JPH02119283A - 発振波長安定化半導体レーザ装置 - Google Patents
発振波長安定化半導体レーザ装置Info
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- JPH02119283A JPH02119283A JP27277588A JP27277588A JPH02119283A JP H02119283 A JPH02119283 A JP H02119283A JP 27277588 A JP27277588 A JP 27277588A JP 27277588 A JP27277588 A JP 27277588A JP H02119283 A JPH02119283 A JP H02119283A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【産業上の利用分野〕
本発明は１発振波長が特定の波長に極めて精密に安定化
された半導体レーザ装置に関するものである。
された半導体レーザ装置に関するものである。
従来１発振波長がある特性の波長に安定化された半導体
レーザ装置としては、第６図に示したように、半導体レ
ーザと光吸収性のガスを封入したガスセルとを組み合わ
せた構成が提案されている。
レーザ装置としては、第６図に示したように、半導体レ
ーザと光吸収性のガスを封入したガスセルとを組み合わ
せた構成が提案されている。
第６図において、１は半導体レーザ、２は光吸収セル、
３は光検知器、４は増幅器である。
３は光検知器、４は増幅器である。
この半導体レーザ装置は、第６図に示すように、半導体
レーザ１より出射し、光吸収セル２内を通過した光を光
検知器３で検知した後、増幅器４を通して、半導体レー
ザ１の駆動電流量に帰還し、発振長波を安定化させるも
のである。この場合、安定化される発振波長は封入され
たガスの吸収線によって決まり、例えばＮＨ３ガスの場
合、１．５μｍ帯の特定の波長となる。
レーザ１より出射し、光吸収セル２内を通過した光を光
検知器３で検知した後、増幅器４を通して、半導体レー
ザ１の駆動電流量に帰還し、発振長波を安定化させるも
のである。この場合、安定化される発振波長は封入され
たガスの吸収線によって決まり、例えばＮＨ３ガスの場
合、１．５μｍ帯の特定の波長となる。
こうしたガスの吸収特性を使った波長安定化では、０．
０１オングストローム（人）程度の精度で、発振波長を
ある特定の波長に安定化することが可能である。
０１オングストローム（人）程度の精度で、発振波長を
ある特定の波長に安定化することが可能である。
また、もう一つの従来技術は、第６図の光吸収特性ガス
セルに替えて、放電管を使用し、Ａｒ。
セルに替えて、放電管を使用し、Ａｒ。
Ｋｒ等の放電ガスの吸収特性を利用する方法である。こ
の場合発振波長の安定化精度は、０．０１〜０．００１
人程度である。
の場合発振波長の安定化精度は、０．０１〜０．００１
人程度である。
しかしながら、ガスセルを使用する従来技術においては
、発振波長の安定化に必要な吸収率を確保するためには
、５０ｃｍ程度のガスセル長が必要とされるため、半導
体レーザを含めた装置寸法の小型化が難しいという問題
点があった。また、この寸法上の問題点を解決するため
に、封入ガス圧を高め、単位長さ当りの吸収率を大きく
すると、光吸収線の幅が広くなり、高精度な波長安定化
が難しいという問題があった。一方、放電管を使用した
場合、数ｃｍの放電管長で十分強い光吸収率が得られ、
寸法上の問題は解決されるが、安定な放電を長時間確保
することが難しく、かつ複雑な放電安定化回路を必要と
する等の実用上の問題があった・ また、前記光吸収ガスセル方式と放電管方式の両者に共
通して、半導体レーザとガスセル及び放電管の光結合を
高めるために、精密な光学系が必要とされ、かつ長時間
光学系を安定化するのが難しい等の実用上の問題があっ
た。
、発振波長の安定化に必要な吸収率を確保するためには
、５０ｃｍ程度のガスセル長が必要とされるため、半導
