JPH0197354A - 電子放出素子およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電子放出素子詳しくは表面伝導型電子放出素子
に関するものである。

〔従来の技術〕 従来、簡単な構造で電子の放出が得られる素子として、
例えば、エムアイエリンソン（Ｍ、ＬＥＩｉｎｓｏｎ　
）等によって発表された冷陰極素子が知られている。

［ラノオ　エンジニアリング　エレクトロン　フイシイ
ツス（Ｒａｄｉｏ　　Ｅｎｇ、Ｅ］ｅｃｔｒｏｎ、Ｐｈ
ｙｓ、）第１０巻、１２９０〜１２９６頁、１９６５年
］これは、基板上に形成された小面積の薄膜に、膜面に
平行に電流を流すことにより、電子放出が生ずる現像を
利用するもので、一般には表面伝導型放出素子と呼ばれ
ている。

この表面伝導型放出素子としては、前記エリンソン等に
より開発されたＳｎＯ２（Ｓｂ）薄膜を用いたもの、Ａ
ｕ薄膜によるもの［ソー・ディトマー“スイン　ソリド
　フィルムス”’　（Ｇ　、　Ｄ　ｉ　ｔ　ｔ　ｍ　ｅ
　ｒ・“Ｔ　ｈ　ｉ　ｎ　　Ｓ　ｏ　］　ｉ　ｄ　　Ｆ
　ｉ　］　ｍ　ｓ　”　）　、　９巻、３１７頁、　　
（１９７２年）］、ＩＴＯ薄膜によるもの［エム　ハー
トウェルアント イートランス″イーディーコンファレン（　Ｍ　、　Ｈ
　ａ　ｒ　ｔ　ｗ　ｃ　Ｉ　Ｉａｎｄ　　Ｃ．Ｇ．Ｆｏ
ｎｓｔａｄ　：　”ＴＥＥＥ　　Ｔｒａｎｓ．ＥＤＣｏ
ｎｆ，”）　５部９頁，　　（］、９９７５年］、カー
ボン薄膜によるもの［荒木久他．“真空″，第第２券２
２頁，（１９８３年）］などが報告されている。

これらの表面伝導型放出素子の典型的な素子構成を第１
２図に示す。同第１２図において、１８および１９は電
気的接続を得る為の電極、２０は電子放出材料で形成さ
れる薄膜、１７は基板、２１は電子放出部を示す。

従来、これらの表面伝導型放出素子に於いては、電子放
出を行う前にあらかじめフォーミングと呼ばれる通電加
熱処理によって電子放出部を形成する。即ち、前記電極
１８と電極１９の間に電圧を印加する事により、薄膜２
０に通電し、これにより発生ずるジュール熱で薄膜２０
を局所的に破壊、変形もしくは変質せしめ、電気的に高
抵抗な状態にした電子放出部２１を形成することにより
電子放出機能を得ている。

上述、電気的に高抵抗状態とは、薄膜２０の一部に０．
５μｍ〜５μｍの亀裂を有し、且つ亀裂内が所謂島構造
を有する不連続状態膜を云う。島構造とは一般に数十穴
から数μｍ径の微粒子が基板１７にあり、各微粒子は空
間的に不連続で電気的に連続な膜を云う。

従来、表面伝導型電子放出素子は」二連高抵抗不連続膜
に電極１．８．　　１９により電圧を印加し、素子表面
に電流を流すことにより、」一連微粒子より電子放出せ
しめるものである。

〔発明が解決しようとしている問題点〕しかしながら、
上記の様な従来の通電加熱によるフォーミンク処理は、
本質的には通電のジュール熱による膜の部分的な破壊又
は変質そのものなので、以下のような欠点があった。

１）電子放出部となる島構造の設計が不可能な為、素子
の改良が難しく、素子間のバラツキも生じやすい。

２）島構造の寿命が短かく且つ安定性が悪く、また外界
の電磁波ノイズにより素子破壊も生じやすい。

３）フォーミンク工程の際に生じるジュール熱が大きい
為、基板が破壊しやすくマルチ化が難しい。

４）島の材料が金、銀、ＳｎＯ２、ＩＴＯ等に限定され
仕事関数の小さい材料が使えない為、犬電流を得ること
ができない。

５）素子製造にフォーミング工程を有する為に素子形状
が限定される。

〔発明の目的〕

以上のような問題点があるため、表面伝導型放出素子は
、素子構造が簡単であるという利点があるにもかかわら
ず、産業上積極的に応用されるには至っていなかった。

本発明は、上記の様な従来例の欠点を除去するためにな
されたものであり、前記の如き従来のフォーミングと呼
ばれる処理を施すことな（、フォーミンク処理により得
られる電子放出素子と同等以」二の品質を有し、特性の
ばらつきが少なく、しかも特性の制御が可能であり、か
つ電子放出部の位置も制御できる新規な構造を有する電
子放出素子を提供することを目的とするものである。

さらに、前述従来例の問題点を解決するばかりでなく、
電極間に印加する電圧を低下せしめ、放出電流密度を向
上せしめる電流放出素子を提供する。

〔問題点を解決する為の手段および作用〕本発明は、対
向する電極間に半導体層が形成されており、さらに該半
導体層上に微粒子が分散配置されている素子構造に特徴
を有している電子放出素子を提供するものである。

本発明の電子放出素子において、該電極間に電圧を印加
することにより、半導体中に電流を流すと、導電性の微
粒子より電子が放出されるのである。

ただし、現在のところ、本発明において電極間に電流が
流れるメカニズムは解明されていないが、半導体膜の表
面を流れる説、または半導体体中に存在する不純物準位
のホッピング説などが考えられる。

上述したように本発明の素子構造をとることにより、前
述従来例の問題点を解決するばかりでな（、低電力で高
密度の放出電流が得られる電子放出素子を提供できる。

以下、本発明を図面に基づいて詳細に説明する。

第１図は、本発明による電子放出素子の第一実施形態を
示す平面図である。

同図においてガラス等の基板１上に電圧印加用の低抵抗
体からなる電極２および３が微小間隔をおいて設けられ
、その間に微粒子５が分散された不連続な電子放出部４
が形成されている。６は少なくとも電極間隔部４に形成
された半導体層である。

また不図示であるが、電子放出部の上面に間隔を取って
、放出された電子を引き出す為の引き出し電極を設けで
ある。真空中で電極２，３間に電圧を印加する（この電
圧をＶｆとする）ことにより、電極間に電流が流れ（Ｉ
ｆ）、引き出し電極を＋側として電圧を印加すると、電
子放出部４よりほぼ紙面に垂直方向に電子を放出するも
のである。（この電子放出の電流をＩｅとする。） 第２図は第１図のＡＢ力方向模式的断面図である。

同図において、基板１上の微粒子は粒径が数１０人〜数
μｍで、さらに各微粒子間の間隔が数１０人〜数μｍの
範囲内で形成されるとよい。

本発明で用いられる微粒子の材料は非常に広い範囲にお
よび通常の金属、半金属、半導体といった導電性材料の
ほとんど全てを使用可能である。なかでも低仕事関数で
高融点かつ低蒸気圧という性質をもつ通常の陰極材料や
、また従来のフォーミング処理で表面伝導型電子放出素
子を形成する薄膜材料や、２次電子放出係数の大きな材
料などが好適である。

こうした材料から必要とする目的に応じて適宜材料を選
んで微粒子として用いることにより、所望の電子放出素
子を形成することができる。

具体的にはＬａＢ６．　　ＣｅＢ６　、　　ＹＢ４　、
　　ＧｄＢ４などの硼化物、Ｔ　ｉ　Ｃ、Ｚ　ｒ　Ｃ、
Ｈｆ　Ｃ、Ｔ　ａ　Ｃ、Ｓ　ｉ　Ｃ。

Ｗｅなどの炭化物、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＨｆＮなどの窒化
物、Ｎｂ、　Ｍｏ、　Ｒｈ、　Ｈｆ、　Ｔａ、　Ｗ、　
Ｒｅ、　Ｉｒ。

Ｐｔ、　　Ｔｉ、　Ａｕ、　Ａｇ、　Ｃｕ、　　Ｃｒ、
　ＡＡ、　Ｃｏ、　Ｎｉ。

Ｆｅ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｃｓ、Ｂａなどの金属、Ｉｎ２０３
１Ｓｎ０２．Ｓｂ２０３などの金属酸化物、Ｓｉ、　Ｇ
ｅなどの半導体、カーボン、Ａｇ　Ｍｇなどを一例とし
て挙げることができる。なお本発明は上記材料に限定さ
れるものではない。

さらにまた、本発明では、上述の材料のうち、異なる物
質を選び、目的に応じて少なくとも２種以−にの異なる
物質の微粒子を分散させてもよい。

次に第１図で示した素子の製造方法を以丁に示す。

第３図■〜■に各製造工程中の素子断面図を示しである
３、 ■ガラス、セラミック等から成る基板１の表面の脱脂及
び洗浄を行う。

■■で得た基板１の」二に真空堆積法及びフ第１・リソ
エツチング法またはリフトオフ法、あるいは印刷法等に
より電極２，３を形成する。

電極材としては一般的な導電性材料、Ａ　ｕ　、　Ｐ　
ｔ　。

Ａｇ等の金属の他、Ｓｎ０２．ＩＴＯ等の酸化物導電性
材料でも使用できる。

電極２，３の厚みは数１００人から数μｍ程度が適当で
あるが、この数値に限るものではない。

また、電極間隔Ｌ（つまり４の部分にあたる）の寸法は
電極対向間隔が１００人から数１０　ｌｉ　ｍが適当で
あり、間隔幅Ｗは数μｍから数ｍｍ程度が適当である。

しかしこの寸法に限るものではない。

■　次に■て得た電極キャップ部へ微粒子１ｏを塗布す
る。塗布には微粒子の分散液を用いる。

酢酸ブチルやアルコール、ケトン等から成る有機溶媒に
微粒子及び微粒子の分散を促進する有機バインダーを加
え、撹拌等により微粒子の分散液を調整する。有機バイ
ンダーとしては、ブチラール、アクリル、塩化酢酸ビニ
ル、フェノール、ナイロン、ポリエステル、ウレタンが
もちいられる。

ここで、例えば微粒子の分散液の調整を記す。

の材料をガラスビーズと共にペインＩ・シェーカにて３
ｈｒ撹拌し分散液とした。

この微粒子分散液を試料表面にディッピングやスピンコ
−１・等の方法により塗布し、溶媒等が蒸発、かつ有機
バインダーが炭素化し半導体層となるような温度、例え
ば２５０℃で１０分程度焼成を行う。この焼成により半
導体層６及び微粒子５は電極間■７に配置される。もち
ろん半導体層６及び微粒子５は試料全面に配置されるが
、電子放出に際し電極間隔り部具外の半導体層６及び微
粒子５は実質的に電圧が印加されないため、何ら支障を
きたさない。半導体層６の厚み及び微粒子５の配置密度
は塗布条件及び微粒子分散液の調整により変化し、これ
に合わせて電極間隔りに流れる電流量も変化する。

■で得た電極ギャップ部へ微粒子５を分散させる方法と
しては、上述の塗布形成の他にも、例えば有機金属化合
物の溶液を基板上に塗布した後、熱分解によって金属粒
子を形成する手法もある。

具体例には の材料で溶液を調整する。このＰｄ有機金属化合物溶液
を塗布した後、加熱をほどこすとＰｄの微粒子５及び半
導体層６を得ることがてきる。

半導体層６は焼成により得られる炭素が主な構成材とな
る膜である。これは、電気比抵抗が１×１０−３Ω・ｃ
ｍ程度以上の半導体層である。

上記の工程により得られた試料においては、半導体層６
の厚みは微粒子５の粒径より小さ（なる。

すなわち、微粒子５は半導体層６に埋まっているものの
、突出した部分を有するように固定されている構造とな
っている。（第２図） 以上説明してきた例では、微粒子５が半導体層６より突
出した構造であった。ここで、この素子の表面へ更に有
機バインダー溶液のみを塗布、焼成して得られる炭素膜
で微粒子５を被覆すると、第４図のように微粒子５が半
導体層６に包含された構造とすることができる。

また、塗布溶液内の炭素と微粒子の比率を変化させ、炭
素をより多くし、また塗布量も増すことによって第５図
のように微粒子５が半導体層６に包含、又は少なくとも
一部が半導体層よりも突出した構造にすることもできる
。

上記述べてきた素子では半導体層６を微粒子５の配置と
同工程で行うために製造工程が簡易になるという特徴を
有している。

また、半導体層６は炭素以外の材料すなわち塗布法や印
刷法及び焼成によって得られる半導体材料、、例えばＳ
ｉ、　Ｇｅ、　Ｓｅ等を含んだ溶液から作製することも
できる。従ってこれらの材料溶液の調整及び塗布、焼成
条件を選ぶことによって所望の特性の半導体層を得るこ
とができる。これらの半導体層によっても、微粒子の配
置を同一工程で行えるという特徴を有している。

又、本発明の電子放出素子は第６図に示す構造を有する
電子放出素子でもよい。

第７図１）〜４）に第６図に示す電子放出素子の製造工
程を説明する。素子断面図を順に示し、以下製造方法例
を述べる。

■）カラス、セラミック等から成る基板１の表面の脱脂
及び洗浄を行う。

２）１）で得た基板１の上に真空堆積法、又は塗布、又
は印刷法及び焼成法によって得られる半導体層７を形成
する。

上記半導体層は真空堆積法で得られるアモルファスシリ
コン半導体膜や結晶化シリコン半導体膜、化合物半導体
膜、さらには塗布法や印刷法及び焼成によって得られる
半導体膜等が使用できる。

例えばプラスマＣＶＤ法等で得られる水素化アモルファ
スシリコン（Ａ−８ｉ：Ｈ）半導体層とすることができ
る。該半導体層の膜厚は５０人から１０μｍぐらいであ
る。

３）電極２，３を第３図の■と同様にして設ける。

４）微粒子５を第３図■と同様にして設ける。

但し、塗布溶液中の炭素量を極力減らすか、またはゼロ
とすることにより、電極間隔部りつまり電子放出部４に
形成される炭素膜半導体層の厚みを少なくすることが好
ましい。すなわち電極間隔部りに流れる電流Ｉｆを極力
半導体層７と微粒子５に流すことによって半導体層７の
効果をより引き出すことができるからである。

また、該構造を有する素子では蒸着可能な微粒子も使用
可能であり、該蒸着可能な材料については、基板温度等
の蒸着条件の制御やマスク蒸着等の蒸着的手法によって
微粒子を形成することができる。

上記１）〜４）で得られる電子放出素子は、半導体層と
微粒子の形成が別工程であるために、半導体層の形成条
件の自由度が大きくなる。したがって半導体層７の特性
を調整することがより可能になる。

例えば、半導体形成時に不純物ドープ量を変化させ、適
当な形成条件を選べば、半導体層７の電気抵抗を容易に
調整することができる。したがって素子に流れる電子１
ｆｉの調整ができるようになり、素子の駆動電圧の調整
が可能になるという特徴を有する。

さらに本発明の電子放出素子は半導体層６もしくは７の
かわりに基板自体を半導体基板としてもよい。

第８図にこの時の素子断面図を示す。半導体基板８とし
ては、所望の特性を有する基板材、例えばＳｉウェハー
等を用いることができる。また所望の特性の半導体層を
得る方法として半導体基板又は絶縁体基板へのイオン注
入等を用いることができる。

この方法では同一平面上の所望な部分のみの比抵抗を調
整できる。このため電子放出素子を高密度集積化した場
合、隣接素子間のリーク電流を小さくできクロストーク
を減少させることができる。さらに同一平面上であるた
めに、電極の段差上のステップカバレージ不良による断
線等の欠陥が発生しないという特徴を有している。

第９図は本発明の更に他の電子放出素子を説明する断面
図である。各材料構成は前述の通りであるが、製造工程
上、半導体層９を電極２，３と微粒子５を形成後に形成
し、微粒子５を半導体層９で包含、固定させる。その後
、エツチングにより半導体層表面を削り取り、微粒子５
を半導体層より突出させた状態で固定する構造である。

第１Ｏ図国〜同に第９図に示す電子放出素子の製造工程
を説明する素子断面図を順に示し、以下、製造方法例を
述べる。

国ガラス、セラミックス等から成る、基板１の表面の脱
脂及び、洗浄を行う。

目電極２，３を第３図■と同様にして設ける。

［用微粒子５を第３図■（好ましくは分散液に有機バイ
ンダーを含まないものがよい）と同様にして設ける。

１何　半導体層９を電極間隔部りの近傍に形成する。

この時、一般に半導体層は微粒子５の表面にも堆積し、
微粒子５の粒径で凸部を作るように堆積する。

［ｕｌ　ｆｌで得られた半導体層９の凸部表面を主にエ
ツチングする。例えば試料を斜めにセツティングした状
態でイオンミーリンク等を行うことにより半導体層９の
凸部表面かエツチングされる。すると、エツチングされ
た部分は半導体層９から微粒子５が一部突出した形で露
出し、かつ、半導体層９で固定された構造となる。

またエツチング工程を行わなければ微粒子５が半導体層
９に包含された構造となる。

以上説明してきた各実施例はいずれも平面基板」−に形
成された電極間隔部に半導体及び微粒子を配置した例で
あったが、本発明はこれらの形状に限られるものではな
い。

例えば第１１図に示す形状の電子放出素子でもよい。こ
れは基板１０上の絶縁層］１の段差部を隔てて、電極］
　２　、　＋−３が形成されており電極間隔部１４は、
前述実施例とは異なり垂直方向に形成されている。ここ
へ第３図に示した工程と同様にして半導体層］５と微粒
子Ｊ６を配置すれば、電極間隔部が垂直方向を向いた表
面伝導形電子放出素子が作製される。

以下、実施例によりさらに詳しく説明する。

実施例】 第１図の構成において、ソーダガラス基板１上に厚み約
１００人の焼成有機物から得た炭素膜で半導体層６を形
成した。該半導体層中には直径数１００人のパラジウム
が分散しである。

又、電極２，３は厚み１０００人、間隔０．８μｍ、幅
３００μｎ］でｐｔで形成した。

上記作製された素子の電極２，３間に電圧を印加すると
電流Ｉ［が半導体層６及び微粒子５を介して流れ、引き
出し電極を＋側として電圧を印加すると安定した電子放
出が確認された。

本実施例において作製した半導体を有する電子放出素子
と従来技術であるフォーミングを必要とするＩＴＯ材か
ら成る表面伝導形電子放出素子との特性例を比較して表
１に示す。放出電流のゆらぎは］Ｘｌ０−３Ｈｚ以下の
放出電流量の変化量△■ｅを放出である。

表　　　１ ※寿命：放出電流が５０％以下になる期間表１から明ら
かなように本実施例の表面伝導形電子放出素子は安定で
寿命が長く、駆動電圧が低く、放出電流が大きい特性を
示している。

実施例２ 第６図の構成において、ガラス基板１上にプラズマＣＶ
Ｄ法によりＡ−３ｉ：Ｈ膜を２０００人堆積し、半導体
層７とした。電極２，３は厚み１０００人て間隔０，８
μｍ１幅３００μｍでＰｔて形成した。

さらに、該電極間に、微粒子５として直径数１００人の
Ｐｄを分散配置した。

Ｐｄ微粒子は有機パラジウム化合物をＰ（］金属換算比
率で０．３％程度含む酢酸ブチル溶液（奥野製薬工業製
キャタペーストＣＣＰ−４，２３０）を用いてスピンコ
ー１□　（３００ｒ　ｐ　ｍ　、　５回塗布）して２５
０°Ｃて加熱処理した。本実施例において作製した半導
体を有する電子放出素子を実施例１と同様に評価したと
ころ、同様な電子放出を得ることができた。

実施例３ 第９図の構成において、ガラス基板１上に電極２゜３を
厚みＩ　０００人、間隔０．８μｍ、幅３００μｍてｐ
ｔで形成した。

微粒子を実施例２と同様に作成し、半導体層９として水
素化アモルファスシリコンをプラズマＣＶＤ法により約
５００人の厚みで形成した。

その後、イオンミーリングにより半導体層９の凸部をエ
ツチングした。

以上の工程で作製された電子放出素子に実施例１と同様
な方法で評価したところ、同様な電子放出素子が得るこ
とがわかった。特に本実施例では、実施例２と異なり、
微粒子５を半導体層９で固定した電子放出素子では、第
２の実施例の効果の他に、電子放出が安定する傾向にあ
った。

〔発明の効果〕

以上、説明したように相対向する電極間に半導体層が形
成されており、さらに導電性の微粒子が該半導体層」二
もしくは層中に分散配置されている素子構造に特徴を有
する電子放出素子にすることで、従来フォーミング工程
を有する表面伝導形電子放出素子と比べつぎのような効
果がある。

■、微粒子が半導体に固定されている為、動作中に微粒
子が移動することな（、安定で寿命を延ばすのに効果が
ある。

２、半導体の電気抵抗を制御することにより駆動電圧を
下げることができ、且つ放出電流の向上に効果がある。

３、フォーミング工程がない為、素子を多数に集積化す
ることができる。

４、フォーミング工程がない為、素子形状が自由に設計
できる。

５、微粒子の密度を適当に調整することにより電子放出
効率を向上させるのに効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の電子放出素子を説明する一実施例平面
図、 第２図は第１図の素子の断面図、 第３図■〜■は第１図に示す電子放出素子の製造工程を
説明する図、 第４図及び第５図は他の本発明の電子放出素子を示す断
面図、 第６図、第８図、第９図、第１１図は更に異なる本発明
の他の電子放出素子を示す断面図、第７図１）〜４）及
び第１０図円〜同は、第６図及び第９図のそれぞれの素
子製造工程を示す断面図である。 第１２図は従来例を説明する図である。 ｌ・・・基板、　　　　　　２，３・・・電極。 ４・・・電子放出部、　　　５・・・微粒子、６．７・
・・半導体層、　　８・・・基板、９・・・半導体層、
　　　１０・・・基板、１１・・・絶縁体、　　　　１
２．１３・・・電極、１４・・・電子放出部（電極間隔
部）、１５・・・半導体層、　　　１６・・・微粒子、
１７・・・基板、　　　　　１８．１９・・・電極、２
０・・・薄膜、　　　　　２１・・・電子放出素子。 第　３　図 γ　　　５ 第９は 第７８図 １霞　　　　　　　　　ｄ′

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. （１）対向する電極間に半導体層が形成されており、該
   半導体層の層中にもしくは層上に微粒子が分散配置され
   ている素子構造を有することを特徴とする電子放出素子
   。
2. （２）前記微粒子が前記半導体層中に完全に包含されて
   いる構造を有する特許請求の範囲第１項記載の電子放出
   素子。
3. （３）前記微粒子が前記半導体層中に１部含有され、か
   つ１部露出している構造を有する特許請求の範囲第１項
   記載の電子放出素子。
4. （４）前記微粒子が硼化物、炭化物、窒化物、金属、金
   属酸化物、半導体あるいはカーボンである特許請求の範
   囲第１項記載の電子放出素子。
5. （５）前記微粒子を塗布によって電極間に分散させた特
   許請求の範囲第１項記載の電子放出素子。
6. （６）前記微粒子を蒸着によって電極間に分散させた特
   許請求の範囲第１項記載の電子放出素子。
7. （７）前記微粒子を有機金属化合物の熱分解によって分
   散させた特許請求の範囲第１項記載の電子放出素子。
8. （８）基板上に対向する電極が形成され、該電極間に半
   導体層が形成されており、該半導体層の層中もしくは層
   上に微粒子が分散配置されている素子構造を有する特許
   請求の範囲第１項記載の電子放出素子。
9. （９）基板上に電極を形成する手段と該電極間に有機バ
   インダー含有の微粒子分散液を塗布、焼成し、微粒子の
   分散を行う手段を有する特許請求の範囲第８項記載の電
   子放出素子。
10. （１０）前記有機バインダーがブチラール、アクリル、
    塩化酢酸ビニル、フェノール、ナイロン、ポリエステル
    、ウレタンである特許請求の範囲第９項記載の電子放出
    素子。
11. （１１）基板上に半導体層を形成する手段と該半導体層
    上に電極を形成する手段と該電極間に微粒子を分散する
    手段とを有する特許請求の範囲第８項記載の電子放出素
    子。
12. （１２）前記半導体層がアモルファスシリコン半導体、
    結晶化シリコン半導体、あるいは化合物半導体の層であ
    る特許請求の範囲第１１項記載の電子放出素子。
13. （１３）前記半導体層の膜厚が５０Åから１０μｍであ
    る特許請求の範囲第１１項記載の電子放出素子。
14. （１４）前記微粒子を絶縁層中に完全に包含させる手段
    と、完全に包含されている微粒子をエッチングにより１
    部絶縁層から露出させる手段とを有する特許請求の範囲
    第１項記載の電子放出素子。