JPH02120245A - 光学素子成形用型 - Google Patents
光学素子成形用型Info
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- JPH02120245A JPH02120245A JP27179888A JP27179888A JPH02120245A JP H02120245 A JPH02120245 A JP H02120245A JP 27179888 A JP27179888 A JP 27179888A JP 27179888 A JP27179888 A JP 27179888A JP H02120245 A JPH02120245 A JP H02120245A
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Classifications
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-
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- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光学素子成形用型に関する。
〔従来の技術〕
一般に、レンズ、プリズム、フィルタ等の光学素子の製
造方法として、研削、研磨等を行わずに、高い面精度の
成形用型間に加熱軟化したガラス素材を挿入配置し、こ
れを加圧するだけで光学素子を得るプレス成形が行われ
ている。このプレス成形で用いる光学素子成形用型の成
形面は、高温に加熱されたガラスが付着しないこと、高
精度に加工された面を傷つけないために硬いこと、万一
ガラスが付着したときにガラスだけを除去できるように
フッ酸等に侵されないことなどが要求される。 従来、上記要求を満足する光学素子成形用型としては、
例えば特開昭６１−１８３１３４号公報に開示されたも
のがある。この光学素子成形用型は、最表面にダイヤモ
ンド薄膜またはダイヤモンド型炭素薄膜を形成している
。ここに、ダイヤモンド薄膜またはダイヤモンド型炭素
薄膜は、ダイヤモンドの結晶粒を含むかまたはダイヤモ
ンドと同じ結合形状を含む炭素膜のことと考えられ、こ
れらは、従来、膜形成過程でイオンを効果的に使うため
にｉ−カーボン膜と呼ばれたり、非常に大きな硬さを有
するために硬質カーボン膜と呼ばれたりしているものと
本質的には同じである。すなわち、ダイヤモンド薄膜お
よびダイヤモンド型炭素薄膜は、硬質カーボン膜の一種
であり、中にダイヤモンドの微結晶やダイヤモンドと同
じ結合形態を含むことがあるものである。 硬質カーボン膜は、窒化物や炭化物のようなセラミック
膜に比べて表面エネルギーが低（、濡れ性が悪いために
ガラスが付着しにく（、また膜厚ｌμ−以上でＨｖ３０
００以上の硬度を有し、さらに王水、フッ酸に侵されな
い耐食性を有している。 〔発明が解決しようとする課題〕 しかし、硬質カーボン膜は、大きな圧縮応力を有するた
めに非常に剥離しやすい、特開昭６１−１８３１３４号
公報の光学素子成形用型のように、型基材をＷＣやＺｒ
Ｏ□としても密着性の向上を図るには限界があり、長期
に亘って高温で使用することはできなかった０例えば、
型温度５３０°Ｃでの成形では、約１０００シツツトで
剥離が始まってしまい、継続して高精度なレンズ面を得
ることができなくなってしまった。すなわち、上記従来
の光学素子成形用型は、ガラスが付着しにくく、硬さお
よび耐食性の点で優れているものの、膜剥離を生じてし
まい、型寿命が短かった。 本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてなされたもので
、ガラスが付着しにく（、硬さおよび耐食性の点で優れ
ているとともに、型基材に対する硬質カーボン膜の密着
性が良好で型寿命の長い光学素子成形用型を提供するこ
とを目的とする。 ＣｔＪ、Ｈを解決するための手段〕 型基材と硬質カーボン膜との密着性を向上させるために
