JPH02116704A - 欠陥検査方法 - Google Patents

欠陥検査方法

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JPH02116704A
JPH02116704A JP27020488A JP27020488A JPH02116704A JP H02116704 A JPH02116704 A JP H02116704A JP 27020488 A JP27020488 A JP 27020488A JP 27020488 A JP27020488 A JP 27020488A JP H02116704 A JPH02116704 A JP H02116704A
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JP
Japan
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defect
signal
image
inspected
laser light
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Application number
JP27020488A
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English (en)
Inventor
Shigeki Terada
茂樹 寺田
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、レーザ光を利用した欠陥検査方法に関する。
(従来の技術) 第5図は欠陥検査装置の構成図であって、被検査体1と
し液晶デイスプレィに使用される電気回路をバターニン
グしたガラス基板(通称、ガラスパネルと称される)の
欠陥を検査するものである。この被検査体1はXYテー
ブル2上に載置されてXテーブル3及びYテーブル4に
よりXY平面上を移動するようなっている。なお、Xテ
ーブル3及びYテーブル4はそれぞれテーブルコントロ
ーラ5からの制御信号より駆動するものとなっている。
一方、He−Neレーザ発振器(以下、レーザ発振器と
省略する)6が備えられている。
このレーザ発振器6から出力されるレーザ光6aの光軸
上にはビームエキスパンダ7、ガルバノミラ−8が配置
され、さらにこのガルバノミラ−8で走査されるレーザ
光の光路上には集光レンズ9が配置されている。なお、
ガルバノミラ−8は矢印(イ)方向に振動するものとな
っている。しかるに、レーザ発振器6から出力されたレ
ーザ光6aはビームエキスパンダ7でスポット状に形成
され、ガルバノミラ−8で被検査体1上に走査される。
このとき、集光レンズ9を通ったレーザ光はそのスポッ
ト6a−が絞られて第6図に示すように被検査体1にお
ける絶縁パターン11の幅とほぼ同一に形成される。又
、被検査体1からの反射レーザ光6bの光路上には集光
レンズ12が配置されて反射レーザ光6bがPINフォ
トダイオード等の光センサ13に入射するようになって
いる。しかして、この光センサ13は反射レーザ光6a
の受光量に応じた電気信号を出力し、この電気信号は増
幅器14で増幅されてコンピュータ15に送られている
。そこで、このコンピュータ15は光センサ13からの
電気信号のレベルから被検査体1の欠陥を検出するとと
もにテーブルコントローラ5への位置信号から欠陥位置
を判断する。例えば、第6図に示すように被検査体1上
にレーザ光のスポット6a−を位置Aで走査させた場合
、光センサ13から出力される電気信号は第7図に示す
ように欠陥つまり導体部16.16のオーブン17に相
当するところでレベルが低下しくQl)、ピンホール1
8に相当するところでもレベルが低下(q2)する。又
、レーザ光のスポット6a−を位置Bで走査させた場合
、光センサ13から出力される電気信号は第8図に示す
ように欠陥つまり導体部16.16のショート19に相
当するところでレベルが高<(q3)なっている。従っ
て、コンピュータ15は光センサ13からの電気信号の
レベルQ1.Q2.Q3から欠陥を検出し、かつこのと
きのテーブルコントローラ5への位置信号から欠陥位置
を判断する。
ところが、以上のような検査装置では光センサ13の電
気信号レベルから欠陥を検出しているので、欠陥の種類
、例えば上記のようなオーブン17、ピンホール18及
びショート19の判別ができない。このため、欠陥を修
復する際に欠陥の種類を判別しなければならず、その作
業に手間がかかる問題がある。又、欠陥位置は約0.1
mmの検出精度であり、この検出精度では被検査体1の
自動リペアする場合に十分とは言えない。
(発明が解決しようとする課題) 以上のように欠陥の種類を判別することかできず、さら
にその欠陥位置の検出精度が低いものであった。
そこで本発明は、欠陥の種類を判別することができると
ともにその欠陥位置を高精度に検出でき[発明の構成] (課題を解決するための手段と作用) 本発明は、被検査体にレーザ光を照射し被検査体からの
反射レーザ光の受光量から被検査体上の欠陥位置を検出
