JPH02131858A - Li↓2B↓4O↓7単結晶のスライス加工方法 - Google Patents

Li↓2B↓4O↓7単結晶のスライス加工方法

Info

Publication number
JPH02131858A
JPH02131858A JP28463688A JP28463688A JPH02131858A JP H02131858 A JPH02131858 A JP H02131858A JP 28463688 A JP28463688 A JP 28463688A JP 28463688 A JP28463688 A JP 28463688A JP H02131858 A JPH02131858 A JP H02131858A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
slicing
monocrystal
slurry
li2b4o7
abrasive grains
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP28463688A
Other languages
English (en)
Inventor
Yuji Inoue
雄二 井上
Tadao Komi
小見 忠雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP28463688A priority Critical patent/JPH02131858A/ja
Publication of JPH02131858A publication Critical patent/JPH02131858A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/04Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
    • B28D5/045Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools by cutting with wires or closed-loop blades

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明はLi2B4O?単結晶のスライス加工方法に係
り、特に遊離砥粒によるLl2B.0?単結晶のスライ
ス加工に適する方法に関する。
(従来の技術) 従来、水晶、圧電単結晶や!lliiGaP , Ga
As等の単結晶のスライス加工には、一般に遊離砥粒に
よるスライス加工方法が採用されている。このスライス
加工方法は加工歪が少なく、特に割れ品い単結晶の加工
に適している。第3図はワイヤーソ−加工機を用い、遊
離砥粒によるスライス加工の状態を模式的に示したもの
で、3本ローラー1に巻きつけたピアノ線2が左右に移
動し、上部から油剤(不水系)に砥粒を分散混合させて
成るスラリ−3を落下させることにより、ガラス基台4
に取付けられた所定の単結晶5をスライスしている。
なお、図において6はスラリ−3を落下供給口を備えた
パイプである。ところで、上記スライス加工においては
、GCl600〜GCI1200番の砥粒が使用され、
粗い砥粒程スライススピードは早いが表面精度が悪く、
ワイヤー(ピアノ線)2やその他部品の消耗が著しくな
るために、通常はccttooo程度の砥粒が使用され
ている。
(発明が解決しようとする課題) 以上記したように単結晶のスライス加工方法としては、
ウエハの歩留りが良く、高精度で且つ加工速度の早いこ
とが望まれている。特に硬度が大きい場合はスライス時
間が増大し、例えば、モース硬度6.0のLi2B4O
7単結晶の場合はモース硬度5.5のLiTaO 3単
結晶の場合に対し2倍以上のスライス時間が必要とされ
著しく生産性が低下する。しかし、上記遊離砥粒よるス
ライス加工方法の場合は、スライス加工速度が数鰭/時
間と遅く、真直度も悪化することがしばしば発生し十分
満足し得る方法とは言いがたい。
そこで本発明の目的は、高精度で高スピードの遊離砥粒
の単結晶加工方法を提供することを目的とする。
[発明の構成] (課題を解決するための手段) 本発明は、ワイヤーソー等の遊離砥粒によるLi2B4
O?単結晶のスライス加工において、砥部の分散剤とし
て水溶性油剤と水を用い、この分散剤に所要の砥粒を分
散させたスラリーを使用することを特徴とし、またこの
スライス加工におけるスラリーはlO℃〜60℃程度に
温度管理をすることが望ましい。
(作用) lj2B4O,単結晶のスライス加工に、水を含んだ水
溶性スラリーを用いることにより、水とLl2B4OF
の反応によってスライス速度を促進させることが可能と
なる。さらには一部のエッチング効果も得られることに
より、スライス精度向上はもとより表面加工歪層も浅く
、ウエハ強度も強くなる。また、スラリーの加温により
、第1図に示すようにスライススピードが加速されるが
、ワイヤーソー加工機の変形等もあり、20℃〜50℃
が最適である。
(実施例) 以下本発明の実施例を説明する。先ず本発明で、Li2
B+Or単結晶のスライス加工に用いる水溶性切削油剤
を含むスラリーについて説明すると、水溶性油剤と水と
の割合は、砥粒の分散等考慮すると動粘度が4cst〜
4Ocst(4O℃》を呈するように選択することが望
ましい。つまり、スライススピードは第2図のように水
の混合比率が大きい程大きいけれど、逆に分散が悪《な
りワイヤーソー加工機のピアノ線切れ等が発生し易くな
