JPH02126636A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH02126636A JPH02126636A JP28075988A JP28075988A JPH02126636A JP H02126636 A JPH02126636 A JP H02126636A JP 28075988 A JP28075988 A JP 28075988A JP 28075988 A JP28075988 A JP 28075988A JP H02126636 A JPH02126636 A JP H02126636A
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- nickel
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- Pending
Links
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Landscapes
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、シリコン基板への電極付けのために、シリコ
ンとオーム性接触が得られるニッケルめっきをシリコン
基板面に施す半導体装置の製造方法に関する。
ンとオーム性接触が得られるニッケルめっきをシリコン
基板面に施す半導体装置の製造方法に関する。
半導体装置の製造にあたって、シリコン基板とオーム性
接触をする電極を形成するには、−ａに無電解ニッケル
めっきが最も広く使用されている。
接触をする電極を形成するには、−ａに無電解ニッケル
めっきが最も広く使用されている。
ただ単にオーム性接触を得るためのめつきであれば、シ
リコン基板面に通常の無電解ニッケルめっきを施すだけ
で良いのだが、半導体装置として考えるとそのニッケル
めっき膜の緻密性が品質に大きく影響する。すなわち、
シリコン基板へのニッケルめっき膜が緻密でない場合、
以下のような問題点があった。
リコン基板面に通常の無電解ニッケルめっきを施すだけ
で良いのだが、半導体装置として考えるとそのニッケル
めっき膜の緻密性が品質に大きく影響する。すなわち、
シリコン基板へのニッケルめっき膜が緻密でない場合、
以下のような問題点があった。
第一に、後工程での表面処理において、エツチングの際
にエツチング液がニッケルめっき膜を通りでシリコン基
板とのすき間に入り込んでしまうことがある。この結果
、ニッケルめっき膜とシリコン基板との接触面のシリコ
ン部がエツチングされてしまうという問題と、ニッケル
めっき膜中に入り込んだエツチング液が後の洗浄工程で
も完全に除去されず残ってしまうという問題が生じる。
にエツチング液がニッケルめっき膜を通りでシリコン基
板とのすき間に入り込んでしまうことがある。この結果
、ニッケルめっき膜とシリコン基板との接触面のシリコ
ン部がエツチングされてしまうという問題と、ニッケル
めっき膜中に入り込んだエツチング液が後の洗浄工程で
も完全に除去されず残ってしまうという問題が生じる。
これが半導体装置の特性の安定性を大きくおとしてしま
うことになる。
うことになる。
第二に、ニッケルめっき膜が緻密でないということは、
ニッケルめっき層とシリコン基板との接触面も全面が均
一に接触していないということである、このことが、シ
リコンとニッケルめっき膜の密着性を向上させるために
ニッケルめっきの後に熱処理をしてシリコンとニッケル
を合金化させる際、生ずる合金層が均一に生成しないと
いう結果を招き、とりわけシリコンチップの寸法が小さ
な機種に関しては、その密着性すなわち素子の強度が低
下してしまうという問題があった。
ニッケルめっき層とシリコン基板との接触面も全面が均
一に接触していないということである、このことが、シ
リコンとニッケルめっき膜の密着性を向上させるために
ニッケルめっきの後に熱処理をしてシリコンとニッケル
を合金化させる際、生ずる合金層が均一に生成しないと
いう結果を招き、とりわけシリコンチップの寸法が小さ
な機種に関しては、その密着性すなわち素子の強度が低
下してしまうという問題があった。
一般にシリコン上における無電解ニッケル反応は、あら
かじめパラジウム等の核を付けて置換する方法を除けば
、初期反応性はあまり良くない。
かじめパラジウム等の核を付けて置換する方法を除けば
、初期反応性はあまり良くない。
従ってニッケルめっき液の反応性が悪いと、シリコン基
板上での初期めっき反応が均一に起こらずむらとなるた
め、二、ケルめっき膜の成長も均一に起こらず、緻密性
が損なわれる。
板上での初期めっき反応が均一に起こらずむらとなるた
め、二、ケルめっき膜の成長も均一に起こらず、緻密性
が損なわれる。
本発明の課題は、シリコン基板に無電解ニッケルめっき
を施す際に、ニッケルめっきの初期反応性を向上させて
緻密なニッケルめっき膜を形成する半導体装置の製造方
法を提供することにある。
を施す際に、ニッケルめっきの初期反応性を向上させて
緻密なニッケルめっき膜を形成する半導体装置の製造方
法を提供することにある。
上記の１題の解決のために、本発明はシリコン基板への
電極付けのために無電解ニッケルめっきによりニッケル
膜をシリコン基板面上に形成する際に、単位体積のめっ
き液中の溶質の重量であらわす濃度において還元剤濃度
とニッケル濃度との比が３以上であるものとする。
電極付けのために無電解ニッケルめっきによりニッケル
膜をシリコン基板面上に形成する際に、単位体積のめっ
き液中の溶質の重量であらわす濃度において還元剤濃度
とニッケル濃度との比が３以上であるものとする。
無電解めっきの場合、錯イオンとしてめっき液中に溶存
している金属イオンを還元剤によって還元することによ
って金属が被めっき物上に析出する。それ故、めっきの
反応性を向上させるためには、還元剤濃度を高くすれば
よい。
している金属イオンを還元剤によって還元することによ
って金属が被めっき物上に析出する。それ故、めっきの
反応性を向上させるためには、還元剤濃度を高くすれば
よい。
シリコン基板への無電解ニッケルめっきとしては、一般
