JPH02125241A - 情報検索装置 - Google Patents
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- JPH02125241A JPH02125241A JP63278756A JP27875688A JPH02125241A JP H02125241 A JPH02125241 A JP H02125241A JP 63278756 A JP63278756 A JP 63278756A JP 27875688 A JP27875688 A JP 27875688A JP H02125241 A JPH02125241 A JP H02125241A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、たとえばマイクロフィルムリーダープリンタ
ー簿の記録情報を検索する装置に関し、特に検索マーク
検知部の構造に関するものである。
ー簿の記録情報を検索する装置に関し、特に検索マーク
検知部の構造に関するものである。
(従来の技術)
従来の情報検索装置の検索マーク検知部としては、たと
えば第14図に示すような構成となっている。
えば第14図に示すような構成となっている。
すなわち、100は情報記録媒体としてのマイクロフィ
ルムであり、フィルム100上には順次記録された画像
コマに対応する検索マークlotが付されている。この
検索マーク101の検知は光学的な検知手段102によ
って検知するようになっていて、光源103と、この光
源103に対向して設けられる受光素子104とから成
っている。そして、光源103と受光素子104の間に
フィルム100を通し、検索マーク101によって光源
103からの光を遮光することにより、受光素子104
への受光F、lを低下させて検索マーク101が通過し
たことを検知するようになっていた。
ルムであり、フィルム100上には順次記録された画像
コマに対応する検索マークlotが付されている。この
検索マーク101の検知は光学的な検知手段102によ
って検知するようになっていて、光源103と、この光
源103に対向して設けられる受光素子104とから成
っている。そして、光源103と受光素子104の間に
フィルム100を通し、検索マーク101によって光源
103からの光を遮光することにより、受光素子104
への受光F、lを低下させて検索マーク101が通過し
たことを検知するようになっていた。
(発IJJが解決しようとする課題)
しかしながら、上記した従来技術の場合には光学的な検
索マーク検知手段102の光源103にハロゲンランプ
等の電球を用いていたために、次のような問題があった
。
索マーク検知手段102の光源103にハロゲンランプ
等の電球を用いていたために、次のような問題があった
。
(イ)光源103からの光は700n鳳以上の近赤外か
ら赤外の発光波長帯を有しているため、マイクロフィル
ムの検索マーク部(不透明部)をも光が透過してしまい
コントラストかうすくなり正常なマーク検知を行なうこ
とができない。
ら赤外の発光波長帯を有しているため、マイクロフィル
ムの検索マーク部(不透明部)をも光が透過してしまい
コントラストかうすくなり正常なマーク検知を行なうこ
とができない。
(a)上記問題を解決するためには、従来は光学的フィ
ルターQ(第15図参照)を設けなければならず、その
分機構も大きく、複雑となりコストも高くなってしまう
、また完全に上記の波長を除去することが困難であった
。
ルターQ(第15図参照)を設けなければならず、その
分機構も大きく、複雑となりコストも高くなってしまう
、また完全に上記の波長を除去することが困難であった
。
(ハ)またハロゲン等の電球は多くの発熱があるために
、この光を検知するためのフォトセンサーをも温度上昇
させ、半導体であるこのフォトセンサーの特性にも大き
な悪影響をあたえてしまい誤動作をひきおこしてしまっ
た。
、この光を検知するためのフォトセンサーをも温度上昇
させ、半導体であるこのフォトセンサーの特性にも大き
な悪影響をあたえてしまい誤動作をひきおこしてしまっ
た。
(ニ)上記のように電球を用いているので寿命が短くサ
ービスマン等がひんばんに交換しなければならずまたこ
の電球を容易に交換できるような機構設計をしなければ
ならなかった。
ービスマン等がひんばんに交換しなければならずまたこ
の電球を容易に交換できるような機構設計をしなければ
ならなかった。
(本)上記電球の特性として経年変化があり、使用して
いると光量が変化してしまった。
いると光量が変化してしまった。
(へ)光量の調整を自動的に行なうときにCPU等を使
