JPH02117786A - 集積回路のレーザートリミング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 ｇＡ！！回路のレーザートリミング方法、特に拡散済み
の半導体ウェハに形成されたヒユーズ素子等を切断する
レーザートリミング方法において、ＩＣチップ上の目標
座標に正確にレーザー光の位置合わせをする方法に関し
、 オフセット量を含んだ見かけ上の位置座標系をレーザー
光学手段の光学座標系に一致させることなく、集積回路
チップの真の位置座標系に正確に位置合わせすることを
目的とし、 第１の方法を、予め集積回路チップに、レーザービーム
の照射位置を検出する位置検出手段と該検出手段に接続
される引き出し電極を形成し、前記集積回路チップに形
成された位置検出手段にレーザービームを照射し、前記
引き出し電極に現れる検出量から、レーザー光学手段の
光学座標系（ｘ、　　ｙ）と、前記集積回路チップの位
置座標系（Ｘ、Ｙ）との位置ずれを検出し、少なくとｔ
）、前記レーザー光学手段の光学座標系（ｘ、　　ｙ）
を補正することを含み構成し、第２の方法を、予め、望
積回路チップに形成され、レーザービームの反射をさせ
る位置検出手段にレーザービームを照射し、該レーザー
ビームの反射光を検出し、レーザー光学手段の光学座標
系（ｘ、ｙ）との位置ずれを検知し、両座標系（ｘ、ｙ
、Ｘ、Ｙ）の位置ずれの補正をする集積回路のレーザー
トリミング方法において、前記位置検出手段がピンチへ
のリンク列状に形成され、前記レーザービームがピッチ
Ｂにより該位置検出手段にパルス状に照射されることを
含み構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、集積回路のレーザートリミング方法に関する
ものであり、更に詳しく言えば拡散済の半導体ウェハに
形成されたヒユーズ素子等を切断するレーザートリミン
グ方法において、［Ｃチップ上の目標座標に正確にレー
ザー光の位置合ねせをする方法に関するものである。

近年、Ｐ　ＲＯＭ　（ＰｒｏｇｒａｌＩ＋ｍａｂｌｅ　
Ｒｅａｄ　０ｎｌｙ　Ｍｅｎｏｒｙ　　）　　やＰ　　
Ｌ　Ａ　　（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ　　Ｌｏｇｉｃ
　　Ａｒｒａｙ）　　を形成するＩＣチップ上のヒユー
ズ素子を切断する際に、該ＩＣチップ上に設けられた位
置合わせマークにレーザー光を照射し、その反射光から
該ＩＣチップの位置を検出し、レーザー光学手段の座標
系を補正し、±１（μｍ）精度程度の位置合わせをして
いる。

しかし、ＩＣチップ上の高集積化、微細化に伴いＩＣチ
ップ上の目標座標に対するレーザー光を照射し誤差の許
容範囲がやや少なくなり、該位置合わせ精度±１〔μｍ
〕程度では、ＩＣチップ上の設計位置と、レーザー光の
照射位置との間に位置ずれを生じ、正確にヒユーズ素子
等を切断することができなくなったり、これにより生産
歩留りの低下を招くという問題がある。

そこで、ＩＣチップ上の位置合わせマークに正確にレー
ザー光学手段の光学座標系を位置合わせする方法の要求
がある。

〔従来技術］ 第９．１０図は、従来例に係る説明図である。

第９図は、従来例のレーザートリミング方法の位置合わ
せ方法に係る説明図である。

図において、１はレーザ光ｉ２．１ａはレーザービーム
　２はレーザー偏向器（ｘｙポジショナ−）３はハーフ
ミラ−１４はステージ、５はステージ駆動手段、６は反
射光強度測定手段、６ａ、６ｂは光検出器、７はＣＰＵ
　（中央演算処理方法）であり、これらにより、半導体
ウェハ８のレーザートリミング方法を構成する。

なお、ｘｙは、レーザー光学手段の光学座標系。

ＸＹは、半導体ウェハ８のＩＣチップ等の位置座種糸で
ある。また、８ａはＰＲＯＭやＰＬＡを形成するＩＣチ
ップ上に設けられた位置合わせマークであり、＾！（ア
ルミニウム）等の金属物体である。

