JPH02127401A

JPH02127401A - 光学異性体分離用充填剤

Info

Publication number: JPH02127401A
Application number: JP63279321A
Authority: JP
Inventors: Maki Yamato; 真樹大和; Shuichi Mitamura; 三田村　修一; Chiaki Fujimoto; 藤本　千郷
Original assignee: Nippon Steel Corp; Nippon Steel Chemical Co Ltd
Current assignee: Nippon Steel Corp; Nippon Steel Chemical and Materials Co Ltd
Priority date: 1988-11-07
Filing date: 1988-11-07
Publication date: 1990-05-16

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、光学異性体の分離に用いられる物質及びその
製造方法並びにかかる方法により合成した物質を用いた
光学異性体分離用充填剤に関する。

本発明の光学異性体分離用充填剤は種々の光学異性体混
合物を単離するのに有用である。

〔従来の技術〕

近年、光学異性体は医薬や農薬はもちろんのこと、食品
添加物、強誘電性液晶材、さらには非線形光学材料の分
野にその応用分野は広がりつつある。例えば医薬品で光
学異性体を含むものは、それぞれの異性体の薬理活性が
異なる場合があり、サリドマイド禍で示された様にその
異性体に致命的な副作用を持つ可能性もある。かかる事
態に対して厚生省は、［光学異性体を含む医薬品に関し
ては、それぞれの異性体ごとにその薬理活性を明らかに
することが望ましい」というガイドラインを示した。現
在までのところ光学異性体の光学純度の測定法及び簡便
な光学異性体分離の方法は確立されておらず、特に上記
の理由より製薬メーカーからその確立が強く望まれてい
る。

クロマト法による光学異性体の分析、分離は、現在量も
有効な方法として特に注目を集めており、既にいくつか
の充填剤が市販されている。またセルロースやキトサン
のような天然高分子またはその誘導体を光学異性体分離
に用いることは、以前より行なわれている〔例えば、Ｈ
ｅ５ｓｅ、　Ｇ、　ａｎｄＨａｇｅｌ　Ｒ，Ｃｈｒｏｍ
ａｔ　ｏｇｒａｐｈｔａ　６．２７７（１９７３）参照
〕。

これらの物質をクロマト法における充填剤として利用す
ることは、セルロース誘導体については詳細に検討され
、既に光学異性体分離用充填剤として上申されている。

一方キトサン誘導体については、トリアセチルキトサン
（特開昭６０−２２６８２号公報）やトリベンゾイルキ
トサン（特開昭６０−２２６８３３号公報）が知られて
いる。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかし、前記したような従来の充填剤は、その分離対象
物が限定されている、分離能が低い、使用できる溶媒が
限定されている、高価である、製造法の再現性が悪い等
の多くの改良すべき課題を有している。例えば前述のト
リベンゾイルキトサンは、キトサンをピリジンを溶媒と
し°ζ触媒の存在下にベンゾイルクロライドと反応させ
て得ているが、このような条件では、キトサンを再現性
良く高度にベンゾイル化することは極めて困難であり、
かつ生成したキトサン誘導体の有機溶媒に体する溶解性
は向上しない。かかる方法で得たトリベンゾイルキトサ
ンをジクロロメタン−ジクロロ酢酸に溶解し、シリカゲ
ルに担持し、充填剤を調整するが、その光学異性体分離
能は十分とは言えない。

従って、本発明の目的は、安価でかつ再現性良く製造で
き、また広範な種々の光学異性体に対して優れた光学分
離能を持つ充填剤を開発することにある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、上記の課題を解決するために鋭意研究を重ね
た結果、完成されたもので、キトサンをスルホン酸の存
在下に酸ハロゲン化物と反応させて得られるキトサン誘
導体及びそれを製造する方法並びにそのキトサン誘導体
を活性成分とした光学異性体分離用充填剤である。

本発明で原料に用いるキトサンは、カニやエビの甲殻の
成分であるキチンを加水分解することにより安価に入手
できる。その分子量は比較的低く、かつ分子量分布が狭
いものが好ましい。このようなものとしては、例えば粘
度１〜１５００ｃｐｓ　　（１％酢酸水溶液中）、好ま
しくは１〜５００ｃｐｓ、更に好ましくは１〜３００ｃ
ｐｓのキトサンをあげることができる。脱アセチル化度
としては８０％以上、好ましくは８５％以上である。