中間層を設けることとし、中間層の材質として何が最も
良いかを検討した。中間層に求められる性能としては、
型基材や硬質カーボン膜との高い密着性の他に、良好な
硬さおよび耐食性を有していることである。たとえ最表
面の硬質カーボン膜が硬くても、中間層が硬くなければ
、全体としては硬さが低下してしまう、また、硬質カー
ボン膜を全く無欠陥で形成することは困難なので、フッ
酸等に接触した場合に必ず中間層まで浸透してしまい、
中間層がフッ酸等に溶ける物質であると中間層から剥離
してしまう。 このような条件から、中間層の材質には金属や半導体の
窒化物、炭化物が適当と考えられ、実際そのような種々
の窒化物、炭化物で中間層を形成し、光学ガラス素子を
成形することにより評価した。その結果、Ｔｉ、Ｃｒ、
Ｈｆ、Ｂ、Ｓｔの炭化物について良好な結果が得られた
。 そこで、上記目的を達成するために、・本発明は、最表
面に硬質カーボン膜を形成した光学素子成形用型におい
て、型基材と硬質カーボン膜との間にＴｉ、Ｃｒ、Ｈｆ
、ＢまたはＳｉの炭化物からなる膜を少なくとも一層設
けて中間層を形成した。 硬質カーボン膜は、グラファイトやガラス状炭素膜では
実現できない硬さを有するカーボン膜のことであり、前
述のように、ダイヤモンド′ｇｌｌＩｌおよびダイヤモ
ンド型炭素薄膜を含む。 〔作用〕 上記構成の光学素子成形用型によれば、最表面が硬質カ
ーボン膜であるので、ガラスが付着しにくく、硬さおよ
び耐食性の点で優れている。また、型基材と硬質カーボ
ン膜との間に所定の中間層を形成しているので、型基材
と硬質カーボン膜との密着性が良好になる。 （実施例〕 （第１実施例） 図に示すように、ＷＣの焼結体からなる型基材１の端面
を所定形状に鏡面加工して成形面１ａを形成し、その成
形面ｌａ上にＣｒの炭化物（ＣｒＣ）からなる膜を中間
層２として形成した。そして、この中間層２の上に硬質
カーボン膜３を形成した。 中間層２は、Ｃｒをターゲットとし、真空チャンバ内に
ＣＨ，ガスを導入してＡｒのイオンビームスパッタによ
り形成した。中間層２の膜厚は、約２０００人とした。 また、硬質カーボン膜３は、マイクロ波プラズマＣＶＤ
によりＣＨ，とＨ！との混合ガスを用いて形成した。硬
質カーボン膜３の膜厚は、約１．５μ鴎とした。 本実施例で得た光学素子成形用型を用いて実際に光学ガ
ラス素子を成形した。この成形は、型温度は５３０℃、
ガラスの温度は７００°Ｃで、Ｎｔガス中で行った。
１０００．３０００および５０００シッット時点での光
学素子成形用型の成形面（最表面）を光学顕微鏡で観察
し、その変化を調べた。その結果を次表に示す、なお、
中間層をＴｉｃ、ＨｆＣ，ＢＣまたはＳｉＣとした実施
Ｎ２〜５の光学素子成形用型および中間層をＣｒＮ、Ｔ
ｉＮ、ＨｆＮ、ＢＮまたは５ｉｓＮａとした比較例１〜
５の光学素子成形用型についても第１実施例のものと同
様の条件下で評価を行い、その結果を同表中に併記した
。ここに、比較例１〜５における窒化物の中間層を形成
するには、スパッタ中真空チャンバ内にＮ！ガスを導入
した。 表 Ｏ変化なし Δ 微小な剥Ｍ （１００μ−以下） × 剥離（１００μｍ以上） 上記表から判るように、第１〜５実施例の光学素子成形
用型は、５０００シツツト後であっても硬質カーボン膜
は剥離せず、型基材との密着性が良好であった。これに
対し、中間層を窒化物により形成した比較例１〜５の光
学素子成形用型は、型基材に対する硬質カーボン膜の密
着性が悪かった。 また、中間層を設けずに型基材に直接硬質カーボン膜を
形成した従来の光学素子成形用型についても上記と同様
の成形を行ったところ、極めて初期の段階で膜剥離を生
じてしまった。 一方、第１〜５実施例の光学素子成形用型は、５０００
シヨツト後であってもガラスの付着はなく、硬さおよび
耐食性も良好であった。 （第６実施例） ＳＩＣの焼結体により型基材を形成し、第１実施例と同
様にしてＣｒＣの中間層と硬質カーボン膜とを形成して
光学素子成形用型を得た。 本実施例の光学素子成形用型についても第１実施例の成
形用型と同様の成形を行った。その結果、第１〜５実施
