RU2539771C1 - Способ изготовления сверхпроводникового детектора - Google Patents
Способ изготовления сверхпроводникового детектора Download PDFInfo
- Publication number
- RU2539771C1 RU2539771C1 RU2013141315/28A RU2013141315A RU2539771C1 RU 2539771 C1 RU2539771 C1 RU 2539771C1 RU 2013141315/28 A RU2013141315/28 A RU 2013141315/28A RU 2013141315 A RU2013141315 A RU 2013141315A RU 2539771 C1 RU2539771 C1 RU 2539771C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- temperature
- antenna
- film
- superconductor
- detector
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title 1
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 8
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 8
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 8
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 abstract description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010327 methods by industry Methods 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- 229910021521 yttrium barium copper oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N azanylidyneniobium Chemical compound [Nb]#N CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910004247 CaCu Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 1
- 150000001621 bismuth Chemical class 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical group [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 231100000614 poison Toxicity 0.000 description 1
- 230000007096 poisonous effect Effects 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004781 supercooling Methods 0.000 description 1
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
Использование: для получения высокотемпературных сверхпроводников и изготовления высокочувствительных приемников электромагнитного излучения. Сущность изобретения заключается в том, что способ включает в себя формирование пленки из высокотемпературного сверхпроводящего материала, который представляет собой монофазный текстурированный сверхпроводник состава (Bi,Pb)2Sr2Ca2Cu3O10, на диэлектрической подложке методом магнетронного распыления из мишени, изготовление чувствительного элемента, антенны и подводящих линий выполняется в едином процессе на одном слое образованной пленки ВТСП (Bi,Pb)2Sr2Ca2Cu3O10. Технический результат: обеспечение возможности повышения рабочей температуры детектора терагерцевого излучения и расширения частотного диапазона приемной антенны, увеличение надежности прибора.
Description
Изобретение относится к области получения высокотемпературных сверхпроводников и изготовления высокочувствительных приемников электромагнитного излучения терагерцового диапазона на их основе.
Известен способ изготовления сверхпроводниковых однофотонных детекторов [1]. Этот способ заключается в формировании на диэлектрической подложке канала проводимости из нитрида ниобия любым из известных способов с толщиной не более 20 нм, но не менее толщины, приводящей к нарушению сплошности, и с шириной не более 350 нм и его облучении потоком ускоренных частиц (протонов, атомов гелия, ионов или атомов кислорода или смеси перечисленных частиц) с энергией от 0,5 до 5,0 кэВ в присутствии кислорода. В качестве подложки используется лейкосапфир, прозрачный в области рабочих длин волн (от видимого диапазона до 7 мкм). Недостатком детектора, изготовленного таким способом, является низкая рабочая температура (так как нитрид ниобия - низкотемпературный сверхпроводник). Кроме того, сверхпроводниковый однофотонный детектор не регистрирует электромагнитные волны терагерцового диапазона, так как фотоны этого излучения не имеют достаточной энергии для разрушения куперовских пар и образования «горячего пятна».
Известен способ изготовления источника и детектора терагерцового излучения на внутренних джозефсоновских переходах высокотемпературных сверхпроводников [2]. Слой монокристаллической сверхпроводящей мезаструктуры состава Bi2Sr2CaCu2O8+X или Tl2Ba2Ca2Cu3O10+X крепится на первой подложке с помощью фоторезиста, на сверхпроводник наносится слой золота. Далее методом фотолитографии и травлением формируется Т-образная структура. Верхний слой золота травлением делится на две части, которые соответствуют длинной и короткой стороне Т-образной структуры. На разделенный слой наносятся контакты. Далее структура отсоединяется от первой подложки, переворачивается и присоединяется электродами ко второй подложке таким образом, чтобы обратная сторона мезаструктуры была доступна. На обратную сторону наносятся слой золота и электроды. Методом ионной имплантации кремния между длинной и короткой сторонами Т-образной структуры делается слой изолятора. В результате проделанных операций образуется источник (длинная сторона Т-образной структуры) и детектор (короткая сторона Т-образной структуры) терагерцового излучения. Данный способ изготовления терагерцового детектора технологически сложен. Кроме того, система Tl-2223 ядовита, Bi-2212 имеет более низкую температуру перехода в сверхпроводящее состояние, чем Bi-2223.
Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому способу изготовления детектора электромагнитного излучения терагерцового диапазона является способ изготовления болометров на основе тонких пленок системы YBCO [3]. Высокотемпературный (ВТСП) болометр был изготовлен из пленок YBa2Cu3O7-δ толщиной 40-50 нм, выращенных магнетронным распылением на подложках LaAlO3 и CeO2 с использованием мишени YBCO стехиометрического состава. В процессе распыления использовалась атмосфера смеси аргона и кислорода при парциальном давлении 50 Па. Температура подложки при изготовлении пленок составляла около 750°C, скорость роста 30 нм/ч. Далее на сформированную пленку термическим распылением наносилась пленка серебра толщиной около 200 нм. Для изготовления структуры болометра использовалась фотолитография. Первой фотолитографией формировалась двухслойная структура серебро-пленка ВТСП, второй фотолитографией делалась чувствительная область болометра. Эквивалентная мощность шума этого болометра 3,5·10-9 Вт/Гц1/2.
Недостатком болометра, изготовленного таким способом, является то, что его чувствительный элемент быстро деградирует, так как ВТСП Y-123 гигроскопичен. Температура перехода в сверхпроводящее состояние у этого материала ниже, чем у ВТСП (Bi,Pb)2Sr2Ca2Cu3O10 (Bi-2223), а сверхпроводящие эффекты проявляются тем сильнее, чем больше переохлаждение. Кроме того, способ требует большого количества технологических процессов, что усложняет производство детектора.
Задачей данного изобретения является повышение рабочей температуры детектора терагерцового излучения и расширение частотного диапазона приемной антенны, увеличение надежности прибора за счет использования в качестве чувствительного элемента высокотемпературного сверхпроводника системы Bi-2223, уменьшение количества технологических процессов.
Это достигается тем, что чувствительный элемент, антенна и подводящие линии сделаны в едином слое монофазного текстурированного высокотемпературного сверхпроводника состава (Bi,Pb)2Sr2Ca2Cu3O10 в одном процессе фотолитографии.
Высокотемпературный сверхпроводник системы Bi-2223 имеет резистивный ноль при температуре 107K, он не гигроскопичен, поэтому не деградирует при взаимодействии с окружающей средой и не ядовит.
Поскольку антенна сделана из сверхпроводящего материала, допустимый частотный диапазон, в котором она работает, связан с шириной энергетической щели сверхпроводника. При больших частотах излучения квант имеет большую энергию. Он способен стимулировать переход электронов из нижнего энергетического уровня через энергетическую щель, разрывая куперовские пары, что приведет к потерям энергии в приемной антенне. Благодаря высокой критической температуре, энергия разрыва куперовских пар для Bi-2223 достаточно высока, из-за чего расширяется рабочий частотный диапазон приемной антенны.
На фиг.1 изображена конструкция сверхпроводникового детектора электромагнитного излучения терагерцового диапазона. Детектор содержит монокристаллическую подложку MgO с ориентацией (100) (1), антенну типа «бабочка» для приема электромагнитного излучения терагерцового диапазона (2), чувствительный элемент (мостик) (3) и подводящие линии (4), сделанные из высокотемпературного сверхпроводника системы Bi-2223. Для соединения детектора с электронным оборудованием изготавливаются серебряные контакты (5).
Работа устройства осуществляется следующим образом. Чувствительный элемент охлаждается до температуры полного резистивного нуля Tce. Рабочая точка поддерживается системой регулирования по величине смещения по постоянному напряжению. Система настроена на время релаксации около 60 секунд. При облучении структуры электромагнитным излучением, в приемной антенне наводится ток, который также протекает через чувствительный элемент. Дополнительный нагрев смещает чувствительный элемент в область резистивного состояния.
Для создания детектора излучения слой монофазного текстурированного сверхпроводника Bi-2223 толщиной 80…150 нм формируется на очищенной и отожженной при температуре 1000°C подложке монокристаллического оксида магния с ориентацией (100), площадью 10×10 мм2 и толщиной 0,5 мм, методом магнетронного распыления из стехиометрической мишени в атмосфере смеси аргона и кислорода (80% и 20%) при парциальном давлении до 4,7 Па, с температурой подложки 150°C и скоростью роста 100 нм/ч. Далее методом фотолитографии на пленке формируются антенна для приема электромагнитного излучения терагерцового диапазона, чувствительный элемент в центре антенны и подводящие линии. После формирования структуры детектора производится рекристаллизационный отжиг при температуре 860°C в атмосфере содержания кислорода не более 20% в течение 10 ч для формирования требуемой фазы сверхпроводника висмутовой системы. При этом обеспечивается парциальное давление насыщенных паров висмута и свинца. Используемая технология позволяет получить на поверхности монокристаллической подложки MgO эпитаксиальную пленку Bi-2223. На подводящие линии нанесены четыре серебряных контакта.
Получившиеся детекторы имеют структуру монофазного текстурированного высокотемпературного сверхпроводника состава (Bi,Pb)2Sr2Ca2Cu3O10 с температурой начала сверхпроводящего перехода 110K, резистивным нулем при 107K, критическая плотность тока при температуре кипения жидкого азота 105 А/см2, критический ток чувствительного элемента 0,2 мА.
