JPH0193966A - イメージセンサ - Google Patents
イメージセンサInfo
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- JPH0193966A JPH0193966A JP62251866A JP25186687A JPH0193966A JP H0193966 A JPH0193966 A JP H0193966A JP 62251866 A JP62251866 A JP 62251866A JP 25186687 A JP25186687 A JP 25186687A JP H0193966 A JPH0193966 A JP H0193966A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- FBOUIAKEJMZPQG-AWNIVKPZSA-N (1E)-1-(2,4-dichlorophenyl)-4,4-dimethyl-2-(1,2,4-triazol-1-yl)pent-1-en-3-ol Chemical compound C1=NC=NN1/C(C(O)C(C)(C)C)=C/C1=CC=C(Cl)C=C1Cl FBOUIAKEJMZPQG-AWNIVKPZSA-N 0.000 description 1
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Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、受光画素の飽和を検知して露光を停止させる
ようにしたイメージセンサに関する。
ようにしたイメージセンサに関する。
［従来の技術］
従来のＭＯ３型イメージセンサとしては、例えば第３図
の回路構成に示すものが知られている。
の回路構成に示すものが知られている。
第３図において、ＰＤｎ−１、ＰＤｎ 、ＰＤｎ＋１は
光電変換用のフォトダイオード、Ｃｎ−１、Ｃｎ 。
光電変換用のフォトダイオード、Ｃｎ−１、Ｃｎ 。
Ｃｎ÷１は信号電荷蓄積用のコンデンサ、Ｑｎ−１。
Ｑｎ 、Ｑｎ＋１は信号読出し用のＭＯＳトランジスタ
、ＳＲはＭＯＳトランジスタＱｎ−１，Ｑｎ、Ｑｎ＋１
を選択的にＯＮにするためのスキャナー、Ｒ１は読出し
用の抵抗を示す。
、ＳＲはＭＯＳトランジスタＱｎ−１，Ｑｎ、Ｑｎ＋１
を選択的にＯＮにするためのスキャナー、Ｒ１は読出し
用の抵抗を示す。
その動作は、いまコンデンサＣｎが電圧Ｖｎに充電され
ていたとする。この状態でスキャナーＳＲからの信号に
よってＭＯＳトランジスタＱｎがオンになると、コンデ
ンサＯｎは抵抗Ｒ１を通じてプリチャージ電圧Ｖｐに充
電される。このとき抵抗Ｒ１に流れる電流による電位降
下を測定することによって、コンデンサＣｎの充電電圧
ｖｎを知ることができ、これを読出しという。
ていたとする。この状態でスキャナーＳＲからの信号に
よってＭＯＳトランジスタＱｎがオンになると、コンデ
ンサＯｎは抵抗Ｒ１を通じてプリチャージ電圧Ｖｐに充
電される。このとき抵抗Ｒ１に流れる電流による電位降
下を測定することによって、コンデンサＣｎの充電電圧
ｖｎを知ることができ、これを読出しという。
コンデンサＣｎのプリチャージの完了後にＭＯＳトラン
ジスタ０口をオフにし、この状態でフォトダイオードＰ
Ｄｎに光が当たると、第３図中の矢印の向きに光電流が
発生し、プリジャージ電圧Ｖｐに充電されていたコンデ
ンサＣｎの電荷は放電され、充電電圧は徐々に降下する
。一定の露光時間（蓄積時間）を経過すると、スキャナ
ーＳＲによりＭＯＳトランジスタＱｎをオンにしてコン
デンサＣｎをプリチャージ電圧Ｖｐに充電し、このとき
抵抗Ｒ１１，に流れる電流による電位降下を測定するこ
とで受光出力の読出しを行なう。
ジスタ０口をオフにし、この状態でフォトダイオードＰ
Ｄｎに光が当たると、第３図中の矢印の向きに光電流が
発生し、プリジャージ電圧Ｖｐに充電されていたコンデ
ンサＣｎの電荷は放電され、充電電圧は徐々に降下する
。一定の露光時間（蓄積時間）を経過すると、スキャナ
ーＳＲによりＭＯＳトランジスタＱｎをオンにしてコン
デンサＣｎをプリチャージ電圧Ｖｐに充電し、このとき
抵抗Ｒ１１，に流れる電流による電位降下を測定するこ
とで受光出力の読出しを行なう。
［発明が解決しようとする問題点］
ところで、このようなイメージセンサにおける、コンデ
ンサＣｎのプリチャージ電圧Ｖｎは、光電流の大きさに
応じて徐々に降下し、この降下速度は受光面の照度に比
例し、受光量（−照度×蓄積時間）が大きいと、蓄積時
間（露光時間）に達する前に放電を終了して所謂飽和状
態となり、それ以上の受光量に対しては一定の出力しか
得られず、受光量に対応した情報が得られなくなる。
ンサＣｎのプリチャージ電圧Ｖｎは、光電流の大きさに
応じて徐々に降下し、この降下速度は受光面の照度に比
例し、受光量（−照度×蓄積時間）が大きいと、蓄積時
間（露光時間）に達する前に放電を終了して所謂飽和状