例のものと同様に５０００−／ヨツト後においても膜剥
離はなく、良好な密着性を有していることが判った。ま
た、ＳｉＣの焼結体により型基材を形成し、中間層をＴ
ｉＣ，ＨｆＣ，ＢＣまたはＳｉＣとした実施例７〜１０
の光学素子成形用型も第６実施例と同様の効果が得られ
た。 これに対し、ＳｉＣの焼結体により型基材を形成し、中
間層をＣｒＮ、ＴｉＮ、ＨｆＮ、ＢＮまたは５ｔｓＮａ
とした成形用型および中間層を設けずに型基材に直接硬
質カーボン膜を形成した従来の成形用型は、剥離した膜
の大きさ、形状等は前記比較例１〜５の場合と異なるも
のの、いずれも膜剥離を生じてしまった。 （第１１実施例） ＷＣの焼結体により型基材を形成し、中間層をＣｒＣ膜
とＴｉＣｌｌ１とからなる多層膜で形成し、ＴｉＣ膜の
上に硬質カーボン膜を形成して光学素子成形用型を得た
。中間層の膜厚等の条件は、第１実施例と同様である。 中間層を多層膜で形成した本実施例の光学素子成形用型
も第１実施例のものと同様に、膜剥離等を生ずることな
く、良好に成形を行うことができた。 なお、中間層を多層膜とする組合わせは、本実施例に限
定されるものではなく、ＣｒＣ，ＴｉＣ。 ＨｆＣ，ＢＣ，ＳｉＣの中から任意の組合わせを選択す
ることができる。 また、上記各実施例では中間層を形成する各炭化物はイ
オンビームスパッタで形成し、中間層の膜厚は２０００
人程度Ｌｕたが、本発明は上記各実施例に限定されるも
のではなく、中間層の形成方法。 膜厚等は適宜変更してもよい。 〔発明の効果〕 以上のように、本発明の光学素子成形用型によれば、型
基材と硬質カーボン膜との間にＴｉ、 Ｃｒ。 Ｈｆ、ＢまたはＳｔの炭化物からなる膜を少なくとも一
層設けて中間層を形成しているので、ガラスが付着しに
くく、硬さおよび耐食性の点で優れ、しかも型基材と硬
質カーボン膜との密着性が極めて良好であり、型寿命が
著しく長（なる。
造方法として、研削、研磨等を行わずに、高い面精度の
成形用型間に加熱軟化したガラス素材を挿入配置し、こ
れを加圧するだけで光学素子を得るプレス成形が行われ
ている。このプレス成形で用いる光学素子成形用型の成
形面は、高温に加熱されたガラスが付着しないこと、高
精度に加工された面を傷つけないために硬いこと、万一
ガラスが付着したときにガラスだけを除去できるように
フッ酸等に侵されないことなどが要求される。 従来、上記要求を満足する光学素子成形用型としては、
例えば特開昭６１−１８３１３４号公報に開示されたも
のがある。この光学素子成形用型は、最表面にダイヤモ
ンド薄膜またはダイヤモンド型炭素薄膜を形成している
。ここに、ダイヤモンド薄膜またはダイヤモンド型炭素
薄膜は、ダイヤモンドの結晶粒を含むかまたはダイヤモ
ンドと同じ結合形状を含む炭素膜のことと考えられ、こ
れらは、従来、膜形成過程でイオンを効果的に使うため
にｉ−カーボン膜と呼ばれたり、非常に大きな硬さを有
するために硬質カーボン膜と呼ばれたりしているものと
本質的には同じである。すなわち、ダイヤモンド薄膜お
よびダイヤモンド型炭素薄膜は、硬質カーボン膜の一種
であり、中にダイヤモンドの微結晶やダイヤモンドと同
じ結合形態を含むことがあるものである。 硬質カーボン膜は、窒化物や炭化物のようなセラミック
膜に比べて表面エネルギーが低（、濡れ性が悪いために
ガラスが付着しにく（、また膜厚ｌμ−以上でＨｖ３０
００以上の硬度を有し、さらに王水、フッ酸に侵されな
い耐食性を有している。 〔発明が解決しようとする課題〕 しかし、硬質カーボン膜は、大きな圧縮応力を有するた
めに非常に剥離しやすい、特開昭６１−１８３１３４号
公報の光学素子成形用型のように、型基材をＷＣやＺｒ
Ｏ□としても密着性の向上を図るには限界があり、長期
に亘って高温で使用することはできなかった０例えば、
型温度５３０°Ｃでの成形では、約１０００シツツトで
剥離が始まってしまい、継続して高精度なレンズ面を得
ることができなくなってしまった。すなわち、上記従来
の光学素子成形用型は、ガラスが付着しにくく、硬さお
よび耐食性の点で優れているものの、膜剥離を生じてし