体レーザを含めた装置寸法の小型化が難しいという問題
点があった。また、この寸法上の問題点を解決するため
に、封入ガス圧を高め、単位長さ当りの吸収率を大きく
すると、光吸収線の幅が広くなり、高精度な波長安定化
が難しいという問題があった。一方、放電管を使用した
場合、数ｃｍの放電管長で十分強い光吸収率が得られ、
寸法上の問題は解決されるが、安定な放電を長時間確保
することが難しく、かつ複雑な放電安定化回路を必要と
する等の実用上の問題があった・ また、前記光吸収ガスセル方式と放電管方式の両者に共
通して、半導体レーザとガスセル及び放電管の光結合を
高めるために、精密な光学系が必要とされ、かつ長時間
光学系を安定化するのが難しい等の実用上の問題があっ
た。
本発明は、前記問題点を解決するためになされたもので
ある。
ある。
本発明の目的は、発振波長の安定化精度に優れた実用的
な半導体レーザ装置を提供することにある。
な半導体レーザ装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、装置寸法の小さい安定な実用的な
発振波長安定化半導体レーザ装置を提供することにある
。
発振波長安定化半導体レーザ装置を提供することにある
。
本発明の他の目的は、光結合系が簡易で安定な実用的な
発振波長安定化半導体レーザ装置を提供することにある
。
発振波長安定化半導体レーザ装置を提供することにある
。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
前記目的を達成するために、本発明は、半導体レーザと
、波長０．３μｍ〜２．５μｍの範囲において光吸収特
性を有する気体をコア内あるいはコアに隣接したクラッ
ド内に設けた中空部の中に封入した光ファイバと、光検
知器と、該光検知器の出力信号を処理した後半導体レー
ザに帰還する帰還回路を備えた半導体レーザ装置であっ
て、前記半導体レーザより発生するレーザ光の一部を、
前記光ファイバの一端から光ファイバ内に入射し、光フ
ァイバを中心に透過せしめた後、該光ファイバの他端か
らの出射光を前記光検出器によって検知し、該光検知器
の出力信号を処理した後、前記半導体レーザの駆動電流
に帰還させて当該半導体レーザ光の波長を所定の波長に
安定化せしめる手段を備えたことを最も主要な特徴とす
る。
、波長０．３μｍ〜２．５μｍの範囲において光吸収特
性を有する気体をコア内あるいはコアに隣接したクラッ
ド内に設けた中空部の中に封入した光ファイバと、光検
知器と、該光検知器の出力信号を処理した後半導体レー
ザに帰還する帰還回路を備えた半導体レーザ装置であっ
て、前記半導体レーザより発生するレーザ光の一部を、
前記光ファイバの一端から光ファイバ内に入射し、光フ
ァイバを中心に透過せしめた後、該光ファイバの他端か
らの出射光を前記光検出器によって検知し、該光検知器
の出力信号を処理した後、前記半導体レーザの駆動電流
に帰還させて当該半導体レーザ光の波長を所定の波長に
安定化せしめる手段を備えたことを最も主要な特徴とす
る。
また、前記半導体レーザより発光するレーザ光の一部を
光ファイバカップラによって分岐し、光吸収特性を有す
る気体をコア内あるいはコアに隣接したクラッド内に設
けた中空部の中に封入した光ファイバへ入射することを
特徴とする。
光ファイバカップラによって分岐し、光吸収特性を有す
る気体をコア内あるいはコアに隣接したクラッド内に設
けた中空部の中に封入した光ファイバへ入射することを
特徴とする。
また、前記半導体レーザと光検知器あるいは帰還回路の
両方又はいずれか一方を同一基板上にあるいは隣接して
設置することを特徴とする。
両方又はいずれか一方を同一基板上にあるいは隣接して
設置することを特徴とする。
前述の手段によれば、光吸収性のガスをコア内あるいは
コア近傍に封入し、０．３μｍ〜２．５μｍの波長域の
特定の波長において、鋭い光吸収線を有する光ファイバ
と半導体レーザを組み合わせることにより、特に１曲げ
等が容易で９寸法的上も小型化しやすく、かつ、半導体
