JPH02117183A - 磁気低抗効果素子 - Google Patents

磁気低抗効果素子

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Publication number
JPH02117183A
JPH02117183A JP63269523A JP26952388A JPH02117183A JP H02117183 A JPH02117183 A JP H02117183A JP 63269523 A JP63269523 A JP 63269523A JP 26952388 A JP26952388 A JP 26952388A JP H02117183 A JPH02117183 A JP H02117183A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
magnetic
width
magnetic field
stripe
detected
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63269523A
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English (en)
Inventor
Hideo Murata
英夫 村田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Proterial Ltd
Original Assignee
Hitachi Metals Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Metals Ltd filed Critical Hitachi Metals Ltd
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Publication of JPH02117183A publication Critical patent/JPH02117183A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 本発明は、磁気エンコーダー、磁気ヘッド、磁気バブル
検出器等に使用され、強磁性磁気抵抗効果を利用して磁
気信号を検出する磁気抵抗効果素子(以下MR素子とい
う)に関するものである。
「従来の技術」 一般に、強磁性磁気抵抗効果を利用する電子部品、例え
ば磁気エンコーダーなどにおいては、その感磁部として
、単層の磁気抵抗効果を有する磁性薄膜をストライプ状
に加工したMR素子を用いている。従来のMR素子は、
第7図に示す様に幅を一定としたストライプ状に加工さ
れており、幅方向(X方向)に検出磁場(Hm )を印
加し、その際に生じる、磁性薄膜両端の端子T、、T2
間の抵抗変化を検知信号としてとらえている。
「発明が解決しようとする課題」 従来のストライプ状のMR素子では、磁界に対する抵抗
の変化が、第8図上部のように小磁界で特に大きな抵抗
値になる。一方、回転する磁気記録媒体の検出磁界の変
化は第8図下部のように正弦波となる。なお、第8図に
おいて、MR素子の感度を表わすHk本(ストライプパ
ターンの異方性磁界)は1反磁界(4πX5−t / 
w )と強磁性体薄膜の異方性磁界(Hk @ )の和
で表わした。ここでtは強磁性体薄膜の膜厚、Wはスト
ライプの幅、Msは磁化である。
前記回転する磁気記録媒体の磁気変化を、ストライブ状
のMR素子で検出すると、第8図の検出抵抗変化と検出
磁界の変化との関係のため、第9図に示す様に高調波成
分を含んだ信号になる。このように高調波成分を含むと
、検出誤差が生じやすく、かつ高分解能化が困難であっ
た。
そこで本発明は、乱れが少なく、かつ高分解能化が可能
な検出信号が得られるMR素子を提供する。
「課題を解決するための手段」 本発明は、MR素子の感度であるHk富を1強磁性体薄
膜より成るストライプ感磁部の幅で変化させたMR素子
である。すなわち、本発明のMR素子は、検出磁場方向
に垂直な方向で異なる幅をもつストライプ感磁部を有す
ることを特徴とする。
ストライプ感磁部は、検出磁場方向に垂直な方向におけ
る中央部から両端部に向って漸次幅広になる形状にする
のが望ましい。
「作用」 上記手段において、MR素子の感度Hkt=  4π*
Ms拳t/w+Hk’の関係から、ストライプ感磁部の
幅狭の部分では、反磁界(4πMst/w)が大きくな
るので検出抵抗が大きくなり、また幅広の部分では、反
磁界が小さくなるので検出抵抗が小さくなる。そのため
検出磁界の各位置の強さに応じてストライプ感磁部の幅
を変化させることにより、高調波成分を少なくさせるこ
とができ、大幅な高分解能化が可能になる。また、スト
ライプ感磁部の幅を、その長手方向の各位置で変化させ
ることにより、正弦波または三角波的な検出信号を発生
させることも可能になる。
「実施例」 本発明のMR素子の第1実施例を第1〜3図により説明
する。
強磁性体の薄膜により、長さ3000 p薦のストライ
プ感磁部1を形成し、そのストライプ感磁部における検
出磁場方向に垂直な方向(長手方向)の両端に端子2a
、2bを設けてMR素子3を作成した。
ストライプ感磁部1は、検出磁場方向に垂直な方向にお