まい、型寿命が短かった。 本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてなされたもので
、ガラスが付着しにく（、硬さおよび耐食性の点で優れ
ているとともに、型基材に対する硬質カーボン膜の密着
性が良好で型寿命の長い光学素子成形用型を提供するこ
とを目的とする。 ＣｔＪ、Ｈを解決するための手段〕 型基材と硬質カーボン膜との密着性を向上させるために
中間層を設けることとし、中間層の材質として何が最も
良いかを検討した。中間層に求められる性能としては、
型基材や硬質カーボン膜との高い密着性の他に、良好な
硬さおよび耐食性を有していることである。たとえ最表
面の硬質カーボン膜が硬くても、中間層が硬くなければ
、全体としては硬さが低下してしまう、また、硬質カー
ボン膜を全く無欠陥で形成することは困難なので、フッ
酸等に接触した場合に必ず中間層まで浸透してしまい、
中間層がフッ酸等に溶ける物質であると中間層から剥離
してしまう。 このような条件から、中間層の材質には金属や半導体の
窒化物、炭化物が適当と考えられ、実際そのような種々
の窒化物、炭化物で中間層を形成し、光学ガラス素子を
成形することにより評価した。その結果、Ｔｉ、Ｃｒ、
Ｈｆ、Ｂ、Ｓｔの炭化物について良好な結果が得られた
。 そこで、上記目的を達成するために、・本発明は、最表
面に硬質カーボン膜を形成した光学素子成形用型におい
て、型基材と硬質カーボン膜との間にＴｉ、Ｃｒ、Ｈｆ
、ＢまたはＳｉの炭化物からなる膜を少なくとも一層設
けて中間層を形成した。 硬質カーボン膜は、グラファイトやガラス状炭素膜では
実現できない硬さを有するカーボン膜のことであり、前
述のように、ダイヤモンド′ｇｌｌＩｌおよびダイヤモ
ンド型炭素薄膜を含む。 〔作用〕 上記構成の光学素子成形用型によれば、最表面が硬質カ
ーボン膜であるので、ガラスが付着しにくく、硬さおよ
び耐食性の点で優れている。また、型基材と硬質カーボ
ン膜との間に所定の中間層を形成しているので、型基材
と硬質カーボン膜との密着性が良好になる。 （実施例〕 （第１実施例） 図に示すように、ＷＣの焼結体からなる型基材１の端面
を所定形状に鏡面加工して成形面１ａを形成し、その成
形面ｌａ上にＣｒの炭化物（ＣｒＣ）からなる膜を中間
層２として形成した。そして、この中間層２の上に硬質
カーボン膜３を形成した。 中間層２は、Ｃｒをターゲットとし、真空チャンバ内に
ＣＨ，ガスを導入してＡｒのイオンビームスパッタによ
り形成した。中間層２の膜厚は、約２０００人とした。 また、硬質カーボン膜３は、マイクロ波プラズマＣＶＤ
によりＣＨ，とＨ！との混合ガスを用いて形成した。硬
質カーボン膜３の膜厚は、約１．５μ鴎とした。 本実施例で得た光学素子成形用型を用いて実際に光学ガ
ラス素子を成形した。この成形は、型温度は５３０℃、
ガラスの温度は７００°Ｃで、Ｎｔガス中で行った。
１０００．３０００および５０００シッット時点での光
学素子成形用型の成形面（最表面）を光学顕微鏡で観察
し、その変化を調べた。その結果を次表に示す、なお、
中間層をＴｉｃ、ＨｆＣ，ＢＣまたはＳｉＣとした実施
Ｎ２〜５の光学素子成形用型および中間層をＣｒＮ、Ｔ
ｉＮ、ＨｆＮ、ＢＮまたは５ｉｓＮａとした比較例１〜
５の光学素子成形用型についても第１実施例のものと同
様の条件下で評価を行い、その結果を同表中に併記した
。ここに、比較例１〜５における窒化物の中間層を形成
するには、スパッタ中真空チャンバ内にＮ！ガスを導入
した。 表 Ｏ変化なし Δ 微小な剥Ｍ （１００μ−以下） × 剥離（１００μｍ以上） 上記表から判るように、第１〜５実施例の光学素子成形
用型は、５０００シツツト後であっても硬質カーボン膜
は剥離せず、型基材との密着性が良好であった。これに
対し、中間層を窒化物により形成した比較例１〜５の光
学素子成形用型は、型基材に対する硬質カーボン膜の密
着性が悪かった。 また、中間層を設けずに型基材に直接硬質カーボン膜を
形成した従来の光学素子成形用型についても上記と同様
