JPH02121782A - 液相拡散接合法 - Google Patents
液相拡散接合法Info
- Publication number
- JPH02121782A JPH02121782A JP27569988A JP27569988A JPH02121782A JP H02121782 A JPH02121782 A JP H02121782A JP 27569988 A JP27569988 A JP 27569988A JP 27569988 A JP27569988 A JP 27569988A JP H02121782 A JPH02121782 A JP H02121782A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- members
- elements
- joined
- liquid phase
- plating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 title claims description 24
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 title claims description 24
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 53
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 16
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 16
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 claims abstract description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 8
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 7
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 abstract description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- RYTYSMSQNNBZDP-UHFFFAOYSA-N cobalt copper Chemical compound [Co].[Cu] RYTYSMSQNNBZDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は液相拡散接合法に関するものである。
従来の技術
一対の接合部材の接合面間に両接合部材よりも融点が低
い金属層を挾んだ状態で加熱し、両接合部材と溶融した
金属層との間の相互拡散に基づいて両接合部材を互いに
接合させる液相拡散接合法が知られている。そして、斯
かる液相拡散接合法を精密機構構造体として用いられる
接合部材の接合に適用する場合等においては、接合部材
の接合面に湿式メッキを施すことにより前記金属層とし
て機能するメッキ層を形成することが行われている。
い金属層を挾んだ状態で加熱し、両接合部材と溶融した
金属層との間の相互拡散に基づいて両接合部材を互いに
接合させる液相拡散接合法が知られている。そして、斯
かる液相拡散接合法を精密機構構造体として用いられる
接合部材の接合に適用する場合等においては、接合部材
の接合面に湿式メッキを施すことにより前記金属層とし
て機能するメッキ層を形成することが行われている。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記メッキ層は、通常、ニッケル、ニッ
ケルおよびホウ素、ニッケルおよびリン等の１元素ある
いは２元素だけで構成されているとともに、その２元素
から成るメッキ層を湿式メッキにより形成する際には元
素含有率に関しては制御されておらず、これにより、斯
かるメッキ層の融点は比較的高くなっていた。このため
、ニッケルおよびホウ素から成るメッキ層においてはそ
の最も低い融点を有する９６Ｎｉ−４Ｂの組成のメッキ
層を作製したとしても１１５０〜１２５０°Ｃと、ニッ
ケルおよびリンから成るメッキ層においてはその最も低
い融点を有する８９Ｎｉ−１１Ｐの組成のメッキ層を作
製したとしても９００〜１０００°Ｃと相当高い温度に
保持しなければ液相拡散接合が行われず、これにより、
接合部材の脆性化や結晶粒の粗大化を生じて強度が劣化
させられる虞があった。
ケルおよびホウ素、ニッケルおよびリン等の１元素ある
いは２元素だけで構成されているとともに、その２元素
から成るメッキ層を湿式メッキにより形成する際には元
素含有率に関しては制御されておらず、これにより、斯
かるメッキ層の融点は比較的高くなっていた。このため
、ニッケルおよびホウ素から成るメッキ層においてはそ