用し、電流を可変した場合、電球のフィラメントの温度
変化に時間遅れが(レスポンスが遅い)あるために自動
光量設定動作の時間が長くかかってしまう1例えば光U
をフォトセンサーで受は一定光t^にさせる動作を行な
うに際し、約5〜6秒ぐらいかかってしまう(光敬調整
に対してレスポンスが悪い)。
用し、電流を可変した場合、電球のフィラメントの温度
変化に時間遅れが(レスポンスが遅い)あるために自動
光量設定動作の時間が長くかかってしまう1例えば光U
をフォトセンサーで受は一定光t^にさせる動作を行な
うに際し、約5〜6秒ぐらいかかってしまう(光敬調整
に対してレスポンスが悪い)。
(ト)ハロゲン等の電球を用いると駆動電力が大きくな
り光源用の電源回路が大きくなり、またその回路を設置
するスペースも大きくなり装置全体が大きくなる。その
うえ駆動用トランジスタ等も大きくなり放熱に気を配ら
なければならない、またその分複雑になり故障頻度も大
きくなるばかりでなくコストも高くなってしまう。
り光源用の電源回路が大きくなり、またその回路を設置
するスペースも大きくなり装置全体が大きくなる。その
うえ駆動用トランジスタ等も大きくなり放熱に気を配ら
なければならない、またその分複雑になり故障頻度も大
きくなるばかりでなくコストも高くなってしまう。
(チ)ブルージアゾフィルムを使用した場合、波長35
0〜550ns付近で光が透過しコントラストが低くな
ってしまう(第4図参照)。
0〜550ns付近で光が透過しコントラストが低くな
ってしまう(第4図参照)。
本発明は、に記した諸問題を解決するためになされたも
ので、その目的とするところは、検索マーク検知手段の
光源として赤外光等のない単波長のものを用いることに
より、マーク検知の信頼性を高めると共に、長寿命で保
守性に優れ、しかもコンパクトの検索マーク検知手段を
備えた情報検索装置を提供することにある。
ので、その目的とするところは、検索マーク検知手段の
光源として赤外光等のない単波長のものを用いることに
より、マーク検知の信頼性を高めると共に、長寿命で保
守性に優れ、しかもコンパクトの検索マーク検知手段を
備えた情報検索装置を提供することにある。
(課題を解決するための手段)
上記[1的を達成するために、本発明にあっては、記録
媒体上に各記録情報に対応して付された検索マークを検
知する検索マーク検知手段を有し、該検索マーク検知手
段は、記録媒体の検索マーク部を照らす光源と、その透
過光を受光する受光素子とから構成される情報検索装置
において、 前記検索マーク検知手段の光源として固体発光手段を用
い、該固定発光手段は可視光の単波発光素子であること
を特徴とする。
媒体上に各記録情報に対応して付された検索マークを検
知する検索マーク検知手段を有し、該検索マーク検知手
段は、記録媒体の検索マーク部を照らす光源と、その透
過光を受光する受光素子とから構成される情報検索装置
において、 前記検索マーク検知手段の光源として固体発光手段を用
い、該固定発光手段は可視光の単波発光素子であること
を特徴とする。
固体発光手段は、記録媒体上に付された検索マーク部の
分光透過特性の遮光率が最大となる発光波長を有するこ
とが望ましい。
分光透過特性の遮光率が最大となる発光波長を有するこ
とが望ましい。
固体発光素子と該発光素子をパルス変調させる変調手段
と、該発光素子の変調光を受光する受光手段と、該受光
手段の出力信号を復調する復調手段とを具備してもよい
。
と、該発光素子の変調光を受光する受光手段と、該受光
手段の出力信号を復調する復調手段とを具備してもよい
。
固体発光素子の発光波長は、使用する情報記録媒体の検
索マーク部の分光特性の遮光率と非検索マーク部の分光
特性の透過率との差が最大となる発光波長を用いてもよ
い。
索マーク部の分光特性の遮光率と非検索マーク部の分光
特性の透過率との差が最大となる発光波長を用いてもよ
い。
固体発光素子は、半導体発光素子であることが好適であ
る。
る。
寥導体発光素子としては、可視光のLED、あるいはi
’f視光の半導体レーザ素子とすることが望ましい。
’f視光の半導体レーザ素子とすることが望ましい。
(作 用)
而して、可視光の単波長の発光素子を用いたので、検索
マーク部を透過する赤外付近の有害光は無く、マーク検
出を正確にできる。したがってフィルタが不要となる。
マーク部を透過する赤外付近の有害光は無く、マーク検
出を正確にできる。したがってフィルタが不要となる。
さらにフィラメントを有する電球ではなく、固体発光手
段を用いたので発熱が少なく、光U調箇に際し応答性が
早い、また、固体発光手段を用いることにより、経年変