の成形を行ったところ、極めて初期の段階で膜剥離を生
じてしまった。 一方、第１〜５実施例の光学素子成形用型は、５０００
シヨツト後であってもガラスの付着はなく、硬さおよび
耐食性も良好であった。 （第６実施例） ＳＩＣの焼結体により型基材を形成し、第１実施例と同
様にしてＣｒＣの中間層と硬質カーボン膜とを形成して
光学素子成形用型を得た。 本実施例の光学素子成形用型についても第１実施例の成
形用型と同様の成形を行った。その結果、第１〜５実施
例のものと同様に５０００−／ヨツト後においても膜剥
離はなく、良好な密着性を有していることが判った。ま
た、ＳｉＣの焼結体により型基材を形成し、中間層をＴ
ｉＣ，ＨｆＣ，ＢＣまたはＳｉＣとした実施例７〜１０
の光学素子成形用型も第６実施例と同様の効果が得られ
た。 これに対し、ＳｉＣの焼結体により型基材を形成し、中
間層をＣｒＮ、ＴｉＮ、ＨｆＮ、ＢＮまたは５ｔｓＮａ
とした成形用型および中間層を設けずに型基材に直接硬
質カーボン膜を形成した従来の成形用型は、剥離した膜
の大きさ、形状等は前記比較例１〜５の場合と異なるも
のの、いずれも膜剥離を生じてしまった。 （第１１実施例） ＷＣの焼結体により型基材を形成し、中間層をＣｒＣ膜
とＴｉＣｌｌ１とからなる多層膜で形成し、ＴｉＣ膜の
上に硬質カーボン膜を形成して光学素子成形用型を得た
。中間層の膜厚等の条件は、第１実施例と同様である。 中間層を多層膜で形成した本実施例の光学素子成形用型
も第１実施例のものと同様に、膜剥離等を生ずることな
く、良好に成形を行うことができた。 なお、中間層を多層膜とする組合わせは、本実施例に限
定されるものではなく、ＣｒＣ，ＴｉＣ。 ＨｆＣ，ＢＣ，ＳｉＣの中から任意の組合わせを選択す
ることができる。 また、上記各実施例では中間層を形成する各炭化物はイ
オンビームスパッタで形成し、中間層の膜厚は２０００
人程度Ｌｕたが、本発明は上記各実施例に限定されるも
のではなく、中間層の形成方法。 膜厚等は適宜変更してもよい。 〔発明の効果〕 以上のように、本発明の光学素子成形用型によれば、型
基材と硬質カーボン膜との間にＴｉ、 Ｃｒ。 Ｈｆ、ＢまたはＳｔの炭化物からなる膜を少なくとも一
層設けて中間層を形成しているので、ガラスが付着しに
くく、硬さおよび耐食性の点で優れ、しかも型基材と硬
質カーボン膜との密着性が極めて良好であり、型寿命が
著しく長（なる。
図は本発明の光学素子成形用型の一実施例を示す縦断面
図である。 ■・・・形基材 ２・・・中間層 ３・・・硬質カーボン膜 特許出願人 オリンパス光学工業株式会社■・・・形
基材 ２・・・中間層 ３・・・硬質カーボン膜 手続補正書（自発） １、事件の表示 昭和６３年 特 許 願 第２７１７９８号２、発明の
名称 光学素子成形用型 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都渋谷区幡ケ谷２丁目４３番２号名 称
（０３７）オリンパス光学工業株式会社代表者 下
山 敏 部 ４８代理人〒１０５ 住 所 東京都港区浜松町２丁目２番１５号６、補正の
内容 ７１％ 明細書の第６頁第１８行巨に記載される「Ｂ
」を’Ｂ４ＣＪと補正する。 、５、同書第７頁に記載される表を、下記のとおり補正
する。 （１） 明細書の「発明の詳細な説明」、
図である。 ■・・・形基材 ２・・・中間層 ３・・・硬質カーボン膜 特許出願人 オリンパス光学工業株式会社■・・・形
基材 ２・・・中間層 ３・・・硬質カーボン膜 手続補正書（自発） １、事件の表示 昭和６３年 特 許 願 第２７１７９８号２、発明の
名称 光学素子成形用型 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都渋谷区幡ケ谷２丁目４３番２号名 称
（０３７）オリンパス光学工業株式会社代表者 下
山 敏 部 ４８代理人〒１０５ 住 所 東京都港区浜松町２丁目２番１５号６、補正の
内容 ７１％ 明細書の第６頁第１８行巨に記載される「Ｂ
」を’Ｂ４ＣＪと補正する。 、５、同書第７頁に記載される表を、下記のとおり補正