本発明において使用されるスルホン酸と、しては、メタ
ンスルホン酸、エタンスルホン酸、トリフルオロメタン
スルホン酸、トリクロロメタンスルホン酸などのような
脂肪族スルホン酸や、ベンゼンスルホン酸トルエンスル
ホン酸、ナフタレンスルホン酸などのような芳香族スル
ホン酸をあげることができる。本発明反応におけるスル
ホン酸の使用量は、キトサンの繰り返し単位１当量に対
して１当量以上であり、過剰量のスルホン酸は反応溶媒
をかねて使用することもでき、これも好ましい実施態様
の１つである。この観点からは、メタンスルホン酸、エ
タンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、トリ
クロロメタンスルホン酸のように反応条件下で液体状態
をとるものが好ましい。

本発明において使用される酸ハロゲン化物としては、酸
塩化物または酸臭化物が好ましく、安価な点で酸塩化物
の使用が特に好ましい。このようなものとし”ζは、例
えば酢酸、プロピオン酸、酪酸、ドデカン酸、フェニ酢
酸、ジヒドロケイ皮酸、２−フェニルプロピオン酸、ケ
イ皮酸、クロトン酸、メタクリル酸、アクリル酸、３−
メチル−２−ブテン酸などのような置換もくしは非置換
のアルカン酸またはアルケン酸の酸塩化物、安息香酸、
クロロ安息香酸、メトキシ安息香酸、トリイル酸、ナフ
トエ酸、メチルナフトエ酸、メトキシナフトエ酸などの
ような置換もしくは非置換の芳香族カルボン酸の酸塩化
物を例示できる。本発明における酸ハロゲン化物の使用
量は、例えばキトサンの繰り返し単位１当量に対して１
当量以上であり、好ましくは２当量以上、より好ましく
は３当量以上である。しかし８当量以上の大過剰量を使
用しても大部分が未反応で残るため、その除去が煩雑と
なり、また経済的でない。酸ハロゲン化物は、所望なら
、有機溶媒に溶解して使用できる。このような有機溶媒
としては、例えばベンゼン、トルエン、エチルベンゼン
、キシレン、クロルベンゼンなどのような芳香族系溶媒
、クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン、四
塩化炭素などのようなハロゲン系有機溶媒や、Ｎ、　Ｎ
−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）　、Ｎ、Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、Ｎ−メチルピロリドン（
ＮＭＰ）　、Ｎ、Ｎ’　−ジメチルイミダゾリジノン（
ＤＭＩ）などのような非プロトン性溶媒を例示すること
ができる。本発明の実施に際しては、キトサンとスルホ
ン酸とを良く混合し、これに酸ハロゲン化物またはその
溶液をゆっくり添加して攪拌する。この際、有機溶媒を
反応溶媒として使用することが出来る。このような有機
溶媒としては、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、
キシレン、クロロベンゼンなどのような芳香族系溶媒、
クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン、四塩
化炭素などのようなハロゲン系有機溶媒や、ＤＭＦ、Ｄ
ＭＡｃ、ＮＭＰ、ＤＭＩ、ジメチルスルホキシドなどの
ような非プロトン性溶媒の使用が可能であり、これらの
うち、反応混合物への溶解度が大きい点から前記の非プ
ロトン性溶媒を好適に使用できる。反応温度は室温以下
であるのが好ましく、通常−１０°Ｃ〜１５°Ｃの範囲
で実施する。

反応の進行と共に反応混合物の粘度が上昇する。

反応時間は反応温度により異なるが、通常１〜２０時間
の範囲である。反応混合物は公知の方法により後処理を
行ない、キトサン誘導体を得る。この後処理方法として
は種々の方法があるが、その−例を以下に説明する。す
なわち、反応混合物に氷水を加えて反応を停止させ、析
出したキトサン誘導体ａ生成物を濾過等により分離する
。粗生成物中に残存するスルホン酸は、粗生成物を再び
氷水中に分散しアンモニア水等の弱塩基により中和する
ことにより除き、また残存する酸ハロゲン化物やこれが
加水分解されたカルボン酸は粗生成物をエーテル、エタ
ノール等で洗浄することによって除くことが出来る。こ
のよ・うな方法で得られたキトサン誘導体は種々の極性
溶媒に可溶となる。このような極性溶媒としては、ＤＭ
Ｆ、ＤＭＡｃ、ＮＭＰ、ＤＭＩ、ジメチルスルホキサイ
ド等の溶媒をあげることができる。

このようにして得られたキトサン誘導体は、種々の方法
で精製可能であるが、好ましくは再沈法で精製する。す
なわち前記した溶媒のいずれでもよいが、好ましくはＤ
ＭＦに溶解し、キトサン誘導体が不溶な溶媒、好ましく
は水またはメタノールに滴下して再沈澱せしめることに
より精製できる。

本発明のキトサン誘導体は、キトサンの水酸基とアミノ
基が酸ハロゲン化物と反応してそれぞれエステル、アミ
ド結合を形成した誘導体である。

この本発明のキトサン誘導体におけるカルボン酸残基の
置換度は、赤外吸収スペクトル、核磁気共鳴スペクトル
、元素分析等により２置換体と３置換体との混合物であ
ることが示された。

本発明のキトサン誘導体を液体クロマトの充填剤として
使用するには、種々の方法が考えられる。

その−例としてはキトサン誘導体を粉体の形状に調整し
て用いる。すなわち前記キトサン誘導体を粉体状の充填
剤として使用するには、キトサン誘導体を適当な架橋剤
により架橋させることにより精製したゲルを、破砕する
かビーズ状の形状に成形する。粒子の大きさは、例えば
１μｍ〜１０００μｍ、好ましくは１μｍ〜３００μｍ
でかつ多孔質のものである。

本発明のキトサン誘導体を高速液体クロマト用充填剤と
して使用するには、上記の方法でもよいが、高理論段数
及び耐圧性の向上を実現するために、担体に担持して使
用するのが好ましい。このような担体としては、種々の
市販の液体クロマト用無機担体または有機担体を用いる
ことができるが、無機担体を使用するのが好ましい。こ
のような無機担体としてはシリカゲル、アルミナ、アグ
ネシア、酸化チタン、ガラス、ケイ酸塩、カオリンなど
を例示できる。これらの担体としては、シランカップリ
ング剤等の表面処理剤により修飾したものを用いること
も出来る。このようなシランカップリング剤として、ジ
メトキシジフェニルシラン、３−アミノプロピルトリメ
トキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシ
ラン、オフダブシルトリエトキシシラン等の通常のシラ
ンカップリング剤が広範囲に使用できる。更に前記した
担体は、多孔質であることが好ましく、その平均細孔径
は例えば１０人〜５０００人、好ましくは６０人〜４０
００人である。

前記キトサン誘導体を担体に担持する方法としては、従
来提示されているいかなる方法でもよいが、好ましくは
担体上に物理的吸着により担持させる方法または担体上
に化学反応により結合させる方法がある。物理的方法と
しては、例えば前記キトサン誘導体を前記可溶な溶媒に
溶解させ、適当な担体と混合し、減圧加熱下に該溶媒を
除去する方法などのような方法が例示できる。化学的方
法としては、例えば反応性基を表面に持つ担体とキトサ
ン誘導体との反応により担体表面に固定化する方法が例
示できる。前記キトサン誘導体を担体に担持させる量と
しては、分離対象の化合物によりその最適な量を変化さ
せて保持時間を変えることができるが、本発明において
は、担体に対して通常１〜１００重量％、好ましくは１
０〜６０重量％である。このようにして得た充填剤を常
法、即ちスラリー法等により液体クロマト用カラムに充
填して用いることが出来る。液体クロマトに用いる際の
移動相としては、前記キトサン誘導体を溶解せずかつ、
該キトサン誘導体と反応しない溶媒であればいかなる溶
媒でもよい。

裏施貫以上、実施例に従って本発明を更に詳細に説明するが、
本発明の範囲をこれらの実施例に限定するものでないこ
とはいうまでもない。

なお実施例中に用いられる用語の定義は以下の通りであ
る。

また表中の化合物の名称とその構造は以下に示した通り
である。

トランススチルベン（１）、メチル−４−トリオイルカ
ルビノール（２）、１−フェニル−１−プロバノール（
３）、■−フェニルー１．２−エタンジオール（４）、
ｌ−インダノール（５）、１゜１′−ヒ゛ナフトール（
６）、ベンツ°イン（７ン、マンデル酸エチルエステル
（８）、２−フェニルシクロヘキサノン（９）、δ−フ
ェニル−δ−ブチロラクトン（１０）低分子キトサン（粘度７．５ｃｐｓ、脱アセチル化度９
５％以上）　１０．０ｇをメタンスルホン酸７５ｍ１に
氷冷下で溶解し、撹拌しながらベンゾイルクロライド６
０−を滴下した。水冷下で５時間撹拌し、さらに−２０
°Ｃで一昼夜放置した。生成した粘度の高い液体に氷水
を加え、生じた沈澱物をＧ３のグラスフィルターで濾過
した。沈澱物を氷水に懸濁し、アンモニア水１４１ｄを
加えて中和し、たのち濾取し、さらに蒸留水で良く洗浄
した。これを、エーテル５０ｄ及びエタノール５０ｍ１
で順次洗浄して未反応の酸クロライド等を除き、目的と
するキトサンのベンゾイル置換体、２４．３ｇを得た。

Ｒ（ＫＢｒ）　：元素分析二計算値Ｃ２０Ｈ１ＱＮＯ＆　　（２置換）Ｃ：　６５．０３．　Ｈ：５．１８．　Ｎ　：３．７９
ｃｚｑＨｚｘＮＯｔ　　（３置換）Ｃ：　６８．４９．Ｈ：４．９０．Ｎ：２．９６実測値
　Ｃ：　６５．５４．　Ｈ：４．９４．　Ｎ　：３．１
７３４００ｃｍ−’キトサンのＯｌｌ、Ｎｌ（３０５０
ｃｍ−’フェニル基のＣ−Ｈ伸縮２８５０−２９５０ｃ
ｍ　−’キトサンのＣ−Ｈ伸縮１７５０ｃｍ−’カルボ
ン酸エステルのＣ＝＝０伸縮１６６０ｃｍ−’カルボン
酸アミドののＣ・０伸縮１６００ｃｍ−’フェニル基の
Ｃ＝Ｃ伸縮１２７０ｃｍ−’カルボン酸エステルのＣ−
Ｏ伸縮１０５０ＣＩＩ１１キトサンのエーテル伸縮７１
０　ｃｍ−’フェニル基のＣ＝）１面外変角実ＪＬ［辻
％上記の方法で得たベンゾイル置換キトサン誘導体１．５
ｇをＤＭＦＩＯ成に溶解させ、Ｇ３グラスフィルターに
より不溶物を取り除いた。この濾過溶液に、シリカゲル
（Ｄｅｖｅｌｏｓｉｌ　Ｐｈ−１０、好打化学、粒子径
１０１１０１ｌ、０ｇを加え、減圧、加熱下でＤＭＦを
留去し、キトサン誘導体４．５ｇを担持したシリカゲル
を得た。

得られたキトサン誘導体を担持したシリカゲルをステン
レスカラム（４，６＋＊／＋ｍ　Ｘ　２５抛／慄）にス
ラリー法により充填した。高速液体クロマトグラフィー
としては島津社製ＣＲ−６Ａを用い、移動相としてはイ
ソプロパノ−ルーヘキサン（３：９７）及び（１０：　
９０）、またイソプロパノ−ルー塩化メチレン−ヘキサ
ン（１：１０：９０）を用いて行った。種々の光学異性
体の混合物の分析結果を表１に示す。

実施例］− 酸ハロゲン化物として４−クロロベンゾイルクロライド
を使用して実施例１に示された方法に準じて低分子キト
サン（粘度７．５　ｃｐｓ、脱アセチル化度９５％以上
）より４−クロロベンゾイル置換キトサン誘導体を得た
。

元素分析二計算値Ｒ（ＫＢｒ）：Ｃ２゜Ｈ，７Ｃ１２ＮＯ＆　（２置換）Ｃ：　５４．８
１．　Ｈ：３．９ｉ、　Ｎ　：３．２０ＣＺ７Ｈ２゜Ｃ
ｌ３Ｎｏ７（３置換）Ｃ：　５６．２２．　Ｈ：３．４９．　Ｎ　：２．４３
実測値　Ｃ：　５３．８２．　Ｈ：３．４９．　Ｎ　：
３．３ｉ３４５０ｃｍ−’キトサンのＯＨ，ＮＨ３０５
０ｃ＋ｒ’　７　エニル、Ｉノｃ−Ｈ（ＩＩＩＷ２８５
０−２９５０ｃｍ−’キトサンのＣ−１！伸縮１７２０
ｃｍ”’カルボン酸エステルのＣ＝０伸縮１６６０ｃｌ
’カルボン酸アミドののＣ＝Ｏ伸縮１６００ｃｍ−’フ
ェニル基のＣ＝Ｃ伸縮１２７０ｃｍ−’カルボン酸エス
テルのＣ−０伸縮１０９１０９Ｏ’キトサンのエーテル
伸縮７５０　ｃｍ−’フェニル基のＣ＝１１面匁変角実
新Ｉ引支上記の方法で得た４−クロロベンゾイル置換キトサン誘
導体を実施例２に示された方法によりシリカゲル（Ｄｅ
ｖｅｌｏｓｉｌ　Ｐｈ−１０、野村化学、粒子径１０μ
ｍ）に担持した。

得られた４−クロロベンゾイル置換キトサン誘導体を担
持したシリカゲルを実施例３に示されたのと同様にして
ステンレスカラス（４，６ｍ／ｍ　Ｘ　２５０ｍ／ｍ）
にスラリー法により充填し、そのカラムを用いた種々の
光学異性体の混合物の分析を試みた結果を表２に示す。

実、施セＬ乳酸ハロゲン化物として４−トルオイルクロライドを使用
して実施例１に示された方法に準じて低分子キトサン（
粘度７．５　ｃｐｓ、脱アセチル化度９５％以上）より
４−トルオイル置換キトサン誘導体を得た。

元素分析二計算値＋Ｒ（ＫＢｒ）：０２□Ｈｚ３ＮＯｂ　　（２置換）Ｃ：　６６．４９．　Ｈ：５．８３．　Ｎ　：３．５２
Ｃ１゜Ｈｚ　ｑ　Ｎ　Ｏ？　　（３置換）Ｃ：　６９．
８９．Ｈ：５．６７、Ｎ：２．７１実測値　Ｃ：　７１
．７０．　Ｈ：４．７０．　Ｎ　：２．３０３４００ｃ
ｍ−’キトサンのＯＨ，Ｎｉ１３０５０ｃｌ’フエニル
基のＣ−１！伸縮２８５０−２９５０ｃｍ−’キトサン
のＣ−Ｈ伸縮１７５０ｃｌ’カルボン酸エステルのＣ＝
０伸縮１６６０ｃｍ−’カルボン酸アミドののＣ＝Ｏ伸
縮１６０５ｃｍ−’フェニル基のＣ＝Ｃ伸縮］、２７０
ｃｍ−’カルボン酸エステルのＣ−０伸縮１０５０ｃｌ
’キトサンのエーテル伸縮７５０　ｃｍ−’フェニル基
のＣ・Ｈ面夕（変角実遊」Ｉ〜上記の方法で得た４−トルオイル置換キトサン誘導体を
実施例２に示された方法によりシリカゲル（Ｄｅｖｅｌ
ｏｓｉｌ　Ｐｈ−１０、野村化学、粒子径１０μｍ）に
担持した。

得られた４−トルオイル置換キトサン誘導体を担持した
シリカゲルを実施例１に示されたと同様にしてステンレ
スカラム（４，６ｍ／＋　Ｘ　２５０ｍ／ｍ）にスラリ
ー法により充填し、そのカラムを用いた種々の光学異性
体の混合物の分離を試みた結果を表２に示す。

実施±ユ酸ハロゲン化物として１−ナフトエ酸クロライドを使用
して実施例１に示された方法に準じて低分子キトサン（
粘度５０ｃｐｓ、脱アセチル化度９５％以上）より１−
ナフトイル置換キトサン誘導体を得た。

元素分析二計算値Ｒ（ＫＢｒ）：ＣｚｅＨｓｚＮＯ６（２置換）Ｃ：　７１．６３．　Ｈ：４．９４．　Ｎ　：２．９８
Ｃ３９Ｈ２４ＮＯ７（３置換）Ｃ：　７５．１１．Ｈ：４．６９．Ｎ：２．２５実測値
　Ｃ：　６８．２０．　Ｈ：５．１０．　Ｎ　：３．２
４３４００ｃｍ−’キトサンの０）１．ＮＨ３０５０ｃ
＋ｒ’ナフチル基のＣ−Ｈ伸縮２８５０−２９５０ｃｍ
−’キトサンのＣ−Ｈ伸縮１７５０ｃｍ−’カルボン酸
エステルのＣ＝０伸縮１６６０ｃｍ−’カルボン酸アミ
ドののＣ＝Ｏ伸縮１６０５ｃｍ　−’ナフチル基のＣ＝
Ｃ伸縮１２８０ｃ＋ｎ−’カルボン酸エステルのＣ−０
伸縮１０１０ｃ＋ｒ’キトサンのエーテル伸縮７８０ｃ
ｍ−’ナフチル基のＣ＝Ｈ面外変角実新Ｉｌ比上記の方法で得た１−ナフトイル置換キトサン誘導体を
実施例２に示された方法によりシリカゲル（Ｄｅｖｅｌ
ｏｓｉｌ　Ｐｈ−１０、野村化学、粒子径１０μｍ）に
担持した。

得られた１−ナフトイル置換キトサン誘導体を担持した
シリカゲルを実施例１に示されたと同様にしてステンレ
スカラム（４，６ｍ／ｍ　Ｘ　２５０ｍ／ｍ）にスラリ
ー法により充填し、そのカラムを用いた種々の光学異性
体の混合物の分離を試みた結果を表２に示す。

酸ハロゲン化物としてケイ皮酸クロライドを使用して実
施例１に示された方法に準じて低分子キトサン（粘度１
００ｃｐｓ、脱アセチル化度９５％以上）よりシンナモ
イル置換キトサン誘導体を得た。

元素分析；計算値Ｃ２４Ｈｔ　ｓ　Ｎ　Ｏｂ　　（２置換）Ｃ：　６８．
４０．　Ｈ：５．５０．　Ｎ　：３．３２Ｃｓ：＋）ｌ
ｚｑＮ　０７　　（３’ｆｉｌ換）Ｃ：　７１．８６．
　Ｈ：ｓ、３ｏ、　Ｎ　：２．５４実測値　Ｃ：　６７
．７４．　Ｈ：５．４９．　Ｎ　：３．２１（ＫＢｒ）
　：　３４００ｃｍ−’キトサンのＯ）Ｉ、ＮＨ３０５
０ｃｍ−’フェニル基のＣ−１１伸縮３０３０ｃｍ−’
オレフィンのＣ−１１伸縮２８５０−２９５０　ｃｍ　
−’キトサンのＣ−Ｈ伸縮１７５０ｃｍ−’カルボン酸
エステルのＣ＝０伸縮１．６７０ｃｍ−’カルボン酸ア
ミドののＣ＝０伸縮１６３０ｃｍ　−’オレフィンのＣ
＝Ｃ伸縮１２７０ｃｍ−’カルボン酸エステルのＣ−０
伸縮１０５１０５Ｏ’キトサンのエーテル伸縮９０８　
ｃｍ−’オレフィンのＣ−１１面外変角７１０　ｃｍ柑
フェニル基のＣ−１１面外変角６８０　ｃ＋ｒ’オレフ
ィンのＣ−Ｈ面外変角実画ｌ帆刊上記の方法で得たトリ（シンナモイル）キトサンを実施
例２に示された方法によりシリカゲル（Ｄｅｖｅｌｏｓ
ｉｌ　Ｐｈ−１０、野村化学、粒子径１０μｍ）に担持
した。

得られたシンナモイル置換キトサン誘導体を担持したシ
リカゲルを実施例１に示されたと同様にしてステンレス
カラム（４，６ｍ／ｍ　Ｘ　２５０ｍ／ｍ）にスラリー
法により充填し、そのカラムを用いた種々の光学異性体
の混合物の分離を試みた結果を表２に示す。

以下余白（発明の効果〕本発明によれば、種々の有機溶媒に可溶なキトサン誘導
体を再現性良く、かつ大量に合成することができ、未利
用天然高分子であるキトサンを有機機能材料として使用
することを可能にするものである。

更に本発明の充填剤は、種々の溶媒を移動相に用いるこ
とが出来るが、特に従来の充填剤では、用いることが出
来なかったハロゲン系の溶媒すらも用いて種々の光学異
性体の分離に優れた分離能力を示すことができる。例え
ばトリベンゾイルキトサンを担持した充填剤上では、ト
ランススデルヘン、２−フェニルシクロヘキサノンの分
離係数（α）がそれぞれ１６０８及び１．０９であるが
、本発明のキトサン誘導体を担持した充填剤では、それ
ぞれ１．３２及び１．２４であり優れた光学分離能を示
す。

Claims

【特許請求の範囲】１、キトサンをスルホン酸の存在下に酸ハロゲン化物と
反応せしめることを特徴とするキトサン誘導体の製造方
法。２、キトサンをスルホン酸の存在下に酸ハロゲン化物と
反応させて得られるキトサン誘導体。３、請求項２記載のキトサン誘導体を活性成分とした光
学異性体分離用充填剤。