JPH02113502A - Film resistance of integrated circuit - Google Patents

Film resistance of integrated circuit

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Publication number
JPH02113502A
JPH02113502A JP63266570A JP26657088A JPH02113502A JP H02113502 A JPH02113502 A JP H02113502A JP 63266570 A JP63266570 A JP 63266570A JP 26657088 A JP26657088 A JP 26657088A JP H02113502 A JPH02113502 A JP H02113502A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
trimming
resistance value
pattern
stop
start position
Prior art date
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Pending
Application number
JP63266570A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Mamoru Kunihira
国平 守
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP63266570A priority Critical patent/JPH02113502A/en
Publication of JPH02113502A publication Critical patent/JPH02113502A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To enable high precision trimming by providing trimming start position aligning and stop position aligning patterns integrally with a resistance value adjusting patterns and supplying trimming start position and stop position information for laser light to a trimming device as an input. CONSTITUTION:A trimming start position aligning pattern 4 is formed in a projecting shape at the trimming start position of a resistance value adjusting pattern 2, and a trimming stop position aligning pattern 5 is formed in a projecting shape at the position on the extension of the trimming stop position, determined by the trimming movement amount in the trimming direction, outside the resistance value adjusting pattern 2. Laser light is applied to a position at a distance of several tens of mum before the input position in the trimming start position aligning pattern 4, and this laser light is moved by a distance determined by the trimming movement amount positioned in the trimming stop position aligning pattern 5 to form a trimming trace 6 to adjust the resistance value of the resistance value adjusting pattern 2. Thus, position setting with a smaller error can be achieved and high precision trimming is enabled.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は集積回路等の絶縁基板上に形成される膜抵抗の
構造に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to the structure of a film resistor formed on an insulating substrate such as an integrated circuit.

〔従来の技術] 一般に、集積回路等の絶縁基板上に形成される膜抵抗は
、抵抗の主体となる抵抗値調節用パターンとこれに繋が
る一対の電極パターンとで構成されている。そして、こ
の抵抗値調節用パターンをレーザ光等を用いてトリミン
グすることで、任意の抵抗値となるように調節を行って
いる。
[Prior Art] Generally, a film resistor formed on an insulating substrate such as an integrated circuit is composed of a resistance value adjustment pattern which is the main part of the resistance, and a pair of electrode patterns connected to the resistance value adjustment pattern. Then, by trimming this resistance value adjustment pattern using a laser beam or the like, the resistance value is adjusted to an arbitrary value.

従来、この種の膜抵抗においては、抵抗値調節用パター
ンや電極パターンと並んで、任意の位置にアライメント
パターンを1個乃至数個形成しており、このアライメン
トパターンを利用してトリミングを行っている。即ち、
抵抗の調節が必要とされる場合には、該当する抵抗値調
整用パターンの位置を図面上で計測し、かつそのトリミ
ング位置をトリミング装置に位置情報として入力してい
る。トリミング装置では、この位置情報に基づいて、前
記アライメントパターンを検出しながら抵抗調節用パタ
ーンに対するレーザ光の照射位置を決定する。
Conventionally, in this type of film resistor, one or several alignment patterns are formed at arbitrary positions along with resistance value adjustment patterns and electrode patterns, and trimming is performed using these alignment patterns. There is. That is,
When resistance adjustment is required, the position of the corresponding resistance value adjustment pattern is measured on the drawing, and the trimming position is input to the trimming device as position information. Based on this positional information, the trimming device determines the irradiation position of the laser beam with respect to the resistance adjustment pattern while detecting the alignment pattern.

また、トリミング装置のジョイスティック等により大ま
かなレーザ光照射開始位置へトリミング装置のビームポ
ジショナを移動させた後、スイッチ等により位置情報を
入力する方法も行われている。
Another method is to move the beam positioner of the trimming device to a rough laser beam irradiation start position using a joystick or the like of the trimming device, and then input position information using a switch or the like.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

上述した従来の膜抵抗の構成では、複数の抵抗値調節用
パターンに対してトリミングを行う場合、品種によりト
リミングを開始する位置は夫々相違する。このため、図
面上で位置を計測する方法では、図面上の座標を読んだ
りトリミング装置へ入力するのが煩雑であるという問題
がある。また、ジョイスティックを使用して位置情報を
入力する方法では、正確な位置が入力できないため、数
十μmの位置誤差が発生し易い。特に、パターンの高密
度化に伴って微細化されるパターンにおいては、トリミ
ング不良が発生し易いものとなっている。
In the conventional film resistor configuration described above, when trimming is performed on a plurality of resistance value adjustment patterns, the position at which trimming is started differs depending on the product type. For this reason, the method of measuring the position on the drawing has a problem in that it is cumbersome to read the coordinates on the drawing and input them into the trimming device. Furthermore, in the method of inputting position information using a joystick, accurate position cannot be input, and a position error of several tens of μm is likely to occur. Particularly, trimming defects are likely to occur in patterns that are becoming finer as patterns become more dense.

本発明は高精度のトリミングを容易に実現することがで
きる集積回路の膜抵抗を提供することを目的とする。
An object of the present invention is to provide a film resistor for an integrated circuit that can easily be trimmed with high precision.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本発明の集積回路の膜抵抗は、レーザ光によりトリミン
グして抵抗値の調節を行う抵抗値liwJ用パターンの
少な(とも1箇所に設けたトリミング開始位置合わせパ
ターンと、トリミング方向と直角方向の延長線上の少な
くとも1箇所に設けたトリミング停止位置合わせパター
ンとを夫々抵抗値調節用パターンと一体に形成している
The film resistor of the integrated circuit of the present invention has a small number of resistance value liwJ patterns (both a trimming start alignment pattern provided at one location and an extension in a direction perpendicular to the trimming direction) whose resistance value is adjusted by trimming with a laser beam. A trimming stop alignment pattern provided at at least one location on the line is formed integrally with each resistance value adjustment pattern.

〔作用〕[Effect]

上述した構成では、トリミング開始位置合わせパターン
、トリミング停止位置合わせパターンを利用してレーザ
光のトリミング開始位置及び停止位置の情報をトリミン
グ装置に入力することが可能となる。
With the above-described configuration, it is possible to input information on the trimming start position and stop position of the laser beam to the trimming device by using the trimming start alignment pattern and the trimming stop alignment pattern.

〔実施例〕〔Example〕

次に、本発明を図面を参照して説明する。 Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.

第1図は本発明の一実施例の平面図である。図において
、集積回路の絶縁基板1の表面所要領域には、複数個の
膜抵抗を配列形成している。各膜抵抗は、抵抗値調節用
パターン2と、この抵抗値調節用パターン2の2箇所に
電気的に接続した状態で形成した一対の電極パターン3
を備えている。
FIG. 1 is a plan view of one embodiment of the present invention. In the figure, a plurality of film resistors are arranged in a required area on the surface of an insulating substrate 1 of an integrated circuit. Each film resistor consists of a resistance value adjustment pattern 2 and a pair of electrode patterns 3 formed in a state where the resistance value adjustment pattern 2 is electrically connected to two locations.
It is equipped with

更に、本発明では前記抵抗値調節用パターン2の複数箇
所に夫々及びトリミング開始位置合わせパターン4.ト
リミング停止位置合わせパターン5を一体に形成してい
る。
Furthermore, in the present invention, trimming start alignment patterns 4 and 4 are provided at a plurality of locations of the resistance value adjustment pattern 2, respectively. A trimming stop alignment pattern 5 is integrally formed.

即ち、トリミング開始位置合わせパターン4は抵抗値調
節用パターン2のトリミング開始位置に凸形のパターン
で形成される。
That is, the trimming start alignment pattern 4 is formed as a convex pattern at the trimming start position of the resistance value adjustment pattern 2.

また、トリミング停止位置合わせパターン5はトリミン
グ方向と直角方向でトリミング移動量で決定されるトリ
ミング停止位置の延長線上に位置し、抵抗調節用パター
ン2の外側に凸形のパターンで形成される。
Further, the trimming stop alignment pattern 5 is located on an extension line of the trimming stop position determined by the amount of trimming movement in a direction perpendicular to the trimming direction, and is formed as a convex pattern on the outside of the resistance adjustment pattern 2.

なお、トリミング開始位置合わせパターン4及びトリミ
ング停止位置合わせパターン5は抵抗値調節用パターン
2と同−膜で形成される。
Note that the trimming start positioning pattern 4 and the trimming stop positioning pattern 5 are formed of the same film as the resistance value adjustment pattern 2.