し、この後にこの欠陥位置の上方に撮像装置を配置しこ
の撮像装置の撮像により得られる画像データから欠陥の
種類を判別して上記目的を達成しようとする欠陥検査方
法である。
(実施例) 以下、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。なお、第5図と同一部分には同一符号を付してその
詳しい説明は省略する。
第1図は本発明方法を適用した欠陥検出装置の構成図で
ある。被検出体1の上方には顕微鏡2゜を備えた撮像装
置(例えばテレビジョンカメラ)21が配置されている
。この撮像装置21は移動機構22によって被検出体1
の上方でXY平面上を移動するようになっている。そし
て、この撮像装置21から出力される画像信号は処理装
置23のA/D (アナログ/ディジタル)変換器24
でディジタル画像信号に変換されて画像メモリ25に画
像データとして記憶されるようになっている。
ところで、処理装置23は光センサ13からの電気信号
を入力して欠陥の位置を検出し、次にこの欠陥位置の上
方に撮像装置21を配置し、この撮像装置21からの画
像信号で得られる画像ブタから欠陥の種類を判別する機
能を有するものである。具体的には次のような構成とな
っている。
すなわち、主制御部26に前記画像メモリ25、データ
メモリ27、欠陥位置検出部28、欠陥種類判別部29
、入力部30及び各出力部3132が接続されている。
入力部30には光センサ13からの電気信号及びガルバ
ノミラ−8に備えられたパルスエンコーダ(不図示)か
らの回転角(5号Pが人力されるようになっている。又
、−力の出力部31はテーブルコントローラ5へ位置4
6号を送出するものであり、他方の出力部32にはモニ
タテレビジョン33が接続されている。欠陥位置検出部
28は光センサ13からの電気信号しベルから欠陥を検
出し、かつテーブルコントローラ5への位置信号及びパ
ルスエンコーダからの回転位置信号から欠陥位置を判断
する機能を有するものである。又、欠陥種類判別部29
は画像メモリ25に記憶されている画像データに対して
パターンマツチングを行って欠陥種類を判別する機能を
Hするものである。
次に上記の如く構成された装置の作用について説明する
先ず、欠陥位置が検出される。すなわち、レサ発振器6
からレーザ光6aが出力されると、このレーザ光6aは
ビームエキスパンダ7によりスポット状に形成され、こ
の後ガルバノミラ−8によって被検査体1上に走査され
て照射される。なお、このときレーザ光6aは集光レン
ズ9によってスポットが絞られる。そして、被検査体1
上に11((射されたレーザ光6aは反射レーザ光6b
として集光レンズ12を通って光センサ13に入射する
。この先センサ13は重厚した反射レーザ光6bの受光
量に応じた電気信号を出力し、この電気信号は増幅器]
4で増幅されて処理装置23に送られる。
この処理袋v!t23は光センサ13からの電気信号を
入力部30を通して入力し、ディジタル化してデータメ
モリ27に記憶する。このとき、処理袋rij23はテ
ーブルコントローラ5に送出する位置信号及びガルバノ
ミラ−8に備えられたパルスエンコーダからの回転角信
号Pからレーザ光6aの照射位置を求めて光センサ13
からの電気信号との位置を対応させる。しかるに、欠陥
位置検出部28は上記第7図及び第8図に示すように光
センサ13からの電気信号レベルから欠陥を検出し、さ
らにこの欠陥位置をテーブルコントローラ5に送出する
位置信号及びガルバノミラ−8に備えられたパルスエン
コーダからの回転角信号Pから求める。
次に欠陥種類が判別される。以上のように欠陥位置が検
出されると、主制御部26は移動機構22に対して欠陥
位置の上方に撮像装置21を位置させる位置信号Fを出
力部31を通して送出する。これにより、撮像装置21
は欠陥位置の上方に配置される。このように撮像装置2
1が配置されると、この撮像装置21は顕微v1.20
を通して拡大された欠陥部分を撮像してその画像信号を
出力する。この画像信号はA/D変換器24でディジタ
ル画像信号に変換されて画像メモリ25に画像データと
て記憶される。このとき、主制御部26は画像データを
出力部32を通してモニタテレビジョン33へ送出する
。これによって、モニタテレビジョン33には欠陥部分
の画像が映し出される。一方、欠陥種類判別部29は画
像メモリ25に記憶された画像データに対してパターン
マツチングを行って欠陥種類を判別する。例えば、第2
図に示すような画像データであればピンホールであり、
第3図に示すような画像データであればオーブン、さら
に第4図に示すような画像データであればショートと判
別する。そして、この欠陥種類の判別結果は主制御部2
6によってモニタテレビジョン33に表示出力される。
このように上記一実施例においては、被検査体1にレー
ザ光6aを照射しその反射レーザ光6bの受光量から被
検査体1上の欠陥位置を検出し、この後にこの欠陥位置
の上方に撮像装置21を配置しこの撮像装置21の撮像
により得られる画像データから欠陥種類を判別するよう
にしたので、欠陥位置の検出に加えて欠陥の種類を判別
できる。
そのうえ、検出された欠陥位置のみ撮像装置21で撮像