化が少なく寿命も長い。
段を用いたので発熱が少なく、光U調箇に際し応答性が
早い、また、固体発光手段を用いることにより、経年変
化が少なく寿命も長い。
さらに駆動電力が小さく回路構成も単純化される。
また、固体発光手段の発光波長を、検索マーク部の分光
透過特性の遮光率が最大となるように設定すれば、検索
マークの検知をより確実にできる。
透過特性の遮光率が最大となるように設定すれば、検索
マークの検知をより確実にできる。
一方1発光未子をパルス変調させる変調手段と、受光り
段の出力信号を復調するようにした構成とすれば、ノイ
ズ等の′#雷を抑えることができる。
段の出力信号を復調するようにした構成とすれば、ノイ
ズ等の′#雷を抑えることができる。
また、発光素子の発光波長を、検索マーク部と非検索マ
ーク部の分光特性の透過率との差が最大となるように設
定すれば、より一層検索マークの検知を正確に行なえる
。
ーク部の分光特性の透過率との差が最大となるように設
定すれば、より一層検索マークの検知を正確に行なえる
。
さらに、光源として半導体素子のような固体発光手段を
用いることにより、装置構成の一層の小型化が図れる。
用いることにより、装置構成の一層の小型化が図れる。
(実施例)
以下に本発明を図示の実施例に基づいて説明する0本発
明の第1実施例に係る情報検索装置を示す第3図におい
て、lはカートリッジで、長尺のマイクロフィルムFが
巻回されるリール2を収容している。上記カートリッジ
lは図示せぬ挿入部に装填されていて、マイクロフィル
ムFがカートリッジlから引出され、搬送系を介して巻
取り−ル6に巻取られていく。
明の第1実施例に係る情報検索装置を示す第3図におい
て、lはカートリッジで、長尺のマイクロフィルムFが
巻回されるリール2を収容している。上記カートリッジ
lは図示せぬ挿入部に装填されていて、マイクロフィル
ムFがカートリッジlから引出され、搬送系を介して巻
取り−ル6に巻取られていく。
搬送系には、その中央にマイクロフィルムFの画像コマ
を照明する照明部10が設けられ、照明部IOに対して
カートリッジ1側と巻取リール6側にそれぞれフィルム
Fを案内するためのガイド5A 、5Bが配設されてい
る。
を照明する照明部10が設けられ、照明部IOに対して
カートリッジ1側と巻取リール6側にそれぞれフィルム
Fを案内するためのガイド5A 、5Bが配設されてい
る。
カートリッジlからマイクロフィルムFの送り出しは、
ローラ4によりなされ、このローラ4と、照明部lOと
の間に検索マーク検出手段30を構成する光源としての
LED (LE)と受光素子としてのフォトセンサSが
配設されている。
ローラ4によりなされ、このローラ4と、照明部lOと
の間に検索マーク検出手段30を構成する光源としての
LED (LE)と受光素子としてのフォトセンサSが
配設されている。
LED (LE)とフォトセンサSはフィルムFを隔て
て対向して設けられており、検索マークMが検出r−1
’u30を通過するとLED (LE)からの光が遮光
され、フォトセンサSから検出信号が出力される。
て対向して設けられており、検索マークMが検出r−1
’u30を通過するとLED (LE)からの光が遮光
され、フォトセンサSから検出信号が出力される。
而して、フォトセンサSの出力信号を計数することによ
り、 Syi望の画像コマを検索することができる。
り、 Syi望の画像コマを検索することができる。
ここで所望のコマが検索されると、所望のコマは停止し
て光学部10によりスクリーン11に画像が投影される
。
て光学部10によりスクリーン11に画像が投影される
。
第1図および第2図には、L記検索マーク検知f段の構
成が示されている。すなわち、長尺のマイクロフィルム
Fの[t]力方向側には、各画像コマPに対応して検索
マークMが付されており、光源としてのLED (LE
)と、フォトセンサSは、このマークMの付1役位置を
フィルムの長手方向に沿って読取る。
成が示されている。すなわち、長尺のマイクロフィルム
Fの[t]力方向側には、各画像コマPに対応して検索
マークMが付されており、光源としてのLED (LE
)と、フォトセンサSは、このマークMの付1役位置を
フィルムの長手方向に沿って読取る。
LED (LE)はコントローラJにD/AW換器DA
およびLED駆動増巾回路Eを介して接続されている。
およびLED駆動増巾回路Eを介して接続されている。
而してLED (LE)を発光させるには、コントロー
ラJからLEDHA動信号(ハ)を出力し、フォトセン
サSの出力(イ)が適正となるように制御されている。
ラJからLEDHA動信号(ハ)を出力し、フォトセン
