JPH02110308A - 変形測定法 - Google Patents
変形測定法Info
- Publication number
- JPH02110308A JPH02110308A JP26268088A JP26268088A JPH02110308A JP H02110308 A JPH02110308 A JP H02110308A JP 26268088 A JP26268088 A JP 26268088A JP 26268088 A JP26268088 A JP 26268088A JP H02110308 A JPH02110308 A JP H02110308A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- amount
- deformation
- moiré
- parallel lines
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 title claims description 7
- 150000002500 ions Chemical group 0.000 claims description 21
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 20
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 30
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 3
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- WSGCRAOTEDLMFQ-UHFFFAOYSA-N nonan-5-one Chemical compound CCCCC(=O)CCCC WSGCRAOTEDLMFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、構造材料の変形を測定するのに用いられるモ
アレ法を応力集中部等の局所的な微小変形測定に応用し
得るように、電子線等の粒子線照射でモアレ情報を得る
ようＫした新規な変形測定法に関する。
アレ法を応力集中部等の局所的な微小変形測定に応用し
得るように、電子線等の粒子線照射でモアレ情報を得る
ようＫした新規な変形測定法に関する。
構造材料は穴、切欠き、溶接部、介在物等があると、そ
れらの周辺に応力集中を生じ、セトそれらの周辺に局 新約な不均一変形を生ずる。このような変形及び応力集
中は亀裂を発生・伝播させるため、構造材料の破壊防止
及び寿命予測の上から、この変形の度合を知ることが必
要である。
れらの周辺に応力集中を生じ、セトそれらの周辺に局 新約な不均一変形を生ずる。このような変形及び応力集
中は亀裂を発生・伝播させるため、構造材料の破壊防止
及び寿命予測の上から、この変形の度合を知ることが必
要である。
従来、このような変形を測定する方法としてモアレ法が
ある。モアレ法は、試料表面に等間隔の平行線または格
子あるいは一定のパターンを形成し、試料を変形させた
後、その試料表面に変形のない同様の平行線または格子
あるいは一定のパターンを重ね合わせることで生ずるモ
アレ模様から各部の変形量を求める方法である。
ある。モアレ法は、試料表面に等間隔の平行線または格
子あるいは一定のパターンを形成し、試料を変形させた
後、その試料表面に変形のない同様の平行線または格子
あるいは一定のパターンを重ね合わせることで生ずるモ
アレ模様から各部の変形量を求める方法である。
このモアレ法には、大別して
■ 試料表面に平行線、格子あるいは一定のパターンを
形成し、試料を変形させた後、その試料表面に透明な樹
脂フィルムあるいはガラスに描いた同様の平行線、格子
あるいは一定のパターンの基準パターンを重ねてモアレ
模様を得る方法、 ■ ■と同様の変形させた試料を光学的に拡大し、その
拡大画面に透明な樹脂フィルムあるいはガラスに描いた
基準パターンを重ね合わせてモアレ模様を得る方法、 ■ ■と同様の変形させた試料をテレビカメラで撮影し
、テレビ画面の走査線と試料表面の変形した平行線、格
子あるいは一定のパターンとの間でモアレ模様を生じさ
せる方法、■ 変形前後の試料をテレビカメラで撮影し
、変形前後の試料表面のパターンをコンピュータに記憶
させて、コンピュータのｔ田により両記憶情報からモア
レ情報を得る方法 がある。
形成し、試料を変形させた後、その試料表面に透明な樹
脂フィルムあるいはガラスに描いた同様の平行線、格子
あるいは一定のパターンの基準パターンを重ねてモアレ
模様を得る方法、 ■ ■と同様の変形させた試料を光学的に拡大し、その
拡大画面に透明な樹脂フィルムあるいはガラスに描いた
基準パターンを重ね合わせてモアレ模様を得る方法、 ■ ■と同様の変形させた試料をテレビカメラで撮影し
、テレビ画面の走査線と試料表面の変形した平行線、格