ける中央部から両端部に向って漸次幅広に形成され、本
実施例では、中央部を8終層に、両端部を30JL層と
なるように直線的に幅を変化させた。
このように直線的にストライプ感磁部の幅を変化させた
MR素子の磁界に対する抵抗の変化は、第2図に示す様
に、ある磁界の範囲(±Hs)でほぼ直線的に変化した
。このHsは、強磁性体の性質、膜厚で変化するが、パ
ーマロイ(81旧−18Fe)の400人の薄膜では、
5008程度であった。
上記MR素子を磁気式エンコーダーに使用し、回転体で
ある磁気媒体との空隙であるスペーシングを選定するこ
とにより、検出磁界強度をHs以下になるようにして、
磁気信号を検出した。その場合、検出磁界は第3図上部
°のように正弦波であり、抵抗変化の検出信号は第3図
下部のように高調波成分の少ない正弦波に近い波形にな
った。また、同様の検出により、直線的に変化する検出
磁界に対しては、検出信号が三角波の抵抗変化になった
Φ 次に第2実施例のMR素子を第4〜6図により説明する
。この実施例は、薄膜を第1実施例と同一のものを使用
し、ストライプ感磁部1をひようたん型に形成し、検出
磁場方向に垂直な方向における中央部から両端部に向っ
て曲線状に幅を広く形成した。なお、最小幅を81L■
、最大幅を40p層とした。この実施例のMR素子によ
り、磁界に対する抵抗変化を検出したところ、第5図に
示す様に、第1実施例の場合(第2図)より少し小さな
抵抗値であって曲線状に変化した。
第2実施例のMR素子を使用し、正弦波的に変化する磁
気媒体からの検出磁界に対する抵抗変化を検出した。そ
の結果は、第6図に示す様に、直線的に変化する三角波
的な抵抗変化になった。
r発明の効果」 本発明のMR素子は、ストライプ感磁部の幅を検出磁場
方向に垂直方向の各位置で変化させているので、高調波
成分の少ない正弦波または三角波的な検出信号を得るこ
とができる。また検出信号の波形の乱れも少ないので、
磁気信号検出の大幅な高分解能化が可能になる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のMR素子の斜視図、第2図は本発明の
MR素子の特性図、第3図は本発明のMR素子の検出信
号を示す図、第4図は第2実施例のMR素子の斜視図、
第5図は第2実施例のMR素子の特性図、第6図は第2
実施例のMR素子の検出信号を示す図、第7図は従来の
MR素子の斜視図、第8図は従来のMR素子の特性と検
出磁界とを示す説明図、第9図は従来のMR素子の検出
信号を示す図である。 l;ストライプ感磁部  2a、2b吋端子3、MR素

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)磁気抵抗効果を有する強磁性体薄膜より成る磁気
    抵抗効果素子において、ストライプ感磁部は検出磁場方
    向に垂直な方向の各位置で、異なる幅を有することを特
    徴とする磁気抵抗効果素子。
  2. (2)ストライプ感磁部は、検出磁場方向に垂直な方向
    における中央部から両端部に向って漸次幅広になる形状
    に成したことを特徴とする請求項(1)の磁気抵抗効果
    素子。
JP63269523A 1988-10-27 1988-10-27 磁気低抗効果素子 Pending JPH02117183A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63269523A JPH02117183A (ja) 1988-10-27 1988-10-27 磁気低抗効果素子

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JP63269523A JPH02117183A (ja) 1988-10-27 1988-10-27 磁気低抗効果素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02117183A true JPH02117183A (ja) 1990-05-01

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ID=17473578

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63269523A Pending JPH02117183A (ja) 1988-10-27 1988-10-27 磁気低抗効果素子

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JP (1) JPH02117183A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008100492A (ja) * 2006-09-22 2008-05-01 King Jim Co Ltd 綴込具及びファイリング用具

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2008100492A (ja) * 2006-09-22 2008-05-01 King Jim Co Ltd 綴込具及びファイリング用具

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