JPH02122536A - Wafer inspection device - Google Patents

Wafer inspection device

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JPH02122536A
JPH02122536A JP63275791A JP27579188A JPH02122536A JP H02122536 A JPH02122536 A JP H02122536A JP 63275791 A JP63275791 A JP 63275791A JP 27579188 A JP27579188 A JP 27579188A JP H02122536 A JPH02122536 A JP H02122536A
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wafer
chip
ink
defective
mark
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JP63275791A
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Itaru Takao
高尾 至
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Tokyo Electron Ltd
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Abstract

PURPOSE:To prevent a good chip on a wafer from being heated and badly influenced and effectively dry marked ink by selecting defective or nondefective chips on the wafer, marking the selected defective chips with ink, and irradiating a marked chip portion with spot light from a light source to dry the ink. CONSTITUTION:A signal is fed from a tester through a probe 31 of a probe card 30 to a pad 42 of a wafer chip 41, to inspect the electrical characteristics of the wafer chip. If a result of the inspection is a defective one, the signal is fed to an inker 51 to mark a defective chip with a defectiveness mark. Thereafter, a laser beam emanating from a laser oscillator device 83 is focused into a spot in out-focusing, the spot being slightly larger than the mark formed on the wafer chip 41 by the inker 51. Hereby, the ink forming the mark is irradiated, heated, and quickly dried.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention] 【産業上の利用分野】[Industrial application field]

この発明は不良品チップの選別を確実かつ迅速に行なう
ことができるウェハ検査装置、特に不良品チップへマー
クを施すマーキング手段とを備えたウェハ検査装置に関
するものである。
The present invention relates to a wafer inspection apparatus capable of reliably and quickly sorting out defective chips, and particularly to a wafer inspection apparatus equipped with marking means for marking defective chips.

【従来の技術】[Conventional technology]

一般に、半導体装置の製造工程においては、枚の結晶ウ
ェハ上にフォトエッチの技法を用いて多数個の半導体装
置の素子(ウェハチップ)が形成される。そしてウェハ
上にウェハチップが完成すると、プローブテストと呼ば
れるウェハチップの電気的特性検査が行なわれる。そし
て、このプローブテストは電気特性試験機(テスタ)お
よびプローブカードを用いて行なわれる。つまりウェハ
チップの電極にプローブカードのプローブを接触させ、
テスタによりウェハチップの電気特性を検査するもので
ある。また、チャックでウェハを固定し、間欠送り機構
によりウェハ上の全ウェハチップにわたってプローブカ
ードのプローブを接触するために、いわゆるウエハブロ
ーバが使用される。そして、このプローブテストを終え
たウェハは個々の半導体装置のウェハチップに切断、分
割され、検査で合格したウェハチップのみが、容器に装
着される。 このような工程において、検査で合格した良品チップと
不合格の不良品チップとの区別は、一般にプローブテス
ト時に不良品チップ表面に施された不良マークの有無に
より行なわれる。 従来、上記不良マークは第2図に示すように、検査ウェ
ハ1上のウェハチップ3の電極にプローブカードのプロ
ーブ5を接触させ、テスタによりウェハチップ3の電気
特性を検査した後に、ウェハ1上の不良品チップのみの
表面に、インカフを用いてインクを打印する方法により
実施されていた。
Generally, in a semiconductor device manufacturing process, a large number of semiconductor device elements (wafer chips) are formed on a single crystal wafer using a photo-etching technique. When the wafer chips are completed on the wafer, an electrical characteristic test of the wafer chips called a probe test is performed. This probe test is performed using an electrical property testing machine (tester) and a probe card. In other words, by touching the probe of the probe card to the electrode of the wafer chip,
The tester is used to inspect the electrical characteristics of wafer chips. Furthermore, a so-called wafer blower is used to fix the wafer with a chuck and bring the probes of the probe card into contact with all wafer chips on the wafer using an intermittent feeding mechanism. After completing this probe test, the wafer is cut and divided into individual semiconductor device wafer chips, and only those wafer chips that have passed the test are loaded into a container. In such a process, a non-defective chip that passed the inspection and a defective chip that failed the test are generally distinguished by the presence or absence of a defective mark made on the surface of the defective chip during a probe test. Conventionally, as shown in FIG. 2, the defect mark is placed on the wafer 1 after the probe 5 of the probe card is brought into contact with the electrode of the wafer chip 3 on the test wafer 1 and the electrical characteristics of the wafer chip 3 are tested by a tester. This was done by stamping ink on the surface of only defective chips using an ink cuff.