例えば、ＫＣチップ上に設けられたヒユーズ素子等のリ
ンクの加工をする場合、まず、半導体ウェハ８をステー
ジ４に固定し、ステージ−駆動手段５を制御して、被加
工チップの選択をする。このときの位置合わせ精度は約
±１０μｍ程度である。

次に、ＩＣチップ上に設けられた位置あわせマーク８ａ
にレーザービーム１ａをパルス状に照射しながら、該Ｉ
Ｃチップ上にレーザービームｌａを走査する。

次いで、光検出器６ａ、６ｂによりレーザービームｌａ
の反射光を検出し、反射光強度測定手段６により、位置
合わせマーク８ａに対する距離と反射率との関係、例え
ば正規分布曲線から位置合わせマーク８ａの位置座標系
ＸＹの測定をする。

さらに、反射光強度測定手段６から出力されるデータに
基づいて、ＣＰＵ７により位置ずれを補正し、該光学座
標系ｘｙと、位置座標系ＸＹとを一致させている。この
ときの精度は約±ｌｐｍ程度である。

その後、レーザービーム１ａの照射エネルギーを１〔μ
Ｊ〕程度にして、ＦＲＯＭやＰＬＡのヒユーズ素子等の
リンクの加工をしている。

第１０図は、従来例に係る位置合わせ方法の問題点を説
明する図である。

同図は、ＩＣチップの高集積化、微細化に伴い、位置合
わせマーク８ａ上にカバー膜８ｂが覆われた状態に対す
るその反射率の分布曲線と、ＣＰＵ７が見かけ上の位置
座標系Ｘ’、Ｙ’に光学座標系ｘｙを一致させた座標と
、ＩＣチップ上の目標座標（真の位置座標）系ＸＹとの
関係を示す図である。

図において、反射率の分布曲線は正規分布曲線とならず
、左右非対称となる。これはカバー膜８ｂが均等に位置
合わせマーク８ａ上に形成されなかったために生じたも
のである。

９は反射光強度測定手段６がレーザービームｌａの反射
光データより求めた反射光分布の中心位置であり、ＩＣ
チップ上の見かけ上の位置座標系Ｘ’、Ｙ’１７）Ｙ′
軸を示しティる。なお、ＣＰ［Ｊ７は見かけ上の位置座
標系Ｘ’、Ｙ′に光学座標系ｘｙを一致させるご七によ
って、集積回路チップである半導体ウェハの目標座標Ｘ
、Ｙと、レーザートリミング方法の光学座標系ｘｙとの
位置あわせ（同！１Ｊｌ）がとれたものと判断している
。

１０はオフセット量であり、見かけ上の位ｒａ、座標系
Ｘ”、Ｙ′（光学座標系ｘｙ）と、真の位置座標系ＸＹ
との間の位置ずれの度合いを表す平である。

また、レーザービーム１ａがカバー１１’Ｊ８ｂの不均
一から光の干渉や吸収等を原因とする多重反射を起こし
、位置合わせマーク８ａがら反射される反射光のコント
ラストが著しく低下することがある。

〔発明が解決しようとする課題〕

従って、不均一なカバー１１％８ｂの覆われた位置検出
マーク８ａにレーザービーム１ａを照射スると、その反
射率の分布が左右非対称となる。

このため、反射光強度測定手段６よりＣＰＵ７に出力さ
れる波形データが反射率の分布曲線の中心から位置ずれ
を起こしたデータ、すなわち位置合わせマーク８ａの位
置座標系ＸＹと、光学座標Ｍｘｙとの間に常にオフセン
ト量９を生じた波形データか出力される。

従って、ＩＣチップ上の目標位置座標系ｘ１Ｙ、とレー
ザートリミング方法の光学座標ｘ１゜ｙ、との間に常に
オフセラ）１９が加わり、それが位置合わせ誤差となっ
てＦＲＯＭやＰＬＡのヒユーズ素子等のリンク加工をす
る際に、設計位置からオフセット量９だけ、ずれた部分
のヒユーズ素子を切断するという問題がある。

