JPH02123728A - 露光システム - Google Patents
露光システムInfo
- Publication number
- JPH02123728A JPH02123728A JP63277649A JP27764988A JPH02123728A JP H02123728 A JPH02123728 A JP H02123728A JP 63277649 A JP63277649 A JP 63277649A JP 27764988 A JP27764988 A JP 27764988A JP H02123728 A JPH02123728 A JP H02123728A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- laser
- light beam
- lasers
- polarized light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70566—Polarisation control
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は露光システムに関し、特にIC1LSI等の半
導体素子の製造においてマスク面若しくはレチクル而1
−の′電子回路パターンをウェハ面上に直接露光転写若
しくは投影光学系を介して投影露光する際に好適な露光
システムに関するものである。
導体素子の製造においてマスク面若しくはレチクル而1
−の′電子回路パターンをウェハ面上に直接露光転写若
しくは投影光学系を介して投影露光する際に好適な露光
システムに関するものである。
(従来の技術)
従来よりIC,LSI等のt導体素子を製造する為の露
光装置においては、電子回路パターンを描いたマスクパ
ターンを照明系により川Ill l、、該マスクパター
ンをウェハ面上に順次重ねて露光転写したり、又は投影
光学系によりウェハ面しに所定の倍率で繰り返し投影し
露光している。このような光りソグラフイ技術において
は、照明光源としてレーザが多く用いられている。
光装置においては、電子回路パターンを描いたマスクパ
ターンを照明系により川Ill l、、該マスクパター
ンをウェハ面上に順次重ねて露光転写したり、又は投影
光学系によりウェハ面しに所定の倍率で繰り返し投影し
露光している。このような光りソグラフイ技術において
は、照明光源としてレーザが多く用いられている。
通常1つの露光装置には専用の1つのレーザか露光用光
源として設けられている。
源として設けられている。
一般に露光9tにおいて各々専用のレーザを露光用光源
として設けた場合にはレーザの故障時やレーザのガス交
換時モしてレーザの保守点検時簿にはレーザの動作が停
止する。この場合その都度露光装置全体の動作も停止さ
せねばならなく駆動効率か悪くなるという問題点があっ
た。
として設けた場合にはレーザの故障時やレーザのガス交
換時モしてレーザの保守点検時簿にはレーザの動作が停
止する。この場合その都度露光装置全体の動作も停止さ
せねばならなく駆動効率か悪くなるという問題点があっ
た。
又半導体素子製造においてはレジストの種類や塗布状態
等により特別の露光行程で処理しなければならない場合
がある1例えば多くの露光量を必要とする場合等があり
、この場合には強力出力のレーザを用いかつ露光時間を
長くする必要がありた。
等により特別の露光行程で処理しなければならない場合
がある1例えば多くの露光量を必要とする場合等があり
、この場合には強力出力のレーザを用いかつ露光時間を
長くする必要がありた。
この場合数少ない特別の霧光行程の為に通常使用しない
程度の強力出力のレーザを用いることは大変不経済であ
るばかりではなく装置全体が大型化してくるという問題
点かあった。この化ウェハへの露光時間を長くし露光量
を増大させようとするとスルーブツトが低下し、又ウニ
八やレチクルの位置が変動しアライメント精度が低下し
てくる等の問題点があった。
程度の強力出力のレーザを用いることは大変不経済であ
るばかりではなく装置全体が大型化してくるという問題
点かあった。この化ウェハへの露光時間を長くし露光量
を増大させようとするとスルーブツトが低下し、又ウニ
八やレチクルの位置が変動しアライメント精度が低下し
てくる等の問題点があった。
(発男が解決しようとする問題点)
本発明は半導体素子製造用の露光装置のおいて、露光用
光源としてレーザを各露光装置毎に設けずに複数のレー
ザと複数の露光IJ、置を用い、これらの各要素を全体
として1つのシステムとじて取り様い、各露光装置には
複数のレーザからの複散光東のうち少なくとも1つの光
束を選択的に導光するようにし構成し1例えば1つのレ
ーザの動作か停止トシても他のレーザからの光束か用い
られるようにし、必要とする露光装置としての機能は常
に発揮させることかできる、又多くの露光量を必要とし
た場合には複数のレーザからの複数の光束を同時に導入
するようにし、特別に強力出力のレーザを必要としない