После напыления фотолитографией изготавливается топологический рисунок, который содержит элементы приемной антенны типа «бабочка», чувствительный элемент и подводящие линии. Для эффективного приема электромагнитных волн частотой 1 ТГц, «бабочка» имеет следующие размеры: длина лепестка 38,5 мкм, ширина 34,7 мкм. Чувствительный элемент в центре, соединяющий лепестки антенны, имеет размеры 2×2 мкм2.
Верхняя граница частотного диапазона работы антенны определяется шириной энергетической щели сверхпроводника. Ширина энергетической щели для системы Bi-2223 при температуре кипения жидкого азота 16,6·10-3 эВ. Таким образом, антенна будет работать на частотах менее 4 ТГц. Нижняя граница принимаемой частоты будет определяться геометрией приемной антенны. Для нашего случая она будет равна 0,95 ТГц. Для сравнения, ширина энергетической щели сверхпроводника Y-123 составляет 10,6·10-3 эВ, что соответствует граничной частоте 2,56 ТГц. Антенна для нашего сверхпроводника будет эффективно работать на частотах менее 2,5 ТГц. Приемная антенна, чувствительный элемент в середине антенны и подводящие линии сделаны из одного материала в одном технологическом процессе, что упрощает производство таких приемников излучения.
Измерение отклика чувствительного элемента происходит четырехзондовым методом. Для этого на подводящие линии нанесены контакты: два на крайних (для токовых зондов), два рядом с чувствительным элементом (для потенциальных зондов). Контакты сделаны из серебра, так как оно обладает хорошей адгезией и формирует низкоомный омический контакт к высокотемпературному сверхпроводнику системы Bi-2223.
Для описанной структуры получено значение эквивалентной мощности шума 3,1·10-10 Вт/Гц1/2.
Достоинства полученного прибора следующие:
- самая высокая частота принимаемого сигнала для сверхпроводниковой антенны за счет применения сверхпроводника Bi-2223, имеющего наибольшую ширину щели среди используемых в болометрах высокотемпературных сверхпроводников;
- высокое значение эквивалентной мощности шума за счет интегральной технологии изготовления чувствительного элемента, приемной антенны и подводящих линий;
- низкий уровень собственного шума по сравнению с болометрами на резистивных материалах (не сверхпроводники). Рабочий режим соответствует переходу полного резистивного нуля. Тепловой шум в этом случае практически также равен нулю при большом числе квадратов.
- высокая устойчивость к деградации за счет применения сверхпроводника системы Bi-2223.
Источники информации:
1. Патент РФ №2476373
2. Патент США №20040149983
3. Терагерцовый отклик болометров на основе тонких пленок YBCO / А.В. Смирнов и др. // Журнал технической физики. - 2012. - Т.82. - вып.12. - С.108-111 - прототип.
Claims (1)
- Способ изготовления сверхпроводникового детектора, включающий формирование пленки высокотемпературного сверхпроводящего материала на диэлектрической подложке методом магнетронного распыления из мишени стехиометрического состава, изготовление чувствительного элемента, антенны для приема электромагнитных волн терагерцового диапазона и подводящих линий, отличающийся тем, что материал пленки представляет собой монофазный текстурированный высокотемпературный сверхпроводник состава (Bi, Pb)2Sr2Ca2Cu3010, а чувствительный элемент, антенна и подводящие линии выполняются в едином процессе фотолитографии на одном слое образованной пленки ВТСП (Bi, Pb)2Sr2Ca2Cu3O10.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2013141315/28A RU2539771C1 (ru) | 2013-09-10 | 2013-09-10 | Способ изготовления сверхпроводникового детектора |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2013141315/28A RU2539771C1 (ru) | 2013-09-10 | 2013-09-10 | Способ изготовления сверхпроводникового детектора |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2539771C1 true RU2539771C1 (ru) | 2015-01-27 |
Family
ID=53286640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2013141315/28A RU2539771C1 (ru) | 2013-09-10 | 2013-09-10 | Способ изготовления сверхпроводникового детектора |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2539771C1 (ru) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU176010U1 (ru) * | 2017-05-17 | 2017-12-26 | Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ | Оптоволоконный сверхпроводниковый однофотонный детектор |
| RU2808394C1 (ru) * | 2023-07-24 | 2023-11-28 | Общество с ограниченной ответственностью "Терагерцовая фотоника" | Детектор терагерцевого излучения на основе тонкопленочных термоэлектрических структур висмута и сурьмы |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040149983A1 (en) * | 2003-01-30 | 2004-08-05 | Pohang University Of Science And Technology Foundation | Terahertz electromagnetic wave radiation and detection device using high-Tc superconducting intrinsic josephson junctions, and fabrication method thereof |
| RU2327253C2 (ru) * | 2006-08-15 | 2008-06-20 | Закрытое акционерное общество "Сверхпроводящие нанотехнологии" (ЗАО "Сконтел") | Быстродействующий сверхпроводниковый однофотонный детектор с полосковыми резисторами |
| RU2476373C1 (ru) * | 2011-06-16 | 2013-02-27 | Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт") | Способ изготовления сверхпроводниковых однофотонных детекторов |
-
2013
- 2013-09-10 RU RU2013141315/28A patent/RU2539771C1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040149983A1 (en) * | 2003-01-30 | 2004-08-05 | Pohang University Of Science And Technology Foundation | Terahertz electromagnetic wave radiation and detection device using high-Tc superconducting intrinsic josephson junctions, and fabrication method thereof |
| RU2327253C2 (ru) * | 2006-08-15 | 2008-06-20 | Закрытое акционерное общество "Сверхпроводящие нанотехнологии" (ЗАО "Сконтел") | Быстродействующий сверхпроводниковый однофотонный детектор с полосковыми резисторами |
| RU2476373C1 (ru) * | 2011-06-16 | 2013-02-27 | Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт") | Способ изготовления сверхпроводниковых однофотонных детекторов |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Терагерцовый отклик болометров на основе тонких пленок YBCO//Смирнов А.В. и др.//Журнал технической физики, 2012, т.82, вып.12, с.108-111. * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU176010U1 (ru) * | 2017-05-17 | 2017-12-26 | Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ | Оптоволоконный сверхпроводниковый однофотонный детектор |
| RU2808394C1 (ru) * | 2023-07-24 | 2023-11-28 | Общество с ограниченной ответственностью "Терагерцовая фотоника" | Детектор терагерцевого излучения на основе тонкопленочных термоэлектрических структур висмута и сурьмы |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Barner et al. | All a‐axis oriented YBa2Cu3O7− y‐PrBa2Cu3O7− z‐YBa2Cu3O7− y Josephson devices operating at 80 K | |
| Mizuno et al. | Fabrication of thin‐film‐type Josephson junctions using a Bi‐Sr‐Ca‐Cu‐O/Bi‐Sr‐Cu‐O/Bi‐Sr‐Ca‐Cu‐O structure | |
| KR910002311B1 (ko) | 초전도 디바이스 | |
| US8055318B1 (en) | Superconducting integrated circuit technology using iron-arsenic compounds | |
| US5250817A (en) | Alkali barrier superconductor Josephson junction and circuit | |
| Chaudhuri et al. | Infrared pulsed laser deposition of niobium nitride thin films | |
| RU2539771C1 (ru) | Способ изготовления сверхпроводникового детектора | |
| Dömel et al. | Resonant tunneling transport across YBa2Cu3O7–SrRuO3 interfaces | |
| Missert et al. | Growth and characterization of YBCO/insulator/YBCO trilayers | |
| Uzun et al. | Fabrication of high-Tc superconducting multilayer structure with YBa2Cu3O7− x thin films separated by SrTiO3 interlayers | |
| Villegier et al. | In-situ deposition and processing of YBa/sub 2/Cu/sub 3/O/sub 7-x/films and multilayers for optoelectronic devices | |
| Kreisler et al. | New Trend in THz Detection: High Tc Superconducting Hot Electron Bolometer Technology May Exhibit Advantage vs Low Tc Devices | |
| Alff et al. | Ramp-edge Josephson junctions with Nd1. 85Ce0. 15CuO4− y barriers | |
| Sanders et al. | Evidence for tunneling and magnetic scattering at in situ YBCO/noble-metal interfaces | |
| Villegier et al. | Y Ba Cu O-based multilayers for optoelectronic devices | |
| Satoh et al. | High-temperature superconducting edge junctions with modified interface barriers | |
| Grib et al. | Experimental and theoretical investigation on high-Tc superconducting intrinsic Josephson junctions | |
| RU2308123C1 (ru) | Способ изготовления сверхпроводникового прибора | |
| Ying et al. | All‐YBa2Cu3O7 trilayer tunnel junctions with Sr2AlTaO6 barrier | |
| Camerlingo et al. | Preliminary results on tunnel junctions on YBCO bulk with an artificial barrier | |
| JP3216089B2 (ja) | 超電導デバイスの製造方法並びにそれを用いた超電導トランジスタ | |
| JP3379533B2 (ja) | 超電導デバイスの製造方法 | |
| Vale et al. | Small area Y-Ba-Cu-O thin films for applications in hot-electron bolometers | |
| James et al. | Superconducting YBa2Cu3O7 films on Si and GaAs with conducting indium tin oxide buffer layers | |
| Talvacchio et al. | Oxidation of multilayer HTS digital circuits |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20200911 |