の最も低い融点を有する９６Ｎｉ−４Ｂの組成のメッキ
層を作製したとしても１１５０〜１２５０°Ｃと、ニッ
ケルおよびリンから成るメッキ層においてはその最も低
い融点を有する８９Ｎｉ−１１Ｐの組成のメッキ層を作
製したとしても９００〜１０００°Ｃと相当高い温度に
保持しなければ液相拡散接合が行われず、これにより、
接合部材の脆性化や結晶粒の粗大化を生じて強度が劣化
させられる虞があった。
本発明は以上の事情の下に為されたものであって、その
目的とするところは、液相拡散接合を一層低温で為し得
て接合部材の強度劣化を防止し得る液相拡散接合法を提
供することにある。
目的とするところは、液相拡散接合を一層低温で為し得
て接合部材の強度劣化を防止し得る液相拡散接合法を提
供することにある。
課題を解決するための手段
上記目的を達成するために、本発明は、一対の接合部材
の接合面間に両接合部材よりも融点が低い金属層を挟ん
だ状態で加熱し、溶融した金属層を両接合部材に拡散さ
せて等温凝固させることにより両接合部材を互いに接合
させる液相拡散接合法において、前記一対の接合部材の
接合面の少なくとも一方に、湿式メッキを施すことによ
り、ニッケル、クロム、コバルト銅、鉄、タングステン
のうちから選択された１元素以上と、リン、ホウ素、ケ
イ素のうちから選択された１元素以上とを合わせて３元
素以上の元素から成るメッキ層を、そのメッキ層の含有
元素中の少なくとも２元素が共晶点にある組成となるよ
うに湿式メッキ液を制御して形成し、そのメッキ層を前
記金属層とすることを特徴とする。
の接合面間に両接合部材よりも融点が低い金属層を挟ん
だ状態で加熱し、溶融した金属層を両接合部材に拡散さ
せて等温凝固させることにより両接合部材を互いに接合
させる液相拡散接合法において、前記一対の接合部材の
接合面の少なくとも一方に、湿式メッキを施すことによ
り、ニッケル、クロム、コバルト銅、鉄、タングステン
のうちから選択された１元素以上と、リン、ホウ素、ケ
イ素のうちから選択された１元素以上とを合わせて３元
素以上の元素から成るメッキ層を、そのメッキ層の含有
元素中の少なくとも２元素が共晶点にある組成となるよ
うに湿式メッキ液を制御して形成し、そのメッキ層を前
記金属層とすることを特徴とする。
作用および発明の効果
このように、一対の接合部材の接合面の少なくとも一方
に、湿式メッキを施して、ニッケル、クロム、コバルト
銅、鉄、タングステンのうちから選択された１元素以上
と、リン、ホウ素、ケイ素のうちから選択された１元素
以上とを合わせて３元素以上の元素から成るメッキ層を
、そのメッキ層の含有元素中の少なくとも２元素が共晶
点にある組成にて形成することにより、そのメッキ層の
融点を好適に低下させ得、これにより、そのメッキ層を
介して両接合部材の液相拡散接合を行うことによって従
来に比べて一層低い温度で液相拡散接合を為し得る。こ
の結果、接合部材の脆性化の劣化を効果的に防止し得る
。この場合において、湿式メッキ液を制御し、３元素が
共晶点にある組成のメッキ層を形成すれば、２元素が共
晶点にある組成のメッキ層に比べてメッキ層の融点およ
び液相拡散接合時の保持温度を一層低下させ得るため、
接合部材の強度劣化を一層効果的に防止し得る。
に、湿式メッキを施して、ニッケル、クロム、コバルト
銅、鉄、タングステンのうちから選択された１元素以上
と、リン、ホウ素、ケイ素のうちから選択された１元素
以上とを合わせて３元素以上の元素から成るメッキ層を
、そのメッキ層の含有元素中の少なくとも２元素が共晶
点にある組成にて形成することにより、そのメッキ層の
融点を好適に低下させ得、これにより、そのメッキ層を
介して両接合部材の液相拡散接合を行うことによって従
来に比べて一層低い温度で液相拡散接合を為し得る。こ
の結果、接合部材の脆性化の劣化を効果的に防止し得る
。この場合において、湿式メッキ液を制御し、３元素が
共晶点にある組成のメッキ層を形成すれば、２元素が共
晶点にある組成のメッキ層に比べてメッキ層の融点およ
び液相拡散接合時の保持温度を一層低下させ得るため、
接合部材の強度劣化を一層効果的に防止し得る。
また、メッキ層を湿式メッキにて形成することにより、
メッキ層が多元素から成るものであっても、各組成元素
を微細かつ均一に分散析出させ得てメッキ層の全体に亘
って溶融温度を均一に低下させ得る。これにより、メッ
キ層自体の溶融温度差に起因して生ずる接合部の内部応
力を低減させ得るため、接合部材の接合強度を好適に確
保し得る。
メッキ層が多元素から成るものであっても、各組成元素
を微細かつ均一に分散析出させ得てメッキ層の全体に亘
って溶融温度を均一に低下させ得る。これにより、メッ
キ層自体の溶融温度差に起因して生ずる接合部の内部応
力を低減させ得るため、接合部材の接合強度を好適に確
保し得る。
実施例
以下、本発明の一実施例を示す図面に基づいて詳細に説
明する。
明する。
第１図において、工０およびＩ２は互いに接合される板
状の接合部材である。これら接合部材１０．１２はたと
