JPH02101730A - 露光装置 - Google Patents

露光装置

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JPH02101730A
JPH02101730A JP63255114A JP25511488A JPH02101730A JP H02101730 A JPH02101730 A JP H02101730A JP 63255114 A JP63255114 A JP 63255114A JP 25511488 A JP25511488 A JP 25511488A JP H02101730 A JPH02101730 A JP H02101730A
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JP
Japan
Prior art keywords
excimer laser
laser
band
etalon
grating element
Prior art date
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Pending
Application number
JP63255114A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaru Sasako
勝 笹子
Masataka Endo
政孝 遠藤
Hideo Nakagawa
秀夫 中川
Noboru Nomura
登 野村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Priority to JP63255114A priority Critical patent/JPH02101730A/ja
Publication of JPH02101730A publication Critical patent/JPH02101730A/ja
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Lasers (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体集積回路、特に微細化された超LSI
製造プロセスにおける縮小投影露光装置に関するもので
ある。さらに詳細に言えば、縮小投影露光装置(以後ス
テッパーという。)の性能向上のために、短波長光源と
してエキシマレ−ザラ用いるエキシマレーザステッパー
に関するものである。
従来の技術 光ステッパーを用いたフォトリングラフィの解像度Rは
R=β・λ/NAで与えられる。NAはレンズの開口数
(Numerical Aperture)、βはプロ
セス、材料の性能によって決定される定数、λは露光波
長である。解像度を改善するために、G線、■線に比べ
てより短波長であるエキシマレーザを光源トスるエキシ
マレーザステッパーが近年提案、実験され始め、0.5
μm以下の量産用露光装置として有望である。第2図に
KrFエキシマレーザステッパーの構成図を示す。K 
r Fエキシマレーザ1から出たビームはインテグレー
タ21反射板3.コンデンサレンズ4.レチクル5を経
て、縮小投影レンズ6を用いである縮小率でウェーハ7
上に結像させる。縮小投影レンズ6には単色レンズと色
消しレンズがあり、エキシマレーザステッパーでは、1
1色レンズが色消しレンズに比べ露光領域が広く、しか
もNAの大きなレンズの設計と製造が容易なため主流で
ある。そのため単色レンズを使用すると、エキシマレー
ザのスペクトル線幅に対する要求が高まり、スペクトル
線幅の狭帯域化が必要になってくる。以下、エキシマレ
ーザの狭帯域化の必要性を説明する。第3図にNAが0
.4である単色レンズを用いた時のKrFエキシマレー
ザに対するO T F (Optlcal  Tran
sfer Functjon)特性を示す。一般的に解
像を得るにはOTF値は0.5以上必要である。これを
第4図を用いて説明すると、レーザ光はマスクイメージ
から縮小光学系を通過することによりフーリエ変換され
て点線のような波形になり、OTFである明暗部のコン
トラストCはC: 100X (Imax−1min)
/(Imax+ImIn)であり、C値が50%以下で
はレジスト等の分解能により光学理論上解像されないと
されている。KrFレーザのスペクトル線幅として理論
上理想状態(OnmLo、003 n m 、0.00
8 n mそして通常のKrFレーザのスペクトル線幅
である0、31mをパラメータとしている。スペクトル
線幅が0.3nmの時、OTFは空間周波数の増大とと
もに激しく劣化する。空間周波数がl000本/mm 
 (0,5μmラインアント゛スペースのレジ。
ストパターンに相当する。)の時、解像を得るためには
、KrFレーザのスペクトル線幅は0.003 n m
以下である必要がある。空間周波数が1000本/mm
より増大するとKrFレーザの狭帯域化の必要性はさら
に増すことになる。第5図は従来技術による狭帯域化エ
キシマレーザの構成概略図を示す。レーザキャビティ1
0はレーザチャンバ20.フロントミラー30.リアミ
ラー70およびファブリペローエタロン素子80から構
成される。レーザ光60の狭帯域化をファブリペローエ
タロン素子80をキャビティ内部のリア側に設置するこ
とで行なっている。さらに狭帯域化するためにエタロン
素子80を複数個設置する場合がある。場合によっては
外部エタロン81を設置することで狭帯域化を行なう。
エタロン素子の狭帯域化能力は、主にエタロン素子の平
行反射板のギャップの平坦性に大きく依存するため加工
精度により決定される。現在、その加工精度は波面収差
λ/40(λはHe−Ne光:11i33nm)が限界
であるため、エタロン素子による狭帯域化には限界があ
る。そのためエキシマレーザの狭帯域化を高めるには、
複数のエタロン素子の組合せによる方法に限られてくる
発明が解決しようとする課題 しかし複数個、例えば2個のエタロン素子を組み合わせ
て狭帯域化する方法は、エキシマレーザはレーザチャン
バのリア側に設置した方が狭帯域化に寄与するため、ま
ず粗に狭帯域化するフリー・スへ゛クトル・レンジ゛(
FSR) (狭帯域化する周期)がラフなエタロン素子
で広めに狭帯域化し、次にFSRがファインなエタロン
素子で密に狭帯域化する方法であるが、各FSRの中心
ズレが生じやすいため所望の狭帯域スペクトル幅が得ら
れにくい。これを第6図を用いて説明する。第6図(a
)はエキシマ自然発振光でそのスペクトル線幅FWHM
aを約Q 、3nmとする。第6図(b)はラフなFS
Rbを用いて広めに狭帯域化した状r、!!(FWHM
b)。
第6図(C)はファインなFSRcを用いて、かつ第6
図(b)のFSRbの中心にうまく調整された場合で、
スペクトル線幅FWHMcは狭く狭帯域化される。しか
し、第6図(d)のようにFSRcの中心が第6図(b
)のFSRbの中心から図上左にズした場合、即ちエタ
ロン素子間の調整がうまくいかない場合スペクトル線幅
は左右非対称形となり、かつスペクトル線幅FWHMd
もFWHMcより広くなる。この各FSRの中心ズレは
長期的にレーザ発振をすると熱ひずみ等で大きくなるた
め、スペクトル幅が広くなったりスペクトル線幅の波長
シフトが起こる可能性がある。
こ こで、  F S Rは FSR=フィネス7スベ
ケトル線幅(FWt1M)で決まる。さらに各エタロン
素子間の調整の歩留まりが低いため、調整を要したり再
製作のためかなりの費用を必要とした。 (エタロン素
子1ケは約200万円である。) 本発明は、上述の問題点に鑑みて成されたもので、ステ
ッパー光学系のエキシマレーザ光源の狭帯域化を、調整
が容易でしかも長期安定性をもち、かつ安価に実現する
ことができる露光装置を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段 本発明は上述の問題点を解決するため、エキシマレーザ
を光源とする縮小投影光学系を存し、縮小投影レンズと
して単色レンズを用い、前記エキシマレーザのスペクト
ル線幅を粗に狭帯域化するグレーティング素子と前記グ
レーティング素子によって粗に狭帯域化したスペクトル
線幅をさらに密に狭帯域化するエタロン素子を前記エキ
シマレーザキャビティ内部の前記レーザ光の出射側と反
対側に設けるという構成を備えたものである。
またもう一方の発明はエキシマレーザを光源とする縮小
投影光学系において、エキシマレーザのスペクトル線幅
が百分の−nm以上であり、縮小投影レンズの色消し範
囲が百分の五nm以上であるという構成を備えたもので
ある。
作用 本発明は上述の構成によって、エタロン素子とグレーテ
ィング素子の組み合わせによりFSRの中心ズレそのも
のがなくなるため、調整はグレーティング素子の角度だ
けを注意すればよい。そのため調整は非常に容易になり
、かつ長期安定性の優れたエキシマレーザの狭帯域化を
安価に行なうことができる。さらに2種類の狭帯域化素
子はエキシマレーザのキャビティ内部の前記レーザ光の
出射側と反対側に置くことにより、レーザ特有の複数回
の光の共振をより多く利用できるため、利得を最大に得
ることできるのでエキシマレーザのパワーを最大限に得
ることが可能となる。
またもう一方の発明は、合成石英および不純物をド゛−
ピングした異なる分散値を有する合成石英類との組合せ
によって成る色消しレンズを用いるため、エキシマレー
ザのスペクトル線幅を百分の−nm以上のゆるい基準に
でき、エキシマレーザ光源の狭帯域化を、安価でかつ長
期安定性をもって実現することができる。またエキシマ
レーザのスペクトル線幅を百分の−nm以上のゆるい基
準にすることにより、コヒーレンシーを落とす、つまり
狭帯域化によるレーザモードの低下を招くことがないの
で、スペックル(光干渉)に基づくパターン欠陥を抑え
ることができる。
実施例 (実施例1) 第1図は本発明によるエキシマレーザ光源の狭帯域化を
実現するための構成概略図を示す。レーザキャビティ1
0は、レーザチャンバ20.フロントミラー30そして
狭帯域化素子であるエタロン素子40.グレーティング
素子50および反射ミラー100よりなる。レーザの狭
帯域化はエタロン素子40およびグレーティング素子5
0を通るたびに行なわれ、その経路は以下のとおりであ
る。
レーザチャンバから出たレーザ光60はエタロン素子4
0を通り(この時はあまり狭帯域化されない)、3GO
O本/ラインからなるグレーティング素子50により約
50%の回折効率で回折された一次光を反射ミラー10
0に当て、反射ミラー100により反射されたレーザ光
はグレーティング素子50により再び約50%の回折効
率で回折されてエタロン素子40そしてレーザチャンバ
20さらにフロントミラー30に到り、またレーザチャ
ンバ20に戻る。レーザ光60は以上の繰り返しを2〜
3回行なってフロントミラー30より出射する。この実
施例では、できるだけレーザの狭帯域化を安定かつ調整
を容易にするため、反射ミラー100に近い順にグレー
ティング素子50、次にエタロン素子40を配置した。
この実施例において、グレーティング素子によりスペク
トル線幅1101)が得られ、エタロン素子によりさら
にスペクトル線幅3pmが得られた。士た、スペクトル
線幅の波長シフトはエタロン素子1個を使用のため、±
0.001n m以下で長時間安定していた。このこと
により、解像度はもちろん焦点位置の安定性が得られ、
いわゆるフォーカスボケの心配が不要となった。この方
法を用いるとグレーチイング素子によりスペクトル線幅
の狭帯域化がかなりなされるため、エタロン素子の狭帯
域化能力をエタロン素子の現状の加工精度により決まる
約千分の五nmより下げることができた。またエタロン
素子同士の組合せむらがないため、非常に調整が容易で
あった。なお本発明は、エキシマレーザの発振波長によ
らずA r F (1931m) IK r F (2
48nm)あるいはX e Cl (306nm)であ
っても良いことは言うまでもない。
(実施例2) 許容スペクトル線幅が百分の−nmになるように縮小投
影レンズに色消しを施した実施例を説明する。10−6
の分散値を有する純粋な合成石英とGeに代表されるカ
ルコゲナイド系の不純物を合成石英にドーピングして、
10−9の分散値を得たレンズ材との組合せによって、
百分の五nmの色補正を施した。その結果、レーザのス
ペクトル線幅を百分の−nm以上に設定しても0.5μ
mパターンの形成が可能であった。
発明の効果 以上の説明から明らかのように、本発明は、単色レンズ
を用いる狭帯域化エキシマレーザにおいて、エタロン素
子とグレーティング素子の組み合わせによりFSRの中
心ズレそのものがなくなるため、調整が非常に容易にな
り、かつ長期安定性の優れたエキシマレーザの狭帯域化
を安価に行なうことができる。またスペクトル線幅のゆ
らぎによる波長シフトにもとづく解像度の劣化を減少さ
せることができる。さらにグレーチイング素子によりス
ペクトル線幅の狭帯域化がかなりなされるため、エタロ
ン素子の狭帯域化能力をエタロン素子の現状の加工精度
により決まる約千分の五nmより下げることができた。
そのためエタロン素子の加工精度基準を低下させること
ができエタロン。
素子に負担をあまりかけずにすむ。これらのことは非常
に工業的価値が高い。
またもう一方の発明は合成石英および不純物をドーピン
グした異なる分散値を有する合成石英との組合せによっ
て成る色消しレンズを用いるため、エキシマレーザのス
ペクトル線幅を百分の−nm以上のゆるい基準にでき、
エキシマレーザ光源の狭帯域化を、安価でかつ長期安定
性をもって実現することができ、またスペクトル線幅の
ゆらぎによる波長シフトにもとづく解像度の劣化を減少
させることができる。さらにエキシマレーザのスペクト
ル線幅を百分の−nm以上のゆるい基準にすることによ
り、スペックル(光干渉)に基づくパターン欠陥を抑え
ることができる。これらのことは非常に工業的価値が高
い。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による狭帯域化エキシマレーザの構成概
略図、第2図はKrFエキシマレーザステッパーの構成
図、第3図は単色レンズのOTF特性図、第4図はフー
リエ変換されたスペクトルプロファイル、第5図は従来
技術による狭帯域化エキシマレーザの構成概略図、第8
図は2個のエタロン素子によるレーザの狭帯域化におけ
る各FSRの中心ズレを示す図である。 10・・・レーザキャビティ、20・・・レーザチャン
バ、30・・・フロントミラー 40.80.81・・
・エタロン素子、50・・・グレーティング素子、60
・・・レーザ光、70・・・リアミラー 100・・・
反射板。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか1名第 図 第 図 墾間司う次数3籠り 第 図

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)エキシマレーザを光源とする縮小投影光学系を有
    し、縮小投影レンズとして単色レンズを用い、前記エキ
    シマレーザのスペクトル線幅を粗に狭帯域化するグレー
    ティング素子と前記グレーティング素子によって粗に狭
    帯域化したスペクトル線幅をさらに密に狭帯域化するエ
    タロン素子を前記エキシマレーザキャビティ内部の前記
    レーザ光の出射側と反対側に設置することを特徴とする
    露光装置。
  2. (2)エタロン素子だけによる狭帯域化スペクトル線幅
    が千分の五nm以上で、グレーティング素子と前記エタ
    ロン素子による狭帯域化スペクトル線幅が千分の五nm
    以下であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
    の露光装置。
  3. (3)エキシマレーザを光源とする縮小投影光学系にお
    いて、エキシマレーザのスペクトル線幅が百分の一nm
    以上であり、縮小投影レンズの色消し範囲が百分の五n
    m以上であることを特徴とする露光装置。
JP63255114A 1988-10-11 1988-10-11 露光装置 Pending JPH02101730A (ja)

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JP63255114A JPH02101730A (ja) 1988-10-11 1988-10-11 露光装置

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JP63255114A JPH02101730A (ja) 1988-10-11 1988-10-11 露光装置

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52126192A (en) * 1976-04-12 1977-10-22 Molectron Corp Dye laser
JPS62299829A (ja) * 1986-06-20 1987-12-26 Canon Inc 光学系

Patent Citations (2)

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