にアンモニアアルカリ性化学還元めっき液が良い、この
めっき液組成は基本的にニッケル塩、還元剤＋ ｔｉ化
剤から成る。ここで、ニッケル塩はめっき金属であり、
錯化剤はニッケルが還元剤によって還元されうる錯体の
形にするためのものである。
にアンモニアアルカリ性化学還元めっき液が良い、この
めっき液組成は基本的にニッケル塩、還元剤＋ ｔｉ化
剤から成る。ここで、ニッケル塩はめっき金属であり、
錯化剤はニッケルが還元剤によって還元されうる錯体の
形にするためのものである。
以下にニッケルイオン濃度と還元剤？二度を変えて、そ
のめっき膜の緻密性がどう変わるかについて実験した結
果について述べる。ここで、二ｙ’ｆル塩には塩化ニッ
ケル、還元剤には次亜りん酸ナトリウム、錯化剤にはく
えん酸またはくえん酸ニアンモニウムを用いた。またニ
ッケルめっき膜の緻密性の評価は、数値化が困難であっ
たため、ニッケルめっき後のめっき面を電子顕ｍ！で観
察し判断した。その結果、ニッケル濃度を７ｇ／ｌとし
、還元剤濃度を１０．２０，３０．４０ ｇ ／ ｌと
変化させた場合、還元剤濃度が２０ｇ／１以上で、ニッ
ケルめっき膜は緻密となった。
のめっき膜の緻密性がどう変わるかについて実験した結
果について述べる。ここで、二ｙ’ｆル塩には塩化ニッ
ケル、還元剤には次亜りん酸ナトリウム、錯化剤にはく
えん酸またはくえん酸ニアンモニウムを用いた。またニ
ッケルめっき膜の緻密性の評価は、数値化が困難であっ
たため、ニッケルめっき後のめっき面を電子顕ｍ！で観
察し判断した。その結果、ニッケル濃度を７ｇ／ｌとし
、還元剤濃度を１０．２０，３０．４０ ｇ ／ ｌと
変化させた場合、還元剤濃度が２０ｇ／１以上で、ニッ
ケルめっき膜は緻密となった。
次に、ニッケル濃度を４．５ｇ／ｌと下げ、還元剤濃度
を５．１０，１５．２０ｇ ／ １と変化させた場合、
還元剤濃度が１５ｇ／ｊ！以上で、ニッケルめっき膜は
緻密となった。即ち、ニッケル濃度と還元剤濃度との比
で見た場合、還元剤濃度はニッケル濃度の３倍以上あれ
ば良いということになる。つまり、例えば、ニッケル濃
度が１０ｇ／ｌであったとすれば、還元剤濃度は３０ｇ
／ｌ必要であるということである。
を５．１０，１５．２０ｇ ／ １と変化させた場合、
還元剤濃度が１５ｇ／ｊ！以上で、ニッケルめっき膜は
緻密となった。即ち、ニッケル濃度と還元剤濃度との比
で見た場合、還元剤濃度はニッケル濃度の３倍以上あれ
ば良いということになる。つまり、例えば、ニッケル濃
度が１０ｇ／ｌであったとすれば、還元剤濃度は３０ｇ
／ｌ必要であるということである。
本発明によれば、シリコン基板へのＮ ｈ Ｈけのため
のニッケルめっきを、単位体積中の重量であらわす濃度
でニッケル濃度に対し３倍以上の還元剤濃度をもつ無電
解ニッケルめっき液を用いて行うことにより、シリコン
基板上へ緻密なニッケルめっき膜が形成され、その結果
後工程におけるシリコンの異常エツチングや、ニッケル
めっき膜中の不純物の残存が解消し、半導体素子の品質
が大きく向上した。
のニッケルめっきを、単位体積中の重量であらわす濃度
でニッケル濃度に対し３倍以上の還元剤濃度をもつ無電
解ニッケルめっき液を用いて行うことにより、シリコン
基板上へ緻密なニッケルめっき膜が形成され、その結果
後工程におけるシリコンの異常エツチングや、ニッケル
めっき膜中の不純物の残存が解消し、半導体素子の品質
が大きく向上した。
、〈等
Claims (1)
- １）シリコン基板への電極付けのために無電解ニッケル
めっきによりニッケル膜をシリコン基板面に形成する際
に、単位体積のめっき液中の溶質の重量であらわす濃度
において還元剤濃度とニッケル濃度との比が３以上であ
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28075988A JPH02126636A (ja) | 1988-11-07 | 1988-11-07 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28075988A JPH02126636A (ja) | 1988-11-07 | 1988-11-07 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02126636A true JPH02126636A (ja) | 1990-05-15 |
Family
ID=17629559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28075988A Pending JPH02126636A (ja) | 1988-11-07 | 1988-11-07 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02126636A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007209493A (ja) * | 2006-02-08 | 2007-08-23 | Toto Ltd | 浴槽用ノズル及び浴槽装置 |
| US9613872B2 (en) | 2014-09-29 | 2017-04-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing semiconductor device |
-
1988
- 1988-11-07 JP JP28075988A patent/JPH02126636A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007209493A (ja) * | 2006-02-08 | 2007-08-23 | Toto Ltd | 浴槽用ノズル及び浴槽装置 |
| US9613872B2 (en) | 2014-09-29 | 2017-04-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing semiconductor device |
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