えば精密機構構造体として用いられるものであって、た
とえば、ニッケル合金や、５ＵＳ３０４等のステンレス
鋼から成る。接合部材１０．１２の接合面にはメッキ層
１４．１６がそれぞれ固着されている。なお、一方のメ
ッキ層１６は第１図中斜線にて示されている。これらメ
ッキ層１４．１６は、湿式メッキの一種である無電解メ
ッキにより、たとえば次頁の表に示す成分を含むメッキ
浴からその表に示す条件（各成分の濃度、ＰＨ，液温）
にて接合部材１０．１２の接合面にそれぞれ析出させら
れたものであって、８８〜８５Ｎｉ−１ＩＰ−１〜４Ｂ
（重量％）なる組成、より好適には、それら３元素が共
晶点にある８５Ｎｉ−１ＩＰ−４Ｂなる組成を有してい
る。
状の接合部材である。これら接合部材１０．１２はたと
えば精密機構構造体として用いられるものであって、た
とえば、ニッケル合金や、５ＵＳ３０４等のステンレス
鋼から成る。接合部材１０．１２の接合面にはメッキ層
１４．１６がそれぞれ固着されている。なお、一方のメ
ッキ層１６は第１図中斜線にて示されている。これらメ
ッキ層１４．１６は、湿式メッキの一種である無電解メ
ッキにより、たとえば次頁の表に示す成分を含むメッキ
浴からその表に示す条件（各成分の濃度、ＰＨ，液温）
にて接合部材１０．１２の接合面にそれぞれ析出させら
れたものであって、８８〜８５Ｎｉ−１ＩＰ−１〜４Ｂ
（重量％）なる組成、より好適には、それら３元素が共
晶点にある８５Ｎｉ−１ＩＰ−４Ｂなる組成を有してい
る。
上記接合部材１０．１２を互いに接合するに際しては、
まず、第２図（ａ）に示すように、メッキ層１４．１６
を挟んで接合部材１０．１２を重ね合わせた状態でホッ
トプレスにより所定の条件下において加圧密着させる。
まず、第２図（ａ）に示すように、メッキ層１４．１６
を挟んで接合部材１０．１２を重ね合わせた状態でホッ
トプレスにより所定の条件下において加圧密着させる。
次に、真空あるいはアルゴン、ヘリウム等の不活性ガス
雰囲気中において所定時間の開所定温度で加熱保持する
ことにより、第２図ら）に示すように、メッキ層１４．
１６が溶融して液相１８となり、その液相１８と接合部
材１０．１２との間に相互に拡散を生じ、それに伴って
接合部が等温凝固させられて、第２図（Ｃ）に示すよう
に、接合部材１０．１２が均質に接合させられる。
雰囲気中において所定時間の開所定温度で加熱保持する
ことにより、第２図ら）に示すように、メッキ層１４．
１６が溶融して液相１８となり、その液相１８と接合部
材１０．１２との間に相互に拡散を生じ、それに伴って
接合部が等温凝固させられて、第２図（Ｃ）に示すよう
に、接合部材１０．１２が均質に接合させられる。
上記のような８８〜８５Ｎｉ−１ＩＰ−１〜４Ｂなる組
成のメッキ層１４．１６を介して接合部材１０．１２の
液相拡散接合を行ったところ、１元素あるいは２元素か
ら成る従来のメッキ層の場合に比べて融点が低くなって
８２０〜６２０℃で液相拡散接合が可能となった。この
接合温度のうち６２０℃は３元素が共晶点にある８５Ｎ
ｉ−ＩＩＰ−４Ｂなる組成のメッキ層１４．１６を用い
た場合を示している。そして、このように液相拡散接合
時の保持温度が従来に比べて一層低くなることにより、
接合部材１０．１２の脆性化や結晶粒の粗大化が抑制さ
れるため、接合部材１０，１２の強度の劣化が効果的に
防止される。
成のメッキ層１４．１６を介して接合部材１０．１２の
液相拡散接合を行ったところ、１元素あるいは２元素か
ら成る従来のメッキ層の場合に比べて融点が低くなって
８２０〜６２０℃で液相拡散接合が可能となった。この
接合温度のうち６２０℃は３元素が共晶点にある８５Ｎ
ｉ−ＩＩＰ−４Ｂなる組成のメッキ層１４．１６を用い
た場合を示している。そして、このように液相拡散接合
時の保持温度が従来に比べて一層低くなることにより、
接合部材１０．１２の脆性化や結晶粒の粗大化が抑制さ
れるため、接合部材１０，１２の強度の劣化が効果的に
防止される。
また、本実施例によれば、上述のような成分および条件
のメッキ浴にて無電解メッキを施すことにより、接合部
材１０．１’２の接合面にニッケル。
のメッキ浴にて無電解メッキを施すことにより、接合部
材１０．１’２の接合面にニッケル。
リン、ホウ素をそれぞれ微細かつ均一に分散析出させる
ことができた。これにより、メッキ層１４゜１６の全体
に亘って溶融温度を均一に低下させることができるため
、メッキ層１４．１６が従来より多い３元素から成るも
のであっても、メッキ層１４．１６自体の溶融温度差に
起因して生ずる接合部の内部応力が低減させられて、接
合部材１０゜１２の接合強度を好適に確保することがで
きる。
ことができた。これにより、メッキ層１４゜１６の全体
に亘って溶融温度を均一に低下させることができるため
、メッキ層１４．１６が従来より多い３元素から成るも
のであっても、メッキ層１４．１６自体の溶融温度差に
起因して生ずる接合部の内部応力が低減させられて、接
合部材１０゜１２の接合強度を好適に確保することがで
きる。
また、本実施例によれば、従来に比べて一層低温で液相
