JPH02117122A - 電解コンデンサ用陰極材料 - Google Patents
電解コンデンサ用陰極材料Info
- Publication number
- JPH02117122A JPH02117122A JP27140488A JP27140488A JPH02117122A JP H02117122 A JPH02117122 A JP H02117122A JP 27140488 A JP27140488 A JP 27140488A JP 27140488 A JP27140488 A JP 27140488A JP H02117122 A JPH02117122 A JP H02117122A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cathode material
- metallic
- electrolytic condenser
- boride
- capacity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 title claims abstract description 10
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 101000693961 Trachemys scripta 68 kDa serum albumin Proteins 0.000 claims abstract 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 abstract description 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 3
- 229910019742 NbB2 Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 abstract description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 abstract description 2
- 229910016459 AlB2 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- QYEXBYZXHDUPRC-UHFFFAOYSA-N B#[Ti]#B Chemical compound B#[Ti]#B QYEXBYZXHDUPRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910019918 CrB2 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910003862 HfB2 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910004533 TaB2 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910033181 TiB2 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910007948 ZrB2 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- VWZIXVXBCBBRGP-UHFFFAOYSA-N boron;zirconium Chemical compound B#[Zr]#B VWZIXVXBCBBRGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electrolytic Production Of Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、電解コンデンサ用陰極材料に関するもので
ある。
ある。
例えば陽極材料と陰極材料とを隔離材料を介して巻回し
、または積層した電解コンデンサにおいて、その静電容
量を増大させるには、陽極材料のみならず、陰極材料自
体もその増大を図る要因の一つとして挙げられている。
、または積層した電解コンデンサにおいて、その静電容
量を増大させるには、陽極材料のみならず、陰極材料自
体もその増大を図る要因の一つとして挙げられている。
その−例として、アルミニウム箔基材の表面に、不活性
ガス中で蒸着法などにより、チタン皮膜などの金属皮膜
を形成したものが知られている(特開昭59−1670
09号公報、同62−58609号公報)。
ガス中で蒸着法などにより、チタン皮膜などの金属皮膜
を形成したものが知られている(特開昭59−1670
09号公報、同62−58609号公報)。
金属基材にチタンを蒸着することは金属基体表面の高倍
率化として有効であるが、チタン皮膜は自然酸化の進行
が著しく速い。すなわち、初期の静電容量は大きいが、
経時的に容量が小さくなるため、作りだめしておくこと
が困難であった。また、実使用上の必要容量を得るため
には、比較的厚いチタン皮膜を予め蒸着しておく必要が
あり、コスト高になってしまう。
率化として有効であるが、チタン皮膜は自然酸化の進行
が著しく速い。すなわち、初期の静電容量は大きいが、
経時的に容量が小さくなるため、作りだめしておくこと
が困難であった。また、実使用上の必要容量を得るため
には、比較的厚いチタン皮膜を予め蒸着しておく必要が
あり、コスト高になってしまう。
この発明は上記従来の事情に鑑みなされたもので、その
目的は、静電容量が大きく、しかも信頼性の高い電解コ
ンデンサ用の陰極材料を提供することにある。
目的は、静電容量が大きく、しかも信頼性の高い電解コ
ンデンサ用の陰極材料を提供することにある。
上記目的を達成するため、この発明においては、好まし
くは予め粗面化されたアルミニウム箔からなる金属基材
の表面に、金属硼化物(AIB、、TiB、、ZrB、
、HfB、、、ThB、、VBat NbB2.TaB
、またはCr B、)の蒸着皮膜を形成したことを特徴
としている。
くは予め粗面化されたアルミニウム箔からなる金属基材
の表面に、金属硼化物(AIB、、TiB、、ZrB、
、HfB、、、ThB、、VBat NbB2.TaB
、またはCr B、)の蒸着皮膜を形成したことを特徴
としている。
金属硼化物は、一部の例外を除き不活性であるため、自
然放置での容量低下がきわめて小さいとともに、電解液
との反応性が抑えられる。したがって、静電容量が大き
く、しかも信頼性の高い電解コンデンサが得られる。
然放置での容量低下がきわめて小さいとともに、電解液
との反応性が抑えられる。したがって、静電容量が大き
く、しかも信頼性の高い電解コンデンサが得られる。
以下、この発明の実施例を比較例とともに説明する。
(実施例) 10”−”Torrのアルゴンガス雰囲気
中において、予め粗面化された厚さ20μmのアルミニ
ウム箔の表面に、硼化チタン(T i B2)を厚さ1
000人まで蒸着した。この時の初期容量は、280μ
F/−であり、大気中に放置してもこの容量レベルが維
持された。
中において、予め粗面化された厚さ20μmのアルミニ
ウム箔の表面に、硼化チタン(T i B2)を厚さ1
000人まで蒸着した。この時の初期容量は、280μ
F/−であり、大気中に放置してもこの容量レベルが維
持された。
〈比較例) 1O−3Torrのアルゴンガス雰囲気中
において、予め粗面化された厚さ20μmのアルミニウ
