JPH0196582A - 信号検出装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、超電導体を用いて構成した電磁波あるいは光
の検出器に係り、特に集積化と高機能化に好適な信号検
出器の構成と、その材料とに関する。

〔従来の技術〕

従来、超伝導体を用いた光検出あるいは電磁波検出のた
めの装置は、特開昭６２−３２６６７号公報に記載され
たるごとく、トンネル接合等を用いて形成されていた。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記従来技術は、２次元的な集積化の点が配慮されてお
らず、２次元的な信号の検出やその処理を行うことがで
きないという問題があった。

本発明の目的は集積化と高機能化に好適な信号検出器の
構成とその材料とを提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記目的は、信号検出装置を複数の超電導体薄膜から構
成された第１の超電導体層と、この上部に前記第１の超
電導体層と電気的に絶縁された複数の超電導体Ｗ１．ｖ
ｌＸより構成された第２の超電導体層とを含んで構成さ
れ、第１の超電導体層と第２の超電導体層それぞれにお
いて形成される信号検出器の両方によって電磁波を検出
し、これによす電磁波が入射した信号検出装置内の位置
を決定することによって実現することができる。

〔作用〕

Ｘ線、軟ｘｉなどの、波長の短い電磁波においては、入
射電磁波は第２の超電導体層において、一部分が吸収さ
れたのち、第１の超電導体層においても吸収が生じる。

光、あるいは遠赤外光、マイクロ波、ミリ波等の場合に
おいても、第２の超電導体層の厚さを充分に薄くすれば
、入射エネルギーは第１の超電導体にまで違することに
なる。

従って、第１及び第２の超電導体内にトンネル接合を設
けておけば、電磁波の入射によって超電導体内に生じた
過剰な準粒子によるトンネル抵抗の変化や、超伝導のエ
ネルギギャップの変化を検出することにより、信号検出
装置の内の２次元的な位置のどの部分に電磁波が入射し
たかを知ることができる。

上記のトンネル接合としては、いわゆるサンドイッチ型
のジョセフソン接合に加えて、酸化物超伝導体などにし
ばしば見られるような結晶粒界に生じる障壁を利用した
結晶粒界ジョセフソン接合を用いても良い。

サンドインチ型ジョセフソン接合においては、トンネル
障壁層が、第１及び第２の超電導体が延在する平面に対
し垂直の方向に設けて、これにより、超電導体層の厚さ
が必要以上に厚くなることを防ぐことが望ましい。この
様な制限は入射する電磁波の波長が短く、従ってエネル
ギーの高い場合にはそれほど厳しくないが、しかしこれ
によって−層の感度の向上を実現できる。

結晶粒界ジョセフソン接合を用いる場合には、薄膜その
ものを、ジョセフソン接合を含んだ超電導体層として用
いることができるので、製造が容易になることに加えて
、複数のジョセフソン接合に生じる変化を直列にして検
出できるので、信号の検出が容易となり、しかもサンド
インチ型のジョセフソン接合の場合とは異なり、第１及
び第２の超電導体層の厚さを数百ｎｍにまで薄くするこ
とができるので、検出の感度を高くすることができる。

本発明において第１及び第２の超電導体層として、酸化
物超電導を使用すれば、これが多結晶体である場合には
容易に結晶粒界ジョセフソン接合を実現できる。酸化物
超電導体としてはＣｕを含んだ酸素欠損ペロブスカイト
型結晶構造を有する材料を使用すれば、８０に〜１００
に程度の温度で使用することができるので、検出装置の
使用も冷却に液体窒素を使用することができるので簡単
になる。またサンドインチ接合を使用する必要がないの
で、２枚以上の超電導薄膜を重ねて、それぞれ第１及び
第２の超電導体を構成する必要が無いので、第１及び第
２の超電導体層を薄くすることができるので、入射した
電磁波をそれぞれの超電導体層において効率良く検出す
ることができる。

従って本発明によれば、超電導体を用いた２次元の電磁
波あるいは光の信号検出装置を容易に実現できる。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例を用いて詳細に説明する。

本発明の第１の実施例は、前記の第１及び第２の超電導
体層の材料として、結晶粒界ジョセフソン接合が形成さ
れるような酸化物超電導材料を使用した場合である。第
１図、第２図及び第３図を用いて本実施例を説明する。

単結晶ＭｇＯより成る基板１上に、ＲＦマグネトロン・
スパッタリング法によって厚さ約２００ｎｍの ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７＋ｚなる組成の薄膜を堆積させたの
ち、これに純酸素中で９２０℃、２時間の熱処理を行な
う。さらにホトレジストのパターンをマスクとして、化
学エツチング法によって上記の酸化物超電導体より成る
薄膜を加工して複数の帯状の超電導体薄膜から成る第１
の超電導体層とする。この複数の超電導体薄膜は本発明
の信号検出装置内部において、互いに電気的に接続され
ていても本発明の目的を達することができるということ
は言うまでもない。上記の超電導体薄膜は多結晶体であ
って第３図に示したるごとく、結晶粒界３１を薄膜内部
に有し、この部分において結晶粒界ジョセフソン接合が
形成されている。従って、薄膜のままで電磁波、光、Ｘ
線等の検出に使用できるので、サンドイッチ型接合を用
いた場合のように、障壁層を作るための新たな加工の必
要がない。

次に、ＲＦスパッタリング法によって、ＭｇＯより成る
厚さ約３００ｎｍの層間絶縁膜３を形成したのち、再び
ＲＦマグネトロン・スパッタリング法によって、ＹＢａ
、２Ｃｕ３０７　　ｚなる組成の厚さ約２００ｎｍの薄
膜を形成し、これを第１の超電導体層と同じ熱処理と加
工とを通して、複数の帯状の酸化物超伝導体薄膜より成
る第２の超電導体層４とする。この場合、第２の超電導
体層４も結晶粒界ジョセフソン接合３１を含んでおり、
このままで電磁波、光、Ｘ線等の検出に使用できる。

以上によって本発明の信号検出装置を作製することがで
きる。この信号検出装置の動作を第４図を用いて説明す
る。第４図では第２の超電導体層を端子２００，２０１
，２０２，２０３につながる４本の直線で代表して示し
である。同様に第１の超電導体層を端子１００，１０１
，１０２゜１０３につながる４本の直線で代表して示し
である。ここでは、それぞれ４本ずつの線を示しである
が、数はこれに限られるものではないことは言うまでも
ない。第１及び第２の超電導体層はそれぞれ一つの端で
超電導体で接続され、接地４０１と４０２へつながれて
いる。端子１００〜１０３と２００〜２０３からは一定
の電流がそれぞれの帯状の超電導体薄膜に供給されてい
る。

例えば電磁波（光、Ｘ線等も含めて）３００が端子１０
０と端子２０３に接続されている第１及び第２の超電導
体薄膜の重なっている部分に入射すると、この部分の第
１及び第２の超電導体薄膜中に過剰な準粒子が発生する
ため、上記の超電導体薄膜に含まれる結晶粒界ジョセフ
ソン接合の臨界超電導電流が減少するために、端子１０
０と端子２０３に電圧が発生する。従って各端子に検出
用の増幅器５０１を付加し端子１１０に発生する電圧を
検出すれば良い。他の端子にも増幅器を付加しであるが
、第４図中には省いている。この場合には、端子１００
と端子２０３に電圧が発生したことを検出して、電磁波
３００が入射した位置を決定することができる。本発明
の信号検出器の動作は、電磁波の入射による超電導体中
の過剰準粒子の発生にもとづいているので、その動作は
高速であり、しかも検出を２次元化するために、単に超
電導薄膜を重ねて配置するだけで良いので、構成が簡単
であり、従って製造が容易である。また電磁波が容易に
下層の第１の超電導薄膜に達することができるので、高
感度である。検出できる波長の範囲の上限は、超電導体
のエネルギー・ギャップによって決まるが、下限は特に
無い。このため極めて広帯域の検出が可能になる。特性
の波長を範囲を選択的に検出する目的で、本発明の検出
器にフィルター等を一部又は全部に付加して使用しても
、発明の目的を達することができることは言うまでもな
い。

本実施例においては、超電導体層の材料として多結晶体
を用いたが、これに替えて弔結晶簿膜を用いても良い。

この場合には結晶のＣ軸が基板ｌと平行で、かつ薄膜の
帯が延びる方向にあるように選ぶことが望ましく、この
ためには、基板１の材料としてＳｒＴｉＯ３等の材料の
単結晶を使用することかり望ましい。この場合にはＫ　
２ＮｉＦ４型結晶構造、あるいは酸素欠損型ペロブスカ
イト結晶構造を有する酸化物超電導体を用いれば、Ｃ軸
方向に電流を流したときには、弱結合的性質を示すこと
が利用できるのである。従って結晶粒界ジョセフソン接
合を利用する必要は無い。

次に第５図、第６図を用いて本発明の第２の実施例を説
明する。本実施例においては、第１及び第２の超電導体
層の配置は本発明の第１の実施例と同様であって良く、
その作製方法も同様であるが、２つの超電導体層の重な
る部分に、第５図及び第６図に示したごとく、トンネル
障壁ＷＩ５を設けた点が異なる。このトンネル障壁層５
は、第１及び第２の超電導体層をそれぞれ形成したのち
に、酸素のイオンビームを照射して形成した。本実施例
においてはトンネル障壁層５がジョセフソン接合を形成
するための障壁として働く。この場合にも、２つの超電
導体層を重ねることによって、２次元の検出器を実現で
きる。

以上に述べた実施例においては、超電導体の材料にＹＢ
ａ２Ｃｕ３０７−７なる組成の酸化物を用いたがこれに
限られるものでないことは言うまでもないが、結晶粒界
ジョセフソン接合を利用するためには酸化物超電導体を
用いることが望ましい。

組成についても上記のものに限られるものではない。結
晶構造も、ペロブスカイト型。

Ｋ　２　ＮｉＦ　４　、酸素欠損ペロブスカイト型等が
可能であるが、これに限られるものではない。

〔発明の効果〕

以上述べた様に、本発明によれば広帯域の電磁波、光、
Ｘ線を検出することのできる。２次元の高速、かつ高感
度で動作する信号検出装置を実現でき、しかも製造が容
易である利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例による信号検出装置の一
部分を示す上面図、第２図は第１図のである。 ■・・・基板、２・・・第１の超電導体層、３・・・層
間絶縁膜、４・・・第２の超電導体層、５・・・トンネ
ル障壁層、３１・・・結晶粒界、１００，１０１，１０
２゜１０３．２００，２０１，２０２，２０３・・・端
子、４０１．４０２・・・接地、３００・・・電磁波。 ５０１・・・増幅器、１１０・・・端子。 θ 専　　ｌ　図 に 滲　２　図 竿　３　図 Ｊｌ 隼　ｌ　図 竿　、５　耐 ネ　Ｚ１２１

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、超電導体を用いた信号検出装置において、複数の超
   電導体薄膜を平面的にならべて構成された第１の超電導
   体層と、この上部に上記第１の超電導体層と電気的に絶
   縁された複数の超電導体薄膜を平面的にならべて構成さ
   れた第２の超電導体層とを含んで構成され、上記第１の
   超電導体層と上記第２の超電導体層とのそれぞれにおい
   て形成される信号検出器の両方によって電磁波を検出し
   、これにより電磁波が入射した信号検出装置内の位置を
   決定することを特徴とする信号検出装置。 ２、特許請求の範囲第１項において、前記超電導体薄膜
   の構成材料は、多結晶又は単結晶状の酸化物超電導材料
   であることを特徴とする信号検出装置。 ３、特許請求の範囲第２項において、前記酸化物超伝導
   材料は、Ｋ＿２ＮｉＦ＿４型結晶構造、又は酸素欠損型
   ペロブスカイト型結晶構造を有することを特徴とする信
   号検出装置。 ４、特許請求の範囲第１項、第２項、又は第３項におい
   て、前記超電導体薄膜は結晶粒界ジョセフソン接合を含
   むか、あるいは該超電導体薄膜が延在する面に垂直な方
   向に形成したトンネル障壁層を含むか、あるいは結晶の
   Ｃ軸が該超電導体薄膜の延在する方向と平行であるよう
   に選ばれているかのいずれかであることを特徴とする信
   号検出装置。 ５、特許請求の範囲第１項において、前記該信号検出装
   置は電磁波あるいは光の強度分布による２次元的な像を
   形成する手段を含んで構成されることを特徴とする信号
   検出装置。