る。またLi2BsOy単結晶のスライス加工で、水に
溶解し易いLi2B4OFは第1図に示すように温度と
ともにその溶解性が上がり、スライススピードが温水の
場合さらに増加する。従って、スラリーの4O℃におけ
る粘度は4〜4OcsLが好ましく、4cs Lより小
さいと分散性が悪くなり、4Ocstより大きいと砥粒
の流動性が悪くなり、スラリーの流れが悪くなる。しか
して、上記水溶切削油剤としては、例えばダフニアクー
ルSP1ダフニアクール(いずれも商品名)等が挙げら
れ、これらは1種若しくは2種以上の混合系で用いても
よい。
実施例I Li2B4O7単結晶の[110 ]軸引上げボール3
’X70鰭ぶについて、端面加工及び外周部加工を行っ
た後さらに(001 )面のオリエンテイションフラッ
ト加工を行った。このボールを有機接着剤によりガラス
ベースに接着し、接着後ワイヤーソー加工機の試料台に
固定した。しかる後試料(ボール)の端面とワイヤーを
位置合わせする。
次いでワイヤーソー加工機のスラリー供給タンク内に砥
粒ccstooo lokgを入れ、引続き水溶性切削
油剤例えばダフニアクールSP(商品名)1i(リット
ル)を入れ更に水91(リットル)を徐々に加えながら
撹拌した後、スラリーを循環させる。lO分間後スラリ
ーの状態を確認した後、ワイヤーソー加工機をスタート
させスライス加工を行った。結果は従来(分散剤として
油剤使用) 4O〜50hr要したスライス時間が25
hrで終了した。スライスされたウエハはソーマークも
殆どなく、ソリはlOμ量以下と良好であった。また、
ウエハの洗浄プロセスの水洗が可能で作業性も良かった
実施例2 Li284O7単結晶の[1101軸引上げボール3’
X70鰭{について、端面加工及び外周部加工を行った
後さらに(001 )面のオリエンティシジンフラット
加工を行った。このボールを有機接着剤によりガラスベ
ースに接着し、接着後ワイヤーソー加工機の試料台に固
定する。しかる後試料の端面とワイヤーを位置合わせす
る。次いでワイヤーソー加工機のスラリー供給タンク内
に、砥粒GC婁1000 10kgを入れ、水溶性切削
油剤例えばダフニアクールSP5βを加え、更に水51
を徐々に加えながら撹拌した後、スラリーを循環させた
lO分間後スラリーの状態を確認した後、ワイヤーソー
加工機をスタートさせスライス加工を行った。
結果は従来4O〜50hr要したスライス時間が35h
『で終了した。スライスされたウエハはソーマークも殆
どなく、ソリは!5μ一以下と良好であった。また、ウ
エハの洗浄プロセスも水洗が可能で作業性も良かった。
実施例3 L[2B4O7単結晶の[110 ]軸引上げボール3
″X70ms+,gについて、端面加工及び外周部加工
を行った後さらに(001 )面のオリエンテイション
フラット加工を行った。このボールを有機接着剤により
ガラスベースに接着し、接着後ワイヤーソー加工機の試
料台に固定して試料の端面とワイヤーを位置合わせした
。次いでワイヤーソー加工機のスラリー供給タンク内に
砥粒GC$lO00 tokgを入れ、水溶性切削油剤
例えば、ダフニアクールSPとダフニアクールとの混合
物0.21を加え更に水9.8βを徐々に加えながら撹
拌した後、スラリーを循環させた。10分間後スラリー
の状態を確認した後、ワイヤーソー加工機をスタートさ
せスライス加工を行った。結果は従来4O〜50h『要
したスライス時間が25hrで終了した。スライスされ
たウエハはソーマークも殆どなく、ソリは10μ一以下
と良好であった。また、ウエハの洗浄プロセスも水洗が
可能で作業性も良かった。
比較例 Li284O7単結晶の[11G ]軸引上げボール3
’X70+gnβについて、端面加工及び外周部加工を
行った後、さらに(001 )面のオリエンテイション
フラット加工を行った。このボールを有機接着剤により
ガラスベースに接着し、接着後ワイヤーソー加工機の試
料台に固定した。しかる後試料の端面とワイヤーを位置
合わせした。次いでワイヤーソー加工機のスラリー供給
タンク内に砥粒GC$1000 10kgを入れ、水溶
性でない油剤91を徐々に入れながら撹拌した後、スラ
リーを循環させた。10分間後スラリ一の状態を確認し
た後、ワイヤーソー加工機をスタートさせスづイス加工
を行りた。結果はスライス時間が50hrで終了した。
しかもスライスされたウエハはソーマークがあり、ソリ
は4Oμ腸以上と悪かった。また、ウェハの洗浄プロセ
スは自灯油による洗浄が必要で作業性も悪かった。
[発明の効果] 以上説明した通り、本発明方法によれば、圧電単結晶で
硬く、またクラックが入り易くてスライス加工しにくい
Li284O7単結晶のスライス加工がLINb0 3
単結晶やLITa0 3単結晶並のスピードで、短時間
に且つ容易に行いうる。しかもスムースに所定のスライ
スが可能となったことにより精度も向上し、スライス後
も試料の洗浄プロセスが簡便になり、作業性、歩留りも
向上した。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明方法で用いるスラリーの温度とワイヤー
ソースライススピードとの関係を示す曲線図、第2図は
同じく本発明方法で用いるスラリーの組成比(水と水溶
性油剤との比率)とワイヤーソー加エスピードの関係を
示す曲線図、第3図はワイヤーソー加工機によるスライ
ス加工方法の実施態様を示す模式図である。 1・・・・・・・・・ローラー 2・・・・・・・・・ワイヤー(ピアノ線)3・・・・
・・・・・スラリー 4・・・・・・・・・ガラス板(基台)5・・・・・・
・・・単結晶ボール 出願人      株式会社 東芝

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. Li_2B_4O_7単結晶の遊離砥粒スライス加工方
    法において、遊離砥粒の分散剤として水溶性切削油剤を
    用いることを特徴とするLi_2B_4O_7単結晶の
    スライス加工方法。
JP28463688A 1988-11-10 1988-11-10 Li↓2B↓4O↓7単結晶のスライス加工方法 Pending JPH02131858A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28463688A JPH02131858A (ja) 1988-11-10 1988-11-10 Li↓2B↓4O↓7単結晶のスライス加工方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28463688A JPH02131858A (ja) 1988-11-10 1988-11-10 Li↓2B↓4O↓7単結晶のスライス加工方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02131858A true JPH02131858A (ja) 1990-05-21

Family

ID=17681039

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP28463688A Pending JPH02131858A (ja) 1988-11-10 1988-11-10 Li↓2B↓4O↓7単結晶のスライス加工方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH02131858A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6381830B1 (en) 1998-09-01 2002-05-07 Sumitomo Special Metals Co., Ltd. Method for cutting rare earth alloy, method for manufacturing rare earth alloy plates and method for manufacturing rare earth alloy magnets using wire saw, and voice coil motor
US6408840B2 (en) 1999-12-14 2002-06-25 Sumitomo Special Metals Co., Ltd. Method and apparatus for cutting a rare earth alloy

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6381830B1 (en) 1998-09-01 2002-05-07 Sumitomo Special Metals Co., Ltd. Method for cutting rare earth alloy, method for manufacturing rare earth alloy plates and method for manufacturing rare earth alloy magnets using wire saw, and voice coil motor
US6408840B2 (en) 1999-12-14 2002-06-25 Sumitomo Special Metals Co., Ltd. Method and apparatus for cutting a rare earth alloy

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4084354A (en) Process for slicing boules of single crystal material
JP3397968B2 (ja) 半導体単結晶インゴットのスライス方法
JP2001054850A (ja) 固定砥粒ワイヤーソーによる硬脆材料の切断加工法
US4412886A (en) Method for the preparation of a ferroelectric substrate plate
JPH02131858A (ja) Li↓2B↓4O↓7単結晶のスライス加工方法
JP2002075923A (ja) シリコン単結晶インゴットの加工方法
JPH0671639A (ja) 単結晶の加工方法
US4154025A (en) Method for preparing oxide piezoelectric material wafers
JPS61114813A (ja) 切断方法
JPH0888202A (ja) ダイシングテープ
JPH06302568A (ja) 固定砥粒による鏡面研磨装置
JPH05138647A (ja) 単結晶の加工方法
JPH11189500A (ja) 酸化物単結晶基板の製造方法
JPH06128092A (ja) 単結晶の加工方法
JP3151478B2 (ja) 結晶体の研磨方法及び研磨治具
JPS6427859A (en) Method for grinding hard and brittle material
JP3254685B2 (ja) ニオブ酸リチウム単結晶基板の製造方法
JPH0661681B2 (ja) 鏡面ウェ−ハの製造方法
JPS60116749A (ja) ガリウム・ヒ素ウエハのポリシング用基板
JPH0321021A (ja) 半導体基板の面取り方法及びその装置
JPS59129661A (ja) 研磨用プレ−ト
CN114952643A (zh) 一种固结磨料抛光沥青盘的制作方法
JPH08300255A (ja) 単結晶加工方法
JPH11240799A (ja) 単結晶基板及びその製造法
JPS5919664A (ja) 軟質結晶の研摩方法