との光結合も高くし易い鋭い光吸収線を有する安定な半
導体レーザ装置を提供することができる。
コア近傍に封入し、０．３μｍ〜２．５μｍの波長域の
特定の波長において、鋭い光吸収線を有する光ファイバ
と半導体レーザを組み合わせることにより、特に１曲げ
等が容易で９寸法的上も小型化しやすく、かつ、半導体
との光結合も高くし易い鋭い光吸収線を有する安定な半
導体レーザ装置を提供することができる。
また１発振波長安定化用帰還回路を設けたので、発振波
長の安定化精度に優れた実用的な半導体レーザ装置を提
供することができる。
長の安定化精度に優れた実用的な半導体レーザ装置を提
供することができる。
以下、本発明の一実施例を図面を用いて具体的に説明す
る。
る。
［実施例■コ
第１図は、本発明の発振波長安定化半導体レーザ装置の
実施例Ｉの概略構成を説明するための説明図である。
実施例Ｉの概略構成を説明するための説明図である。
第１図において、１１は半導体レーザであり、１２は０
．３μｍ〜２．５μｍの波長域の特定の波長において、
鋭い光吸収性を有する光吸収性ファイバである。１３は
光検知器、１４は発振波長安定化用帰還回路（以下、単
に帰還回路という）、１５は半導体レーザ駆動用電流端
子、１６は半導体レーザ１１からの出射光、１７は光吸
収性ファイバ１２を通過後の出射光、１８は半導体レー
ザ１１の主要な出射光である。
．３μｍ〜２．５μｍの波長域の特定の波長において、
鋭い光吸収性を有する光吸収性ファイバである。１３は
光検知器、１４は発振波長安定化用帰還回路（以下、単
に帰還回路という）、１５は半導体レーザ駆動用電流端
子、１６は半導体レーザ１１からの出射光、１７は光吸
収性ファイバ１２を通過後の出射光、１８は半導体レー
ザ１１の主要な出射光である。
第２図及び第３図は、前記第１図の実施例Ｉに使用した
光吸収性ファイバ１２の例を示す断面図である。
光吸収性ファイバ１２の例を示す断面図である。
第２図及び第３図において、２１．３４はコア、２２゜
３５はクラッド、２３はコア２１に隣接して設けられた
中空部であり、３Ｂはコア３４内に設けられた中空部で
ある。中空部２３及び３６の中には、波長０．３μｍ〜
２．５μｍにおいて光吸収特性を有する気体６０が封入
されている。
３５はクラッド、２３はコア２１に隣接して設けられた
中空部であり、３Ｂはコア３４内に設けられた中空部で
ある。中空部２３及び３６の中には、波長０．３μｍ〜
２．５μｍにおいて光吸収特性を有する気体６０が封入
されている。
次に、本実施例Ｉの発振波長安定化半導体レーザ装置の
動作を第１図及び第２図に従って説明する。
動作を第１図及び第２図に従って説明する。
まず、半導体レーザ１１より出射した出射光１６を光吸
収性ファイバ１２の一端より入射し、光吸収性ファイバ
１２のコア２１を通過させると同時に、通過中に中空部
２３に封入した光吸収性気体と相互作用させて、ある特
定の波長における光吸収を生じさせる。次に、前記光吸
収性ファイバの他端からの出射光１７を光検知器１３に
よって検知し、電気信号とした後、帰還回路１４に送信
し、最後に、半導体レーザ１１の駆動用電流端子１５に
導入して、発振長波を前記中空部２３に封入されている
気体の光吸収線の特定の一本に同調させ、この同調波長
に安定化させるものである。
収性ファイバ１２の一端より入射し、光吸収性ファイバ
１２のコア２１を通過させると同時に、通過中に中空部
２３に封入した光吸収性気体と相互作用させて、ある特
定の波長における光吸収を生じさせる。次に、前記光吸
収性ファイバの他端からの出射光１７を光検知器１３に
よって検知し、電気信号とした後、帰還回路１４に送信
し、最後に、半導体レーザ１１の駆動用電流端子１５に
導入して、発振長波を前記中空部２３に封入されている
気体の光吸収線の特定の一本に同調させ、この同調波長
に安定化させるものである。
例えば、第１図及び第２図の装置構成において、半導体
レーザ１１として、中心波長１．５１００００μｍで発
振するＩｎＧａＡｓＰ系の分布帰還型半導体レーザ（Ｄ
ＦＢ型ＬＤ）を使用し、また、光吸収性気体として、ア
ンモニア（ｒ’ｙ Ｈｓ ）を、コア２１の直径８ミク
ロンメータ（μｍ）、中空部２３の直径３０μｍ、クラ
ッド２２の直径１２５μｍの封入して使用した場合、ア
ンモニアの１．５０９５５２μｍの吸収線を利用して、
発振長波の安定化を図れるものである。すなわち、中心
波長１．５１００００μｍで発振する前記分布帰還型半
導体レーザからの出射光を前記ＮＨ３封入の光吸収性フ
ァイバ１２に入射すると１発振の中心波長がわずかにＮ
Ｈ，の吸収波長ずれているため、大きな光吸収は生じな
い。結局、光検知器１３で受光する光量は、高いレベル
となる。結果として、帰還回路１４より出力される直流
電流は増加し、分布帰還（ＤＦＢ）型半導体レーザの発
振長波はわずかに短波長となる。そして、前記分布帰還
（ＤＦＢ）型半導体レーザの発振波長が、ちょうどアン
モニアの光吸収波長１．５０９５５２μｍと一致した時
、光吸収率は最大、光検知器１３の出力は最小となり、
半導体レーザ１１の発振長波は、１．５０９５５２μｍ
に同調させられる。
レーザ１１として、中心波長１．５１００００μｍで発
振するＩｎＧａＡｓＰ系の分布帰還型半導体レーザ（Ｄ
ＦＢ型ＬＤ）を使用し、また、光吸収性気体として、ア
ンモニア（ｒ’ｙ Ｈｓ ）を、コア２１の直径８ミク
ロンメータ（μｍ）、中空部２３の直径３０μｍ、クラ
ッド２２の直径１２５μｍの封入して使用した場合、ア
ンモニアの１．５０９５５２μｍの吸収線を利用して、
発振長波の安定化を図れるものである。すなわち、中心
波長１．５１００００μｍで発振する前記分布帰還型半
導体レーザからの出射光を前記ＮＨ３封入の光吸収性フ
ァイバ１２に入射すると１発振の中心波長がわずかにＮ
Ｈ，の吸収波長ずれているため、大きな光吸収は生じな
い。結局、光検知器１３で受光する光量は、高いレベル
となる。結果として、帰還回路１４より出力される直流
電流は増加し、分布帰還（ＤＦＢ）型半導体レーザの発
振長波はわずかに短波長となる。そして、前記分布帰還
（ＤＦＢ）型半導体レーザの発振波長が、ちょうどアン
モニアの光吸収波長１．５０９５５２μｍと一致した時
、光吸収率は最大、光検知器１３の出力は最小となり、
半導体レーザ１１の発振長波は、１．５０９５５２μｍ
に同調させられる。
また、前記帰還回路１４内に所定の周波数で発振する交
流発振器を設け、半導体レーザ１１を交流変調しながら
、前記動作と類似した安定化動作を行なえば、より精密
な安定化が可能となる。
流発振器を設け、半導体レーザ１１を交流変調しながら
、前記動作と類似した安定化動作を行なえば、より精密
な安定化が可能となる。
また、前記実施例Ｉでは、ＮＨ３の封入圧力を７６０ト
ル（Ｔｏｒｒ ： １ ｍ）Ｉｇ）としたため、波長安
定化精度は、１ギガヘルツ（Ｇ Ｈｚ）程度であったが
、圧力をＩ Ｔｏｒｒとした場合、波長安定化精度は、
０．１ＧＨｚ程度となった。もちろんＮＨ，の封入圧力
を低下した場合、光吸収性ファイバ１２の長さを長くし
た。このように、波長安定化を高くするために、気体封
入圧力を低下したことによって生じる光吸収率の低下を
、光吸収性ファイバ１２の長さを長尺化することにより
容易に防止することができる。これは、本発明の特徴の
一つであり、光吸収性ファイバ１２において、鋭い光吸
収特性を実現している。すなわち、従来技術のガスセル
方式、放電方式では、数１０センチ（ｃｍ）あるいは数
メータ（ｍ）が限度であり、数１００メータ（ｍ）ある
いは数キロメータ（ｋｍ）の長さを実現することは困難
といえる。
ル（Ｔｏｒｒ ： １ ｍ）Ｉｇ）としたため、波長安
定化精度は、１ギガヘルツ（Ｇ Ｈｚ）程度であったが
、圧力をＩ Ｔｏｒｒとした場合、波長安定化精度は、
０．１ＧＨｚ程度となった。もちろんＮＨ，の封入圧力
を低下した場合、光吸収性ファイバ１２の長さを長くし
た。このように、波長安定化を高くするために、気体封
入圧力を低下したことによって生じる光吸収率の低下を
、光吸収性ファイバ１２の長さを長尺化することにより
容易に防止することができる。これは、本発明の特徴の
一つであり、光吸収性ファイバ１２において、鋭い光吸
収特性を実現している。すなわち、従来技術のガスセル
方式、放電方式では、数１０センチ（ｃｍ）あるいは数
メータ（ｍ）が限度であり、数１００メータ（ｍ）ある
いは数キロメータ（ｋｍ）の長さを実現することは困難
といえる。
また、第１図の構成では明らかではないが、半導体レー
ザ１１と光吸収性ファイバ１２との結合に関しては、半
導体レーザ１１と光吸収性ファイバ１２をつき合わせる
ことによって高い効率の光結合を容易に得ることができ
ると共に、高い結合効率を保持することを容易にするこ
とがである。
ザ１１と光吸収性ファイバ１２との結合に関しては、半
導体レーザ１１と光吸収性ファイバ１２をつき合わせる
ことによって高い効率の光結合を容易に得ることができ
ると共に、高い結合効率を保持することを容易にするこ
とがである。
また、直径１００μｍ程度の細い径のファイバ形状であ
るから、曲げ等の自由度も大きく、直径１０ｃ１１〜３
０ｃｍ程度に巻いた状態で収納することも可能である点
で、実用上有効である。
るから、曲げ等の自由度も大きく、直径１０ｃ１１〜３
０ｃｍ程度に巻いた状態で収納することも可能である点
で、実用上有効である。
更に、前記実施例■においては、アンモニアガスを光吸
収性気体として使用した例について示したが、アンモニ
アガスに替えて、二酸化炭素ガス、アセチレンガス、メ
タンガス等を用いて前記機能と同様の発振波長安定化を
行うことができる。
収性気体として使用した例について示したが、アンモニ
アガスに替えて、二酸化炭素ガス、アセチレンガス、メ
タンガス等を用いて前記機能と同様の発振波長安定化を
行うことができる。
［実施例■］
第４図は１本発明の発振波長安定化半導体レーザ装置の
実施例■の概略構成を説明するための説明図である。
実施例■の概略構成を説明するための説明図である。
本実施例■の発振波長安定化半導体レーザ装置は、第４
図に示すように、半導体レーザ４１より出射した出射光
４６を光ファイバカップラ４１０に入射し、出射光４６
を分岐して、主要な出射光４９と発振波長安定化用出射
光４８とを作成する。光ファイバカップラ４１０による
光分岐の強度比は、該カップラの特性によって決まるが
、典型的には、主出射光４９と発振波長安定化用出射光
４８の強度比は１０：１である。次に、この発振波長安
定化用出射光４８を光吸収性ファイバ４２内へ入射し、
鋭い光吸収特性を実現した後、光検知器４３により受光
する。帰還回路４４及び駆動用電流端子４５の動作につ
いては、実施例Ｉにおいて詳細に示した通りである。
図に示すように、半導体レーザ４１より出射した出射光
４６を光ファイバカップラ４１０に入射し、出射光４６
を分岐して、主要な出射光４９と発振波長安定化用出射
光４８とを作成する。光ファイバカップラ４１０による
光分岐の強度比は、該カップラの特性によって決まるが
、典型的には、主出射光４９と発振波長安定化用出射光
４８の強度比は１０：１である。次に、この発振波長安
定化用出射光４８を光吸収性ファイバ４２内へ入射し、
鋭い光吸収特性を実現した後、光検知器４３により受光
する。帰還回路４４及び駆動用電流端子４５の動作につ
いては、実施例Ｉにおいて詳細に示した通りである。
以上の説明かられかるように、本実施例■によれば１発
振波長安定化用出射光４８を半導体レーザ４１の主要な
出射光４６と同一方向から分岐できるため、光吸収性フ
ァイバへの光結合の調整等光学上のアライメントを簡便
にすることができる。
振波長安定化用出射光４８を半導体レーザ４１の主要な
出射光４６と同一方向から分岐できるため、光吸収性フ
ァイバへの光結合の調整等光学上のアライメントを簡便
にすることができる。
［実施例■］
第５図は、本発明の発振波長安定化半導体レーザ装置の
実施例■の概略構成を説明するための説明図である。
実施例■の概略構成を説明するための説明図である。
本実施例■の発振波長安定化半導体レーザ装置は、第５
図に示すように、ピッグテール（出射光用ファイバ）５