高いスループットか容易にイ:1られる高精度の露光シ
ステムの提供なf’l的とする。
光源としてレーザを各露光装置毎に設けずに複数のレー
ザと複数の露光IJ、置を用い、これらの各要素を全体
として1つのシステムとじて取り様い、各露光装置には
複数のレーザからの複散光東のうち少なくとも1つの光
束を選択的に導光するようにし構成し1例えば1つのレ
ーザの動作か停止トシても他のレーザからの光束か用い
られるようにし、必要とする露光装置としての機能は常
に発揮させることかできる、又多くの露光量を必要とし
た場合には複数のレーザからの複数の光束を同時に導入
するようにし、特別に強力出力のレーザを必要としない
高いスループットか容易にイ:1られる高精度の露光シ
ステムの提供なf’l的とする。
(問題点を解決するための手段)
複数のレーザと該複数のレーザのうち少なくとも1つの
レーザからの光束を選択手段により選択して複数の露光
装置のうちの1つの露光装置に露光用光栄として導光し
たことである。
レーザからの光束を選択手段により選択して複数の露光
装置のうちの1つの露光装置に露光用光栄として導光し
たことである。
特に未発IJIでは偏光を利用した光学部材を介して前
記複数のレーザからの光束のうちの1つの光束を選択し
ていることを特徴としている。
記複数のレーザからの光束のうちの1つの光束を選択し
ていることを特徴としている。
(実施例)
第1図は本発明の第1実施例の要部概略図である。
本実施例では2つのレーザと2つの露光装置を用いて露
光システムを構成した場合を示している。
光システムを構成した場合を示している。
同図においてl、2は各々半導体素子製造用の露光装置
である。3.4は各々レーザであり、偏光状態の光束を
放射している。レーザ3,4は各々のレーザ3.4から
の光束の中心軸(以下便宜上「光軸」という、)10.
11が互いにずれるように配置されている。
である。3.4は各々レーザであり、偏光状態の光束を
放射している。レーザ3,4は各々のレーザ3.4から
の光束の中心軸(以下便宜上「光軸」という、)10.
11が互いにずれるように配置されている。
本実施例ではレーザ3,4から放射される光束12.1
3は共に紙面と平行方向に振動面を有するP偏光の状態
で放射されるように各要素、例えばレーザ内の共振器中
のブルーメタ窓等が設定されている。
3は共に紙面と平行方向に振動面を有するP偏光の状態
で放射されるように各要素、例えばレーザ内の共振器中
のブルーメタ窓等が設定されている。
6は可動ミラーであり、部材6aを介しガイド16aに
沿ってアクチュエータ17aにより移動回部となるよう
に保持されておりレーザ3からのP偏光の光束12を反
射させている。8は固定の偏光ビームスプリッターであ
り、可動ミラー6て反射したP偏光の光束12を通過さ
せて露光装置lに導光している。、可動ミラー6と偏光
ビームスプリッタ8は光束の選択手段の一部を構成して
いる。
沿ってアクチュエータ17aにより移動回部となるよう
に保持されておりレーザ3からのP偏光の光束12を反
射させている。8は固定の偏光ビームスプリッターであ
り、可動ミラー6て反射したP偏光の光束12を通過さ
せて露光装置lに導光している。、可動ミラー6と偏光
ビームスプリッタ8は光束の選択手段の一部を構成して
いる。
一部レーザ4からのP偏光の光束13を偏光素子5によ
って紙面と垂直方向に振動面を有するS偏光の光束に変
換している。9は可動の偏光ビームスプリッタ−であり
部材9aを介しガイド18bに沿ってアクチュエータ1
7bにより移動可能となるように保持させており偏光素
子5を通過したS偏光の光束14を反射させて露光装置
2に導光している。偏光ビ・−ムスブリッタ9は選択r
段の−・部を構成している。18は制御回路であり露光
を制御したり++f動ミラー6やビームスプリッタ−9
の移動を駆動制御している。
って紙面と垂直方向に振動面を有するS偏光の光束に変
換している。9は可動の偏光ビームスプリッタ−であり
部材9aを介しガイド18bに沿ってアクチュエータ1
7bにより移動可能となるように保持させており偏光素
子5を通過したS偏光の光束14を反射させて露光装置
2に導光している。偏光ビ・−ムスブリッタ9は選択r
段の−・部を構成している。18は制御回路であり露光
を制御したり++f動ミラー6やビームスプリッタ−9
の移動を駆動制御している。
このように本実施例では露光装置filにはレーザ3か
らのP偏光の光束12を導光し、露光装置2はレーザ4
からのS偏光に変換された光束14を導光して、半導体
素子製造用の露光装置としての機能を発揮させている。
らのP偏光の光束12を導光し、露光装置2はレーザ4
からのS偏光に変換された光束14を導光して、半導体
素子製造用の露光装置としての機能を発揮させている。
第2図は第1図に示す露光システムにおいてレーザ4が
例えばガス交換や保守点検又は故障等て停止した場合、
レーザ3を用いて露光量211と4光装W12の双方を
駆動させる場合の一実施例の概略図である。
例えばガス交換や保守点検又は故障等て停止した場合、
レーザ3を用いて露光量211と4光装W12の双方を
駆動させる場合の一実施例の概略図である。
同図においてはル1u1回路18からのMgg信号19
に基づいてアクチュエータエフaにより可動ミラー6を
ガイド16aに沿って点線で示す位置から実線で示す位
置に移動させている。
に基づいてアクチュエータエフaにより可動ミラー6を
ガイド16aに沿って点線で示す位置から実線で示す位
置に移動させている。
そしてレーザ3からのP偏光の光束12を固定ミラー7
て反射させて偏光ビームスプリッタ9に入射させている
。前述のように偏光ビームスプリッタ9はP偏光の光束
を通過させ、S偏光の光束14を反射させる性質を有し
ている。この為固定ミラー7で反射したP偏光の光束1
2は偏光ビームスプリッタ9を通過し、露光量2t2に
入射する。
て反射させて偏光ビームスプリッタ9に入射させている
。前述のように偏光ビームスプリッタ9はP偏光の光束
を通過させ、S偏光の光束14を反射させる性質を有し
ている。この為固定ミラー7で反射したP偏光の光束1
2は偏光ビームスプリッタ9を通過し、露光量2t2に
入射する。
このようにして本実施例ではレーザ3からの光束を可動
ミラー6を変位させることにより露光量212に入射さ
せている。
ミラー6を変位させることにより露光量212に入射さ
せている。
ここで可動ミラー6の駆動タイミングとしては例えば露
光装置?21のウェハ交換時等のように露光装置!It
が一時的にレーザ3からの光束を不必要とする時に行っ
ている。
光装置?21のウェハ交換時等のように露光装置!It
が一時的にレーザ3からの光束を不必要とする時に行っ
ている。
第3図にこのときの動作のフローチャートを示す。
本実施例においてクエへの寸法や露光シ日ットa等が異
なる等の理由により2つの露光装置1.2の露光時間が
異なる場合にはウェハl&毎に可動ミラー6を切り換え
る必要はなく、露光システムとしての最適の切り換えを
・制御回路18により行うようにするのが良い。
なる等の理由により2つの露光装置1.2の露光時間が
異なる場合にはウェハl&毎に可動ミラー6を切り換え
る必要はなく、露光システムとしての最適の切り換えを
・制御回路18により行うようにするのが良い。
尚第2図に示す露光システムにおいてレーザ4の駆動が
可能となった場合、レーザ4を駆動させれば、レーザ4
からのS偏光の光束14もP偏光の光束12と共に露光
装置12に導光することができる。
可能となった場合、レーザ4を駆動させれば、レーザ4
からのS偏光の光束14もP偏光の光束12と共に露光
装置12に導光することができる。
このような構成は露光量212の露光量を倍増させるこ
とができるので露光装置2が多くの露光量を必要とする
場合に好ましい。
とができるので露光装置2が多くの露光量を必要とする
場合に好ましい。
第4図は第2図の実施例とは逆にレーザ3の動作か停止
した場合にレーザ4からの光束を露光量211と露光量
222に導光する場合の一実施例の概略図である。
した場合にレーザ4からの光束を露光量211と露光量
222に導光する場合の一実施例の概略図である。
同図においては制御回路1Bからの制御信号19に基づ
きアクチュエータ17bにより可動の偏光ビームスプリ
ッタ9をガイドtabに沿って点線で示す位置から実線
で示す位置に変位させている。そして偏光素子5を通過
したS偏光の光束14を固定の偏光ビームスプリッタ8
に入射させている。前述のように偏光ビームスプリッタ
8はP偏光の光束を通過させ、S偏光の光束を反射させ
る性質を有している。この為偏光素子5からのS偏光の
光束14は偏光ビームスプリッタ8で反射し露光装置1
に入射する。
きアクチュエータ17bにより可動の偏光ビームスプリ
ッタ9をガイドtabに沿って点線で示す位置から実線
で示す位置に変位させている。そして偏光素子5を通過
したS偏光の光束14を固定の偏光ビームスプリッタ8
に入射させている。前述のように偏光ビームスプリッタ
8はP偏光の光束を通過させ、S偏光の光束を反射させ
る性質を有している。この為偏光素子5からのS偏光の
光束14は偏光ビームスプリッタ8で反射し露光装置1
に入射する。
本実施例において偏光ビームスプリッタ9の駆動タイミ
ングとしては第2図に示した実施例と同様に行うことが
できる。
ングとしては第2図に示した実施例と同様に行うことが
できる。
尚第4図に示す露光システムにおいてレーザ3の駆動が
り能となった場合、同図に示す状態でレーザ3を駆動さ
せればレーザ3からのP偏光の光束12をS偏光の光束
14と共に露光量2112に導光することができる。こ
の場合、露光装置lの霧光1+1 ?倍増することがで
きるので前述のように露光装置1が多くの露光量を必要
とする場合に好ましい。
り能となった場合、同図に示す状態でレーザ3を駆動さ
せればレーザ3からのP偏光の光束12をS偏光の光束
14と共に露光量2112に導光することができる。こ
の場合、露光装置lの霧光1+1 ?倍増することがで
きるので前述のように露光装置1が多くの露光量を必要
とする場合に好ましい。
本実施例においては可動ミラー6や可動偏光ビームスプ
リッタ9の駆動の際の停止位置精度は正規位21(第1
図で示す位置)でのみ高精度に行なえば良いので複雑な
機構や調整手段を特に必要とせず装置全体を複雑化する
ことなく構成することが11r能である。
リッタ9の駆動の際の停止位置精度は正規位21(第1
図で示す位置)でのみ高精度に行なえば良いので複雑な
機構や調整手段を特に必要とせず装置全体を複雑化する
ことなく構成することが11r能である。
本実施例は2つのレーザと2つの露光vt1を用いた場
合を示したが2つ以りのレーザと露光装置を用いても同
様に木発す1を適用することができる。
合を示したが2つ以りのレーザと露光装置を用いても同
様に木発す1を適用することができる。
例えば2つのレーザと3台の露光装置で露光システムを
構成すればレーザの駆動を停とさせることなく各露光装
置に露光光束を供給することができる。
構成すればレーザの駆動を停とさせることなく各露光装
置に露光光束を供給することができる。
(発明の効果)
本発明によれば前述の如く複数のレーザと複数の霧光装
置?:3択手段を介して構成することにより一部のレー
ザ動作を停止させても必要とする露光装置を常に稼動さ
せることができ、ヌ多い露光量が必要な露光装置には複
数のレーザからの光束を導光することが出来、高いスル
ープットを有した高精度の半導体素子製造用に好適な露
光システムを構成することができる。
置?:3択手段を介して構成することにより一部のレー
ザ動作を停止させても必要とする露光装置を常に稼動さ
せることができ、ヌ多い露光量が必要な露光装置には複
数のレーザからの光束を導光することが出来、高いスル
ープットを有した高精度の半導体素子製造用に好適な露
光システムを構成することができる。
第1図は本発明の一実施例の要部概略図、第2図、第4
図は第1図において1方のレーザの動作を停止させたと
きの−・実施例の概略図、第3図は第2図の実施例の動
作のフローチャートである。 図中1.2は各り露光装置、3.4は各々レーザ、5は
偏光素子、6は可動ミラー、7は固定ミラー、8は固定
の偏光ビームスプリッタ、9はOI動の偏光ビームスプ
リッタ、10.11は光軸、12.13はP偏光の光束
、14はS偏光の光束、16a、16bはガイド、17
a、17bはアクチュエータ、18は制御回路、19は
制御信号である。
図は第1図において1方のレーザの動作を停止させたと
きの−・実施例の概略図、第3図は第2図の実施例の動
作のフローチャートである。 図中1.2は各り露光装置、3.4は各々レーザ、5は
偏光素子、6は可動ミラー、7は固定ミラー、8は固定
の偏光ビームスプリッタ、9はOI動の偏光ビームスプ
リッタ、10.11は光軸、12.13はP偏光の光束
、14はS偏光の光束、16a、16bはガイド、17
a、17bはアクチュエータ、18は制御回路、19は
制御信号である。
Claims (3)
- (1)複数のレーザと該複数のレーザからの光束を選択
する選択手段と、該選択されたレーザ光を受ける露光装
置とを有することを特徴とする露光システム。 - (2)前記選択手段は偏光を利用した光学部材を介して
前記複数のレーザからの光束のうち1つの光束を選択し
ていることを特徴とする請求項1記載の露光システム。 - (3)前記複数のレーザは該レーザからの放射光束の中
心軸が互いにずれるように配置されていることを特徴と
する請求項1又は2記載の露光システム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63277649A JPH02123728A (ja) | 1988-11-02 | 1988-11-02 | 露光システム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63277649A JPH02123728A (ja) | 1988-11-02 | 1988-11-02 | 露光システム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02123728A true JPH02123728A (ja) | 1990-05-11 |
Family
ID=17586366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63277649A Pending JPH02123728A (ja) | 1988-11-02 | 1988-11-02 | 露光システム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02123728A (ja) |
-
1988
- 1988-11-02 JP JP63277649A patent/JPH02123728A/ja active Pending
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