子あるいは一定のパターンとの間でモアレ模様を生じさ
せる方法、■ 変形前後の試料をテレビカメラで撮影し
、変形前後の試料表面のパターンをコンピュータに記憶
させて、コンピュータのｔ田により両記憶情報からモア
レ情報を得る方法 がある。
しかしながら、■の方法は、基準パターンの細かさおよ
び正確さに限界があり、■の方法は、光学的に拡大する
ため、走査型電子顕微鏡を用いて観察するような微小部
分の変形測定は不可能である。また■の方法は、テレビ
画面の走査線の数が一定のため基準パターンが一種類に
限られ、広範囲あるいは逆に微小部分の変形測定は不可
能である。セして■の方法は、コンピュータ及び画像処
理装置などの高価な装置を必要とする。さらに■■［有
］■のすべての方法において、走査型電子顕微鏡あるい
は走査型イオン顕微鏡を用いての観察と変形測定を同時
に行うこ本発明は、従来のモアレ法の上述の欠点を解消
するため罠なされたものであり、試料に形成するパター
ンを細かくしてそのパターンを正確に検出することがで
き、したがって微小部分の微小変形を測定することがで
きて、画像処理装置を必要とせず、走査型電子顕微鏡あ
るいは走査型イオン顕微鏡を用いての観察と変形測定を
同時に行うことも可能である変形測定法の提供を目的と
する。
び正確さに限界があり、■の方法は、光学的に拡大する
ため、走査型電子顕微鏡を用いて観察するような微小部
分の変形測定は不可能である。また■の方法は、テレビ
画面の走査線の数が一定のため基準パターンが一種類に
限られ、広範囲あるいは逆に微小部分の変形測定は不可
能である。セして■の方法は、コンピュータ及び画像処
理装置などの高価な装置を必要とする。さらに■■［有
］■のすべての方法において、走査型電子顕微鏡あるい
は走査型イオン顕微鏡を用いての観察と変形測定を同時
に行うこ本発明は、従来のモアレ法の上述の欠点を解消
するため罠なされたものであり、試料に形成するパター
ンを細かくしてそのパターンを正確に検出することがで
き、したがって微小部分の微小変形を測定することがで
きて、画像処理装置を必要とせず、走査型電子顕微鏡あ
るいは走査型イオン顕微鏡を用いての観察と変形測定を
同時に行うことも可能である変形測定法の提供を目的と
する。
本発明者らは、前記目的を達成すべく鋭意研究の結果、
試料表面に従来のモアレ法におけるのと同様の平行線、
格子あるいは一定のパターンを電子線等の粒子線が照射
したときの反射電子量、二次電子発生量あるいは二次イ
オン発生量が他の部分とは異なるように形成して、その
表面に電子線等の粒子線を試料の平行線、格子あるいは
一定のパターンと平行あるいは略平行に照射すると、照
射位置とその位置の反射電子量、二次電子発生量あるい
は二次イオン発生量によってモアレ模様が得られ、した
がって試料の変形を測定し得ることを見出した。
試料表面に従来のモアレ法におけるのと同様の平行線、
格子あるいは一定のパターンを電子線等の粒子線が照射
したときの反射電子量、二次電子発生量あるいは二次イ
オン発生量が他の部分とは異なるように形成して、その
表面に電子線等の粒子線を試料の平行線、格子あるいは
一定のパターンと平行あるいは略平行に照射すると、照
射位置とその位置の反射電子量、二次電子発生量あるい
は二次イオン発生量によってモアレ模様が得られ、した
がって試料の変形を測定し得ることを見出した。
本発明は、この知見に基いてなされたものであり、試料
表面に電子線等の粒子線が照射したときの反射電子量、
二次電子発生量あるいは二次イオン発生量が他の部分と
は異なる平行線または格子あるいは一定のパターンを形
成し、その試料表面に電子線等の粒子線を平行線状また
は格子状あるいは一定のパターン状に照射して、その照
射位置情報と照射位置における反射電子量、二次電子発
生量あるいは二次イオン発生量情報とからモアレ情報を
得て試料の変形量を求めることを特徴とする変形測定法
にある。
表面に電子線等の粒子線が照射したときの反射電子量、
二次電子発生量あるいは二次イオン発生量が他の部分と
は異なる平行線または格子あるいは一定のパターンを形
成し、その試料表面に電子線等の粒子線を平行線状また
は格子状あるいは一定のパターン状に照射して、その照
射位置情報と照射位置における反射電子量、二次電子発
生量あるいは二次イオン発生量情報とからモアレ情報を
得て試料の変形量を求めることを特徴とする変形測定法
にある。
すなわち、本発明の変形測定法は、走査型電子顕微鏡や
走査型イオン顕微鏡による観察と同様に電子線等の粒子
線の照射位置情報と照射位置における反射電子量、二次
電子発生量あるいは二次イオン発生量によってモアレ情
報を得ているから、走査型電子顕微鏡や走査型イオン顕
微［Ｃよる試料観察と同時に変形測定を行うことが可能
であり、また、試料に形成する平行線や格子あるいは一
定のパターンを間隔の細かいものにして微小部分の微小
変形を正確に測定することができる。
走査型イオン顕微鏡による観察と同様に電子線等の粒子