２を備えており、半導体レーザ５１からの出射光は、前
記ピッグテール５２を通して、直接光ファイバカップラ
５３に入射される。光ファイバカップラ５３による分岐
比は、前実施例■と同様に、典型的には１０：１であり
、主要な出射光５９に対して約１／１０の光量のレーザ
光が光吸収性ファイバ４２内へ入射される。この光吸収
性ファイバ４２を通過し、光吸収を生じたレーザ光は光
検知器５４によって受光された後、電気信号として、結
合線５７によって帰還回路５５に送られ、更には結合線
５８によって半導体レーザ５１に制御用信号が送られる
。半導体レーザ５１の発振波長安定化の動作は、実施例
■に述べた通りである。
図に示すように、ピッグテール（出射光用ファイバ）５
２を備えており、半導体レーザ５１からの出射光は、前
記ピッグテール５２を通して、直接光ファイバカップラ
５３に入射される。光ファイバカップラ５３による分岐
比は、前実施例■と同様に、典型的には１０：１であり
、主要な出射光５９に対して約１／１０の光量のレーザ
光が光吸収性ファイバ４２内へ入射される。この光吸収
性ファイバ４２を通過し、光吸収を生じたレーザ光は光
検知器５４によって受光された後、電気信号として、結
合線５７によって帰還回路５５に送られ、更には結合線
５８によって半導体レーザ５１に制御用信号が送られる
。半導体レーザ５１の発振波長安定化の動作は、実施例
■に述べた通りである。
以上の説明かられかるように、本実施例■によれば、半
導体レーザ５１．光検知器５４及び帰還回路５５が基板
５６上に設置されているので、半導体レーザ装置を小型
にすることができる。また、この特徴は、光ファイバ型
の光吸収セルを採用したことにより、レーザ光を自由に
曲げられることによって生じたものである。また、ピッ
グテール５２付きの半導体レーザを使用することにより
、光学系上のアライメントを更に簡便かつ安定にするこ
とができる。
導体レーザ５１．光検知器５４及び帰還回路５５が基板
５６上に設置されているので、半導体レーザ装置を小型
にすることができる。また、この特徴は、光ファイバ型
の光吸収セルを採用したことにより、レーザ光を自由に
曲げられることによって生じたものである。また、ピッ
グテール５２付きの半導体レーザを使用することにより
、光学系上のアライメントを更に簡便かつ安定にするこ
とができる。
以上１本発明を実施例にもとづき具体的に説明したが、
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は言うまでもない。
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は言うまでもない。
以上、説明したように、本発明によれば、半導体レーザ
、光吸収性ファイバ、光検知器及び帰還回路によって発
振長波を安定化するので、装置寸法、波長の安定性等に
おいて、多くの利点がある。
、光吸収性ファイバ、光検知器及び帰還回路によって発
振長波を安定化するので、装置寸法、波長の安定性等に
おいて、多くの利点がある。
特に、鋭い光吸収特性をファイバ形状において実現して
いるために、曲げ操作や吸収体の長さ等において、自由
度が大きく、安定で小型で簡易な実用的光源を提供でき
る利点がある。
いるために、曲げ操作や吸収体の長さ等において、自由
度が大きく、安定で小型で簡易な実用的光源を提供でき
る利点がある。
また、発振波長をある特定の波長に極めて精度良く同調
できるため、コヒーレント光通信における標準波長光源
として使用できる利点がある。
できるため、コヒーレント光通信における標準波長光源
として使用できる利点がある。
また、光ファイバカップラあるいはピッグテール付き半
導体レーザを使用できるため、極めて簡便で安定した光
学アライメントを実現できる利点があり、かつ、曲げ操
作の自由な光ファイバ型光吸収体であるために、半導体
レーザと光検知器あるいは帰還回路を同一基板上、また
は隣接して設置し、装置寸法の小型化が実現できる利点
がある。
導体レーザを使用できるため、極めて簡便で安定した光
学アライメントを実現できる利点があり、かつ、曲げ操
作の自由な光ファイバ型光吸収体であるために、半導体
レーザと光検知器あるいは帰還回路を同一基板上、また
は隣接して設置し、装置寸法の小型化が実現できる利点
がある。
第１図は、本発明の発振波長安定化半導体レーザ装置の
実施例Ｉの概略構成を説明するための説明図。 第２図及び第３図は、前記第１図の実施例■に使用した
光吸収性ファイバの例を示す断面図、第４図は、本発明
の発振波長安定化半導体レーザ装置の実施例■の概略構
成を説明するための説明図、 第５図は、本発明の発振波長安定化半導体レーザ装置の
実施例■の概略構成を説明するための説明図、 第６図は、発振波長がある特性の波長に安定化された従
来の半導体レーザ装置の問題点を説明するための説明図
である。 図中、１・・・半導体レーザ、２・・・光吸収セル、３
・・・光検知器、４・・・増幅器、１１．４１．５１・
・・半導体レーザ、１２．４２・・・光吸収性ファイバ
、１３．４３．５４・・・光検知器、１４．４４．５５
・・・帰還回路、１５．４５・・・半導体レーザ駆動用
電流端子、１６．１７．４８・・・出射光。 １８、４６．４９．５９・・・主要な出射光、２１．３
４・・・コア。 ２２．３５・・・クラッド、２３．３６・・・中空部、
４０．５３・・・光ファイバカップラ、５２・・・ピッ
グテール、５６・・・基板、５７、５８・・・結合線、
６０・・・光吸収性気体。 第１図
実施例Ｉの概略構成を説明するための説明図。 第２図及び第３図は、前記第１図の実施例■に使用した
光吸収性ファイバの例を示す断面図、第４図は、本発明
の発振波長安定化半導体レーザ装置の実施例■の概略構
成を説明するための説明図、 第５図は、本発明の発振波長安定化半導体レーザ装置の
実施例■の概略構成を説明するための説明図、 第６図は、発振波長がある特性の波長に安定化された従
来の半導体レーザ装置の問題点を説明するための説明図
である。 図中、１・・・半導体レーザ、２・・・光吸収セル、３
・・・光検知器、４・・・増幅器、１１．４１．５１・
・・半導体レーザ、１２．４２・・・光吸収性ファイバ
、１３．４３．５４・・・光検知器、１４．４４．５５
・・・帰還回路、１５．４５・・・半導体レーザ駆動用
電流端子、１６．１７．４８・・・出射光。 １８、４６．４９．５９・・・主要な出射光、２１．３
４・・・コア。 ２２．３５・・・クラッド、２３．３６・・・中空部、
４０．５３・・・光ファイバカップラ、５２・・・ピッ
グテール、５６・・・基板、５７、５８・・・結合線、
６０・・・光吸収性気体。 第１図
Claims (3)
- （１）半導体レーザと、波長０．３μｍ〜２．５μｍの
範囲において光吸収特性を有する気体をコア内あるいは
コアに隣接したクラッド内に設けた中空部の中に封入し
た光ファイバと、光検知器と、該光検知器の出力信号を
処理した後半導体レーザに帰還する帰還回路を備えた半
導体レーザ装置であって、前記半導体レーザより発生す
るレーザ光の一部を、前記光ファイバの一端から光ファ
イバ内に入射し、光ファイバを中心に透過せしめた後、
該光ファイバの他端からの出射光を前記光検出器によっ
て検知し、該光検知器の出力信号を処理した後、前記半
導体レーザの駆動電流に帰還させて当該半導体レーザ光
の波長を所定の波長に安定化せしめる手段を備えたこと
を特徴とする発振波長安定化半導体レーザ装置。 - （２）半導体レーザより発光するレーザ光の一部を光フ
ァイバカップラによって分岐し、光吸収特性を有する気
体をコア内あるいはコアに隣接したクラッド内に設けた
中空部の中に封入した光ファイバへ入射することを特徴
とした請求項１に記載の発振波長安定化半導体レーザ装
置。 - （３）半導体レーザと光検知器あるいは帰還回路の両方
又はいずれか一方を同一基板上にあるいは隣接して設置
することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の発
振波長安定化半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63272775A JP2642701B2 (ja) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | 発振波長安定化半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63272775A JP2642701B2 (ja) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | 発振波長安定化半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02119283A true JPH02119283A (ja) | 1990-05-07 |
| JP2642701B2 JP2642701B2 (ja) | 1997-08-20 |
Family
ID=17518573
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63272775A Expired - Fee Related JP2642701B2 (ja) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | 発振波長安定化半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2642701B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04133484A (ja) * | 1990-09-26 | 1992-05-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 波長安定化レーザ装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4924151A (ja) * | 1972-06-24 | 1974-03-04 | ||
| JPS5366192A (en) * | 1976-11-25 | 1978-06-13 | Fujitsu Ltd | Oscillation wavelength stabilization method of semiconductor laser |
| JPS61102080A (ja) * | 1984-10-25 | 1986-05-20 | Nec Corp | 周波数安定化半導体レ−ザ装置 |
-
1988
- 1988-10-28 JP JP63272775A patent/JP2642701B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4924151A (ja) * | 1972-06-24 | 1974-03-04 | ||
| JPS5366192A (en) * | 1976-11-25 | 1978-06-13 | Fujitsu Ltd | Oscillation wavelength stabilization method of semiconductor laser |
| JPS61102080A (ja) * | 1984-10-25 | 1986-05-20 | Nec Corp | 周波数安定化半導体レ−ザ装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04133484A (ja) * | 1990-09-26 | 1992-05-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 波長安定化レーザ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2642701B2 (ja) | 1997-08-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |