JPH0196978A - 半導体レーザー - Google Patents
半導体レーザーInfo
- Publication number
- JPH0196978A JPH0196978A JP62254471A JP25447187A JPH0196978A JP H0196978 A JPH0196978 A JP H0196978A JP 62254471 A JP62254471 A JP 62254471A JP 25447187 A JP25447187 A JP 25447187A JP H0196978 A JPH0196978 A JP H0196978A
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- JP
- Japan
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- light
- laser
- transmittivity
- chip
- electrochromic element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 12
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 5
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Head (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光磁気メモリーの記録再生用光源として用いる
半導体レーザーに関するものである。
半導体レーザーに関するものである。
従来のこの種のレーザーチップは第２図に示すように、
一般に各層１ａ〜１ｅを重ねた多層構造のチップによっ
て構成されており、基板１ａから上方にクラッド層１ｂ
、活性ＮＩ ｃ、クラッド層ｌｄ、電極ｒｔｅが順に重
ねられている。そして、不図示のレーザー駆動回路によ
り電流が電極層１ｅに印加されると、活性層１Ｃの中に
レーザー発振が生じ、レーザーチップ１の両端面２ａ、
２ｂからレーザー光を出射する。
一般に各層１ａ〜１ｅを重ねた多層構造のチップによっ
て構成されており、基板１ａから上方にクラッド層１ｂ
、活性ＮＩ ｃ、クラッド層ｌｄ、電極ｒｔｅが順に重
ねられている。そして、不図示のレーザー駆動回路によ
り電流が電極層１ｅに印加されると、活性層１Ｃの中に
レーザー発振が生じ、レーザーチップ１の両端面２ａ、
２ｂからレーザー光を出射する。
このように構成されたレーザーチップ１においては、レ
ーザーチップ璽の発光点と記録媒体が互いに共役点とな
るために、記録媒体によって反射されたレーザー光の一
部がレーザーチップ１に戻ってレーザーチップ１の内部
で発振光と戻り光との干渉が起こり、レーザー発振が不
安定となってノイズとして観察される。このノイズを戻
り光誘起ノイズと言い、このノイズが大きくなると、記
録媒体の再生時に信号のＣＮ比の劣化を引き起こし、そ
のためにレーザーチップ１を光磁気メモリーの再生用光
源として使用できないという問題点があった。
ーザーチップ璽の発光点と記録媒体が互いに共役点とな
るために、記録媒体によって反射されたレーザー光の一
部がレーザーチップ１に戻ってレーザーチップ１の内部
で発振光と戻り光との干渉が起こり、レーザー発振が不
安定となってノイズとして観察される。このノイズを戻
り光誘起ノイズと言い、このノイズが大きくなると、記
録媒体の再生時に信号のＣＮ比の劣化を引き起こし、そ
のためにレーザーチップ１を光磁気メモリーの再生用光
源として使用できないという問題点があった。
そこで本発明は、この欠点に鑑みてなされたもので、記
録用光源だけでなく、再生用光源にも使用できる半導体
レーザーを得ることを目的とする。
録用光源だけでなく、再生用光源にも使用できる半導体
レーザーを得ることを目的とする。
上記目的を達成するために、実施例に対応する第１図を
用いて説明すると、本発明は、両端面（２ａ、２ｂ）か
らレーザー光を発光するレーザーチップ（１，１ａ〜ｍ
ｅ）を有する半導体レーザーに於いて、 前記レーザーチップ（１，１ａ〜ｌｅ）の発光端面（２
ａ、２ｂ）の一方にエレクトロクロミ・ツク素子（５ａ
）、反射膜（５ｂ）を順次貼着し、前記エレクトロクロ
ミック素子（５ａ）に電圧を印加すると共に、その印加
電圧を調整する電気回路（７）を備えたことを技術的要
件としている。
用いて説明すると、本発明は、両端面（２ａ、２ｂ）か
らレーザー光を発光するレーザーチップ（１，１ａ〜ｍ
ｅ）を有する半導体レーザーに於いて、 前記レーザーチップ（１，１ａ〜ｌｅ）の発光端面（２
ａ、２ｂ）の一方にエレクトロクロミ・ツク素子（５ａ
）、反射膜（５ｂ）を順次貼着し、前記エレクトロクロ
ミック素子（５ａ）に電圧を印加すると共に、その印加
電圧を調整する電気回路（７）を備えたことを技術的要
件としている。
以上の構成によれば、前記電気回路（７）が印加電圧を
調整することにより、エレクトロクロミック素子（５ａ
）がレーザー光の透過率を調整することができ、このた
めに半導体レーザーが記録用光源や再生用光源の両方に
も使用することができる。
調整することにより、エレクトロクロミック素子（５ａ
）がレーザー光の透過率を調整することができ、このた
めに半導体レーザーが記録用光源や再生用光源の両方に
も使用することができる。
本発明の実施例を第１図に基づいて説明する。
第１図は本発明の実施例に係るレーザーチ・ノブ１の斜
視図である。この第１図中、第２図中と同一符号の膜材
は同一であるので、説明を省略する。
視図である。この第１図中、第２図中と同一符号の膜材
は同一であるので、説明を省略する。
第１図において、レーザー千ノブ１の一方の端面２ａに
は、反射防止膜４を蒸着したエレクトロクロミック素子
５ａの一面が貼着されており、またエレクトロクロミッ
ク素子５ａの他面には反射膜５ｂが貼着されている。反
射膜５ｂとレーザーチップ１の他方の端面２ｂとの間に
、キャビティ（共振器）が形成される。エレクトロクロ
ミック素子５ａには、接続コード６を介して電気回路７
から電圧が印加され、電気回路７が電圧を調整すること
により、エレクトロクロミンク素子５ａが光の透過率を
調節することができる。
は、反射防止膜４を蒸着したエレクトロクロミック素子
５ａの一面が貼着されており、またエレクトロクロミッ
ク素子５ａの他面には反射膜５ｂが貼着されている。反
射膜５ｂとレーザーチップ１の他方の端面２ｂとの間に
、キャビティ（共振器）が形成される。エレクトロクロ
ミック素子５ａには、接続コード６を介して電気回路７
から電圧が印加され、電気回路７が電圧を調整すること
により、エレクトロクロミンク素子５ａが光の透過率を
調節することができる。
以上のように構成されたレーザーチップ置の発光につい
て、第３図を用いて述べる。
て、第３図を用いて述べる。
レーザーチップｌの前記端面２ｂと反射膜５ｂとの間に
形成されるキャビティ （共振器）の中をフォトン（光
子）が往復する時、電気回路７による印加電圧の調整に
応じて、エレクトロクロミック素子５ａが光の透過率を
下げると、エレクトロクロミック素子５ａがフォトンの
一部を吸収し、これによってキャビティ中のフォトン寿
命が低下すると共に、出射光のコヒーレンシーが低下す
る。
形成されるキャビティ （共振器）の中をフォトン（光
子）が往復する時、電気回路７による印加電圧の調整に
応じて、エレクトロクロミック素子５ａが光の透過率を
下げると、エレクトロクロミック素子５ａがフォトンの
一部を吸収し、これによってキャビティ中のフォトン寿
命が低下すると共に、出射光のコヒーレンシーが低下す
る。
そのためにレーザーチップ１に出射光の一部が戻ること
があっても、出射光のコヒーレンシーが低いためにレー
ザーチップ１のキャビティ内での発振光と戻り光との干
渉が小さくなり、戻り光誘起ノイズを小さく抑えること
ができる。従って、光磁気メモリーの再生用光源として
使用することができる。
があっても、出射光のコヒーレンシーが低いためにレー
ザーチップ１のキャビティ内での発振光と戻り光との干
渉が小さくなり、戻り光誘起ノイズを小さく抑えること
ができる。従って、光磁気メモリーの再生用光源として
使用することができる。
また、電気回路７による印加電圧の調整に応じて、エレ
クトロクロミック素子５ａが光のｉ３過率を最大限まで
に上げると、戻り光誘起ノイズのレベルに関係なく、レ
ーザーチップ１内の発振効率が最大となり、高出力の出
射光を得ることができる。そのために、光磁気メモリー
の記録用光源として使用することができる。
クトロクロミック素子５ａが光のｉ３過率を最大限まで
に上げると、戻り光誘起ノイズのレベルに関係なく、レ
ーザーチップ１内の発振効率が最大となり、高出力の出
射光を得ることができる。そのために、光磁気メモリー
の記録用光源として使用することができる。
以上の本発明によれば、電気回路が印加電圧を調整する
ことにより、エレクトロクロミンク素子がレーザー光の
透過率を調整することができ、このために半導体レーザ
ーが記録用光源や再生用光源の両方にも使用することが
できる。
ことにより、エレクトロクロミンク素子がレーザー光の
透過率を調整することができ、このために半導体レーザ
ーが記録用光源や再生用光源の両方にも使用することが
できる。
第１図は、本発明の実施例に係る半導体チップの概略斜
視図である。 第２図は、従来に係る半導体チップの概略斜視図である
。 第３図は、本発明の実施例に係る半導体チップの上面図
である。 〔主要部分の符号の説明〕 １・−・・・−・・−・半導体チップ
視図である。 第２図は、従来に係る半導体チップの概略斜視図である
。 第３図は、本発明の実施例に係る半導体チップの上面図
である。 〔主要部分の符号の説明〕 １・−・・・−・・−・半導体チップ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 両端面からレーザー光を発光するレーザーチップを有す
る半導体レーザーに於いて、 前記レーザーチップの発光端面の一方にエレクトロクロ
ミック素子、反射膜を順次貼着し、前記エレクトロクロ
ミック素子に電圧を印加すると共にその印加電圧を調整
する電気回路を備えたことを特徴とする半導体レーザー
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62254471A JPH0196978A (ja) | 1987-10-08 | 1987-10-08 | 半導体レーザー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62254471A JPH0196978A (ja) | 1987-10-08 | 1987-10-08 | 半導体レーザー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0196978A true JPH0196978A (ja) | 1989-04-14 |
Family
ID=17265499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62254471A Pending JPH0196978A (ja) | 1987-10-08 | 1987-10-08 | 半導体レーザー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0196978A (ja) |
-
1987
- 1987-10-08 JP JP62254471A patent/JPH0196978A/ja active Pending
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