JPH021228B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH021228B2
JPH021228B2 JP56013836A JP1383681A JPH021228B2 JP H021228 B2 JPH021228 B2 JP H021228B2 JP 56013836 A JP56013836 A JP 56013836A JP 1383681 A JP1383681 A JP 1383681A JP H021228 B2 JPH021228 B2 JP H021228B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
workpiece
positive electrode
frame body
mounting frame
processing chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP56013836A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS57131363A (en
Inventor
Mitsugi Enomoto
Masao Koshi
Shotaro Shimizu
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Citizen Watch Co Ltd
Original Assignee
Citizen Watch Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Citizen Watch Co Ltd filed Critical Citizen Watch Co Ltd
Priority to JP1383681A priority Critical patent/JPS57131363A/ja
Publication of JPS57131363A publication Critical patent/JPS57131363A/ja
Publication of JPH021228B2 publication Critical patent/JPH021228B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/32Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50Substrate holders
    • C23C14/505Substrate holders for rotation of the substrates

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、加工室に対して被加工部材を装着す
る装置を装着台ごと入れ替える型式の量産用のイ
オンプレーテイング装置に関するものである。
従来の技術 イオンプレーテイングは、蒸発源からの蒸発物
質をイオン化し、真空中あるいは雰囲気ガス中で
被加工部材表面に被覆する技術である。
この技術においては、加工室内において蒸発源
の他に陽電極、熱電子発生電極等を含む多数の電
極が用いられ、これらの電極を適当に駆使してイ
オン化雰囲気を制御し、被覆される膜質を調整し
ている。
しかしながら、従来、特に被加工部材を装着し
た装着台を装着台枠体本体ごと加工室内に入れ替
える型式の量産用のイオンプレーテイング装置に
おいては、各電極を装着台枠体本体の外部に配置
せざる得ないので、これら電極の数や配置を工夫
するだけでは限界があり、処理空間のコントロー
ルがしばしば困難となつたり、均一な処理空間を
さらに拡張することは不可能であつた。
また、蒸着室内に台車を装脱自在に設けると共
に、発熱部材を接続した加熱用電極、高周波放電
用電極をそれぞれ設け、台車に回転部材を回転自
在に装着し、台車を蒸着室内に挿入することによ
り電気的に接続されるようにした高周波イオンプ
レーテイング装置が特開昭55−145336号公報とし
て提案されている。
しかし、このものは、高周波放電用電極が蒸着
室に取付けられていて、加熱用電極のみがスプリ
ング状接点を介して外部電極に連絡されているも
のであり、このため、蒸着室内に収納された台車
その固定位置においてイオンプレーデイング作業
が行われれ、その作業は回分処理に限られるもの
であり、しかも、蒸発源の遠方においては蒸発し
た蒸発物質のイオン化が不十分であり、回転部材
に装着した被加工部材への蒸着が不均一となる恐
れがあつた。
発明が解決しようとする課題 本発明の目的は、上記のような問題点に対処
し、被加工部材装着台枠体本体に対する各電極の
位置設定を加工室外において最適となし、被加工
部材に対する均一な蒸着処理のための自由な処理
空間の拡張を実現し、加工室内への被加工部材装
着台枠体本体の挿入により、陰電極導入接点、主
陽電極導入接点及び補助陽電極導入接点が複数の
摺動接点より同時に、かつ、確実に接触し、加工
室に対して被加工部材装着台枠体本体が移動しな
がらイオンプレーテイング作業を連続的に行うこ
とも、加工室に対して加工部材装着台枠体本体を
出入させてイオンプレーテイング作業を回分的に
行うこともでき、このため、目的に応じて連続的
又は回分的イオンプレーテイング作業を選択する
ことが可能となり、イオンプレーテイングが能率
的に実行され、主陽電極と対向する位置の補助陽
電極により、蒸発源の遠方においても蒸発した蒸
発物質のイオン化が十分に行なわれ、被加工部材
支持体に装着した被加工部材に対して均一な蒸着
を行なうことが可能なイオンプレーテイング装置
を提供することにある。
課題を解決するための手段 本発明のイオンプレーテイング装置は、加工室