【発明が解決しようとする問題点】[Problems to be solved by the invention]

しかしながら、この方法では打印されたインクを乾燥す
る必要があり、ウェハ検査作業の敏速性を妨げていた。 また、上記インクの乾燥方法としては、通常多数のチッ
プを搭載したウェハ全体を高温雰囲気中に置くため、不
良品チップのみならず良品チップにまで高温による悪影
響が及んでしまうという欠点があった。 この発明の目的は、かかる従来技術の欠点を除去したウ
ェハ検査装置を提供することである。
However, with this method, it is necessary to dry the stamped ink, which hinders the speed of wafer inspection work. Furthermore, the method of drying the ink has the disadvantage that the entire wafer with a large number of chips mounted thereon is usually placed in a high-temperature atmosphere, and the high temperature adversely affects not only defective chips but also good chips. An object of the present invention is to provide a wafer inspection apparatus that eliminates the drawbacks of the prior art.

【問題点を解決するための手段】[Means to solve the problem]

すなわちこの発明の特徴は、ウェハ上の各チップが良品
であるか不良品であるかを選別する検査手段と、選別さ
れた不良品チップにインクでマークを施すマーキング手
段と、マークされたチップ部位のみ光源からスポット状
に光を照射して、インクを乾燥する乾燥手段とを有する
ことを特徴とするウェハ検査装置である。 また、上記インクの乾燥手段の光源がレーザ装置ないし
ハロゲンランプであることをも特徴としている。 さらに、上記チップ部位にスポット状に照射されるレー
ザ光ないしハロゲンランプ光を非焦点で集光したことを
も特徴としている。 そしてこの発明を用いることにより、周辺を汚染するこ
となく、いかなるウェハチップにも非常に見やすい不良
マークを付けることができる。
In other words, the features of this invention include an inspection means for selecting whether each chip on a wafer is good or defective, a marking means for marking the selected defective chips with ink, and a marked chip portion. The wafer inspection apparatus is characterized in that it has a drying means for drying the ink by irradiating light in a spot form from a light source. Another feature is that the light source of the ink drying means is a laser device or a halogen lamp. Another feature is that the laser light or halogen lamp light that is irradiated onto the chip portion in a spot-like manner is focused in a non-focused manner. By using this invention, a highly visible defect mark can be placed on any wafer chip without contaminating the surrounding area.

【実施例】【Example】

以下、この発明の一実施例を図面を用いて説明する。第
1図はこの発明のウェハ検査装置を使用したマーキング
の様子を表わす。 図において、テストヘッド(図示せず)のヘッドプレー
ト20にはリングインサート10が固定され、このリン
グインサートloの端面にプローブ31を有するプロー
ブカード30が取付けられている。ウェハ40はチャッ
ク5oに保持されて矢印方向に上下移動し、ウェハチッ
プ41のパッド(電極)42にプローブカード30のプ
ローブ31を接触させ、テスタによりウェハチップ41
の電気特性を検査される。そして、ウェハ検査装置は上
記チャック50でウェハ4oを固定し、X−Y駆動装置
90からなる間欠送り機構により、ウェハ40上の全ウ
ェハチップにわたってプローブカード30のプローブ3
1を接触する。 上記リングインサート10に、取付装置を介してインク
によるマークを施すマーキング手段51が取り付けられ
ている。このマーキング手段51は、従来使用されてい
るイン力であることができる。上記イン力は、インクを
吐出するニードル53と、このニードル53を保持する
シリンダ55と、インクを貯留しておくインク溜め57
とを有している。 上記のウェハ検査装置において、この発明は以下のイン
クの乾燥手段を備えている。 本実施例においてインクの乾燥手段81は、取付装置を
介してリングインサート10に取り付けられたレーザ装
置であり、レーザ装置はレーザ発振装置83と、その先
端に取り付けられ、ウェハ40に搭載したウェハチップ
41の上部にセットされたレーザヘッド85とを有して
いる。レーザ発振装置83から出射されたレーザビーム
は、上記イン力によってウェハチップ41上に形成され
たマークよりもやや大きめのスポット状に非焦点で集光
された連続ビームである。なお乾燥温度の制御は、レー
ザ光の出力のみならず、上記ビームの焦点距離の調節に
よって行なうこともできる。 このビームはウェハチップ41上に形成されたマ−クに
向けられており、チャック5oに保持されたウェハ40
の移動により、ウェハ4o面に対して相対的に移動して
マークの形成された位置を照射する。87は、レーザ装
置のレーザ発振装置83を制御する制御装置である。 この実施例のウェハ検査装置は次のように動作する。 テスタからプローブカード30のプローブ31を通じて
ウェハチップ41のパッド42へ信号が送られて、ウェ
ハチップの電気特性が検査され、もしその結果が不良の
場合、イン力に信号が送られて不良品チップに不良マー
クが表示される。 その後レーザ発振装置83から出射されたレーザビーム
が、上記イン力によってウェハチップ41上に形成され
たマークよりもやや大きめのスポット状に非焦点で集光
され、マークを形造っているインク上を照射してその部
位のみ加熱し、インクを迅速に乾燥する。 この工程で得られる不良品チップ上の不良マークは、非
常に明瞭なものであった。 また上記実施例においては、インクの乾燥手段81とし
てレーザ装置を使用したが、ハロゲンランプ等であって
もよく、スポット状にマーク部分のみ照射できるもので
あれば適宜使用することができる。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows the state of marking using the wafer inspection apparatus of the present invention. In the figure, a ring insert 10 is fixed to a head plate 20 of a test head (not shown), and a probe card 30 having a probe 31 is attached to an end face of the ring insert lo. The wafer 40 is held by the chuck 5o and moved up and down in the direction of the arrow, and the probe 31 of the probe card 30 is brought into contact with the pad (electrode) 42 of the wafer chip 41.
The electrical characteristics of the Then, the wafer inspection apparatus fixes the wafer 4o with the chuck 50, and moves the probes 3 of the probe card 30 over all the wafer chips on the wafer 40 using an intermittent feeding mechanism consisting of an
Touch 1. A marking means 51 for applying an ink mark is attached to the ring insert 10 via an attachment device. This marking means 51 can be a conventionally used in-force. The input force is applied to the needle 53 that discharges ink, the cylinder 55 that holds this needle 53, and the ink reservoir 57 that stores ink.
It has In the above wafer inspection apparatus, the present invention includes the following ink drying means. In this embodiment, the ink drying means 81 is a laser device attached to the ring insert 10 via a mounting device, and the laser device includes a laser oscillation device 83 and a wafer chip mounted on the wafer 40 attached to its tip 41 and a laser head 85 set on top of the laser head 85. The laser beam emitted from the laser oscillation device 83 is a continuous beam that is unfocused and condensed into a spot slightly larger than the mark formed on the wafer chip 41 by the input force. Note that the drying temperature can be controlled not only by the output of the laser beam but also by adjusting the focal length of the beam. This beam is directed to a mark formed on the wafer chip 41, and the wafer 40 held on the chuck 5o
As a result of the movement, the light beam moves relative to the surface of the wafer 4o and irradiates the position where the mark is formed. 87 is a control device that controls the laser oscillation device 83 of the laser device. The wafer inspection apparatus of this embodiment operates as follows. A signal is sent from the tester to the pad 42 of the wafer chip 41 through the probe 31 of the probe card 30 to test the electrical characteristics of the wafer chip, and if the result is defective, a signal is sent to the input input to identify the defective chip. A defective mark is displayed. Thereafter, the laser beam emitted from the laser oscillation device 83 is focused in an unfocused manner into a spot slightly larger than the mark formed on the wafer chip 41 by the above-mentioned input force, and is focused on the ink forming the mark. It irradiates and heats only that area, quickly drying the ink. The defect mark on the defective chip obtained in this process was very clear. Further, in the above embodiment, a laser device is used as the ink drying means 81, but a halogen lamp or the like may be used as appropriate as long as it can irradiate only the mark portion in a spot-like manner.

【発明の効果】【Effect of the invention】

この発明のウェハ検査装置は以上のように構成したので
、不良品チップにのみ正確に不良マークを施すことがで
き、周辺の良品のチップを汚染することがない。 またスポット状にマークを構成するインクのみ加熱する
ので、ウェハ上の良品チップを加熱して悪影響を及ぼす
ことを防止でき、また乾燥手段を上記マーキング手段と
は所定の時間差で各チップごとに追随させることにより
、非常に効率よく乾燥することができる。
Since the wafer inspection apparatus of the present invention is constructed as described above, it is possible to accurately mark defective chips only on defective chips without contaminating surrounding good chips. In addition, since only the ink forming the mark is heated in a spot shape, it is possible to prevent good chips on the wafer from being heated and having an adverse effect, and the drying means is made to follow each chip at a predetermined time difference from the marking means. This allows for very efficient drying.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、この発明のウェハ検査装置の一実施例を示す
要部断面図、第2図は従来例の不良マーキングの状態を
示す要部断面図である。 40・・・ウェハ 41・・・ウェハチップ 81・・・乾燥手段 83・・・レーザ発振装置 特 許 出 願 人 東京エレクトロン株式会社 第 図
FIG. 1 is a sectional view of a main part showing an embodiment of a wafer inspection apparatus of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view of a main part showing the state of defective markings in a conventional example. 40... Wafer 41... Wafer chip 81... Drying means 83... Laser oscillation device patent applicant Tokyo Electron Ltd. Figure

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、ウェハ上の各チップが良品であるか不良品であるか
を選別する検査手段と、選別された不良品チップにイン
クでマークを施すマーキング手段と、マークされたチッ
プ部位のみ光源からスポット状に光を照射して、インク
を乾燥する乾燥手段とを有することを特徴とするウェハ
検査装置。 2、インクの乾燥手段の光源がレーザ装置である請求項
1記載のウェハ検査装置。 3、インクの乾燥手段の光源がハロゲンランプである請
求項1記載のウェハ検査装置。 4、チップ部位にスポット状に照射される光が非焦点で
集光してなる請求項1ないし3のいずれかに記載のウェ
ハ検査装置。
[Claims] 1. Inspection means for selecting whether each chip on a wafer is good or defective; marking means for marking the selected defective chips with ink; and marked chips. A wafer inspection apparatus comprising: a drying means for drying ink by irradiating light from a light source in a spot shape only to a portion. 2. The wafer inspection apparatus according to claim 1, wherein the light source of the ink drying means is a laser device. 3. The wafer inspection apparatus according to claim 1, wherein the light source of the ink drying means is a halogen lamp. 4. The wafer inspection apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the light irradiated onto the chip portion in a spot shape is condensed in a non-focused manner.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6864675B2 (en) 2000-12-22 2005-03-08 Nippon Foundry Inc. Mark forming method, mark forming apparatus and analyzing apparatus
JP2014154811A (en) * 2013-02-13 2014-08-25 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor inspection method
CN112743977A (en) * 2019-10-31 2021-05-04 第一实业威视博株式会社 Printing device

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6864675B2 (en) 2000-12-22 2005-03-08 Nippon Foundry Inc. Mark forming method, mark forming apparatus and analyzing apparatus
JP2014154811A (en) * 2013-02-13 2014-08-25 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor inspection method
CN112743977A (en) * 2019-10-31 2021-05-04 第一实业威视博株式会社 Printing device
CN112743977B (en) * 2019-10-31 2024-05-14 第一实业威视博株式会社 Printing device

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