する。 （１） 明細書の「発明の詳細な説明」、
（３）同書第９頁第３行目に記載されるｒＢＣｌを’Ｂ
４ＣＪと補正する。 （４）同書第１０頁第５行目に記載されるｒＢ ＣＪを
ｒＢ、ＣＪと補正する。 （５）同書第１１頁第３行目「１・・・形基材」を「１
・・・型基材」と補正する。 （６）本願に添付した図面を別紙補正図面のとおり補正
する。 ７、添付書類の目録 （１）補正図面 １通１・・・型基材 ２・・・中間層 ３・・・硬質カーボン膜 手続補正書（自発） 平成 １年 ６月 １日 ６、補正の内容 （１）明細書第７頁に記載される表を、り補正する。 下記のとお １、事件の表示 昭和６３年 特 許 願 第２７１７９８号２、発明の
名称 光学素子成形用型 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都渋谷区幡ケ谷２丁目４３番２号名 称
（０３７）オリンパス光学工業株式会社代表者 下
山 敏 部 ４、代理人〒１０５ 表
４ＣＪと補正する。 （４）同書第１０頁第５行目に記載されるｒＢ ＣＪを
ｒＢ、ＣＪと補正する。 （５）同書第１１頁第３行目「１・・・形基材」を「１
・・・型基材」と補正する。 （６）本願に添付した図面を別紙補正図面のとおり補正
する。 ７、添付書類の目録 （１）補正図面 １通１・・・型基材 ２・・・中間層 ３・・・硬質カーボン膜 手続補正書（自発） 平成 １年 ６月 １日 ６、補正の内容 （１）明細書第７頁に記載される表を、り補正する。 下記のとお １、事件の表示 昭和６３年 特 許 願 第２７１７９８号２、発明の
名称 光学素子成形用型 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都渋谷区幡ケ谷２丁目４３番２号名 称
（０３７）オリンパス光学工業株式会社代表者 下
山 敏 部 ４、代理人〒１０５ 表
Claims (1)
- （１）最表面に硬質カーボン膜を形成した光学素子成形
用型において、型基材と硬質カーボン膜との間にＴｉ、
Ｃｒ、Ｈｆ、ＢまたはＳｉの炭化物からなる膜を少なく
とも一層設けて中間層を形成したことを特徴とする光学
素子成形用型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27179888A JPH02120245A (ja) | 1988-10-27 | 1988-10-27 | 光学素子成形用型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27179888A JPH02120245A (ja) | 1988-10-27 | 1988-10-27 | 光学素子成形用型 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02120245A true JPH02120245A (ja) | 1990-05-08 |
Family
ID=17505002
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27179888A Pending JPH02120245A (ja) | 1988-10-27 | 1988-10-27 | 光学素子成形用型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02120245A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03237024A (ja) * | 1990-02-13 | 1991-10-22 | Asahi Optical Co Ltd | 光学素子成形用の成形型の再生方法 |
| EP0828015A2 (en) * | 1996-09-06 | 1998-03-11 | SANYO ELECTRIC Co., Ltd. | Hard carbon film-coated substrate and method for fabricating the same |