線の照射位置情報と照射位置における反射電子量、二次
電子発生量あるいは二次イオン発生量によってモアレ情
報を得ているから、走査型電子顕微鏡や走査型イオン顕
微［Ｃよる試料観察と同時に変形測定を行うことが可能
であり、また、試料に形成する平行線や格子あるいは一
定のパターンを間隔の細かいものにして微小部分の微小
変形を正確に測定することができる。
本発明において、試料表面に粒子線が照射したときの反
射電子量、二次電子発生量あるいは二次イオン発生量が
他の部分とは異なる平行線や格子あるいは一定のパター
ンを形成するのは、■ 電子線レジスト等の粒子線レジ
ストを試料表面に塗り、その上に平行線状、格子状また
は一定のパターン状に粒子線を嶺て、その粒子線が当た
った部分のレジストを溶剤で除く方法０、 粒子線を当て、その粒子線が当たらなかった部分のレジ
ストを溶剤で除く方法、 料部分に試料とは異なる物質（例えば試料がステンレス
鋼の場合は金、白金、ニッケル、クロム等）を蒸着等の
手段により付着させ、その後溶剤で残っているレジスト
を除去する方法、 ■ 試料表面に７オトレジストを塗り、その上に平行線
、格子あるいは一定のパターンが描いであるマスクを置
き、マスクの上から光をス 当て、光の当たつた部分のレジ＃トを溶剤で除く方法、 ■ 試料表面に７オトレジストを塗り、その上に平行線
、格子あるいは一定のパターンが描いであるマスクを置
き、マスクの上から光を当て、光の当たらなかった部分
のレジストを溶剤で除く方法、 ■ 好ましくは、■または■により露出した試料部分を
イオン研磨あるいは化学研磨し、その後溶剤で残ってい
るレジストを除去する方法、 ■ また好ましくは、■または■により鎧出し弯 た試料部分に試料とは異なる物質を蒸着中の手段により
付着させ、その後溶剤で残っているレジストを除去する
方法、 ■ 試料表面に荒漬等により試料とは異なる物質の被膜
を設け、■、■、■または■、■、■の方法を利用して
部分的に被膜を除去する方法、 Ｏ■あるいは■または■あるいは■における溶剤による
レジストの除去をその部分にもなお薄くなったレジスト
被膜が残っているように行い、その後レジスト膜を設け
た表面に、金属薄膜を蒸着等により形成する方法、等に
よって行うことができる。■〜■のホトレジストを使用
する方法でもレーザビームで露出するようにすればマス
クを用いなくて済む。なお、■あるいは■または■ある
いは■のような表面にレジストが残る方法では、導電性
のレジストを用いるのが好ましい。また、■および０の
方法は試料が非導電性の場合に好ましく用いられる方法
である。試料に平行線や格子あるいは一定のパターンと
共に、スケールも形成するようにすれば、スケールを利
用して粒子線照射間隔の設定が容易になり、歪解析も容
易になる。
射電子量、二次電子発生量あるいは二次イオン発生量が
他の部分とは異なる平行線や格子あるいは一定のパター
ンを形成するのは、■ 電子線レジスト等の粒子線レジ
ストを試料表面に塗り、その上に平行線状、格子状また
は一定のパターン状に粒子線を嶺て、その粒子線が当た
った部分のレジストを溶剤で除く方法０、 粒子線を当て、その粒子線が当たらなかった部分のレジ
ストを溶剤で除く方法、 料部分に試料とは異なる物質（例えば試料がステンレス
鋼の場合は金、白金、ニッケル、クロム等）を蒸着等の
手段により付着させ、その後溶剤で残っているレジスト
を除去する方法、 ■ 試料表面に７オトレジストを塗り、その上に平行線
、格子あるいは一定のパターンが描いであるマスクを置
き、マスクの上から光をス 当て、光の当たつた部分のレジ＃トを溶剤で除く方法、 ■ 試料表面に７オトレジストを塗り、その上に平行線
、格子あるいは一定のパターンが描いであるマスクを置
き、マスクの上から光を当て、光の当たらなかった部分
のレジストを溶剤で除く方法、 ■ 好ましくは、■または■により露出した試料部分を
イオン研磨あるいは化学研磨し、その後溶剤で残ってい
るレジストを除去する方法、 ■ また好ましくは、■または■により鎧出し弯 た試料部分に試料とは異なる物質を蒸着中の手段により
付着させ、その後溶剤で残っているレジストを除去する
方法、 ■ 試料表面に荒漬等により試料とは異なる物質の被膜
を設け、■、■、■または■、■、■の方法を利用して
部分的に被膜を除去する方法、 Ｏ■あるいは■または■あるいは■における溶剤による
レジストの除去をその部分にもなお薄くなったレジスト
被膜が残っているように行い、その後レジスト膜を設け
た表面に、金属薄膜を蒸着等により形成する方法、等に
よって行うことができる。■〜■のホトレジストを使用
する方法でもレーザビームで露出するようにすればマス
クを用いなくて済む。なお、■あるいは■または■ある
いは■のような表面にレジストが残る方法では、導電性
のレジストを用いるのが好ましい。また、■および０の
方法は試料が非導電性の場合に好ましく用いられる方法
である。試料に平行線や格子あるいは一定のパターンと
共に、スケールも形成するようにすれば、スケールを利
用して粒子線照射間隔の設定が容易になり、歪解析も容
易になる。
平行線等を形成した試料表面に電子線を平行線状、格子
状あるいは一定のパターン状に照射し、さらに照射位置
情報と照射位置における反射電子量や二次電子発生量か
らモアレ情報を得るのは、走査型電子顕微鏡を用いて容
易になし得る。走査型電子顕微鏡を用いれば、ブラウン
Ｗに試料表面の像と共に試料の変形によるモアレ模様が
現われるようになるから、そのモアレ模様から変形量を
求めることができる。
状あるいは一定のパターン状に照射し、さらに照射位置
情報と照射位置における反射電子量や二次電子発生量か
らモアレ情報を得るのは、走査型電子顕微鏡を用いて容
易になし得る。走査型電子顕微鏡を用いれば、ブラウン
Ｗに試料表面の像と共に試料の変形によるモアレ模様が
現われるようになるから、そのモアレ模様から変形量を
求めることができる。
試料表面に粒子線を照射する場合は、走査型イオン顕微
鏡を用いればよい。それによって走査型電子顕微鏡と同
様、ブラウン管で試料表面やモアレ模様を見ることがで
きる。
鏡を用いればよい。それによって走査型電子顕微鏡と同
様、ブラウン管で試料表面やモアレ模様を見ることがで
きる。
また、モアレ模様をブラウン管に表示する以外に、電子
線等の粒子線の照射位置情報と照射位置の反射電子量、
二次電子発生量あるいは二次イオン発生量の情報をコン
ビ二一夕に入力して、コンピュータでそれら情報からモ
アレ情報をを得て、各位置における変形量を求めるよう
にすることもできる。それによれば、モアレ模様を計測
する等の手間が省略される。
線等の粒子線の照射位置情報と照射位置の反射電子量、
二次電子発生量あるいは二次イオン発生量の情報をコン
ビ二一夕に入力して、コンピュータでそれら情報からモ
アレ情報をを得て、各位置における変形量を求めるよう
にすることもできる。それによれば、モアレ模様を計測
する等の手間が省略される。
以下、さらに本発明の具体的実施例を示す。
実施例１゜
試料とし【リン青銅を使用し、その表面を平滑に磨き、
これを毎分１５００回転で回転させながら、ポリメチル
メタアクリレートからなるレジストを滴下させて、リン
青銅の表面にレジストを均一に塗布した。レジストを塗
布した試料を走査型電子顕微鏡の試料台にセットし、走
査型電子顕微鏡の電子線を１０，４ｍの間隔の平行線状
にレジストにあてた。その後、試料台より外し、メチル
インブチルケトンとイソプロピルアルコールの混合液中
に浸し、電子線が当たった部分のレジストを取り去りリ
ン青銅表面を露出させた。
これを毎分１５００回転で回転させながら、ポリメチル
メタアクリレートからなるレジストを滴下させて、リン
青銅の表面にレジストを均一に塗布した。レジストを塗
布した試料を走査型電子顕微鏡の試料台にセットし、走
査型電子顕微鏡の電子線を１０，４ｍの間隔の平行線状
にレジストにあてた。その後、試料台より外し、メチル
インブチルケトンとイソプロピルアルコールの混合液中
に浸し、電子線が当たった部分のレジストを取り去りリ
ン青銅表面を露出させた。
次に、イオンスパッタリング装置を用いて露出部分に白
金を蒸着させた後、残りのレジストをアセトンで取り除
き、白金からなる１ ０ 、ｐ ｍの間隔の平行線群を
試料表面上に形成させた。
金を蒸着させた後、残りのレジストをアセトンで取り除
き、白金からなる１ ０ 、ｐ ｍの間隔の平行線群を
試料表面上に形成させた。
得られた試料を走査型電子顕微鏡の試料台にセットし、
走査型電子顕微鏡の電子線を１０，４ｍの択 間隔の平行線≠に試料に試料の平行線群と平行にあてた
。この場合は、走査Ｗ電子顕微鏡のブラウン管上にモア
レ縞は現れない。
走査型電子顕微鏡の電子線を１０，４ｍの択 間隔の平行線≠に試料に試料の平行線群と平行にあてた
。この場合は、走査Ｗ電子顕微鏡のブラウン管上にモア
レ縞は現れない。
さらに、この試料を、室温において２０ ｋｒ／ｍｊの
応力をかけ、変形させ、再び走査型電子顕微鏡の試料台
にセットし、走査型電子顕微鏡の電子線を１０μｍの間
隔の平行線状に試料にあてると、ブラウン管上にモアレ
縞が現れる。例えば、モアレ縞の間隔が１００μｍにな
っていた部分は、約１１チのひずみが生じていることに
なる。
応力をかけ、変形させ、再び走査型電子顕微鏡の試料台
にセットし、走査型電子顕微鏡の電子線を１０μｍの間
隔の平行線状に試料にあてると、ブラウン管上にモアレ
縞が現れる。例えば、モアレ縞の間隔が１００μｍにな
っていた部分は、約１１チのひずみが生じていることに
なる。
実施例 ２゜
実施例 １ における走査型電子顕微鏡の電子線を走査
する偏向電圧情報と反射電子および二次電子の検出器か
らの情報をＡ／ｌ）変換し、コンビー−タで５１８して
各位置の歪が求められるようにした。
する偏向電圧情報と反射電子および二次電子の検出器か
らの情報をＡ／ｌ）変換し、コンビー−タで５１８して
各位置の歪が求められるようにした。
実施例 ３゜
実施例 １０２０ ｋｒ／ｊの応力をかけた試料を走査
型イオン顕微鏡の中にいれ、３０ＫＶで加速したＱａイ
オンの粒子線を１０μｍの間隔の平行線状に試料にあて
ると、ブラウン管上にモアレ縞が現れる。例えば、モア
レ縞の間隔が１１００ＩＡになっていた部分は、約１１
１のひずみが生じていることになる。
型イオン顕微鏡の中にいれ、３０ＫＶで加速したＱａイ
オンの粒子線を１０μｍの間隔の平行線状に試料にあて
ると、ブラウン管上にモアレ縞が現れる。例えば、モア
レ縞の間隔が１１００ＩＡになっていた部分は、約１１
１のひずみが生じていることになる。
実施例 ４゜
実施例 ３ Ｋおける走査型イオン顕微鏡の粒子線を走
査する偏向電圧情報と二次電子および二次イオンの検出
器からの情報なり変換し、コンピュータで癩盲して各位
置の歪が求められるようにした。
査する偏向電圧情報と二次電子および二次イオンの検出
器からの情報なり変換し、コンピュータで癩盲して各位
置の歪が求められるようにした。
本発明の変形測定法は、１曇ｍ程度の走査精度でコント
ロールできる電子線等の粒子線を用いて試料の変形によ
るモアレ情報を得るようにし【いるから、モアレな生じ
させる平行線や格子あるいは一定のパターンを間隔の極
めて細かいものにすることができ、したがって従来のモ
アレ法では求められなかった微小部の微小変形までも精
度よく測定することができて、走査型電子顕微鏡や走査
型イオン顕微鏡による観察と変形の測定を同時に行うこ
とができ、画像処理装置を必要とすることなくコンピュ
ータで直接各部の変形量を求めることもできると舎う多
くの優れた効果を奏する。
ロールできる電子線等の粒子線を用いて試料の変形によ
るモアレ情報を得るようにし【いるから、モアレな生じ
させる平行線や格子あるいは一定のパターンを間隔の極
めて細かいものにすることができ、したがって従来のモ
アレ法では求められなかった微小部の微小変形までも精
度よく測定することができて、走査型電子顕微鏡や走査
型イオン顕微鏡による観察と変形の測定を同時に行うこ
とができ、画像処理装置を必要とすることなくコンピュ
ータで直接各部の変形量を求めることもできると舎う多
くの優れた効果を奏する。
特許出願人 科学技術庁金属材料技術研究所長中
川
龍 −
Claims (1)
- 電子線等の粒子線を照射したときの反射電子量、二次電
子発生量あるいは二次イオン発生量が他の部分とは異な
る平行線または格子あるいは一定のパターンを試料表面
に形成し、その試料表面に電子線等の粒子線を平行線状
または格子状あるいは一定のパターン状に照射して、そ
の照射位置情報と照射位置における反射電子量、二次電
子発生量あるいは二次イオン発生量情報とからモアレ情
報を得て試料の変形量を求めることを特徴とする変形測
定法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63262680A JPH0610612B2 (ja) | 1988-10-20 | 1988-10-20 | 変形測定法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63262680A JPH0610612B2 (ja) | 1988-10-20 | 1988-10-20 | 変形測定法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02110308A true JPH02110308A (ja) | 1990-04-23 |
| JPH0610612B2 JPH0610612B2 (ja) | 1994-02-09 |
Family
ID=17379097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63262680A Expired - Lifetime JPH0610612B2 (ja) | 1988-10-20 | 1988-10-20 | 変形測定法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0610612B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007315877A (ja) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | National Institute For Materials Science | 微小な規則的パターンの配列の乱れ検出測定方法 |
| JP2009085615A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 回折格子の形状評価方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4090436B2 (ja) * | 2002-03-14 | 2008-05-28 | ジュセッペ ペッツォッティ | 応力測定方法および応力測定装置 |
-
1988
- 1988-10-20 JP JP63262680A patent/JPH0610612B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007315877A (ja) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | National Institute For Materials Science | 微小な規則的パターンの配列の乱れ検出測定方法 |
| JP2009085615A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 回折格子の形状評価方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0610612B2 (ja) | 1994-02-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Kuo et al. | Development of methodology for low exposure, high resolution electron microscopy of biological specimens | |
| JP3867524B2 (ja) | 電子線を用いた観察装置及び観察方法 | |
| US5136169A (en) | Energy beam locating | |
| KR100345362B1 (ko) | 전자현미경의분해능평가방법및분해능평가용시료 | |
| JP3205160B2 (ja) | 磁界の測定方法およびこれを用いた荷電粒子線装置 | |
| US5612535A (en) | Spin-split scanning electron microscope | |
| Scheinfein et al. | Electron energy loss spectroscopy across a metal-insulator interface at sub-nanometer spatial resolution | |
| Crewe | High resolution scanning microscopy of biological specimens | |
| JP6685996B2 (ja) | 電子顕微鏡のためのターゲットサンプルの質量厚みを測定する方法 | |
| DE112012007146T5 (de) | Halbleiterinspektionsvorrichtung und Inspektionsverfahren, das einen geladenen Teilchenstrahl verwendet | |
| JPH0610612B2 (ja) | 変形測定法 | |
| JP4337832B2 (ja) | 電子線を用いた観察装置及び観察方法 | |
| CN113701999A (zh) | 一种微焦点射线源用分辨率测试卡及其制备方法 | |
| JPH10302703A (ja) | 倍率、傾斜角測定法 | |
| JP3392550B2 (ja) | 荷電粒子線の偏向角測定方法及び荷電粒子線装置 | |
| JPS6331721B2 (ja) | ||
| JP4600239B2 (ja) | 磁性電子顕微鏡 | |
| JP2005345347A (ja) | 微小試料作製装置、微小試料設置具及び微小試料加工方法 | |
| Johnson et al. | Enhanced contrast in electron microscopy of unstained biological material: III. In‐focus phase contrast of large objects | |
| JP3608245B2 (ja) | 塑性変形量の推定法 | |
| JP2680004B2 (ja) | 照射ビーム径評価用素子及び評価方法 | |
| JP4007305B2 (ja) | 電子顕微鏡の分解能評価方法および電子顕微鏡の調整方法 | |
| JPH0719969A (ja) | 応力測定方法及びその装置 | |
| Kim et al. | Fabrication of a Fresnel zone plate through electron beam lithographic process and its application to measuring of critical dimension scanning electron microscope performance | |
| JPH0692946B2 (ja) | 隔膜表面の構造を検査する方法及び装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |