JPH02133682U - - Google Patents

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JPH02133682U
JPH02133682U JP4168589U JP4168589U JPH02133682U JP H02133682 U JPH02133682 U JP H02133682U JP 4168589 U JP4168589 U JP 4168589U JP 4168589 U JP4168589 U JP 4168589U JP H02133682 U JPH02133682 U JP H02133682U
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JP
Japan
Prior art keywords
signal
gate
input
test
output
Prior art date
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Pending
Application number
JP4168589U
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Description

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図aはこの考案の一実施例を示す回路図、
第1図bはその回路動作の真理値を示す図、第1
図cはテスト制御端子A,B,C,D等の論理を
示す図、第2図は本考案のデコード手段と比較す
るための参考図、第3図aは本考案の他の実施例
を示す回路図、第3図bはその回路動作の真理値
を示す図、第4図乃至第6図はそれぞれ従来の半
導体集積回路図である。 図において、1は出力端子、2及び22はトラ
イステート出力回路、3及び23は第1及び第3
のテスト制御回路、4及び24は第2及び第4の
テスト制御回路、5及び25はデコード手段であ
る。
Figure 1a is a circuit diagram showing an embodiment of this invention;
Figure 1b is a diagram showing the truth value of the circuit operation.
Figure c is a diagram showing the logic of test control terminals A, B, C, D, etc., Figure 2 is a reference diagram for comparison with the decoding means of the present invention, and Figure 3 a is a diagram showing another embodiment of the present invention. FIG. 3B is a diagram showing the truth values of the circuit operation, and FIGS. 4 to 6 are diagrams of conventional semiconductor integrated circuits. In the figure, 1 is an output terminal, 2 and 22 are tri-state output circuits, and 3 and 23 are first and third output terminals.
4 and 24 are second and fourth test control circuits, and 5 and 25 are decoding means.

補正 平1.7.18 図面の簡単な説明を次のように補正する。 明細書第20頁第15行「第1図a」を、「第
1図」と補正する。 明細書第20頁第16行「第1図b」を、「第
2図」と補正する。 明細書第20頁第16〜17行「第1図c」を
、「第3図」と補正する。 明細書第20頁第18行「第2図」を、「第4
図」と補正する。 明細書第20頁第19行「・・するための参考
図、第3図aは」を、「・・するための回路図、
第5図は」と補正する。 明細書第20頁第20行「第3図b」を、「第
6図」と補正する。 明細書第21頁第1行「第4乃至第6図」を、
「第7乃至第9図」と補正する。
Amendment 1.7.18 Hei 1. The brief description of the drawing is amended as follows. "Fig. 1 a" on page 20, line 15 of the specification is amended to read "Fig. 1.""Fig. 1 b" on page 20, line 16 of the specification is corrected to "Fig. 2." On page 20 of the specification, lines 16-17, "Fig. 1 c" is corrected to "Fig. 3." ``Figure 2'' on page 20, line 18 of the specification has been replaced with ``Figure 4''.
Correct it to "Fig." Page 20 of the specification, line 19, ``Reference diagram for..., Figure 3 a'' is changed to ``Circuit diagram for...''
Figure 5 is corrected as ``. "Fig. 3 b" on page 20, line 20 of the specification is corrected to "Fig. 6." The first line of page 21 of the specification “Figures 4 to 6”
Corrected to "Figures 7 to 9."