| JPH10130865A (ja) * | 1996-09-06 | 1998-05-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 硬質炭素被膜基板及びその形成方法 |
| US6151915A (en) * | 1995-09-18 | 2000-11-28 | Hoya Precision Inc. | Method of producing a glass optical element capable of suppressing occurrence of a damage of a mold and improving a quality of the glass optical element |
| US6821624B2 (en) * | 2000-02-25 | 2004-11-23 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Amorphous carbon covered member |
| JP2006224611A (ja) * | 2005-02-21 | 2006-08-31 | Toshiba Mach Co Ltd | 金型の洗浄方法 |
| JP2007247032A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Kyushu Univ | ダイヤモンド膜製造装置、ダイヤモンド膜製造方法 |
| JP2008202073A (ja) * | 2007-02-19 | 2008-09-04 | Kyushu Univ | ダイヤモンド薄膜形成方法 |
-
1988
- 1988-10-27 JP JP27179888A patent/JPH02120245A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6776007B2 (en) | 1995-09-18 | 2004-08-17 | Hoya Corporation | Method of molding a glass composition into an optical element |
| US6588231B1 (en) | 1995-09-18 | 2003-07-08 | Hoya Corporation | Method molding a glass composition into an optical element with reduced pull-out |
| US6572936B1 (en) | 1996-06-09 | 2003-06-03 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Hard carbon film-coated substrate and method for fabricating the same |
| EP0828015A3 (en) * | 1996-09-06 | 1998-07-15 | SANYO ELECTRIC Co., Ltd. | Hard carbon film-coated substrate and method for fabricating the same |
| US6022622A (en) * | 1996-09-06 | 2000-02-08 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Hard carbon film-coated substrate and method for fabricating the same |
| JPH10130865A (ja) * | 1996-09-06 | 1998-05-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 硬質炭素被膜基板及びその形成方法 |
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