サSの出力(イ)が適正となるように制御されている。
次に作用について説明すると5フイルムFがない状態で
フォトセンサSの出力が所定の値になるように、フィー
ドバック動作を行なう、これはフォトセンサSの出力信
号(イ)を検知し、フォトセンサSの出力が飽和しない
ように計測しながらLED駆動信号(ハ)を増加させて
いく、ここで、このフォトセンサ出力信号(イ)が飽和
でない所定の値となったときLED駆動信号(ハ)を固
定する。その結果、フォトセンサ出力信号(イ)は適正
な所定イ1となる。
フォトセンサSの出力が所定の値になるように、フィー
ドバック動作を行なう、これはフォトセンサSの出力信
号(イ)を検知し、フォトセンサSの出力が飽和しない
ように計測しながらLED駆動信号(ハ)を増加させて
いく、ここで、このフォトセンサ出力信号(イ)が飽和
でない所定の値となったときLED駆動信号(ハ)を固
定する。その結果、フォトセンサ出力信号(イ)は適正
な所定イ1となる。
次に検索機構によりフィルムFがローディングされフィ
ルムがセットされる。
ルムがセットされる。
そして、操作5B(図示せず)により、通常の検索動作
が行なわれる。ここで、フィルムF上の検索マークMが
フォトセンサSを横切ると、2値化回路Wによりスライ
スレベル信号Cと比較され、2値化信号(ニ)を出力す
る。コントローラJはこの2値化信号(ニ)を検知する
ことによりフィルムF上の画像コマPを検索することが
できる。
が行なわれる。ここで、フィルムF上の検索マークMが
フォトセンサSを横切ると、2値化回路Wによりスライ
スレベル信号Cと比較され、2値化信号(ニ)を出力す
る。コントローラJはこの2値化信号(ニ)を検知する
ことによりフィルムF上の画像コマPを検索することが
できる。
次に、上記動作を行なうための検索マーク検知手段30
の光源に使用しているLED (LE)の特性について
述べると、第5図のような単一スペクトル分布(ピーク
は620n麿)有しているため、従来のように光学的フ
ィルターQ(光学的バンドパスフィルター)を用いない
でスム。
の光源に使用しているLED (LE)の特性について
述べると、第5図のような単一スペクトル分布(ピーク
は620n麿)有しているため、従来のように光学的フ
ィルターQ(光学的バンドパスフィルター)を用いない
でスム。
一方、マイクロフィルムFの分光透過特性について説明
する。第4図のように(+)のセピアジアゾフィルムで
は、特性曲線として700n腸近くで約30%近くの透
過率を有し、光源の波長が長くなるに従って透過率が増
加してしまう、 (2)、(3)はブルーのジアゾフィ
ルムの分光透過特性を示し、 (1)、(2)は各々現
像の条件にバラつjが生じたものである。
する。第4図のように(+)のセピアジアゾフィルムで
は、特性曲線として700n腸近くで約30%近くの透
過率を有し、光源の波長が長くなるに従って透過率が増
加してしまう、 (2)、(3)はブルーのジアゾフィ
ルムの分光透過特性を示し、 (1)、(2)は各々現
像の条件にバラつjが生じたものである。
図示するように、(2)、(3)は約500〜400n
層近くにて透過率が増加している。従って、第4図から
いえることは、検索マークMを検知するための光源の波
長としては、約550ns〜680n膿ぐらいの波長で
ないとコントラストが低くなり検索マークMの検知に適
さないことがわかる。
層近くにて透過率が増加している。従って、第4図から
いえることは、検索マークMを検知するための光源の波
長としては、約550ns〜680n膿ぐらいの波長で
ないとコントラストが低くなり検索マークMの検知に適
さないことがわかる。
上述したようにLED (LE)を用いることで従来の
ように光学的フィルタを用いずに上記のように約520
〜680n麿の範囲で動作させることが可能となる・ 第6図および第7図には5本発明の第2実施例を示して
いる。
ように光学的フィルタを用いずに上記のように約520
〜680n麿の範囲で動作させることが可能となる・ 第6図および第7図には5本発明の第2実施例を示して
いる。
第6図はその制御ブロック図であり、第7図にブロック
図中の各点の波形を示している0図中上記第1実施例と
同一の構成部分については同一の符号を付し、その説明
を省略する。
図中の各点の波形を示している0図中上記第1実施例と
同一の構成部分については同一の符号を付し、その説明
を省略する。
第6図において、マイクロフィルムF上に記録されてい
る検索マークMを照明するためのLED(LE)には、
矩形状の波形電流(ロ)が加えられる。
る検索マークMを照明するためのLED(LE)には、