内に被加工部材装着台枠体本体を装脱自在に設け
ると共に、蒸発物支持体、熱電子発生電極、陽電
極をそれぞれ設け、前記被加工部材装着台枠体本
体内に被加工部材支持体を配置したイオンプレー
テイング装置において、前記被加工部材装着台枠
体本体に主陽電極を取付けると共に、前記被加工
部材支持体を挟んで前記主陽電極と対向する位置
に補助陽電極を取付け、前記被加工部材装着台枠
体本体外に前記被加工部材支持体に連絡した陰電
極導入接点と、前記主陽電極に連絡した主陽電極
導入接点と、前記補助陽電極に連絡した補助陽電
極導入接点とを設け、前記加工室内に各導入接点
がそれぞれ摺動自在に接触される複数の摺動接点
を前記被加工部材装着台枠体本体の移動方向に沿
つてそれぞれ設けたことを特徴とする構成を有す
るものである。
作 用 加工室の一端の室外で被加工部材装着台枠体本
体内に配置した被加工部材支持体に被加工部材を
装着した後、被加工部材装着台枠体本体を加工室
内に挿入すると、被加工部材支持体に連絡した被
加工部材装着台枠体本体外の陰電極導入接点、被
加工部材装着台枠体本体内に取付けた主陽電極に
連絡した被加工部材装着台枠体本体外の主陽電極
導入接点及び被加工部材装着台枠体本体内の被加
工部材支持体を挟んで主陽電極と対向する位置に
取付けた補助陽電極に連絡した補助陽電極導入接
点が、加工室内に設けた複数の摺動接点にそれぞ
れ同時に接触し、主陽電極及び補助陽電極が加工
室内の蒸発物支持体と熱電子発生電極とにより蒸
発した蒸発物質をイオン化する。
実施例 以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に
説明する。
図において、1は真空または雰囲気等の加工室
であり、加工室1の内部には被加工部材装着台枠
体本体2が装脱自在に設けられ、被加工部材装着
台枠体本体2の両側に形成した案内レール17,
17が加工室1の両側壁に装着した被加工部材装
着台搬送機構7,7のローラ上に懸架されてお
り、被加工部材装着台枠体本体2の内部には絶縁
碍子11を介して被加工部材装着台枠体電位部3
が配設されている。
加工室1の底壁上には蒸発物支持体8が配設さ
れ、蒸発物支持体8の両側近傍には熱電子発生電
極9,9がそれぞれ配設されている。
被加工部材装着台枠体電位部3の内部には被加
工部材支持体の一部となる被加工部材公転軸4が
回転自在に横架され、被加工部材公転軸4は被加
工部材自・公転回転導入機構6及び絶縁機構付回
転導入機構13と連絡されている。
被加工部材公転軸4の両端寄りにはスプロケツ
ト22,22がそれぞれ取付けられ、スプロケツ
ト22と被加工部材装着台枠体電位部3に回転自
在に設けられた他の被加工部材公転軸(図示せ
ず)に取付けられた他のスプロケツト(図示せ
ず)との間には無端チエーン23が懸架されてい
る。
そして、この無端チエーン23には複数の被加
工部材自転軸18が等間隔で回動自在に取付けら
れる。
被加工部材自転軸18はその外端にローラ24
を有し、このローラ24は被加工部材装着台枠体
電位部3に取付けたガイドレール25に係合され
ている。
そして、被加工部材公転軸4、スプロケツト2
2、無端チエーン23及び被加工部材自転軸18
により被加工部材支持体が構成され、被加工部材
支持体は被加工部材装着台枠体電位部3の内部に
配置され、被加工部材自転軸18の周囲には被加
工部材5が等間隔に取付けらている。
被加工部材装着台枠体電位部3には被加工部材
支持体の下方位置に主陽電極10が固定されてい
ると共に、被加工部材支持体を挟んで主陽電極1
0と対向する被加工部材支持体の上方位置に補助
陽電極14が固定されている。
被加工部材装着台枠体本体2の外部には被加工
部材支持体の被加工部材公転軸4に連絡した陰電
極導入接点12aと、主陽電極10に連絡した主
陽電極導入接点16aと、補助陽電極14に連絡
した補助陽電極導入接点15aとがそれぞれ設け
られている。
一方、加工室1内には電源19,20,21に
連絡された複数の摺動接点12,16,15がそ
れぞれ設けられ、被加工部材装着台枠体本体2を
加工室1内へ収納すると同時に、陰電極導入接点
12a、主陽電極導入接点16a及び補助陽電極
導入接点15aは各摺動接点12,16及び15
と接触して加工室1外部の各電源19,20及び
21と接続されるように構成されている。
次に、この実施例の作用について説明する。
まず、加工室1の外部において、被加工部材装
着台枠体本体2の内部の被加工部材自転軸18に
被加工部材5を装着した後、この被加工部材装着
台枠体本体2の両側に形成した案内レール17,
17が被加工部材装着台搬送機構7のローラによ
り案内されながら移動し、被加工部材装着台枠体
本体2を加工室1の内部に装着し、この被加工部
材装着台枠体本体2の外に設けた陰電極導入接点
12a、主陽電極導入接点16a及び補助陽電極
導入接点15aは加工室1内に設けた摺動接点1
2,16及び15にそれぞれ摺動して接触し、電
源19は被加工部材公転軸4を介して被加工部材
5に接続され、電源20は主陽電極10に接続さ
れ、電源21は補助陽電極14に接続される。
次いで、絶縁機構付回転導入機構13の回転は
傘歯車により被加工部材自・公転回転導入機構6
を介して被加工部材公転軸4に伝達され、被加工
部材公転軸4が回転し、被加工部材公転軸4の回
転によりスプロケツト22も回転し、スプロケツ
ト22の回転により無端チエーン223が移動す
る。
無端チエーン23の移動につれて、ローラ24
はガイドレール5によつて回転され、被加工部材
自転軸18が回転し、したがつて、被加工部材5
は被加工部材自転軸18の周囲を回転しながら無
端チエーン23に沿つて移動される。
一方、蒸発物支持体8から蒸発した物質は被加
工部材支持体の下方に位置する主陽電極10によ