これにより、ＩＣチップのレーザー加工に係る生産歩留
りの低下を招くという問題がある。

本発明は、かかる従来例の問題点に鑑みて創作されたも
のであり、オフセット量を含んだ見がけ上の位置座標系
をレーザー光学手段の光学座標系に一致させることなく
、集積回路チップの真の位置座標系を該光学座標系に正
確に位置合わせすることを可能とする集積回路のレーザ
ートリミング方法の提供を目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の集積回路のレーザートリミング方法は、その原
理図を第１．第２図に、その一実施例を第３〜８図に示
すように、 第１の方法としては、予め、集積回路チップ１４に、レ
ーザービーム１１ａの照射位置を検出する位置検出手段
１２と、該検出手段１２に接続される引き出し電極１３
ａ、１３ｂを形成し、前記位置検出手段１２にレーザー
ビーム１１ａを照射し、前記引き出し電極１３ａ、１３
ｂに現れる検出量から、レーザー光学手段１１の光学座
標系ｘ、ｙと、前記集積回路チップ１４の位置座標系Ｘ
、Ｙとの位置ずれを検出し、少なくとも、前記レーザー
光学手段１１の光学座標系（ｘ、ｙ）を補正することを
特徴とし、 前記位置検出手段１２が受光素子１２ａであり、該受光
素子１２ａから出力される電位差Ｖを検出し、該電位差
が最大となるレーザービーム１１ａの照射位置を検出す
ることを特徴とし、また、前記位置検出手段１２が抵抗
素子１２ｂであり、該抵抗素子１２ｂから得られる抵抗
値Ｒ＋＋、Ｒｔ＋、Ｒｓ＋及びＲ１１の変化量により、
レーザービームの１１ａの照射位置を検出することを特
徴とし、 さらに、位置検出手段１２がリンク列状に形成された抵
抗素子１２ｃであり、該抵抗素子１２ｃから得られる抵
抗値Ｒ３の変化量により、レーザービーム１１ａの照射
位置を検出することを特徴とし、 第２の方法としては、予め、集積回路チップ２４に形成
され、レーザービーム２１ａの反射をさせる位置検出手
段２２にレーザービーム２１ａを照射し、該レーザービ
ーム２１ａの反射光２１ｅを検出し、レーザー光学手段
２１の光学座標系（ｘ、ｙ）との位置ずれを検知し、両
座種糸（ｘ。

ｙ、Ｘ、Ｙ）の位置ずれの補正をする集積回路のレーザ
ートリミング方法において、前記位置検出手段２２がピ
ッチＡのリンク列状に形成され、前記レーザービーム２
１ａがピッチＢにより該位置検出手段２２にパルス状に
照射されることを特徴とし、上記目的を達成する。

（作用） 本発明の第１の方法によれば、引き出し電極１３ａ、１
３ｂに現れる検出量からレーザー光学手段１１の光学座
標系ｘｙと、集積回路チップ１４の一座種糸Ｘ、　Ｙと
の位置ずれを検出している。

このため、例えば、受光素子１２ａから出力される電位
差■が最大となるようにレーザー光学手段１１を制御し
たり、また予め抵抗比と位置ずれとの関係を記憶した校
正データに基づいて、薄膜抵抗素子１２ｂから得られる
抵抗値の変化を解析することにより正確に認知すること
ができる。また、リンク列状に形成された抵抗素子１２
ｃから得られる抵抗（ｊ！Ｒｉの変化により、レーザー
ビーム１１ａの照射位置、すなわち見かけ状の位置座標
系Ｘ’、Ｙ”を正確に認知することができる。

これにより、オフセット量を補正して、半導体ウェハ１
４の位置座標系Ｘ、Ｙと、レーザー光学座標とを高精度
に一致させることができ、ＩＣチンプ上の加工目標位置
にレーザービーム１１ａを正確に照射することが可能と
なる。したがってＰＲＯＭやＰＬＡ等のヒユーズ素子な
どを高精度に切断加工等をすることが可能となる。

また、第２の方法によれば、ピッチＡのリンク列状に形
成された位置検出手段２２に、ピッチＢのレーザービー
ム２１ａが照射され、その反射光を検出している。

このため、本尺と副尺の原理により、必ず−っの光吸収
物体２２ａにレーザービーム２１ａの照射位置が合致す
る。したがって、予め、半導体ウェハ２４のｔＣチップ
に設けられた光吸収物体２２ａの位置座標系Ｘ、Ｙから
レーザービーム２１ａの照射位置までの位置ずれを検知
することができる。また、第１の方法に比べて第２の方
法によれば、引き出し電極１３ａや１３ｂに現れる検出
量をブロービング針等により接触させて検出するという
作業を省略することが可能となる。

これにより、第１の方法と同様に、ＩＣチップ上の加工
目標位置にレーザービーム２１ａを正確に照射すること
ができ、高精度の切断加工等をすることが可能となる。

〔実施例〕

次に図を参照しながら本発明の実施例について説明する
。

第３〜８図は、本発明の実施例に係る集積回路のレーザ
ートリミング方法を説明する図であり、第３図（ａ）、
（ｂ）は、本発明の第１の実施例のｆｔｓ　ｌ’を回路
のレーザートリミング方法に係る説明図を示している。

図において、１１ａは波長１０１０５０（ｎ程度。

照射径５〔μｍ〕程度のレーザービーム、１１ｂはレー
ザービーム１１ａを発生する半導体レーザー等のレーザ
ー光源１．１１　ｃはレーザービーム１１ａをＩＣチッ
プ上に走査（可動範囲は２０ｍｓｉＸ２０ｍｍ程度）を
するレーザー偏向器（ｘｙボジシゴナー）であり、これ
によりレーザー光学手段１１を形成する。

１２ａはフォトダイオード等の受光素子であり、レーザ
ービーム１１ａの照射位置を検出する位置検出手段１２
の一実施例である。なお、フォトダイオード１２ａは、
予め半導体ウェハ１４のＩＣチップ毎に、２〜３個設け
られ、他のトランジスタ素子や抵抗素子と同様に、不純
物を拡散して形成されたｐｎ接合素子である。

また、１３ａ、１３ｂは＾１等からなる引き出し電極で
あり、ｐｎ接合素子のそれぞれの領域に接続されている
。

１９はスリットであり、引き出し電極１３ａ。

１３ｂ間の間隙であり、半導体ウェハ１４の目標位置座
標の一部となる。また、スリット１９はｐｎ接合部にレ
ーザービーム１１ａを透過させるｊｊ域でもある。なお
、スリット１９の間隔はレーザー−ビーム照射位置の精
度に関係し、本実施例ではその間隔を５〔μｍ〕として
いる。

１４は集積回路チップであり、拡散済みの半導体ウェハ
である。なお、半導体ウェハ１４はＰＲＯＭ（書き込み
可能読出専用メモリ）やマスクＰＬＡ（書き込み可能論
理セルアレイ）等が形成された複数のＩＣチップからな
り、ＦＲＯＭやマスクＰＬＡにおいて、ヒユーズ素子が
多数段けられ、その論理構成を固定するため、レーザー
ビーム１１ａにより設計パターンにしたがってヒユーズ
素子の切断加工がされるものである。

１５はＣＰＵ　（中央演算処理方法）であり、引き出し
電極１３ａ、１３ｂに現れる電位差■が最大となるよう
にレーザー偏向器１１ｃをフィードバック制御し、レー
ザービーム１１ａをスリット１９に位置合わせをする機
能を有している。

１６はステージであり、半導体ウェハ１４を固定する機
能を存している。１７はステージ移動手段であり、レー
ザ光学手段１１に対して、ステージ１６をＩＣチップの
選択等の大まかな位置合わせすることができる。このと
きの位置合わせ精度は±１０（μｍ）程度である。

１８ａ、１８ｂはブロービング針であり、引き出し電極
１３ａ、１３ｂに現れる光起電力等の電位差を測定する
ものである。

これらにより、本発明の実施例の集積回路のレーザート
リミング方法に係るレーザートリミング方法を構成する
。

同図（ｂ）は、フォトダイオード１２ａの引き出し電極
１３ａ、１３ｂの上面を模式化した図である。

図において、まず照射エネルギー０．１（７ｚＪ）程度
のレーザービーム１１ａをフォトダイオード１２ａ上に
走査し、ブロービング針１８ａ、１８ｂを引き出し電極
１３ａ、１３ｂに接触させ、その電位差Ｖを測定する。

このとき、電位差Ｖが最大になるように、ＣＰＵ１５が
レーザー偏向器が１１ｃをフィードバック制御ｎシ、間
隔５〔μｍ〕程度のスリット１９に、照射径５〔μｍ］
程度のレーザービーム１１ａを一致させる。

ここで、例えば−次元的ににＸ軸方向の位置合わせをし
、さらにＩＣチップ内に設けた他のフォトダイオード１
２ａを用いて二次元的にＹ軸方向の位置合わせをする。

これにより、半導体ウェハ１４の位置座標系Ｘ。

Ｙとレーザー光学手段の光学座標系ｘ、ｙとを精度良く
位置合わせすることができる。

第４図は、第２の実施例の集積回路のレーザートリミン
グ方法に係る構成図である。

図において、第１の実施例と同じ符号のものは、同じ機
能を有しているので、説明を省略する。ここで、第１の
実施例と異なるのは、第２のレーザービーム１１ａの照
射位置を検出する検出手段１２に薄膜抵抗素子１２ｂを
用いるものである。

なお、薄膜抵抗素子１２ｂは、予め半導体ウェハ１４の
【Ｃチップ毎に複数設けられ、他のトランジスタ素子や
ヒユーズ素子等と同様に形成される。さらに、カバー膜
１４ａが薄膜抵抗素子１２ｂ上に覆われていてもレーザ
ービーム１１ａの照射位置の検出には支障はない。

第５図（ａ）〜＜ｃ＞は、本発明の第２の実施例に係る
位置検出手段の説明図であり、同図（ａ）は薄膜抵抗素
子１２ｂ、それに接続される引き出し電極１３ａ〜１３
ｄの上面を模式化した図である。

図において、１２ｂはポリＳｉ膜等からなる薄膜抵抗素
子であり、四角形状に形成された各辺または対角線に引
き出し電極１３ａ　＝　１３がそれぞれ接続されている
。

引き出し電極１３ａ−１３ｄは、Ａ！またはＡ１合金等
からなる電極である。なお、引き出し電極＋３ａ〜１３
ｄに現れる抵抗値は、プロービング針１８ａ−１８ｄを
介してＣＰ　ｔＪ　ｌ　５　ニ出力される。

同図（ｂ）は、薄膜抵抗素子１２ｂの中央に貫通した開
口部２０が在る場合（状態）の各対角線間に現れる抵抗
値を示している。

図において、四角形状の薄膜抵抗素子１２ｂが均等物質
により形成されている場合において、例えばレーザービ
ーム１１ａをその中央部分に照射されたと仮定し、そこ
に開口部２０を生じたとすれば、各対角線間に現れる抵
抗値Ｒ＋　、Ｒｚ　、ＲｉおよびＲ４は、Ｒ１−Ｒ２＝
Ｒ，＝’Ｒ＝　となる。

この場合は、半導体ウェハ１４の、座標系Ｘ、　　Ｙと
、レーザー光学手段の光学座標系ｘ、ｙとが一致した状
態となる。

同図（ｂ）は、薄膜抵抗素子１２ａの中央からずれた位
置に開口部２０がある状態の各対角線間に現れる抵抗値
を示している。

図において、２０ａは、例えばレーザービーム１１ａを
その中央部分に１．ｑ射することができずに、中央から
刈れた位置に照射された結果化じた開口部である。この
とき、各対角線間に現れる抵抗値は、Ｒ１１＞Ｒ３４１
Ｒ−＋’ｉＲｚ＋となる。

これらの抵抗値Ｒ８とＲ３１との比や、Ｒ４１とＲ２１
との比を測定し、予め抵抗比と、位置すれとの関係を校
正データとして、ＣＰＵ１５等のテーブルメモリに記憶
させておき、真の位置座標系Ｘ。

Ｙから見かけ上の位置座標系Ｘ’、Ｙ′への位置ずれ距
離を推定する。

これによりオフセット夛を演算して、レーザー偏向器１
１ｃの偏向データを補正し、？導体ウェハ１４の位置座
標系Ｘ、Ｙと、レーザー光学手段の光学座標系に、Ｖと
を一致させる。

なお、引き出し雪掻間１３ａ〜１３ｄの抵抗値は、−辺
ずつの抵抗測定法、対角の抵抗測定法４端子測定法等に
より得ることができる。

第６図は、本発明の第３の実施例の集積回路のレーザー
トリミング方法に係る構成図である。

図において、第１の実施例と同じ符号のものは、同じ機
能を有しているの出説明を省略する。ここで第１．２の
実施例と異なるのは、第３の実施例では、レーザービー
ム１１ａの照射位置を検出する検出手段１２にリンク列
状に形成された薄膜抵抗素子を用いるものである。

なお、リンク列状の薄膜抵抗素子１２ｃは予め半導体ウ
ェハ１４のＩＣチップ毎に複数設けられ、他のトランジ
スタ素子やヒユーズ素子等と同様に形成される。さらに
、カバー膜１４ａがリンク列状の薄膜抵抗素子１２ｃに
覆われていても、レーザービーム１１ａの照射位置の検
出には支障がない。

第７図（ａ）、（ｂ）は、本発明の第３の実施例に係る
位置検出手段の説明図であり、同図（ａ）はリンク列状
の抵抗素子１２ｃと、それに接続される引き出し電極１
３ａ〜１３ｆの上面を模式化した図を示している。

図において、１２ｃは幅約３〜５〔μｍ〕程度のポリＳ
ｉ膜をライン状に５〜１０本程度並べたリンク列状の抵
抗素子であり、各抵抗素子の一端は共通線に接続され、
引き出し？ｉ！極１３ｇに至る。

なお、各抵抗素子の抵抗値Ｒｉは、各引き出し電極１３
ａ〜＋３ｂと共通線に接続された引き出し電極１３ｇと
の間にブロービング針１８ａ１８ｂを接触させることに
より測定する。

同図（ｂ）は、リンク列状の抵抗素子１２ｃと、１１ａ
の照射間隔との関係を示す図である。

図において、リンク列状の抵抗素子１２１〜１２６は、
ピッチＡによりＩＣチップ内に形成される。またレーザ
ービーム１１ａは、ピッチＢによりパルス状にリンク列
状の抵抗素子１２１〜１２６上に照射される。なお、照
射エネルギーは、Ｉ　ＣｔｔＪ）程度である。

ここで、ピッチＡとピッチＢとは、ＡｑｂＢの関係から
本尺と副尺の原理により、照射径約５［μｍ］程度のレ
ーザービーム１１ａが幅約３〜５〔μｍ〕程度の抵抗素
子１２ｃのいずれか１つに照射される。なお、位置ずれ
なく照射された抵抗素子１２４は、穴が開いたり、また
は切断され、もしくは光起電力が発生して他の抵抗素子
に比べて引き出し電極１３ｄおよび１３ｇに現れる抵抗
（直Ｒｉが増減する。

これにより、予め半導体ウェハ１４の抵抗素子１２６の
位置座標から、レーザービーム１１ａの照射位置を検出
することができる。

このようにして、第１．２および３の実施例によれば、
引き出し電極１３ａ−１３ｇに現れる検出電からレーザ
ー偏向器１１ａの光学座標系ｘｙと、集積回路チップ１
４の位置座標系ＸＹとの位置ずれを検知している。

このため、例えば、フォトダイオードｔ２ａから出力さ
れる電位差■が最大となるようにレーザー光学手段１１
を制御したり、また予め抵抗比と位置すれとの関係を記
憶した校正データに基づいて、薄膜抵抗素子１２ｂから
得られる抵抗値Ｒ。

〜Ｒ４の変化を解析することにより、さらにリンク列状
に形成された抵抗素子１２ｃから得られる抵抗４ｆｉＲ
＋　の変化により、レーザービーム１１ａの照射位置、
すなわち見かけ状の位置座標系Ｘ′Ｙ′を正確に認知す
ることができる。

これにより、オフセント量を補正して、半導体ウェハ１
４の位置座標系Ｘ、Ｙと、レーザー光学座標とを高精度
に一致させることができ、ＩＣチップ上の加工目標位置
にレーザービームｆｌａを正確に照射することが可能と
なる。したがってＰＲＯＭやＰＬＡ等のヒユーズ素子な
どを高精度に切断加工等をすることが可能となる。

第８図（ａ）、（ｂ）は、本発明の第４の実施例の集積
回路のレーザートリミング方法に係る説明図であり、同
図（ａ）は、レーザートリミング方法の構成図を示して
いる。

回において、２１ａはレーザービーム、２１ｂはレーザ
ー光源、２１ｃはレーザー偏向器、２６はステージ移動
手段、２７はステージである。なお、これらの機能は第
１の実施例と同様であるので、説明を省略する。また、
２１ｄはハーフミラ２１ｅはレーザービーム２１ａの反
射光。

２８ａ、２８ｂは該反射光２１ｅを検出する受光素子等
の光検出器、２３は反射光２１ｅの光強度を測定する反
射光強度測定手段である。

さらに、２２ａは位置検出手段２２の一実施例であり、
本発明によれば、光を吸収するリンク形状の光吸収物体
である。なお、位置検出手段２２は光を反射する反射物
体であってもよい。

同図（ｂ）は、リンク形状の光吸収物体２２ａの上面を
模式化した図である。

図において、リンク列状の光吸収物体２２ａはライン状
に５〜ｌＯ本程度並べてピッチ八により半導体ウェハ２
４のＩＣチップに設けられ、各光吸収物体の位置座標は
明確にされている。

ここで、レーザービーム２１ａはパルス状にかつピッチ
已によりリンク列状の光、吸収体２２ａに照射される。

なお、ピッチＡと、ピッチＢとは第３の実施例のように
Δ≠Ｂの関係から本尺と副尺の原理により光吸収物体２
２ａのいずれか１つに照射することができる。このとき
のレーザービーム２２ａの照射エネルギーは、０．ｌ［
μ３１程度である。

図において、縦軸は反射光強度を示し、横軸は、レーザ
ービーム２１ａの照射位置を示している。

また、同特性図はレーザービーム２１ａの照射位置毎に
、反射光の分布曲線を表示したものである。

ここで反射強度が一番小さい光吸収物体２２ａの位置を
レーザービーム２２ａの照射位置であると判断すること
ができる。

これにより、半導体ウェハ２４のＩＣチップの位置座標
系Ｘ、　Ｙと、見かけ上の位置座標Ｘ。

Ｙｏとの位置ずれを検知することができる。

このようにして、ピッチへのリンク状に形成された光吸
収物体２２ａに、ピッチＢのレーザービーム２１ａがパ
ルス状ｇ照射され、その反射光を検出している。

このため、本尺と副尺の原理により、必ず一つの光吸収
物体２２ａにレーザービーム２１ａの照射位置が合致す
る。従って、予め半導体ウェハ２４のＩＣチップに設け
られた光レーザ−ビーム２１ａの照射位置まで吸収物体
２２ａの位置座標Ｘ、Ｙからの位置ずれを検知すること
ができる。

また第１．２及び第３の実施例に比べて第４の実施例に
よれば、引き出し電極１３８〜１３ｇに現れる。電位差
Ｖや抵抗値Ｒ１〜Ｒ，，Ｒｉの検出珊をブロービング針
１８ａ〜１８ｄ等により接触させて検出するという作業
を省略することが可能となる。

これにより、第１の２及び３の実施例と同様に、ＩＣチ
ップ上の加工座標位置に高精度の切断加工等をすること
が可能となる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明によれば、位置検出手段上の
カバー膜の影響を受けることなく、集積回路チップの位
置座標系からレーザービームの照射位置までの位置ずれ
をオフセラ＋−ｉとして検知することができる。