矩形状の波形電流(ロ)が加えられる。
該波形(a)は、D/A変換器DAにより発生された所
定のアナログ値(アナログ光μ信号da)を変調回路V
で変調信号Vにより変調され、この変調された信号はL
ED (LE)を駆動できる様にLED駆動増巾回路E
で増+tJされ、LED(LE)が波形(ロ)の様な短
形波を発光する。
定のアナログ値(アナログ光μ信号da)を変調回路V
で変調信号Vにより変調され、この変調された信号はL
ED (LE)を駆動できる様にLED駆動増巾回路E
で増+tJされ、LED(LE)が波形(ロ)の様な短
形波を発光する。
ここで、波形(a)のように変調発光された光は、スリ
ットSTI、ST2を通りフォトセンサSで受光される
。ここでスリットSTI、ST?の間に給送されている
フィルムF上に記録されている検索マークMが直下を通
過すると、同検索マークMの濃度にしたがい遮光され、
その濃度により透過された分の光がフォトセンサSに受
光される。
ットSTI、ST2を通りフォトセンサSで受光される
。ここでスリットSTI、ST?の間に給送されている
フィルムF上に記録されている検索マークMが直下を通
過すると、同検索マークMの濃度にしたがい遮光され、
その濃度により透過された分の光がフォトセンサSに受
光される。
受光された光はフォトセンサSにより電気信号に変換さ
れ、コンデンサCIを通り交流会だけアンプAMPで増
巾され、次に波形成形回路Yに伝えられる。
れ、コンデンサCIを通り交流会だけアンプAMPで増
巾され、次に波形成形回路Yに伝えられる。
この回路Yでは、チョッピング(変調)された信号を復
調して信号(イ)のように交流会を除去した波形に成形
される。この回路は、すでに公知である光変調に同期し
たサンプル及ホール1回路(第9図参照)とノイズ等を
除去するためのフィルター回路より構成されている。こ
の信号(イ)は2値化回路Wに入力されスライスレベル
SLと比較され、2値化信号(ト)に変換され、スペー
ス部信号SPとマーク部信号Mとを検知することができ
る。
調して信号(イ)のように交流会を除去した波形に成形
される。この回路は、すでに公知である光変調に同期し
たサンプル及ホール1回路(第9図参照)とノイズ等を
除去するためのフィルター回路より構成されている。こ
の信号(イ)は2値化回路Wに入力されスライスレベル
SLと比較され、2値化信号(ト)に変換され、スペー
ス部信号SPとマーク部信号Mとを検知することができ
る。
またこの時コントローラJでは前記スペース部を意味す
るSP、とマーク部を意味するMにおいて、実際にフィ
ルム上に記録されているマークMの長さを計測するため
に、フィルムFの移動に追随して回転するローラ付のロ
ータリーエンコーダーREからの信号をカウントする(
フィルムFの送り量に比例した分のパルス数がREより
出力される)。
るSP、とマーク部を意味するMにおいて、実際にフィ
ルム上に記録されているマークMの長さを計測するため
に、フィルムFの移動に追随して回転するローラ付のロ
ータリーエンコーダーREからの信号をカウントする(
フィルムFの送り量に比例した分のパルス数がREより
出力される)。
コノロータリーエンコーダREは、軸に一1ムローラが
設けてあり、ピンチローラにより挟まれていて、フィル
ムFが正方向もしくは逆方向に給送されると不図示のア
ップ/ダウンカウンタ−へ正/逆クロックパルスを送り
、スペース部SPもしくはマーク部Mの長さを計測(判
別)する(たとえば特開昭58−43444号公報、特
開昭81−231868号公報参照)。
設けてあり、ピンチローラにより挟まれていて、フィル
ムFが正方向もしくは逆方向に給送されると不図示のア
ップ/ダウンカウンタ−へ正/逆クロックパルスを送り
、スペース部SPもしくはマーク部Mの長さを計測(判
別)する(たとえば特開昭58−43444号公報、特
開昭81−231868号公報参照)。
一方、光源として用いているLED (LE)は、第8
図(a) 、 (b)に示すように、周期tのデユーテ
ィ−比(ON時がkl、OFF時がtz)を変えてt!
の時間を小さくすることにより、順電流を大きくするこ
とができる。このことは、同じ電力を加えるとしてもO
N時のデユーティを小さくすることによりLEDのビー
ク光量を増大できることを意味し、フォトセンサS側の
増巾器のゲインを(フォトセンサSの出力のパルス高L
′が大きくなる)hげなくても良くなるので、信号のS
/Nを向上させることができ、ノイズなどの影響を抑制
することができる。
図(a) 、 (b)に示すように、周期tのデユーテ
ィ−比(ON時がkl、OFF時がtz)を変えてt!
の時間を小さくすることにより、順電流を大きくするこ
とができる。このことは、同じ電力を加えるとしてもO
N時のデユーティを小さくすることによりLEDのビー
ク光量を増大できることを意味し、フォトセンサS側の
増巾器のゲインを(フォトセンサSの出力のパルス高L
′が大きくなる)hげなくても良くなるので、信号のS
/Nを向上させることができ、ノイズなどの影響を抑制
することができる。
またセンサSの出力電圧をコンデンサCにより、直流分
をカットして交流会だけをアンプAMPで増巾できるた
めに温度ドリフト等を除去できる。
をカットして交流会だけをアンプAMPで増巾できるた
めに温度ドリフト等を除去できる。
また逆に、ピークの光量を直流点燈時と同じにすると、
パルス点燈のデユーティ比を小さくするこ之により、L
EDの消費電力も小さくすることができるばかりでなく
、LEDの発熱もきわめて小さくすることが出来る。こ
のLEDのピークの光量をサーボする方法は、第10図
のフローチャートに示した様に、センサSの出力をコン
トローラJの内部のCPUで読み、LED電流の増減を
制御することにより、LEDを長期間使用した時の光量
の減光にも対処できるばかりでなく、センサSの長期間
使用した時の劣化による出力低ドにも対応することがで
きる。
パルス点燈のデユーティ比を小さくするこ之により、L
EDの消費電力も小さくすることができるばかりでなく
、LEDの発熱もきわめて小さくすることが出来る。こ
のLEDのピークの光量をサーボする方法は、第10図
のフローチャートに示した様に、センサSの出力をコン
トローラJの内部のCPUで読み、LED電流の増減を
制御することにより、LEDを長期間使用した時の光量
の減光にも対処できるばかりでなく、センサSの長期間
使用した時の劣化による出力低ドにも対応することがで
きる。
第11図(a)乃至(c)は、検索マーク検知手段30
の設置位置の各種態様を示している。
の設置位置の各種態様を示している。
すなわち、第3図では、検索マーク検知手段30を照明
部10に対してフィルム送り出し側に設けたが、第11
図(a)に示すように照明部10に設けてもよく、第1
1図(b)に示すように照明部10に対してフィルム巻
取側に配置してもよい。
部10に対してフィルム送り出し側に設けたが、第11
図(a)に示すように照明部10に設けてもよく、第1
1図(b)に示すように照明部10に対してフィルム巻
取側に配置してもよい。
また、第11図(c)は、検索マーク検知手段30とロ
ータリーエンコーダREがともに巻取側に設置した例で
あり、第3図に示すように検索マーク検知f段30を送
り出し側に、エンコーダREを巻取り側に設置したもの
と相違する。
ータリーエンコーダREがともに巻取側に設置した例で
あり、第3図に示すように検索マーク検知f段30を送
り出し側に、エンコーダREを巻取り側に設置したもの
と相違する。
この様に本発明を応用したマーク検知器はフィルム走行
系のどこへ設置しても本発明の効果を発揮することがで
きる。
系のどこへ設置しても本発明の効果を発揮することがで
きる。
第12図は他の実施例の一例であり、光源に可視光半導
体レーザーLaを用いた例である。
体レーザーLaを用いた例である。
半導体レーザーLaは、すでに公知であるが、レーザ光
の特徴から、位相のそろった、かつ単色の光が得られ、
簡単なレンズLSにより容易にビーム光をつくり出すこ
とができる。したがって、半導体レーザーLaを光源に
使用することにより、第1図の様にスリ7)TI、72
等を使用しないでも、細いビーム光を容易につくり出す
ことができ、フィルムF上の細い検索マークMをスリー
7トT+、Tz等を使用しないでも検知できるようにな
る。
の特徴から、位相のそろった、かつ単色の光が得られ、
簡単なレンズLSにより容易にビーム光をつくり出すこ
とができる。したがって、半導体レーザーLaを光源に
使用することにより、第1図の様にスリ7)TI、72
等を使用しないでも、細いビーム光を容易につくり出す
ことができ、フィルムF上の細い検索マークMをスリー
7トT+、Tz等を使用しないでも検知できるようにな
る。
この結果、検索マーク検知手段30の構造もさわめてf
rM素化することもできる。一方、半導体レーザーLa
のビーム光は拡がらないので1発光した光の大多数をフ
すトセンサSへ受光させることができ、非常に効率の良
い光源を構成することができる。
rM素化することもできる。一方、半導体レーザーLa
のビーム光は拡がらないので1発光した光の大多数をフ
すトセンサSへ受光させることができ、非常に効率の良
い光源を構成することができる。
第1表には、半導体レーザーLaの材料と発振波長との
関係を示しており、材料の種類、材料の比などにより発
振波長を選択することができる。
関係を示しており、材料の種類、材料の比などにより発
振波長を選択することができる。
第1表
第13図は半4体レーザーダイオードの構造の概略を示
すもので、パルス電流を注入することによりP−N接合
部40からレーザ光が出射される。
すもので、パルス電流を注入することによりP−N接合
部40からレーザ光が出射される。
またこれら半導体レーザーを上記第2の実施例のように
光変調を行なうことにより、さらに効果を向J二させる