つてイオン化され、陰電極である被加工部材5に
被着されるのであるが、この際、蒸発物支持体8
から蒸発した物質は、被加工部材支持体の上方に
位置する補助陽電極14の存在により、蒸発源よ
り遠方でも十分イオン化が起こり、被加工部材公
転軸4を介して負電圧を印加れた被加工部材5に
蒸着しやすくなると共に、被加工部材5は被加工
部材自転軸18の回りを自転しながら公転するの
で、被加工部材5に均一な蒸着膜が施される。
また、被加工部材公転軸4、主陽電極10及び
補助陽電極14に接続した各電極19,20及び
21を適当に調整することにより、加工室1内の
処理空間のイオン雰囲気を制御する。
こうして、被加工部材5に対する蒸着が終了す
れば、加工室1内より被加工部材装着台枠体本体
2を抜き出すことにより、被加工部材装着台枠体
本体2の外に設けた陰電極導入接点12a、主陽
電極導入接点16a及び補助陽電極導入接点15
aは加工室1内に設けた各摺動接点12,16及
び15より離れ、電源19と被加工部材公転軸4
との導通を遮断し、電源20と主陽電極10との
導通を遮断し、電源21と補助陽電極14との導
通を遮断する。
発明の効果 以上に述べたように、本発明のイオンプレーテ
イング装置によれば、加工室内に装脱自在に設け
た被加工部材装着台枠体本体内に主陽電極を取付
けると共に、被加工部材装着台枠体本体内に配置
した被加工部材支持体を挟んで主陽電極と対向す
る位置に補助陽電極を取付け、被加工部材装着台
枠体本体外に被加工部材支持体に連絡した陰電極
導入接点と、主陽電極に連絡した主陽電極導入接
点と、補助陽電極に連絡した補助陽電極導入接点
とを設け、加工室内に各導入点がそれぞれ摺動自
在に接触される複数の摺動接点を前記被加工部材
装着台枠体本体の移動方向に沿つてそれぞれ設け
たことにより、被加工部材装着台枠体本体に対す
る各電極の位置設定を加工室外において最適に
し、被加工部材に対する均一な蒸着処理のための
自由な処理空間の拡張を実現でき、加工室内への
被加工部材装着台枠体本体の挿入により、陰電極
導入接点、主陽電極導入接点及び補助陽電極導入
接点を複数の摺動接点に同時に、かつ、確実に接
触させることができ、このため、加工室に対して
加工部材装着台枠体本体が移動しながらイオンプ
レーテイング作業を連続的に行うことも、加工室
に対して加工部材装着台枠体本体を出入させてイ
オンプレーテイング作業を回分的に行うこともで
き、目的に応じて連続的又は回分的イオンプレー
テイング作業を選択することが可能となり、イオ
ンプレーテイングが能率的に実行され、主陽電極
と対向する位置に配設した補助陽電極により、蒸
発源の遠方においても蒸発した蒸発物質のイオン
化を十分に行なえるので、被加工部材支持体に装
着した被加工部材に対して均一な蒸着を行なうこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
図は、本発明の実施例のイオンプレーテイング
装置の概略正面図である。 1…加工室、2…被加工部材装着台枠体本体、
3…被加工部材装着台枠体電位部、4…被加工部
材公転軸、5…被加工部材、6…被加工部材自・
公転回転導入機構、7…被加工部材装着台搬送機
構、8…蒸発物支持体、9…熱電子発生電極、1
0…主陽電極、11…絶縁碍子、12…摺動接
点、12a…陰電極導入接点、13…絶縁機構付
回転導入機構、14…補助陽電極、15…摺動接
点、15a…補助陽電極導入接点、16…摺動接
点、16a…主陽電極導入接点、17…案内レー
ル、18…被加工部材自転軸、19,20,21
…電源、22…スプロケツト、23…無端チエー
ン、24…ローラ、25…ガイドレール。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 加工室内に被加工部材装着台枠体本体を装脱
    自在に設けると共に、蒸発物支持体、熱電子発生
    電極、陽電極をそれぞれ設け、前記被加工部材装
    着台枠体本体内に被加工部材支持体を配置したイ
    オンプレーテイング装置において、前記被加工部
    材装着台枠体本体内に主陽電極を取付けると共
    に、前記被加工部材支持体を挟んで前記主陽電極
    と対向する位置に補助陽電極を取付け、前記被加
    工部材装着台枠体本体外に前記被加工部材支持体
    に連絡した陰電極導入接点と、前記主陽電極に連
    絡した主陽電極導入接点と、前記補助陽電極に連
    絡した補助陽電極導入接点とを設け、前記加工室
    内に各導入接点がそれぞれ摺動自在に接触される
    複数の摺動接点を前記被加工部材装着台枠体本体
    の移動方向に沿つてそれぞれ設けたことを特徴と
    するイオンプレーテイング装置。
JP1383681A 1981-02-03 1981-02-03 Ion plating device Granted JPS57131363A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1383681A JPS57131363A (en) 1981-02-03 1981-02-03 Ion plating device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1383681A JPS57131363A (en) 1981-02-03 1981-02-03 Ion plating device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS57131363A JPS57131363A (en) 1982-08-14
JPH021228B2 true JPH021228B2 (ja) 1990-01-10

Family

ID=11844355

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1383681A Granted JPS57131363A (en) 1981-02-03 1981-02-03 Ion plating device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS57131363A (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1264025A (en) * 1987-05-29 1989-12-27 James A.E. Bell Apparatus and process for coloring objects by plasma coating
JP3192642B2 (ja) 1998-10-02 2001-07-30 住友特殊金属株式会社 表面処理用支持部材、表面処理用ホルダー、並びに表面処理方法
CN105986229B (zh) * 2016-06-27 2018-09-07 广东腾胜真空技术工程有限公司 一种均匀性的多弧离子镀膜设备

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55145336A (en) * 1979-05-01 1980-11-12 Yoichi Murayama High frequency ion-plating device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55145336A (en) * 1979-05-01 1980-11-12 Yoichi Murayama High frequency ion-plating device

Also Published As

Publication number Publication date
JPS57131363A (en) 1982-08-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4692233A (en) Vacuum coating apparatus
US5108574A (en) Cylindrical magnetron shield structure
US3616451A (en) Multiple-layer coating
JPS62501783A (ja) サブストレ−トを硬質材料で被覆して活性化するスパツタ装置
US4624738A (en) Continuous gas plasma etching apparatus and method
US4026787A (en) Thin film deposition apparatus using segmented target means
JP2014084530A (ja) スパッタリング成膜装置及び真空成膜設備
JPH021228B2 (ja)
US5958141A (en) Dry etching device
AU734117B2 (en) Rotary apparatus for plasma immersion-assisted treament of substrates
JP2008248281A (ja) プラズマ発生装置およびこれを用いた薄膜形成装置
WO2005087970A1 (ja) 真空蒸着装置
GB2144453A (en) Apparatus for forming thin films in vacuum
JP3193764B2 (ja) イオンプレーティング装置
JPH01103828A (ja) プラズマcvd装置
JPH0791642B2 (ja) 表面処理装置
JPS6324068A (ja) 連続真空蒸着メツキ装置
JP5095087B2 (ja) 成膜装置及び成膜方法
JP2692818B2 (ja) イオンプレーティング装置
JPH01173710A (ja) 薄膜形成装置の基板保持機構
JPS6394545A (ja) イオンビ−ムの加工装置
JPS55110774A (en) High vacuum ion plating apparatus
JP3833284B2 (ja) 薄膜形成装置
JPH0726363Y2 (ja) インライン式成膜装置
JP3100888B2 (ja) 真空蒸着装置