して欠陥種類を判別するので、高速に欠陥種類を判別で
きる。この場合、レーザ光6aの走査速度を4kHzに
設定すると、被検査体1の大きさが300 X 300
mmの場合30秒で全走査が終了できる。又、画像デー
タから欠陥位置を求めることができ、この場合の位置検
出精度は顕微鏡の倍率を大きくし、欠陥に対する画素の
大きさを相対的に小さくすることにより高くできる。さ
らに、光センサ13からの電気信号レベルから欠陥とし
て検出されたところが、ごみやショートに類似した状で
誤検出したとしても画像データから欠陥か否かが明確に
区別できて欠陥検出の信頼性が向上できる。又、欠陥種
類が判別できるので、欠陥を修正する際の作業が省力化
できる。
なお、本発明は上記一実施例に限定されるものでなくそ
の主旨を逸脱しない範囲で変形してもよい。
[発明の効果] 以上詳記したように本発明によれば、欠陥の21・・・
撮像装置、22・・・移動機構、23・・・処理装置、
25・・・画像メモリ、26・・・主制御部、28・・
・欠陥位置検出部、29・・・欠陥種類判別部、33・
・・モニタテレビジョン。
る。
【図面の簡単な説明】
第1図乃至第4図は本発明に係わる欠陥検査方法の一実
施例を説明するための図であって、第1図は本方法を適
用した欠陥検出装置の構成図、第2図乃至第4図は各欠
陥種類の画像データを示す図、第5図乃至第8図は従来
技術を説明するための図である。 1・・・被検査体、2・・・XY子テーブル5・・・テ
ーブルコントローラ、6・・・レーザ発振器、7・・・
ビームエキスパンダ、8・・・ガルバノミラ−9,12
・・・集光レンズ、13・・・光センサ、20・・・顕
微鏡、出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第2図 第3図 第4図 第6図 第7図 第8図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 被検査体にレーザ光を照射し前記被検査体からの反射レ
    ーザ光の受光量から前記被検査体上の欠陥位置を検出し
    、この後にこの欠陥位置の上方に撮像装置を配置しこの
    撮像装置の撮像により得られる画像データから前記欠陥
    の種類を判別することを特徴とする欠陥検査方法。
JP27020488A 1988-10-26 1988-10-26 欠陥検査方法 Pending JPH02116704A (ja)

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JP27020488A JPH02116704A (ja) 1988-10-26 1988-10-26 欠陥検査方法

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JPH02116704A true JPH02116704A (ja) 1990-05-01

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015003966A1 (de) 2013-07-09 2015-01-15 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Verfahren zur herstellung eines spiegelsubstrat-rohlings aus titan-dotiertem kieselglas für die euv-lithographie, sowie system zur positionsbestimmung von defekten in einem rohling

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015003966A1 (de) 2013-07-09 2015-01-15 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Verfahren zur herstellung eines spiegelsubstrat-rohlings aus titan-dotiertem kieselglas für die euv-lithographie, sowie system zur positionsbestimmung von defekten in einem rohling
US10016872B2 (en) 2013-07-09 2018-07-10 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Method for producing a mirror substrate blank of titanium-doped silica glass for EUV lithography, and system for determining the position of defects in a blank

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