この構成の膜抵抗を用いてトリミングを実行する方法を
第2図を用いて説明する。第2図は1つの膜抵抗で例示
しており、トリミングはトリミング開始位置合わせパタ
ーン4によって入力された位置より数十μm手前位置に
レーザ光を照射させ、このレーザ光をトリミング停止位
置合わせパターン5で位置されたトリミング移動量で決
定される距離だけ移動させてトリミング跡6を形成する
ことで、抵抗値調節用パターン2の抵抗値を調節する。
A method of performing trimming using a film resistor having this configuration will be described with reference to FIG. 2. In FIG. 2, one film resistor is used as an example, and the trimming is performed by irradiating a laser beam to a position several tens of μm before the position inputted by the trimming start positioning pattern 4, and then irradiating this laser beam with the trimming stop positioning pattern 5. The resistance value of the resistance value adjustment pattern 2 is adjusted by moving the trimming trace 6 by a distance determined by the trimming movement amount located at .

したがって、このトリミングに際しては、例えばジョイ
スティック等を用いてビームポジショナをトリミング開
始位置合わせパターン4及び停止位置合わせパターン5
に夫々移動させ、各位置をトリミング装置に位置情報と
して入力することでトリミングの設定を行うことが可能
となる。このため、誤差の少ない位置設定が可能となり
、高精度の抵抗値調節が実現できる。
Therefore, during this trimming, use a joystick or the like to move the beam positioner to the trimming start alignment pattern 4 and the trimming stop alignment pattern 5.
It becomes possible to set the trimming by moving each position to the trimming device and inputting each position as position information to the trimming device. Therefore, position setting with little error is possible, and highly accurate resistance value adjustment can be achieved.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように本発明は、トリミング開始位置合わ
せパターンとトリミング停止位置合わせパターンとを抵
抗値調節用パターンと一体に形成しているので、これら
のパターンを利用してレーザ光のトリミング開始位置及
び停止位置の情報をトリミング装置に入力することが可
能となる。これにより、ジョイスティック等によりトリ
ミング装置へ位置情報を入力することができ、トリミン
グ装置への位置情報入力が大幅に簡略できる。また、高
密度のパターンにおいても高精度の位置情報を入力でき
、トリミング作業において製品を不良にすることがない
という効果がある。。
As explained above, in the present invention, the trimming start alignment pattern and the trimming stop alignment pattern are formed integrally with the resistance value adjustment pattern, so these patterns are used to determine the trimming start position and the trimming stop position of the laser beam. It becomes possible to input information on the stop position to the trimming device. Thereby, positional information can be input to the trimming device using a joystick or the like, and inputting positional information to the trimming device can be greatly simplified. Furthermore, it is possible to input highly accurate positional information even for high-density patterns, and there is an effect that products will not be defective during trimming work. .

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の膜抵抗の一実施例の平面図、第2図は
トリミング方法を示すための1つの膜抵抗の拡大平面図
である。 1・・・絶縁基板、2・・・抵抗値調節用パターン、3
・・・電極パターン、4・・・トリミング開始位置合わ
せパターン、5・・・トリミング停止位置合わせパター
ン、6・・・トリミング跡。 第2
FIG. 1 is a plan view of one embodiment of the membrane resistor of the present invention, and FIG. 2 is an enlarged plan view of one membrane resistor to show a trimming method. 1... Insulating substrate, 2... Resistance value adjustment pattern, 3
... Electrode pattern, 4... Trimming start alignment pattern, 5... Trimming stop alignment pattern, 6... Trimming trace. Second

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1.抵抗値調節用パターンをレーザ光によりトリミング
して抵抗値の調節を行う膜抵抗において、前記抵抗値調
節用パターンの少なくとも1箇所に設けたトリミング開
始位置合わせパターンと、トリミング方向と直角方向の
延長線上の少なくとも1箇所に設けたトリミング停止位
置合わせパターンとを夫々前記抵抗値調節用パターンと
一体に形成したことを特徴とする集積回路の膜抵抗。
1. In a film resistor whose resistance value is adjusted by trimming a resistance value adjustment pattern with a laser beam, a trimming start alignment pattern provided at at least one location of the resistance value adjustment pattern and an extension line in a direction perpendicular to the trimming direction. A film resistor for an integrated circuit, characterized in that a trimming stop alignment pattern provided at at least one location of the resistor is formed integrally with the resistance value adjusting pattern.
JP63266570A 1988-10-22 1988-10-22 Film resistance of integrated circuit Pending JPH02113502A (en)

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JP63266570A JPH02113502A (en) 1988-10-22 1988-10-22 Film resistance of integrated circuit

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JPH02113502A true JPH02113502A (en) 1990-04-25

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JP63266570A Pending JPH02113502A (en) 1988-10-22 1988-10-22 Film resistance of integrated circuit

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