ム箔の表面に、チタン(Ti)を厚さ1000人まで蒸
着した。初期容量はおおよそ30hF/cJを示すが、
大気中放置により、容量は徐々に下がり、50日後には
約200p)’/aJまで低下した。
において、予め粗面化された厚さ20μmのアルミニウ
ム箔の表面に、チタン(Ti)を厚さ1000人まで蒸
着した。初期容量はおおよそ30hF/cJを示すが、
大気中放置により、容量は徐々に下がり、50日後には
約200p)’/aJまで低下した。
なお、参考までに第1図に上記実施例と比較例の静電容
量−放置日数のグラフを示す。
量−放置日数のグラフを示す。
第1図はこの発明の実施例と比較例の静電容量−放置日
数の関係を示したグラフである。 特許出願人 エルナー株式会社
数の関係を示したグラフである。 特許出願人 エルナー株式会社
Claims (4)
- (1)金属基材の表面に金属硼化物の蒸着皮膜を形成し
たことを特徴とする電解コンデンサ用陰極材料。 - (2)上記金属基材の表面は予め粗面化されている請求
項1記載の電解コンデンサ用陰極材料。 - (3)上記金属基材は粗面化されたアルミニウム箔であ
る請求項1または2記載の電解コンデンサ用陰極材料。 - (4)上記金属硼化物は、AlB_2,TiB_2,Z
rB_2,HfB_2,ThB_2,VB_2,NbB
_2,TaB_2またはCrB_2のいずれかからなる
請求項1記載の電解コンデンサ用陰極材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27140488A JPH02117122A (ja) | 1988-10-27 | 1988-10-27 | 電解コンデンサ用陰極材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27140488A JPH02117122A (ja) | 1988-10-27 | 1988-10-27 | 電解コンデンサ用陰極材料 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02117122A true JPH02117122A (ja) | 1990-05-01 |
Family
ID=17499584
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27140488A Pending JPH02117122A (ja) | 1988-10-27 | 1988-10-27 | 電解コンデンサ用陰極材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02117122A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0808507A4 (en) * | 1994-12-12 | 1998-10-07 | T J Technologies Inc | NITRIDE, CARBIDE AND BORID ELECTRODES WITH HIGH SPECIFIC SURFACE AND MANUFACTURING PROCESS |
JP2006108170A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサ |
-
1988
- 1988-10-27 JP JP27140488A patent/JPH02117122A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0808507A4 (en) * | 1994-12-12 | 1998-10-07 | T J Technologies Inc | NITRIDE, CARBIDE AND BORID ELECTRODES WITH HIGH SPECIFIC SURFACE AND MANUFACTURING PROCESS |
JP2006108170A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサ |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1005260A3 (en) | Formation of thin film capacitors | |
EP0915178A3 (en) | Sputtering target of highly purified titanium | |
JPH02117122A (ja) | 電解コンデンサ用陰極材料 | |
JPH11503567A (ja) | 酸素に対する炭化ケイ素表面の不活性化方法 | |
JPH02117123A (ja) | 電解コンデンサ用陰極材料 | |
US7709082B2 (en) | Electrodes, printing plate precursors and other articles including multi-strata porous coatings, and method for their manufacture | |
EP0766302A3 (en) | Process for fabricating a CVD aluminium layer in a semiconductor device | |
JPH0461109A (ja) | 電解コンデンサ用陰極材料 | |
JPS6353688B2 (ja) | ||
JPS588640B2 (ja) | スピ−カ−シンドウバンノセイゾウホウ | |
JPH02280310A (ja) | 電解コンデンサ用電極材料の製造方法 | |
US4963394A (en) | Method for producing thin metal films by vapor-deposition | |
CN114959575A (zh) | 一种薄膜传感器用绝缘耐磨防护涂层、制备方法及其应用 | |
JPS61214420A (ja) | 電解コンデンサ用陰極材料 | |
JP3155750B2 (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム電極の製造方法 | |
JP2546622B2 (ja) | 複合混合多層膜 | |
JP2000248356A (ja) | 低膜応力二酸化ケイ素膜の製造方法 | |
JP2532901B2 (ja) | 高反射フイルム | |
JPH0610335B2 (ja) | 耐熱性に優れたアルミニウムめつき鋼板 | |
JP3236636B2 (ja) | ステンレス鋼基材の表面に硬質化合物膜を被覆する方法 | |
IT1226029B (it) | Processo per preparare sotto vuoto un rivestimento metallico poroso sulla superficie di un substrato e fabbricazione di un condensatore elettrolitico | |
JP3548583B2 (ja) | 電極箔 | |
JP3796694B2 (ja) | 金属蒸着プラスチック基材およびその製造方法 | |
JPS63255910A (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム電極材料の製造方法 | |
JPH03232530A (ja) | 内部拡散薄膜型ゲッター材料 |