JPH02105346A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPH02105346A JPH02105346A JP63258237A JP25823788A JPH02105346A JP H02105346 A JPH02105346 A JP H02105346A JP 63258237 A JP63258237 A JP 63258237A JP 25823788 A JP25823788 A JP 25823788A JP H02105346 A JPH02105346 A JP H02105346A
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Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はホトクロミック化合物を利用する光記録媒体
に係り、特に高速で記録、消去の可能な光記録媒体に関
する。
に係り、特に高速で記録、消去の可能な光記録媒体に関
する。
従来光反応を利用したメモリ材料は写真という形態で実
用されているに過ぎないが、最近高密度記録の可能性が
検討されている。なかでも光照射による材料の色の変化
が可逆的におこるホトクロミンク材料が注目を集めてい
る。ホトクロミック材料は種類もガラス、結晶と豊富で
あり、無機質のものから有機質のものまであるが特にス
ピロ化合物やフルギド化合物が可逆的な光記録材料とし
て高密度記録の可能性の検討がなされている。これらホ
トクロミック化合物を光記録材料に用いる場合は、媒体
上に蒸着膜、ラングミエアプロジェット膜などの薄膜を
形成したり、無機あるいは有機の透明体中に分散または
担持させることが行われる。ホトクロミック化合物の色
の変化は異なる波長の光を用いて可逆的に行われる。
用されているに過ぎないが、最近高密度記録の可能性が
検討されている。なかでも光照射による材料の色の変化
が可逆的におこるホトクロミンク材料が注目を集めてい
る。ホトクロミック材料は種類もガラス、結晶と豊富で
あり、無機質のものから有機質のものまであるが特にス
ピロ化合物やフルギド化合物が可逆的な光記録材料とし
て高密度記録の可能性の検討がなされている。これらホ
トクロミック化合物を光記録材料に用いる場合は、媒体
上に蒸着膜、ラングミエアプロジェット膜などの薄膜を
形成したり、無機あるいは有機の透明体中に分散または
担持させることが行われる。ホトクロミック化合物の色
の変化は異なる波長の光を用いて可逆的に行われる。
このようなホトクロミック反応の光源としては、レーザ
を用いこれを回折限界にまで絞り込んで１−φ程度のス
ポット状に記録マークを形成することが高密度、大容量
の記録媒体を形成する上で望ましい。また記録速度を大
きくするためには高出力のレーザにより短時間で記録マ
ークを形成し消去することが望まれる。
を用いこれを回折限界にまで絞り込んで１−φ程度のス
ポット状に記録マークを形成することが高密度、大容量
の記録媒体を形成する上で望ましい。また記録速度を大
きくするためには高出力のレーザにより短時間で記録マ
ークを形成し消去することが望まれる。
しかしながら高出力のレーザを短時間照射すると吸収さ
れたエネルギにより記録層の温度が局部的に上昇し、こ
れにより担体の樹脂やホトクロミツク化合物が熱的損傷
を受ける０例えば代表的ホトクロミック化合物であるフ
ルギドをＰＭＭＡに担持した記録層を１μの厚さの薄膜
とした時、これに１．０ｎφの記録マークを形成するの
に必要な光量は約２ｎＪであり、この光量を１．０μの
間に照射した時のホトクロミック薄膜の最高温度は約４
００℃となる。ホトクロミック化合物の耐熱温度は約１
００°Ｃであるので、この場合当該薄膜は熱的に破壊さ
れる。
れたエネルギにより記録層の温度が局部的に上昇し、こ
れにより担体の樹脂やホトクロミツク化合物が熱的損傷
を受ける０例えば代表的ホトクロミック化合物であるフ
ルギドをＰＭＭＡに担持した記録層を１μの厚さの薄膜
とした時、これに１．０ｎφの記録マークを形成するの
に必要な光量は約２ｎＪであり、この光量を１．０μの
間に照射した時のホトクロミック薄膜の最高温度は約４
００℃となる。ホトクロミック化合物の耐熱温度は約１
００°Ｃであるので、この場合当該薄膜は熱的に破壊さ
れる。
一般的に、有機材料の熱伝導率は低く吸収されたエネル
ギは局部的に蓄積される。これによる熱的損傷を避ける
ため従来のホトクロミック反応を利用した媒体では、光
照射エネルギの密度を０．５ｍ Ｗ ／ ｐ ”よりも
低く抑え、照射時間を０．５ｍｓ程度に長くする必要が
あった。そのために記録あるいは消去の速度を上げるこ
とができなかった。
ギは局部的に蓄積される。これによる熱的損傷を避ける
ため従来のホトクロミック反応を利用した媒体では、光
照射エネルギの密度を０．５ｍ Ｗ ／ ｐ ”よりも
低く抑え、照射時間を０．５ｍｓ程度に長くする必要が
あった。そのために記録あるいは消去の速度を上げるこ
とができなかった。
また、ホトクロミック反応等光化学反応を利用した光記
録媒体では、光磁気や相変化型媒体と異なり、記録層を
昇温させる必要はない、レーザによる昇温を避けるため
には記録層を薄クシて冷却することが必要でホトクロミ
ック化合物やその担体である有機樹脂は熱伝導率が低い
ため有効に冷却するにはその膜厚を約０．２μ以下とす
ることが好ましい、一方、記録層に記録マークを形成し
、その信号を明瞭に読み取るには、記録層は約１−以上
の厚さをもつことが必要になる。
録媒体では、光磁気や相変化型媒体と異なり、記録層を
昇温させる必要はない、レーザによる昇温を避けるため
には記録層を薄クシて冷却することが必要でホトクロミ
ック化合物やその担体である有機樹脂は熱伝導率が低い
ため有効に冷却するにはその膜厚を約０．２μ以下とす
ることが好ましい、一方、記録層に記録マークを形成し
、その信号を明瞭に読み取るには、記録層は約１−以上
の厚さをもつことが必要になる。
この発明は上述の点に鑑みてなされその目的は一方にお
いて記録層を冷却するためにその膜厚を小さくしなけれ
ばならないという要求と、他方において信号レベルを大
きくするためにその膜厚を大きくしなければならないと
いう２つの要求を調和させるようにして、高速で情報を
記録、消去することの可能な光記録媒体を提供すること
にある。
いて記録層を冷却するためにその膜厚を小さくしなけれ
ばならないという要求と、他方において信号レベルを大
きくするためにその膜厚を大きくしなければならないと
いう２つの要求を調和させるようにして、高速で情報を
記録、消去することの可能な光記録媒体を提供すること
にある。
上述の目的はこの発明によれば、ホトクロミック化合物
の光照射による可逆的な着消色を利用して情報の記録消
去を行う光記録媒体において、ホトクロミック化合物を
含む記録層１と、これと交互に積層される透明冷却層２
とを備えることにより達成される。
の光照射による可逆的な着消色を利用して情報の記録消
去を行う光記録媒体において、ホトクロミック化合物を
含む記録層１と、これと交互に積層される透明冷却層２
とを備えることにより達成される。
記録層は膜厚を小さくして透明冷却層と交互に積層され
るので冷却効率が高くなる。一方記録層は透明冷却層を
介して積層されるので所要の膜厚のものが得られる。
るので冷却効率が高くなる。一方記録層は透明冷却層を
介して積層されるので所要の膜厚のものが得られる。
次にこの発明の実施例を図面に基いて説明する。
第１図はこの発明の実施例に係る光記録媒体の模式断面
図で基板３の上に記録層１と透明冷却層２とが順次積層
されている。このような光記録媒体は次のようにして調
製される。
図で基板３の上に記録層１と透明冷却層２とが順次積層
されている。このような光記録媒体は次のようにして調
製される。
フルギド（１）を０．００４重量部、高分子結着剤とし
てＰＭＭＡＩ重量部をジクロロメタン４０重量部に溶解
させる。このようにして得られた塗布液をスピンコード
法を用いて石英ガラス製の基板３上に０．２μ厚に塗布
して記録層１を形成する。あるいはフルギド （１）と
ＰＭＭＡの混合物を抵抗加熱蒸着して記録層を形成する
ことができる。
てＰＭＭＡＩ重量部をジクロロメタン４０重量部に溶解
させる。このようにして得られた塗布液をスピンコード
法を用いて石英ガラス製の基板３上に０．２μ厚に塗布
して記録層１を形成する。あるいはフルギド （１）と
ＰＭＭＡの混合物を抵抗加熱蒸着して記録層を形成する
ことができる。
透明冷却層はりターゲットを数Ｐａの窒素、アルゴン混
合ガス中で反応性スパッタリングにより０．３ｎ厚にＡ
ｊＮ層を形成する。
合ガス中で反応性スパッタリングにより０．３ｎ厚にＡ
ｊＮ層を形成する。
反射層としてはりを蒸着またはスパッタリングにより１
１００ｎ以上の厚さに形成する。記録層は６層、透明冷
却層は７層積層する。フルギドは下記の構造異性を示す
。
１００ｎ以上の厚さに形成する。記録層は６層、透明冷
却層は７層積層する。フルギドは下記の構造異性を示す
。
Ｒ，Ｒ４０可視光 Ｒ，Ｒ，０Ｉ（Ｊ色替
■ｃ色動
２二でＸとＹは酸素、窒素、硫黄を示し、Ｒ。
〜Ｒ４は水素、アルキル基または環状の基を示す。
いまＸとＹを酸素に選び、Ｒ８を水素とし、ＲＩ＋Ｒ２
およびＲ４−Ｒ４をメチル基とした場合の異性体Ｉ （
退色型）と■ （発色型）の吸収スペクトルを第２図に
示す。ここで曲線Ａは異性体■の吸収スペクトル、曲線
Ｂは異性体■の吸収スペクトルである。紫外線ｈν１と
してｈν＋ ＝ ３６６ｎｍの光を照射するとフルギド
の異性体Ｉは閉環して異性体■の発色型へと変化する。
およびＲ４−Ｒ４をメチル基とした場合の異性体Ｉ （
退色型）と■ （発色型）の吸収スペクトルを第２図に
示す。ここで曲線Ａは異性体■の吸収スペクトル、曲線
Ｂは異性体■の吸収スペクトルである。紫外線ｈν１と
してｈν＋ ＝ ３６６ｎｍの光を照射するとフルギド
の異性体Ｉは閉環して異性体■の発色型へと変化する。
可視光としてｈν２−４５０〜５５０ｎｍの光を照射す
ると開環して異性体■の退色型へ変化する。
ると開環して異性体■の退色型へ変化する。
次に１００ｍＷのアルゴンレーザ（波長５３０ｎｍ）を
１−一に集光して記録を行ったところ、０．５＃ａで吸
収率変化５％が測定された。レーザは基板３を通して記
録層１と透明冷却層２を通り反射層４で反射され逆の順
序で基板から出てくるので吸収率の変化は媒体の反射率
の変化として検出される。これは従来必要な時間の１／
１０００の時間となっている。
１−一に集光して記録を行ったところ、０．５＃ａで吸
収率変化５％が測定された。レーザは基板３を通して記
録層１と透明冷却層２を通り反射層４で反射され逆の順
序で基板から出てくるので吸収率の変化は媒体の反射率
の変化として検出される。これは従来必要な時間の１／
１０００の時間となっている。
高速の記録、消去が可能となったことがわかる。
この発明によれば、ホトクロミック化合物の光照射によ
る可逆的な着消色を利用して情報の記録。
る可逆的な着消色を利用して情報の記録。
消去を行う光記録媒体において、ホトクロミック化合物
を含む記録層と、これと交互に積層される透明冷却層と
を備えるので透明冷却層により記録層が効率良く冷却さ
れるとともに、透明冷却層を介する積層によって所要の
膜厚が得られ、その結果光照射エネルギ密度を大きくし
ても記録層は熱破損することなく情報の記録、消去が行
われ、信号も大きく、高速で情報の記録、消去の可能な
光記録媒体が得られる。
を含む記録層と、これと交互に積層される透明冷却層と
を備えるので透明冷却層により記録層が効率良く冷却さ
れるとともに、透明冷却層を介する積層によって所要の
膜厚が得られ、その結果光照射エネルギ密度を大きくし
ても記録層は熱破損することなく情報の記録、消去が行
われ、信号も大きく、高速で情報の記録、消去の可能な
光記録媒体が得られる。
第１図はこの発明の実施例に係る光記録媒体の模式断面
図、第２図はフルギド化合物の光吸収特性を示す線図で
ある。 １：記録層、２：透明冷却層、３：基板、４：反射層。
図、第２図はフルギド化合物の光吸収特性を示す線図で
ある。 １：記録層、２：透明冷却層、３：基板、４：反射層。
Claims (1)
- １）ホトクロミック化合物の光照射による可逆的な着消
色を利用して情報の記録、消去を行う光記録媒体におい
て、ホトクロミック化合物を含む記録層と、これと交互
に積層される透明冷却層とを備えることを特徴とする光
記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63258237A JPH02105346A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63258237A JPH02105346A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02105346A true JPH02105346A (ja) | 1990-04-17 |
Family
ID=17317431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63258237A Pending JPH02105346A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02105346A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0426437A2 (en) * | 1989-10-30 | 1991-05-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical memory device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6290649A (ja) * | 1985-10-17 | 1987-04-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学記録媒体 |
| JPS6383932A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-14 | Toshiba Corp | 光学的記録媒体 |
-
1988
- 1988-10-13 JP JP63258237A patent/JPH02105346A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6290649A (ja) * | 1985-10-17 | 1987-04-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学記録媒体 |
| JPS6383932A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-14 | Toshiba Corp | 光学的記録媒体 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0426437A2 (en) * | 1989-10-30 | 1991-05-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical memory device |
| EP0426437A3 (en) * | 1989-10-30 | 1992-04-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical memory device |
| US5192644A (en) * | 1989-10-30 | 1993-03-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical memory device |
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