JPH0212841A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0212841A JPH0212841A JP16402288A JP16402288A JPH0212841A JP H0212841 A JPH0212841 A JP H0212841A JP 16402288 A JP16402288 A JP 16402288A JP 16402288 A JP16402288 A JP 16402288A JP H0212841 A JPH0212841 A JP H0212841A
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 11
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract 10
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000002470 thermal conductor Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はA u S n等のいわゆるハードソルダーに
より素子チップをマウントする構造で、しかもHeat
fiink)構造である半導体装置に関する。
より素子チップをマウントする構造で、しかもHeat
fiink)構造である半導体装置に関する。
従来、この種の半導体装置の構造としては、第3図に示
す様にFET等の動作部を形成したG a A s等の
半導体層lの裏面にスパッタによりTi層2を形成し、
これにメツキ法により30μm以上のAu層3を形成し
たものがある。
す様にFET等の動作部を形成したG a A s等の
半導体層lの裏面にスパッタによりTi層2を形成し、
これにメツキ法により30μm以上のAu層3を形成し
たものがある。
上述した従来の構造ではA u S n合金等のいわゆ
るハードソルダーを用いてチップをマウントした場合、
マウント時の熱及びその後にチップに加わるポンディン
グあるいは封着等の熱によりSnがチップ裏面より拡散
し、熱伝導性の良いAu層に替り、熱伝導性の劣るA
u S n合金層が厚く形成され、または、この形成が
進行し本来熱の良導性を目的としたPH8構造の目的を
十分に発揮出来ない欠点があった。
るハードソルダーを用いてチップをマウントした場合、
マウント時の熱及びその後にチップに加わるポンディン
グあるいは封着等の熱によりSnがチップ裏面より拡散
し、熱伝導性の良いAu層に替り、熱伝導性の劣るA
u S n合金層が厚く形成され、または、この形成が
進行し本来熱の良導性を目的としたPH8構造の目的を
十分に発揮出来ない欠点があった。
本発明は、従来の構造の欠点であった熱伝導性の劣るA
uSn合金層の形成を抑制するために、熱良導体である
Ag層の上に、これを被う様に500Å以上のTi層を
被着することにより密着性を良くし、この上にSnの拡
散を抑制する機能をもたせるためにpt層を1000Å
以上形成し、酸化を防止しマウント面を安定にするため
に、さらにこの上にAu層を1000Å以上形成してい
る。また、熱良導層としてAuより熱伝導性の良いAg
を用いている。
uSn合金層の形成を抑制するために、熱良導体である
Ag層の上に、これを被う様に500Å以上のTi層を
被着することにより密着性を良くし、この上にSnの拡
散を抑制する機能をもたせるためにpt層を1000Å
以上形成し、酸化を防止しマウント面を安定にするため
に、さらにこの上にAu層を1000Å以上形成してい
る。また、熱良導層としてAuより熱伝導性の良いAg
を用いている。
次に、本発明について図面を参照してより詳細に説明す
る。
る。
第1図および第2図は本発明の一実施例を示すもので、
第1図はチップ縦断面図を示し、第2図はチップをマウ
ントした場合の縦断面図を示す。
第1図はチップ縦断面図を示し、第2図はチップをマウ
ントした場合の縦断面図を示す。
図中1はFETの動作部を上面に形成したGaAs等の
半導体層であり、この裏面にはスパッタ法によりTi層
2を500人程変形成し、この上にAgメツキ層3を3
0μm程度形成する。さらにAgメツキ層を被う様にT
i層4を500人、Pt上層を例えば2000人形成し
、さらにAu層6を2000人形成する。
半導体層であり、この裏面にはスパッタ法によりTi層
2を500人程変形成し、この上にAgメツキ層3を3
0μm程度形成する。さらにAgメツキ層を被う様にT
i層4を500人、Pt上層を例えば2000人形成し
、さらにAu層6を2000人形成する。
上記チップをマウントした図が第2図であり、図中7は
A u S nソルダー、8はC,uステムを示す。こ
こで、マウント、ポンディング封着時の300〜350
℃程度の組立工程時の加熱によりソルダー7中に含まれ
るSnがAu層6に拡散しても、Pt層中における拡散
は極めて遅いため上層のAg層3には及ばない。
A u S nソルダー、8はC,uステムを示す。こ
こで、マウント、ポンディング封着時の300〜350
℃程度の組立工程時の加熱によりソルダー7中に含まれ
るSnがAu層6に拡散しても、Pt層中における拡散
は極めて遅いため上層のAg層3には及ばない。
従って放熱性を目的とするAg層3の熱良導性は上記加
熱後も保持される。
熱後も保持される。
また、上記実施例において、G a A s素子のかわ
りに、Si素子についても同様に適用することが可能で
あり、同様の効果が説明できることは言うまでもない。
りに、Si素子についても同様に適用することが可能で
あり、同様の効果が説明できることは言うまでもない。
以上説明した様に、本発明は半導体チップの裏面に薄い
Ti層と30μm以上の厚さを有するAg層を形成し、
さらにこれを被う様にTi、Pt、Au層を各々500
人、1000人、1000Å以上積層した構造を用いる
ことにより、組立工程等の加熱工程においてA u S
n等のマウントソルダーがAg層まで拡散し、熱伝導
性を劣化させることを抑制できる効果がある。
Ti層と30μm以上の厚さを有するAg層を形成し、
さらにこれを被う様にTi、Pt、Au層を各々500
人、1000人、1000Å以上積層した構造を用いる
ことにより、組立工程等の加熱工程においてA u S
n等のマウントソルダーがAg層まで拡散し、熱伝導
性を劣化させることを抑制できる効果がある。
第1図は本発明の一実施例を示す縦断面図であり、第2
図は本発明の一実施例による半導体シップの使用例を示
す縦断面図である。第3図は従来例を示す断面図である
。 1・・・・・・FET等の動作部を形成したG a A
s層、2・・・・・・Ti層(500人)、3・・・
・・・Agメツキ層(30μm)、4−− T i層(
500人)、Spt層(2000人)、6−− A u
層(2000人)を示す。 代理人 弁理士 内 原 音 振 ! 図 茅 回 草 国
図は本発明の一実施例による半導体シップの使用例を示
す縦断面図である。第3図は従来例を示す断面図である
。 1・・・・・・FET等の動作部を形成したG a A
s層、2・・・・・・Ti層(500人)、3・・・
・・・Agメツキ層(30μm)、4−− T i層(
500人)、Spt層(2000人)、6−− A u
層(2000人)を示す。 代理人 弁理士 内 原 音 振 ! 図 茅 回 草 国
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、半導体チップの裏面に、第1のチタン層、銀層、第
2のチタン層、白金層、金層をこの順に形成したことを
特徴とする半導体装置。 2、前記銀層は30μm以上の厚さを有し、前記第2の
チタン層は500Å以上の厚さを有し、前記白金層は1
000Å以上の厚さを有し、前記金層は1000Å以上
の厚さを有することを特徴とする請求項2記載の半導体
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16402288A JPH0212841A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16402288A JPH0212841A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0212841A true JPH0212841A (ja) | 1990-01-17 |
Family
ID=15785303
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16402288A Pending JPH0212841A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0212841A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20220362891A1 (en) * | 2019-10-08 | 2022-11-17 | Rogers Germany Gmbh | Method for producing a metal-ceramic substrate, solder system, and metal-ceramic substrate produced using such a method |
-
1988
- 1988-06-29 JP JP16402288A patent/JPH0212841A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20220362891A1 (en) * | 2019-10-08 | 2022-11-17 | Rogers Germany Gmbh | Method for producing a metal-ceramic substrate, solder system, and metal-ceramic substrate produced using such a method |
US11945054B2 (en) * | 2019-10-08 | 2024-04-02 | Rogers Germany Gmbh | Method for producing a metal-ceramic substrate, solder system, and metal-ceramic substrate produced using such a method |
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