構成図、第４図はウェハー中心と
垂直なイオンビームを照射した場合のウェハー中心のト
レンチを示す図、第５図はウェハー中心と垂直なイオン
ビームを照射した場合のウェハー周辺のトレンチを示す
図である。
明の実施例２を示す構成図、第３図は従来の静電走査型
イオン注入装置を示す構成図、第４図はウェハー中心と
垂直なイオンビームを照射した場合のウェハー中心のト
レンチを示す図、第５図はウェハー中心と垂直なイオン
ビームを照射した場合のウェハー周辺のトレンチを示す
図である。
Claims (1)
- （１）静電走査型のイオン注入装置において、イオンビ
ームの走査を多段階にわけて行う機構を有することを特
徴とするイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63290749A JPH02135654A (ja) | 1988-11-17 | 1988-11-17 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63290749A JPH02135654A (ja) | 1988-11-17 | 1988-11-17 | イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02135654A true JPH02135654A (ja) | 1990-05-24 |
Family
ID=17760032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63290749A Pending JPH02135654A (ja) | 1988-11-17 | 1988-11-17 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02135654A (ja) |
-
1988
- 1988-11-17 JP JP63290749A patent/JPH02135654A/ja active Pending
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