JPH0210789A - 端面コーティング方法 - Google Patents
端面コーティング方法Info
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- JPH0210789A JPH0210789A JP63161485A JP16148588A JPH0210789A JP H0210789 A JPH0210789 A JP H0210789A JP 63161485 A JP63161485 A JP 63161485A JP 16148588 A JP16148588 A JP 16148588A JP H0210789 A JPH0210789 A JP H0210789A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体発光素子の端面反射率を制御する端面
コーティング技術に関するものである。
コーティング技術に関するものである。
半導体レーザを初めとする半導体発光素子は、現在、光
通信、光情報処理、民生機器など、光産業全般にわたっ
て活躍している。こうした中で、半導体発光素子の端面
反射率を制御する端面コーティング技術の重用性は、増
加しつつある。端面コーティングの応用例を二、三例示
すると、以下のようなものがある。まず、第１例として
、回折格子を備えている分布帰還型半導体レーザ（ＤＦ
Ｂレーザ）において、主・副軸モードのゲイン差をつけ
、高出力・単一軸モード発振を得るために、前端面低反
射膜、後端面高反射膜にコーティングすればよいことが
知られている「参考文献；（１）北村他、昭和６０年秋
期応物学会予稿集、２ａ−Ｎ−８、ｐｐ、２０２、（２
）山口他、昭和６０年春期 電子通信学会全国大会論文
集、講演番号８８１〕。また、第２例としては、通常の
半導体レーザにおいて、前端面に低反射膜、後端面に高
反射膜をコーティングすることにより、しきい値電流値
をほぼ一定に保ちつつ、前端面からの光出力取り出し効
率を高め、高出ヵ動作を行えることが知られている〔参
考文献：Ｌ、Ａ、Ｋｏｓｚｉ ｅｔ ａｌ、：Ａ、
Ｐ、Ｌ、５１（２６）、２８ Ｄｅｃ １９８７
Ｐｐ２２１９−２２２１ ）。この他の例としては、
前端面、後端面共に、高反射膜（前面の反射率≠後面の
反射率）として、極低しきい値化を図る半導体レーザ、
あるいは、ＡｌＧａＡｓレーザ等のようなＣＯＤ （Ｃ
ａｔａｓｔｒｏｐｈｉｃ ０ｐｔｉｃａｌ Ｄａｍａｇ
ｅ）を伴うような半導体レーザにおいて、端面での電界
強度をさげるため、前面低反射膜とする半導体レーザな
と、数多くの半導体発光素子において、非対称コーティ
ング技術は用いられている。
通信、光情報処理、民生機器など、光産業全般にわたっ
て活躍している。こうした中で、半導体発光素子の端面
反射率を制御する端面コーティング技術の重用性は、増
加しつつある。端面コーティングの応用例を二、三例示
すると、以下のようなものがある。まず、第１例として
、回折格子を備えている分布帰還型半導体レーザ（ＤＦ
Ｂレーザ）において、主・副軸モードのゲイン差をつけ
、高出力・単一軸モード発振を得るために、前端面低反
射膜、後端面高反射膜にコーティングすればよいことが
知られている「参考文献；（１）北村他、昭和６０年秋
期応物学会予稿集、２ａ−Ｎ−８、ｐｐ、２０２、（２
）山口他、昭和６０年春期 電子通信学会全国大会論文
集、講演番号８８１〕。また、第２例としては、通常の
半導体レーザにおいて、前端面に低反射膜、後端面に高
反射膜をコーティングすることにより、しきい値電流値
をほぼ一定に保ちつつ、前端面からの光出力取り出し効
率を高め、高出ヵ動作を行えることが知られている〔参
考文献：Ｌ、Ａ、Ｋｏｓｚｉ ｅｔ ａｌ、：Ａ、
Ｐ、Ｌ、５１（２６）、２８ Ｄｅｃ １９８７
Ｐｐ２２１９−２２２１ ）。この他の例としては、
前端面、後端面共に、高反射膜（前面の反射率≠後面の
反射率）として、極低しきい値化を図る半導体レーザ、
あるいは、ＡｌＧａＡｓレーザ等のようなＣＯＤ （Ｃ
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ｅ）を伴うような半導体レーザにおいて、端面での電界
強度をさげるため、前面低反射膜とする半導体レーザな
と、数多くの半導体発光素子において、非対称コーティ
ング技術は用いられている。
しかしながら、非対称コーティングを行なった半導体発
光素子をヒートシンク上に組立て、パッケージ化する際
には、以下に示す問題点が存在する。
光素子をヒートシンク上に組立て、パッケージ化する際
には、以下に示す問題点が存在する。
まず、従来技術より容易に類推される端面コーティング
方法を示した第３図について説明する。
方法を示した第３図について説明する。
端面コーティングには、通常誘電体膜が用いられるため
、半導体発光素子の表面、裏面の電極上に誘電体膜が付
着すると電極出しができない、あるいは、ヒートシンク
への融着が不十分となる。従って、第３図に示すように
、半導体発光素子が複数個搭載されたバー１の、コーテ
ィングする端面４のみを露出し、電極のある表面、及び
、裏面は、例えば、Ｓｉウェハをバー状に切り出した挟
み込み用バー（Ｓｉバー）２，３で挟み込み、コーティ
ングするのが一服的である。しかしながら、このような
方法でコーティングを行なった半導体発光素子をバーか
ら１個１個のチップに切り離し、ヒートシンク上に融着
する前に、端面にコーチイブした誘電体膜の色を肉眼で
確認するが、素子を切り離したときの形状を記憶してお
いて、光出射面の前後を見きわめるという、複雑な方法
に依らざるを得ないという問題点を有する。
、半導体発光素子の表面、裏面の電極上に誘電体膜が付
着すると電極出しができない、あるいは、ヒートシンク
への融着が不十分となる。従って、第３図に示すように
、半導体発光素子が複数個搭載されたバー１の、コーテ
ィングする端面４のみを露出し、電極のある表面、及び
、裏面は、例えば、Ｓｉウェハをバー状に切り出した挟
み込み用バー（Ｓｉバー）２，３で挟み込み、コーティ
ングするのが一服的である。しかしながら、このような
方法でコーティングを行なった半導体発光素子をバーか
ら１個１個のチップに切り離し、ヒートシンク上に融着
する前に、端面にコーチイブした誘電体膜の色を肉眼で
確認するが、素子を切り離したときの形状を記憶してお
いて、光出射面の前後を見きわめるという、複雑な方法
に依らざるを得ないという問題点を有する。
本発明の目的は、このような、半導体発光素子をヒート
シンク上に実装する上での複雑な工程を簡略化し、素子
組立工数の削減、並びに、歩留まり向上を図ることにあ
る。
シンク上に実装する上での複雑な工程を簡略化し、素子
組立工数の削減、並びに、歩留まり向上を図ることにあ
る。
本発明の、端面コーティング方法の構成は、半導体基板
上に形成した多層薄膜よりなる半導体発光素子の前記多
層薄膜の積層面と交わり、光出射面となる二つの相対向
する端面上に、それぞれ異なる反射率を有する誘電体膜
を形成する際に、同時に、前記半導体発光素子のボンデ
ィング・ワイヤを取り出す面上の一部領域にも、二つの
端面を識別できる目印となる誘電体膜を形成することを
特徴とする。
上に形成した多層薄膜よりなる半導体発光素子の前記多
層薄膜の積層面と交わり、光出射面となる二つの相対向
する端面上に、それぞれ異なる反射率を有する誘電体膜
を形成する際に、同時に、前記半導体発光素子のボンデ
ィング・ワイヤを取り出す面上の一部領域にも、二つの
端面を識別できる目印となる誘電体膜を形成することを
特徴とする。
本発明の端面コーティング方法の一例の模式図を第１図
に示す。第１図では、第３図と同様に、コーティングを
施す端面４を露出させ、電極のついた表、裏面を、例え
ばＳｉウェハをバー状に切り出したもの（以下、Ｓｉバ
ーで代表させる）２．３で密着させて挟み込んでいるが
、本発明のコーティング方法では、Ｓｉバー３の高さを
少し低くし、下にずらせることにより、ボンディング・
ワイヤを取り出す電極面（第１図では、手前の面）５の
一部も、露出させている。本発明の端面コーティング方
法では、コーティングを行なう２つのへき開面について
、隣接する電極面上に積層するコーテイング膜の幅ｔを
変えることにより、第２図に示すように、ヒートシンク
上に融着する際に、光出射面の前後が簡単に見分けられ
るようになる。なお、第２図では、ボンディング・ワイ
ヤを取り出す面５は、図の上側の面であり、融着する下
側の面には、誘電体膜は全熱付着していないため、融着
不備は起こらない。また、ボンディング・ワイヤを取り
出す位置は、電極面上の誘電体膜が付着していないとこ
ろでなければならないが、これは、誘電体膜の幅ｔを識
別できる程度に広くとっても、十分に広く残っているの
で問題はない。さらに、光出射面を識別するための誘電
体膜は、Ｓｉバーをずらせた、第１図のような直線形の
もののみに限らず、Ｓｉバーにパターンを作り、そのパ
ターンを半導体発光素子上に転写したものであっても良
いのはもちろんである。
に示す。第１図では、第３図と同様に、コーティングを
施す端面４を露出させ、電極のついた表、裏面を、例え
ばＳｉウェハをバー状に切り出したもの（以下、Ｓｉバ
ーで代表させる）２．３で密着させて挟み込んでいるが
、本発明のコーティング方法では、Ｓｉバー３の高さを
少し低くし、下にずらせることにより、ボンディング・
ワイヤを取り出す電極面（第１図では、手前の面）５の
一部も、露出させている。本発明の端面コーティング方
法では、コーティングを行なう２つのへき開面について
、隣接する電極面上に積層するコーテイング膜の幅ｔを
変えることにより、第２図に示すように、ヒートシンク
上に融着する際に、光出射面の前後が簡単に見分けられ
るようになる。なお、第２図では、ボンディング・ワイ
ヤを取り出す面５は、図の上側の面であり、融着する下
側の面には、誘電体膜は全熱付着していないため、融着
不備は起こらない。また、ボンディング・ワイヤを取り
出す位置は、電極面上の誘電体膜が付着していないとこ
ろでなければならないが、これは、誘電体膜の幅ｔを識
別できる程度に広くとっても、十分に広く残っているの
で問題はない。さらに、光出射面を識別するための誘電
体膜は、Ｓｉバーをずらせた、第１図のような直線形の
もののみに限らず、Ｓｉバーにパターンを作り、そのパ
ターンを半導体発光素子上に転写したものであっても良
いのはもちろんである。
以下、本発明の端面コーティング方法を、実施例を用い
て詳細に説明する。まず、半導体レーザが３００μｍ間
隔で搭載されたウェハを、へき開により、２５０μｍの
バーとする。次に、このバーを第１図に示すように、一
方のへき開面（端面）４が上部に向くように、二本のＳ
ｉバー２゜３で挟み込み、それをさらにコーティング用
の治具（バー押しつけ部６、バー受は部７）に装着し、
反射率６％の５ｉ０２膜をコーティングした。この時、
半導体レーザの融着面と接するＳｉバー２の高さは、半
導体レーザが形成されているバーと同じ２５０μｍとし
、一方、反対側の、ボンディング・ワイヤを取り出す電
極面５と接するＳｉバー３の高さは、２３０μｍと、半
導体レーザが形成されているバー１の高さよりも２０μ
ｍだけ低くし、電極面上に幅２０μｍの帯状ＳｉＯ２パ
ターン１０ａ（第２図参照）が出来るようにした。次に
、半導体レーザの、反対側のへき開面（端面〉をコーテ
ィングする時は、同様の工程により、電極面上の帯状５
ｉ０２パターン１０ｂ（第２図参照）の幅が５０μｍと
なるように、５ｉ０２のλ／２膜をコーティングし、さ
らにその上に、Ａｕ１ｉをコーティングして、低反射／
高反射の高出力用半導体レーザを作製した。以上の工程
によりコーティングされたバーを、１個１個の素子に切
り離し、第２図のように、融着剤１２を介して半導体発
光素子９をヒートシンク１１にしたところ組み立てに要
する時間は、帯状パターン１０ａ、１０ｂがない場合に
比べ、約１／３と大幅に短縮され、また、ボンディング
歩留まりもほぼ１００％近くまで向上した。
て詳細に説明する。まず、半導体レーザが３００μｍ間
隔で搭載されたウェハを、へき開により、２５０μｍの
バーとする。次に、このバーを第１図に示すように、一
方のへき開面（端面）４が上部に向くように、二本のＳ
ｉバー２゜３で挟み込み、それをさらにコーティング用
の治具（バー押しつけ部６、バー受は部７）に装着し、
反射率６％の５ｉ０２膜をコーティングした。この時、
半導体レーザの融着面と接するＳｉバー２の高さは、半
導体レーザが形成されているバーと同じ２５０μｍとし
、一方、反対側の、ボンディング・ワイヤを取り出す電
極面５と接するＳｉバー３の高さは、２３０μｍと、半
導体レーザが形成されているバー１の高さよりも２０μ
ｍだけ低くし、電極面上に幅２０μｍの帯状ＳｉＯ２パ
ターン１０ａ（第２図参照）が出来るようにした。次に
、半導体レーザの、反対側のへき開面（端面〉をコーテ
ィングする時は、同様の工程により、電極面上の帯状５
ｉ０２パターン１０ｂ（第２図参照）の幅が５０μｍと
なるように、５ｉ０２のλ／２膜をコーティングし、さ
らにその上に、Ａｕ１ｉをコーティングして、低反射／
高反射の高出力用半導体レーザを作製した。以上の工程
によりコーティングされたバーを、１個１個の素子に切
り離し、第２図のように、融着剤１２を介して半導体発
光素子９をヒートシンク１１にしたところ組み立てに要
する時間は、帯状パターン１０ａ、１０ｂがない場合に
比べ、約１／３と大幅に短縮され、また、ボンディング
歩留まりもほぼ１００％近くまで向上した。
以上述べたように、本発明の端面コーティング方法によ
れば、前端面と後端面の反射率の異なる非対称コーティ
ングを行なった半導体発光素子の、組み立てに要する時
間の大幅な短縮、及び、組み立て歩留まりの向上が可能
となる。
れば、前端面と後端面の反射率の異なる非対称コーティ
ングを行なった半導体発光素子の、組み立てに要する時
間の大幅な短縮、及び、組み立て歩留まりの向上が可能
となる。
第１図は、本発明の端面コーティング方法の一例を示す
模式図、第２図は、本発明の端面コーチインク方法によ
り作製した半導体発光素子の、ヒートシンク上への組立
の模式図、第３図は、従来技術の端面コーティング方法
の模式図である。 １・・・半導体発光素子を搭載したバー、２，３・・・
半導体発光素子挟み込み用バー（Ｓｉバー）、４・・・
端面（へき開面）、５・・・ボンディング・ワイヤ取り
出し側電極面、６・・・端面コーティング治具（バー押
しつけ部）、７・・・端面コーティング治具（バー受は
部）、９・・・半導体発光素子、１１・・・ヒートシン
ク、１２・・・融着剤。
模式図、第２図は、本発明の端面コーチインク方法によ
り作製した半導体発光素子の、ヒートシンク上への組立
の模式図、第３図は、従来技術の端面コーティング方法
の模式図である。 １・・・半導体発光素子を搭載したバー、２，３・・・
半導体発光素子挟み込み用バー（Ｓｉバー）、４・・・
端面（へき開面）、５・・・ボンディング・ワイヤ取り
出し側電極面、６・・・端面コーティング治具（バー押
しつけ部）、７・・・端面コーティング治具（バー受は
部）、９・・・半導体発光素子、１１・・・ヒートシン
ク、１２・・・融着剤。
Claims (1)
- 半導体基板上に形成した多層薄膜よりなる半導体発光素
子の前記多層薄膜の積層面に交わり、光出射面となる二
つの相対向する端面上に、それぞれ異なる反射率を有す
る誘電体膜を形成する際に、同時に、前記半導体発光素
子のボンディング・ワイヤを取り出す面の一部領域にも
、二つの端面を識別できる目印となる誘電体膜を形成す
ることを特徴とする端面コーティング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63161485A JPH0210789A (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | 端面コーティング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63161485A JPH0210789A (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | 端面コーティング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0210789A true JPH0210789A (ja) | 1990-01-16 |
Family
ID=15735978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63161485A Pending JPH0210789A (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | 端面コーティング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0210789A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0426560U (ja) * | 1990-06-26 | 1992-03-03 | ||
| EP0697756A2 (en) * | 1990-09-21 | 1996-02-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | A semiconductor laser device and a method for producing the same |
| JPH09129976A (ja) * | 1995-11-01 | 1997-05-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザの端面パッシベーション方法 |
-
1988
- 1988-06-28 JP JP63161485A patent/JPH0210789A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0426560U (ja) * | 1990-06-26 | 1992-03-03 | ||
| EP0697756A2 (en) * | 1990-09-21 | 1996-02-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | A semiconductor laser device and a method for producing the same |
| EP0697756A3 (en) * | 1990-09-21 | 1996-07-17 | Sharp Kk | Semiconductor laser device and manufacturing method |
| JPH09129976A (ja) * | 1995-11-01 | 1997-05-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザの端面パッシベーション方法 |
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