JPH02130948A - 半導体冷却装置 - Google Patents
半導体冷却装置Info
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- JPH02130948A JPH02130948A JP28598188A JP28598188A JPH02130948A JP H02130948 A JPH02130948 A JP H02130948A JP 28598188 A JP28598188 A JP 28598188A JP 28598188 A JP28598188 A JP 28598188A JP H02130948 A JPH02130948 A JP H02130948A
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- heat pipe
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Links
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Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、平形半導体素子のMmに配置され、金属ブ
ロックと、冷却片とから成るヒートパイプ冷却器を備え
た半導体冷却装置に関するものである。
ロックと、冷却片とから成るヒートパイプ冷却器を備え
た半導体冷却装置に関するものである。
第6図〜第8寵は例えば実開昭62−89148号公報
に示された従来の半導体冷却装置を示す図である。
に示された従来の半導体冷却装置を示す図である。
図において、lは平形半導体素子、2はヒートパイプ冷
却器で、この冷却器は金属ブロック器、パイプめ、冷却
片5とで構成されている。そして、パイプUは金属ブロ
ックるの内部に設けたへ囚人に挿入され、半田付又はロ
ー付等により固着されている。またこの中空バイプム内
には作動g7が真空中で充填され両端を封止している。
却器で、この冷却器は金属ブロック器、パイプめ、冷却
片5とで構成されている。そして、パイプUは金属ブロ
ックるの内部に設けたへ囚人に挿入され、半田付又はロ
ー付等により固着されている。またこの中空バイプム内
には作動g7が真空中で充填され両端を封止している。
さらにこのパイプ腕の内部壁面にはウィック謳が設けら
れている。なお、上記半導体素子1と両側の冷却装置2
は図示していない締付装置により所足の荷重で圧接して
いる。
れている。なお、上記半導体素子1と両側の冷却装置2
は図示していない締付装置により所足の荷重で圧接して
いる。
次に動作について説明する。半導体素子1で発生した熱
は、金属ブロックn内を伝導し、パイプ腕を加熱する。
は、金属ブロックn内を伝導し、パイプ腕を加熱する。
すると、パイプUの内部に充填されている作動液(冷媒
)7が沸騰し、液相−気相の相変化を生じる0そしてこ
の気相の冷媒は上昇し、冷却片25より空気中に熱枚散
し、凝縮液化しウィック謳を通してパイプ腕の下部に戻
る。
)7が沸騰し、液相−気相の相変化を生じる0そしてこ
の気相の冷媒は上昇し、冷却片25より空気中に熱枚散
し、凝縮液化しウィック謳を通してパイプ腕の下部に戻
る。
このようにして#?導体素子1で発生した熱は、金属ブ
ロック田−バイブ渦−冷却片jと熱−送ざれ、これによ
り半導体素子1が効率よく冷却される。
ロック田−バイブ渦−冷却片jと熱−送ざれ、これによ
り半導体素子1が効率よく冷却される。
従来の半導体冷却装置では、大容量の半導体素子を使用
する時のように冷却装置の冷却能力を同上させるために
は、パイプ々を長くして冷却片δの枚数を多くするか、
もしくは、パイプあの長さに装置構成上制限がある場合
は、冷却片6を大きくして1枚当りの放熱面積を大きく
することが行なわれる。
する時のように冷却装置の冷却能力を同上させるために
は、パイプ々を長くして冷却片δの枚数を多くするか、
もしくは、パイプあの長さに装置構成上制限がある場合
は、冷却片6を大きくして1枚当りの放熱面積を大きく
することが行なわれる。
ところが、冷却片6を冷却能力に応じて大きくすると、
隣合う冷却片との間に所定の間隔(冷却片か電気的に帯
電している場合には、絶縁距曙が必要であり、又帯電し
ていない場合は、製作誤差が生じても互いの冷却片が当
たらないための数鮪の寸法が必要)を保つためには、M
9図に示すように金属ブロック器の厚さ寸法ムを大きく
しなけれはならない。ところが金属ブロック器の厚さ寸
法ムを太き(すると、必然的に半導体素子1とパイプ調
との距離が大きくなり、半導体素子lで発生した熱が斂
輿プロンク器を熱伝導してパイプ淘に達Tるまでの熱抵
抗が増大するという間鵬が生じる。又、金属ブロック&
ゴ熱伝導串の高い材料で一般には銅が用いられるが、金
属ブロック器の取量が大とtJす、冷却袋f12と半導
体素子1とを積み本ねで組立てる作業が出麹となる。特
に車両に用いる半導体装置では@量化が強く要求される
ことに対し、1!量が増えることは好ましくなく、又車
両走行時の撮動に耐えるためには、図示していない給付
装置も強化せざるを得す、半導体装置としては著しい取
量増加が伴うという問題があった□この発明は上記のよ
うな従来装置の問題点を改善するためになされたもので
、軽量で冷却性能の高い半導体冷却装置を得ることを目
的とする。
隣合う冷却片との間に所定の間隔(冷却片か電気的に帯
電している場合には、絶縁距曙が必要であり、又帯電し
ていない場合は、製作誤差が生じても互いの冷却片が当
たらないための数鮪の寸法が必要)を保つためには、M
9図に示すように金属ブロック器の厚さ寸法ムを大きく
しなけれはならない。ところが金属ブロック器の厚さ寸
法ムを太き(すると、必然的に半導体素子1とパイプ調
との距離が大きくなり、半導体素子lで発生した熱が斂
輿プロンク器を熱伝導してパイプ淘に達Tるまでの熱抵
抗が増大するという間鵬が生じる。又、金属ブロック&
ゴ熱伝導串の高い材料で一般には銅が用いられるが、金
属ブロック器の取量が大とtJす、冷却袋f12と半導
体素子1とを積み本ねで組立てる作業が出麹となる。特
に車両に用いる半導体装置では@量化が強く要求される
ことに対し、1!量が増えることは好ましくなく、又車
両走行時の撮動に耐えるためには、図示していない給付
装置も強化せざるを得す、半導体装置としては著しい取
量増加が伴うという問題があった□この発明は上記のよ
うな従来装置の問題点を改善するためになされたもので
、軽量で冷却性能の高い半導体冷却装置を得ることを目
的とする。
この発明に係る冷却装置は、凝lIA器部のパイプの内
部断面に比べて蒸発部のパイプ内部断面を大きく設定し
たものである。
部断面に比べて蒸発部のパイプ内部断面を大きく設定し
たものである。
この発明による冷却装置lllは、蒸発部のヒートパイ
プ内部断面が大きいため、半導体素子からヒートパイプ
までの金属ブロックの熱伝導距陽が短かくなり、!#劫
性能が向上する。また金属ブロック内で構成される蒸5
@部の空調部分が増加Tるので、金属ブロックの軽量化
が図れる。
プ内部断面が大きいため、半導体素子からヒートパイプ
までの金属ブロックの熱伝導距陽が短かくなり、!#劫
性能が向上する。また金属ブロック内で構成される蒸5
@部の空調部分が増加Tるので、金属ブロックの軽量化
が図れる。
以下、この発明の一実施例を図についてa明Tる。第1
図において、金属ブロック3の穴38に一冷却片6を有
するヒートパイプ4を挿入し、これらをロー付等で固着
Tるが、このヒートパイプ4は冷却片5を設けた凝#邪
4ムの内部断面積に比べて、金属ブロック3に挿入され
ている蒸発%4Bの内部断面積を大きくしである。
図において、金属ブロック3の穴38に一冷却片6を有
するヒートパイプ4を挿入し、これらをロー付等で固着
Tるが、このヒートパイプ4は冷却片5を設けた凝#邪
4ムの内部断面積に比べて、金属ブロック3に挿入され
ている蒸発%4Bの内部断面積を大きくしである。
なお、ヒートパイプ4の内部にはウィンクロを設け、作
#l液(冷媒)7を真空中で封入しであるのは従来と同
様である◎ 次に作用について説明Tる。半導体素子が通電し発熱す
ると、この熱は金属ブロック3を熱伝導し、ヒートパイ
プ4の蒸発W64Bを加熱する。ヒートパイプ4の内部
には作動液(冷媒)7が封入されており、この冷媒が蒸
発して、この時金属ブロック3より蒸発潜熱を奪う。次
に気化した冷媒は上昇して凝縮器部4ムに達するが、こ
の凝縮器部4ムにはヒートパイプの外部に冷却片6が設
けられていて、空気の自然対流もしくは強制空冷により
空気中に熱放散させることにより、ヒートパイプ中の冷
媒は液化凝縮し、ウィンクロを通して蒸発部へ戻る。こ
のように冷媒が液相と気相の相変化をくり返し乍ら半導
体の熱を金属ブロック−ヒートパイプ−冷却片を通して
空気中に放熱する。
#l液(冷媒)7を真空中で封入しであるのは従来と同
様である◎ 次に作用について説明Tる。半導体素子が通電し発熱す
ると、この熱は金属ブロック3を熱伝導し、ヒートパイ
プ4の蒸発W64Bを加熱する。ヒートパイプ4の内部
には作動液(冷媒)7が封入されており、この冷媒が蒸
発して、この時金属ブロック3より蒸発潜熱を奪う。次
に気化した冷媒は上昇して凝縮器部4ムに達するが、こ
の凝縮器部4ムにはヒートパイプの外部に冷却片6が設
けられていて、空気の自然対流もしくは強制空冷により
空気中に熱放散させることにより、ヒートパイプ中の冷
媒は液化凝縮し、ウィンクロを通して蒸発部へ戻る。こ
のように冷媒が液相と気相の相変化をくり返し乍ら半導
体の熱を金属ブロック−ヒートパイプ−冷却片を通して
空気中に放熱する。
こ\で本発明の冷却i!置は、fI!属ブロック内のヒ
ートパイプ蒸発部の断面積を凝縮器部に比べて大きく設
定しているので、半導体とヒートパイプとの間の金属ブ
ロックの伝熱距離が短かくできるため、熱抵抗を小さく
でき、又ヒートパイプの蒸発面積も大きくなるため、蒸
発熱抵抗も小さくなる。ざらに又、金属ブロック3は空
洞部か大きくなることから重量も小さくなる。
ートパイプ蒸発部の断面積を凝縮器部に比べて大きく設
定しているので、半導体とヒートパイプとの間の金属ブ
ロックの伝熱距離が短かくできるため、熱抵抗を小さく
でき、又ヒートパイプの蒸発面積も大きくなるため、蒸
発熱抵抗も小さくなる。ざらに又、金属ブロック3は空
洞部か大きくなることから重量も小さくなる。
なお、凝縮器部のヒートパイプの内部断面積は蒸発部に
比べて小さく冷却片5の冷却面積を損うことがないので
、凝縮能力が低下しない。
比べて小さく冷却片5の冷却面積を損うことがないので
、凝縮能力が低下しない。
第2図は第1図のtt−n線の断面図であり、金属ブロ
ック3に対し断面が円形のヒートパイプ4が8本挿入さ
れた図を示す。また第8図はヒートパイプの他の実施例
で、金属ブロック3に挿入された部分が長円形状となっ
ており、半導体素子とヒートパイプとの間の伝熱互層を
より短かくできる。さらに第4図は他の実施例で、角形
断面のヒートパイプを示T。
ック3に対し断面が円形のヒートパイプ4が8本挿入さ
れた図を示す。また第8図はヒートパイプの他の実施例
で、金属ブロック3に挿入された部分が長円形状となっ
ており、半導体素子とヒートパイプとの間の伝熱互層を
より短かくできる。さらに第4図は他の実施例で、角形
断面のヒートパイプを示T。
なお以上の実施例では、金属ブロックに穴を設け、これ
にヒートパイプを挿入した構造のものについて述べたが
、第5図に示すように、金属ブロック3の穴3Bとパイ
プ4とをBWLでa−付又は溶接等で接合し、パイプの
断面積に比べて金属ブロックの穴の断面積を大きくして
も同様の効果を奏する0なお、金属ブロックの穴の断面
形状は第2図〜第4図の如くパイプで構成した場合と同
様に櫨々のものが考えられる。
にヒートパイプを挿入した構造のものについて述べたが
、第5図に示すように、金属ブロック3の穴3Bとパイ
プ4とをBWLでa−付又は溶接等で接合し、パイプの
断面積に比べて金属ブロックの穴の断面積を大きくして
も同様の効果を奏する0なお、金属ブロックの穴の断面
形状は第2図〜第4図の如くパイプで構成した場合と同
様に櫨々のものが考えられる。
以上のようにこの発明によれば、ヒートパイプの凝SS
内断面檀に比べて蒸発部内断面積を大きくしたもので、
金属ブロックの内に占める空洞比率が大きくでき、軽量
な冷却装装置が得られる。又半導体素子とヒートパイプ
間の金属ブロックノ伝熱距層が短かくなり、しかもヒー
トパイプの蒸発面積5拡大されるので、極めて冷却性能
の高い冷却装置が得られる効果がある。
内断面檀に比べて蒸発部内断面積を大きくしたもので、
金属ブロックの内に占める空洞比率が大きくでき、軽量
な冷却装装置が得られる。又半導体素子とヒートパイプ
間の金属ブロックノ伝熱距層が短かくなり、しかもヒー
トパイプの蒸発面積5拡大されるので、極めて冷却性能
の高い冷却装置が得られる効果がある。
4、 it!3面の簡単な説明
第1図はこの発明の一実施例による冷却装置を示す縦断
面図、第2図は第1図のa−amの断面図、第8図、第
4因はパイプ形状の他の実施例を示す断面図、第5図は
この発明の他の実施例を示す縦断面図、第6図は従来の
冷却装置を示す正面心、第71111は第6図の右側面
図、第8図は第6図の!IEWr面図、第9図は冷却能
力を大きくした場合の従来の冷却8I!置を示T正面図
である□図中、lは半導体素子12は冷却装置、3は薫
属ブロック、4はヒートパイプ、4ムは凝縮器部、4B
は蒸発部、5は冷却片、6はウィツク、7は作動液であ
る〇
面図、第2図は第1図のa−amの断面図、第8図、第
4因はパイプ形状の他の実施例を示す断面図、第5図は
この発明の他の実施例を示す縦断面図、第6図は従来の
冷却装置を示す正面心、第71111は第6図の右側面
図、第8図は第6図の!IEWr面図、第9図は冷却能
力を大きくした場合の従来の冷却8I!置を示T正面図
である□図中、lは半導体素子12は冷却装置、3は薫
属ブロック、4はヒートパイプ、4ムは凝縮器部、4B
は蒸発部、5は冷却片、6はウィツク、7は作動液であ
る〇
Claims (1)
- 金属ブロツクと凝縮器間をパイプで連結し、内部に作動
液が封入されたヒートパイプ冷却器を、平形半導体素子
の両端に配置して構成した半導体冷却装置において、上
記ヒートパイプ冷却器の金属ブロックの内部空洞断面積
を、金属ブロック外のヒートパイプ内部空洞断面積より
も大きく設定したことを特徴とする半導体冷却装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28598188A JPH02130948A (ja) | 1988-11-11 | 1988-11-11 | 半導体冷却装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28598188A JPH02130948A (ja) | 1988-11-11 | 1988-11-11 | 半導体冷却装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02130948A true JPH02130948A (ja) | 1990-05-18 |
Family
ID=17698475
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28598188A Pending JPH02130948A (ja) | 1988-11-11 | 1988-11-11 | 半導体冷却装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02130948A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5198889A (en) * | 1990-06-30 | 1993-03-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Cooling apparatus |
WO2000011423A1 (en) * | 1998-08-19 | 2000-03-02 | Nokia Networks Oy | Heat exchanger for conducting elsewhere heat energy generated by heat source |
CN100383961C (zh) * | 2004-06-21 | 2008-04-23 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 散热器及其制造方法 |
WO2008131587A1 (en) * | 2007-04-28 | 2008-11-06 | Jenshyan Chen | Heat pipe and manufacturing method thereof |
US8109324B2 (en) | 2005-04-14 | 2012-02-07 | Illinois Institute Of Technology | Microchannel heat exchanger with micro-encapsulated phase change material for high flux cooling |
WO2016013072A1 (ja) * | 2014-07-23 | 2016-01-28 | 日本軽金属株式会社 | 放熱器 |
-
1988
- 1988-11-11 JP JP28598188A patent/JPH02130948A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5198889A (en) * | 1990-06-30 | 1993-03-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Cooling apparatus |
WO2000011423A1 (en) * | 1998-08-19 | 2000-03-02 | Nokia Networks Oy | Heat exchanger for conducting elsewhere heat energy generated by heat source |
CN100383961C (zh) * | 2004-06-21 | 2008-04-23 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 散热器及其制造方法 |
US8109324B2 (en) | 2005-04-14 | 2012-02-07 | Illinois Institute Of Technology | Microchannel heat exchanger with micro-encapsulated phase change material for high flux cooling |
WO2008131587A1 (en) * | 2007-04-28 | 2008-11-06 | Jenshyan Chen | Heat pipe and manufacturing method thereof |
WO2016013072A1 (ja) * | 2014-07-23 | 2016-01-28 | 日本軽金属株式会社 | 放熱器 |
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