拡散接合が行われるので、従来においては融点が比較的
低いために液相拡散接合が不可能であった接合部材であ
っても液相拡散接合が可能となるとともに、加熱装置等
の設備の能力をそれ程要しない利点がある。
拡散接合が行われるので、従来においては融点が比較的
低いために液相拡散接合が不可能であった接合部材であ
っても液相拡散接合が可能となるとともに、加熱装置等
の設備の能力をそれ程要しない利点がある。
なお、前述の実施例では、接合部材１０．１２の接合面
に共にメッキ層１４．１６が形成されているが、メッキ
層は一対の接合部材の接合面の何れか一方にのみ形成さ
れておればよい。
に共にメッキ層１４．１６が形成されているが、メッキ
層は一対の接合部材の接合面の何れか一方にのみ形成さ
れておればよい。
また、前述の実施例では、ニッケル合金やステンレス鋼
から成る接合部材１０．１２の接合面にニッケル、リン
、ホウ素の３元素から成り且つそれら３元素が共晶点に
ある組成のメッキ層１４゜１６を形成した場合について
説明したが、接合部材の材質に応じて、ニッケル、クロ
ム、コバルト。
から成る接合部材１０．１２の接合面にニッケル、リン
、ホウ素の３元素から成り且つそれら３元素が共晶点に
ある組成のメッキ層１４゜１６を形成した場合について
説明したが、接合部材の材質に応じて、ニッケル、クロ
ム、コバルト。
銅、鉄、タングステンのうちから選択された１元素以上
と、リン、ホウ素、ケイ素のうちから′１１４沢された
１元素以上とを合わせて３元素以上の元素（たとえばＮ
１−Ｃｒ−Ｐ、 Ｃｏ−Ｂ−３ｉ）から成るメッキ層を
、含有元素中の少なくとも２元素が共晶点にある組成と
なるように湿式メッキ液を制御して形成すれば、前述の
実施例の場合と略同様の効果を得ることが可能である。
と、リン、ホウ素、ケイ素のうちから′１１４沢された
１元素以上とを合わせて３元素以上の元素（たとえばＮ
１−Ｃｒ−Ｐ、 Ｃｏ−Ｂ−３ｉ）から成るメッキ層を
、含有元素中の少なくとも２元素が共晶点にある組成と
なるように湿式メッキ液を制御して形成すれば、前述の
実施例の場合と略同様の効果を得ることが可能である。
また、前述の実施例において、無電解メンキにおいて用
いられる薬品は、必ずしも上記表に示すものに限定され
るものではなく、各薬品と同様の使用目的を有する他の
薬品に代替され得るとともに、それに応じてメッキ条件
も変更されるものであることは勿論である。
いられる薬品は、必ずしも上記表に示すものに限定され
るものではなく、各薬品と同様の使用目的を有する他の
薬品に代替され得るとともに、それに応じてメッキ条件
も変更されるものであることは勿論である。
また、前述の実施例では、湿式メッキとして無電解メッ
キが採用されているが、必ずしもその必要はなく、たと
えば、上記のような組成の合金粉末を予め製造し、その
粉末を溶解して帯電した粒子を電着させるようにしても
よいし、あるいは電気メッキを採用することも可能であ
る。
キが採用されているが、必ずしもその必要はなく、たと
えば、上記のような組成の合金粉末を予め製造し、その
粉末を溶解して帯電した粒子を電着させるようにしても
よいし、あるいは電気メッキを採用することも可能であ
る。
その他、本発明はその趣旨を逸脱しない範囲において種
々変更が加えられ得るものである。
々変更が加えられ得るものである。
第１図は本発明の液相拡散接合法により接合される一対
の接合部材の一例を示す図であって、各接合面に湿式メ
ッキが施された状態を示す図である。第２図（ａ）〜（
Ｃ）は第１図の接合部材の液相拡散接合過程を示す図で
ある。 第１ １０．１２：接合部材 １４．１６：メッキ層
の接合部材の一例を示す図であって、各接合面に湿式メ
ッキが施された状態を示す図である。第２図（ａ）〜（
Ｃ）は第１図の接合部材の液相拡散接合過程を示す図で
ある。 第１ １０．１２：接合部材 １４．１６：メッキ層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一対の接合部材の接合面間に両接合部材よりも融点が低
い金属層を挟んだ状態で加熱し、溶融した該金属層を両
溶接部材に拡散させて等温凝固させることにより両接合
部材を互いに接合させる液相拡散接合法において、 前記一対の接合部材の接合面の少なくとも一方に、湿式
メッキを施すことにより、ニッケル、クロム、コバルト
、銅、鉄、タングステンのうちから選択された１元素以
上と、リン、ホウ素、ケイ素のうちから選択された１元
素以上とを合わせて３元素以上の元素から成るメッキ層
を、該メッキ層の含有元素中の少なくとも２元素が共晶
点にある組成となるように湿式メッキ液を制御して形成
し、該メッキ層を前記金属層とすることを特徴とする液
相拡散接合法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27569988A JPH02121782A (ja) | 1988-10-31 | 1988-10-31 | 液相拡散接合法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27569988A JPH02121782A (ja) | 1988-10-31 | 1988-10-31 | 液相拡散接合法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02121782A true JPH02121782A (ja) | 1990-05-09 |
Family
ID=17559130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27569988A Pending JPH02121782A (ja) | 1988-10-31 | 1988-10-31 | 液相拡散接合法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02121782A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001087531A1 (fr) | 2000-05-18 | 2001-11-22 | Fukuju Industry Corporation Ltd | Composant de machine de precision, en metal, soude par diffusion en phase liquide, et procede de production associe |
| EP1889681A1 (de) | 2006-08-17 | 2008-02-20 | Atotech Deutschland Gmbh | Verfahren zum Fügen von Werkstücken aus Edelstahl, Nickel oder Nickellegierungen unter Verwendung einer aus einer Nickel-Phosphorus-Legierung bestehenden Fügeschicht ; Verfahren zum Herstellen eines mikrostrukturierten Bauteils unter Verwendung eines solchen Verfahren ; Mikrostrukturiertes Bauteil mit einer Fügeverbindung, bildet nach diesem Verfahren |
| US7656666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-02-02 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Heat dissipating structure of integrated circuit chip of plasma display module and plasma display module including the same |
-
1988
- 1988-10-31 JP JP27569988A patent/JPH02121782A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001087531A1 (fr) | 2000-05-18 | 2001-11-22 | Fukuju Industry Corporation Ltd | Composant de machine de precision, en metal, soude par diffusion en phase liquide, et procede de production associe |
| US6913842B2 (en) | 2000-05-18 | 2005-07-05 | Fukuju Industry Corporation Ltd. | Liquid phase diffusion welded metal-made precision machine component and production method thereof |
| US7656666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-02-02 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Heat dissipating structure of integrated circuit chip of plasma display module and plasma display module including the same |
| EP1889681A1 (de) | 2006-08-17 | 2008-02-20 | Atotech Deutschland Gmbh | Verfahren zum Fügen von Werkstücken aus Edelstahl, Nickel oder Nickellegierungen unter Verwendung einer aus einer Nickel-Phosphorus-Legierung bestehenden Fügeschicht ; Verfahren zum Herstellen eines mikrostrukturierten Bauteils unter Verwendung eines solchen Verfahren ; Mikrostrukturiertes Bauteil mit einer Fügeverbindung, bildet nach diesem Verfahren |
| WO2008019786A1 (en) * | 2006-08-17 | 2008-02-21 | Atotech Deutschland Gmbh | Method for bonding work pieces made of stainless steel, nickel or nickel alloys using a bonding layer consisting of ni ckel- phosphorous, method for producing a micro-structured component using such method; micro-structured component obtained by such method |
| US8042726B2 (en) | 2006-08-17 | 2011-10-25 | Atotech Deutschland Gmbh | Method for bonding work pieces made of stainless steel, nickel or nickel alloys, using a bonding layer consisting of nickel-phosphorous, method for producing a micro-structured component using such method; micro-structured component obtained by such method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4988035A (en) | Method of liquid phase diffusion bonding of metal bodies | |
| JPH0217509B2 (ja) | ||
| JPH04305395A (ja) | 分散強化した鉛−スズ合金ろう及びろう付け方法 | |
| US3854194A (en) | Liquid interface diffusion method of bonding titanium and/or titanium alloy structure and product using nickel-copper, silver bridging material | |
| JPS5813487A (ja) | 拡散接合法 | |
| US3145466A (en) | Diffusion bonding of metal members | |
| JPH02121782A (ja) | 液相拡散接合法 | |
| JPS6349382A (ja) | 拡散接合用インサ−ト材 | |
| JPS6349381A (ja) | 拡散接合用インサ−ト材 | |
| JPS6156786A (ja) | ステンレス鋼とアルミ青銅の拡散接合法 | |
| JPS6333174A (ja) | スパツタリング用タ−ゲツトの製造方法 | |
| JPH01186290A (ja) | Ｎｉ基耐熱合金部材の液相拡散接合方法 | |
| JPH04270092A (ja) | 半田材料及び接合方法 | |
| US3650707A (en) | Method and means for joining parts | |
| JPS59169694A (ja) | 半田接着方法 | |
| JPH02121781A (ja) | 粉末ろうを用いた液相拡散接合法 | |
| JPS60115384A (ja) | ろう付圧延による複合材料の製造方法 | |
| JPS60152382A (ja) | 銅とステンレス鋼との拡散接合方法 | |
| JP3232896B2 (ja) | 部材間のロー付け接合方法 | |
| JPH06126471A (ja) | 抵抗拡散接合方法 | |
| JP2742595B2 (ja) | 鍍金用電極の製造方法 | |
| JPH03470A (ja) | 摺動部品の製造方法 | |
| JPH05220587A (ja) | クラッド鋼の製造方法 | |
| JPS58167086A (ja) | 拡散接合方法 | |
| JPS59174581A (ja) | アルミニウムとアルミナとの接合方法 |