このため集積回路チップの位置座標系とオフセットｉｔ
が補正された該光学座標系とを位置合わせ精度±０．１
［８ｍ１程度に一致させることが可能となる。

これにより、高精度のレーザー加工をすることができ、
半導体方法の生産歩留りを向上させることが可能となる
。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の第１の集積回路のレーザートリミン
グ方法に係る原理図、 第２図は、本発明の第２の集積回路のレーザートリミン
グ方法に係る原理図、 第３図（ａ）、（ｂ）は、本発明の第１の実施例の集積
回路のレーザートリミング方法に係る説明図、 第４図は、本発明の第２の実施例の集積回路のレーザー
トリミング方法に係る構成図、第５図（ａ）、（ｂ）、
（Ｃ）は、本発明の第２の実施例に係る位置検出手段の
説明図、第６図は、本発明の第３の実施例の集積回路の
レーザートリミング方法に係る構成図、第７図（ａ）、
（ｂ）は、本発明の第３の実施例に係る位置検出手段の
説明図、 第８図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、本発明の第４の実施
例の集積回路のレーザートリミング方法に係る説明図、 第９図は、従来例のレーザートリミング方法の位置合わ
せ方法に係る説明図、 第１０図は、従来例に係る位置合わせ方法の問題点を説
明する図である。 〔符号の説明〕 １１．２１・・・レーザー光学手段、 １２．２２・・・位置検出手段、 １３ａ、１３ｇ・・・引き出し電極、 ８．１４．２４・・・集積回路チップ（半導体ウェハ）
、？、１５．２５・・・制御手段（ＣＰＵ）ｌａ、１１
ａ、２１ａ−・・レーザービーム、６．２３・・・反射
光検出手段（反射光強度測定手段）、２２ｅ・・・反射
光、 １．１１ｂ、２１ｂ・・・レーザー光源、２、１１ｃ、
２１ｃｍ・・レーザー偏向Ｈ（ｘｙポジショナ−）、 １２ａ・・・フォトダイオード、 １２ｂ・・・薄膜抵抗素子、 １２ｃ・・・リンク列状の抵抗素子、 ４　１６　２６・・・ステージ、 ５．１７．２７・・・ステージ駆動手段、１８ａ〜１８
ｄ・・・ブロービング針、１９・・・スリット、 ８ｂ、１４ａ・・・カバー膜、 ２０．２０ａ・・・開口部、 ３．２１ｄ・・・ハーフミラ− ６ａ、６ｂ、２８ａ、２８ｂ−光検出器、８ａ・・・位
置合わせマーク、 ９・・・中心位置、 １０・・・オフセット量、 Ａ、Ｂ・・・ピンチ、 Ｘ７・・・光学座標系、 Ｘ、　Ｙ・・・位置座標系（真の位ｌ座標系）、ｘ’、
ｙ′・・・見かけ状の位置座標系、Ｖ・・・電位差、 Ｒ２−Ｒ４、Ｒ０〜Ｒ４１１Ｒｉ・・・抵抗値。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）集積回路チップ（１４）上に、レーザービーム（
   １１ａ）の照射位置を検出する位置検出手段（１２）と
   、該検出手段（１２）に接続される引き出し電極（１３
   ａ、１３ｂ）を形成し、 前記位置検出手段（１２）にレーザービーム（１１ａ）
   を照射し、 前記引き出し電極（１３ａ、１３ｂ）に現れる検出量か
   ら、レーザー光学手段（１１）の光学座標系（ｘ、ｙ）
   と、前記集積回路チップ（１４）の位置座標系（Ｘ、Ｙ
   ）との位置ずれを検出し、少なくとも、前記レーザー光
   学手段（１１）の光学座標系（ｘ、ｙ）を補正してトリ
   ミング対象にレーザー照射をすることを特徴とする集積
   回路のレーザートリミング方法。
2. （２）前記請求項１記載の位置検出手段１２が受光素子
   （１２ａ）であり、該受光素子（１２ａ）から出力され
   る電位差（Ｖ）を検出し、該電位差が最大となるレーザ
   ービーム（１１ａ）の照射位置を検出することを特徴と
   する集積回路のレーザートリミング方法。
3. （３）前記請求項１記載の位置検出手段（１２）が抵抗
   素子（１２ｂ）であり、該抵抗素子（１２ｂ）から得ら
   れる抵抗値（Ｒ＿１＿１、Ｒ＿２＿１、Ｒ＿３＿１及び
   Ｒ＿４＿１）の変化量により、レーザービームの（１１
   ａ）の照射位置を検出することを特徴とする集積回路の
   レーザートリミング方法。
4. （４）前記請求項１記載の位置検出手段（１２）がリン
   ク列状に形成された抵抗素子（１２ｃ）であり、該抵抗
   素子（１２ｃ）から得られる抵抗値（Ｒ＿ａ）の変化量
   により、レーザービーム（１１ａ）の照射位置を検出す
   ることを特徴とする集積回路のレーザートリミング方法
   。
5. （５）予め、集積回路チップ（２４）に形成され、レー
   ザービーム（２１ａ）の反射をさせる位置検出手段（２
   ２）にレーザービーム（２１ａ）を照射し、該レーザー
   ビーム（２１ａ）の反射光（２１ｅ）を検出し、レーザ
   ー光学手段（２１）の光学座標系（ｘ、ｙ）との位置ず
   れを検知し、両座標系（ｘ、ｙ、Ｘ、Ｙ）の位置ずれの
   補正をする集積回路のレーザートリミング方法において
   、前記位置検出手段（２２）がピッチＡのリンク列状に
   形成され、前記レーザービーム（２１ａ）がピッチＢに
   より該位置検出手段（２２）にパルス状に照射されるこ
   とを特徴とする集積回路のレーザートリミング方法。