ことができる。
光変調を行なうことにより、さらに効果を向J二させる
ことができる。
尚、上記実施例ではマイクロフィルムリータープリンタ
におけるロールフィルムの画像コマを検索する場合につ
いて説明したが、フィッシュフィルムについても適用で
きるものであり、その他検索マークを付した透光性のフ
ィルムに付されたマークを検知する検知機構を備えた装
置について広く適用できる。
におけるロールフィルムの画像コマを検索する場合につ
いて説明したが、フィッシュフィルムについても適用で
きるものであり、その他検索マークを付した透光性のフ
ィルムに付されたマークを検知する検知機構を備えた装
置について広く適用できる。
(発IIの効果)
本発明は以」−の構成および作用を有するもので、Of
視光の単波長の発光素子を用いたので、検索マーク部を
透過する赤外付近の有害光は無く、マーク検出を正確に
でき信頼性を向上させることができる。またフィルタが
不要となることから、フィルタ選定にあたっての1’=
ll11.時間を省くことができ、小型化を図ることが
できる。
視光の単波長の発光素子を用いたので、検索マーク部を
透過する赤外付近の有害光は無く、マーク検出を正確に
でき信頼性を向上させることができる。またフィルタが
不要となることから、フィルタ選定にあたっての1’=
ll11.時間を省くことができ、小型化を図ることが
できる。
さらにフィラメントを有する電球ではなく、固体発光手
段を用いたので発熱′が少なく、熱による誤動作を防止
でき、また光量調整に際しての応答性が早く、調整作業
が迅速に行なえる。また、固体発光手段を用いることに
より、経年変化が少なく寿命も長いので、光源の交換が
不要となってサービス性が向上する。
段を用いたので発熱′が少なく、熱による誤動作を防止
でき、また光量調整に際しての応答性が早く、調整作業
が迅速に行なえる。また、固体発光手段を用いることに
より、経年変化が少なく寿命も長いので、光源の交換が
不要となってサービス性が向上する。
さらに駆動電力が小さくまた、光源部の放熱を考慮する
必要もないので、非常に小型化を図る・ことが可能とな
る。
必要もないので、非常に小型化を図る・ことが可能とな
る。
また、固体発光手段の発光波長を、検索マーク部の分光
透過特性の遮光率が最大となるように設定すれば、検索
マークの検知をより確実にできる。
透過特性の遮光率が最大となるように設定すれば、検索
マークの検知をより確実にできる。
一方、発光素子をパルス変調させる変調手段と、受光手
段の出力信号を復調するようにした構成とすれば、ノイ
ズ等の影響を抑えることができる。
段の出力信号を復調するようにした構成とすれば、ノイ
ズ等の影響を抑えることができる。
また、発光素子の発光波長を、検索マーク部と非検索マ
ーク部の分光特性の透II!S率との差が最大となるよ
うに設定すれば、より一層検索マークの検知を正確に行
なえる。
ーク部の分光特性の透II!S率との差が最大となるよ
うに設定すれば、より一層検索マークの検知を正確に行
なえる。
さらに、光源として半導体末子のような固体発光F段を
用いることにより、装置構成の一層の小型化が図れる。
用いることにより、装置構成の一層の小型化が図れる。
第1図は本発明の第1実施例に係る情報検索装置の検索
マーク検知手段の概略構成図、第2図は第1図の検索マ
ーク検知手段の制御ブロック図、第3図は第1図の検知
手段を備えた情報検索装置の概略構成図、?fS4図は
マイクロフィルムの検索マーク部の分光透過特性を示す
グラフ、第5図はLEDのスペクトル分布特性を示すグ
ラフ、第6図は本発明の第2実施例に係る情報検索装置
の検索マーク検知手段の制御ブロック図、第7図は第6
図のブロック図中の各制御信号の波形図、第8図(a)
はLEDに加えるパルス′市流のデユーティ比と周囲温
度の特性図、第8図(b)は同じ電力を加えた時のデユ
ーティ比とピーク光量の関係を示す波形図、第9図(a
)はサンプル及ホールド回路の入力波形と出力波形の説
明図、第9図(b)はフィルター回路を通った信号波形
図、第1O図はフォトセンサの出力が所定値となるよう
にLED光呈をサーボするためのフローチャート、第1
1図(a)乃至(C)は検索マーク検知手段の配置構成
の各種態様を示す情報検索装置の構成図、第12図は光
源に半導体レーザを用いた場合の検索マーク検知手段の
概略構成図、第13図は半導体レーザの概略的な構造を
示す図、第14図は従来の情報検索装置の検索マーク検
知手段の概略構成図、第15図は従来使用されるフィル
タの透過率を示す特性図である。 符 号 の 説 IJJ ■・・・カートリッジ 30・・・検索マーク検知手段 F・・・マイクロフィルム(情報記録媒体)M・・・検
索マーク P・・・画像コマLE・・・LED (
光源) S・・・フォトセンサ (受光素子) J・・・コントローラ D/A・・・DA変換回路 第8図 第8図 (b) ・ ’2 、 f+ 1 第 Lo) 第 図(b) 第10図
マーク検知手段の概略構成図、第2図は第1図の検索マ
ーク検知手段の制御ブロック図、第3図は第1図の検知
手段を備えた情報検索装置の概略構成図、?fS4図は
マイクロフィルムの検索マーク部の分光透過特性を示す
グラフ、第5図はLEDのスペクトル分布特性を示すグ