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】 (1) 第1及び第2のテスト専用端子からの信号
が入力されるANDゲートを有し、該ANDゲー
トによつて得られた信号を出力すると共に、第1
及び第2のテスト専用端子からの信号を入力して
そのまま出力するデコード手段と、 内部論理回路からの出力信号及び前記デコード
手段のANDゲートからの出力信号が入力される
第1のNANDゲートと、該第1のNANDゲー
トの出力信号及び前記デコード手段を介した第1
のテスト専用端子からの信号が入力される第2の
NANDゲートとからなる第1のテスト制御回路
と、 前記内部論理回路からの制御信号及び前記デコ
ード手段のANDゲートからの出力信号が入力さ
れる第3のNANDゲートと、該第3のNAND
ゲートの出力信号及び前記デコード手段を介した
第2のテスト専用端子からの信号が入力される第
4のNANDゲートとからなる第2のテスト制御
回路と、 前記第1のテスト制御回路の第2のNANDゲ
ートからの出力信号を入力信号として入力し、第
2のテスト制御回路の第4のNANDゲートの出
力信号を制御信号として入力し、該制御信号がH
レベルのとき入力された出力信号を出力し、また
該制御信号がLレベルのときハイ・インピーダン
スとなるトライステート出力回路と を備えたことを特徴とするMOS型半導体集積回
路。 (2) 第1及び第2のテスト専用端子からの信号
が入力されるORゲートを有し、該ORゲートに
よつて得られた信号を出力すると共に、第1及び
第2のテスト専用端子からの信号を入力してその
まま出力するデコード手段と、 内部論理回路からの出力信号及び前記デコード
手段のORゲートからの出力信号が入力される第
1のNORゲートと、該第1のNORゲートの出
力信号及び前記デコード手段を介した第1のテス
ト専用端子からの信号が入力される第2のNOR
ゲートとからなる第3のテスト制御回路と、 前記内部論理回路からの制御信号及び前記デコ
ード手段のORゲートからの出力信号が入力され
る第3のNORゲートと、該第3のNORゲート
の出力信号及び前記デコード手段を介した第2の
テスト専用端子からの信号が入力される第4のN
ORゲートとからなる第4のテスト制御回路と、 前記第3のテスト制御回路の第2のNORゲー
トからの出力信号を入力信号として入力し、第3
のテスト制御回路の第4のNORゲートの出力信
号を制御信号として入力し、該制御信号がLレベ
ルのとき入力された出力信号を出力し、また該制
御信号がHレベルのときハイ・インピーダンスと
なるトライステート出力回路とを備えたことを特
徴とするMOS型半導体集積回路。
[Claims for Utility Model Registration] (1) It has an AND gate into which signals from the first and second test-dedicated terminals are input, and outputs the signal obtained by the AND gate.
and a decoding means for inputting the signal from the second test-dedicated terminal and outputting it as is; a first NAND gate to which the output signal from the internal logic circuit and the output signal from the AND gate of the decoding means are input; The output signal of the first NAND gate and the first
a first test control circuit comprising: a second NAND gate to which a signal from a test-dedicated terminal is input; and a control signal from the internal logic circuit and an output signal from the AND gate of the decoding means are input. a third NAND gate; a third NAND gate;
a second test control circuit comprising a fourth NAND gate to which the output signal of the gate and a signal from the second test dedicated terminal via the decoding means are input; and a second test control circuit of the first test control circuit. The output signal from the NAND gate of the second test control circuit is input as an input signal, the output signal of the fourth NAND gate of the second test control circuit is input as a control signal, and the control signal is set to H.
1. A MOS type semiconductor integrated circuit comprising a tri-state output circuit that outputs an input signal when the control signal is at the L level and becomes high impedance when the control signal is at the L level. (2) It has an OR gate into which signals from the first and second test-dedicated terminals are input, and outputs the signal obtained by the OR gate, and outputs the signal from the first and second test-dedicated terminals. a first NOR gate to which an output signal from an internal logic circuit and an output signal from an OR gate of the decoding means are input; and an output of the first NOR gate. a second NOR to which the signal and the signal from the first test-dedicated terminal via the decoding means are input;
a third test control circuit comprising a gate; a third NOR gate to which a control signal from the internal logic circuit and an output signal from the OR gate of the decoding means are input; and an output of the third NOR gate. a fourth N to which the signal and the signal from the second test-dedicated terminal via the decoding means are input;
a fourth test control circuit consisting of an OR gate; and an output signal from the second NOR gate of the third test control circuit is input as an input signal;
The output signal of the fourth NOR gate of the test control circuit is input as a control signal, and when the control signal is at L level, the input output signal is output, and when the control signal is at H level, it is a high impedance. 1. A MOS semiconductor integrated circuit comprising a tri-state output circuit.
JP4168589U 1989-04-11 1989-04-11 Pending JPH02133682U (en)

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