ラフ、第6図は本発明の第2実施例に係る情報検索装置
の検索マーク検知手段の制御ブロック図、第7図は第6
図のブロック図中の各制御信号の波形図、第8図(a)
はLEDに加えるパルス′市流のデユーティ比と周囲温
度の特性図、第8図(b)は同じ電力を加えた時のデユ
ーティ比とピーク光量の関係を示す波形図、第9図(a
)はサンプル及ホールド回路の入力波形と出力波形の説
明図、第9図(b)はフィルター回路を通った信号波形
図、第1O図はフォトセンサの出力が所定値となるよう
にLED光呈をサーボするためのフローチャート、第1
1図(a)乃至(C)は検索マーク検知手段の配置構成
の各種態様を示す情報検索装置の構成図、第12図は光
源に半導体レーザを用いた場合の検索マーク検知手段の
概略構成図、第13図は半導体レーザの概略的な構造を
示す図、第14図は従来の情報検索装置の検索マーク検
知手段の概略構成図、第15図は従来使用されるフィル
タの透過率を示す特性図である。 符 号 の 説 IJJ ■・・・カートリッジ 30・・・検索マーク検知手段 F・・・マイクロフィルム(情報記録媒体)M・・・検
索マーク P・・・画像コマLE・・・LED (
光源) S・・・フォトセンサ (受光素子) J・・・コントローラ D/A・・・DA変換回路 第8図 第8図 (b) ・ ’2 、 f+ 1 第 Lo) 第 図(b) 第10図
Claims (7)
- (1)記録媒体上に各記録情報に対応して付された検索
マークを検知する検索マーク検知手段を有し、該検索マ
ーク検知手段は、記録媒体の検索マーク部を照らす光源
と、その透過光を受光する受光素子とから構成される情
報検索装置において、 前記検索マーク検知手段の光源として、固 体発光手段を用い、該固定発光手段は可視光の単波発光
素子であることを特徴とする情報検索装置。 - (2)固体発光手段は、記録媒体上に付された検索マー
ク部の分光透過特性の遮光率が最大となる発光波長を有
する請求項1に記載の情報検索装置。 - (3)固体発光素子と該発光素子をパルス変調させる変
調手段と、該発光素子の変調光を受光する受光手段と、
該受光手段の出力信号を復調する復調手段とを具備して
成る請求項 1に記載の情報検索装置。 - (4)固体発光素子の発光波長は、使用する情報記録媒
体の検索マーク部の分光特性の遮光率と非検索マーク部
の分光特性の透過率との差が最大となる発光波長を用い
ることを特徴とする請求項1に記載の情報検索装置。 - (5)固体発光素子は、半導体発光素子であることを特
徴とする請求項1に記載の情報検索装置。 - (6)半導体発光素子は、可視光のLEDである請求項
1に記載の情報検索装置。 - (7)半導体発光素子は、可視光の半導体レーザ素子で
ある請求項1に記載の情報検索装 置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63278756A JPH02125241A (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | 情報検索装置 |
US07/703,697 US5137347A (en) | 1988-02-16 | 1991-05-21 | Information retrieval apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63278756A JPH02125241A (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | 情報検索装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02125241A true JPH02125241A (ja) | 1990-05-14 |
Family
ID=17601755
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63278756A Pending JPH02125241A (ja) | 1988-02-16 | 1988-11-04 | 情報検索装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02125241A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0566472A (ja) * | 1991-09-09 | 1993-03-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | ブリツプ読取り装置 |
-
1988
- 1988-11-04 JP JP63278756A patent/JPH02125241A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0566472A (ja) * | 1991-09-09 | 1993-03-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | ブリツプ読取り装置 |
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