態となり、それ以上の受光量に対しては一定の出力しか
得られず、受光量に対応した情報が得られなくなる。
この場合、受光面の照度が予め予測できるような用途に
対しては、露光時間（蓄積時間）を適当に設定すれば良
いが、例えば、カメラの自動焦点に使用する場合、照度
は場合によって、１万倍〜１００万倍位変化する。この
ため、カメラでは、別に照度測定手段を設け、照度測定
手段情報によって蓄積時間を設定している。しかし、こ
の方式では以下の問題がある。
対しては、露光時間（蓄積時間）を適当に設定すれば良
いが、例えば、カメラの自動焦点に使用する場合、照度
は場合によって、１万倍〜１００万倍位変化する。この
ため、カメラでは、別に照度測定手段を設け、照度測定
手段情報によって蓄積時間を設定している。しかし、こ
の方式では以下の問題がある。
即ち、例えば第４図（ａ）で示すように、各画素に対応
した照度が比較的平坦な場合には各画素からの出力は第
４図（ｂ）に示すように飽和することなく取り出すこと
ができる。しかし、第４図（Ｃ）に示すように、局部的
に高い照度部分があり、全体の平均照度が低い場合には
、平均照度で蓄積時間を制御すると、第４図（ｄ）のよ
うに高照度の部分の画素からの出力は飽和してしまい適
正な情報が得られなくなってしまう。
した照度が比較的平坦な場合には各画素からの出力は第
４図（ｂ）に示すように飽和することなく取り出すこと
ができる。しかし、第４図（Ｃ）に示すように、局部的
に高い照度部分があり、全体の平均照度が低い場合には
、平均照度で蓄積時間を制御すると、第４図（ｄ）のよ
うに高照度の部分の画素からの出力は飽和してしまい適
正な情報が得られなくなってしまう。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、このような従来の問題点に鑑みてなされたも
ので、局部的に高い照度部分があっても飽和させること
なく受光情報を正確に読出せるようにしたイメージセン
サを提供することを目的とする。
ので、局部的に高い照度部分があっても飽和させること
なく受光情報を正確に読出せるようにしたイメージセン
サを提供することを目的とする。
この目的を達成するため本発明にあっては、複数の受光
画素を備えたイメージセンサに於いて、前記受光画素毎
に、露光中に受光出力が所定の飽和レベルに達したこと
を検出して出力する飽和検出手段を設けるようにしたも
ので、この飽和検出手段は、ゲート電極が受光画素に接
続されると共にドレイン電極が共通に接地され、更にソ
ース電極が共通の出力端子に接続されたＭｏＳトランジ
スタを受光画素毎に設けることで構成される。
画素を備えたイメージセンサに於いて、前記受光画素毎
に、露光中に受光出力が所定の飽和レベルに達したこと
を検出して出力する飽和検出手段を設けるようにしたも
ので、この飽和検出手段は、ゲート電極が受光画素に接
続されると共にドレイン電極が共通に接地され、更にソ
ース電極が共通の出力端子に接続されたＭｏＳトランジ
スタを受光画素毎に設けることで構成される。
［作用］
このような構成を備えた本発明のイメージセンサにあっ
ては、複数の受光画素毎にＭＯＳトランジスタを用いた
飽和検出手段が設けられているため、露光中に複数の受
光画素の受光出力の内の最大となる受光出力が所定の飽
和レベルに達すると飽和検出出力が得られる。このため
、局部的にイメージセンサに高い照度の光が当っても、
平均照度によらずに複数の受光画素出力の内の最大のも
のが飽和レベルに達したときに露光を停止させることが
でき、受光画素の出力が飽和して適正な出力が得られな
くなるという不都合を無くすことができる。
ては、複数の受光画素毎にＭＯＳトランジスタを用いた
飽和検出手段が設けられているため、露光中に複数の受
光画素の受光出力の内の最大となる受光出力が所定の飽
和レベルに達すると飽和検出出力が得られる。このため
、局部的にイメージセンサに高い照度の光が当っても、
平均照度によらずに複数の受光画素出力の内の最大のも
のが飽和レベルに達したときに露光を停止させることが
でき、受光画素の出力が飽和して適正な出力が得られな
くなるという不都合を無くすことができる。
［実施例］
第１図はライン型のイメージセンサを例にとって本発明
の一実施例を示した回路構成図である。
の一実施例を示した回路構成図である。
第１図において、Ｑｎ−１、Ｑｎ 、 Ｃｎ＋１は読出
し用のスイッチングトランジスタを構成するＭＯＳトラ
ンジスタであり、スキャナＳＲにより選択的にスイッチ
ング制御を受ける。ＰＤｎ−１、ＰＤｎ 、ＰＤｎ＋１
は受光用のフォトダイオード、Ｃｎ−１、Ｃｎ 、 Ｃ
ｎ＋１は電荷蓄積用のコンデンサである。このうち受光
用のフォトダイオードＰＤｎ−１〜ＰＤｎ＋１及び電荷
蓄積用のコンデンサＣｎ−１〜Ｏｎ＋１によってこの実
施例にあっては３つの受光画素が構成される。勿論、受
光画素の数は適宜の数とすることができる。
し用のスイッチングトランジスタを構成するＭＯＳトラ
ンジスタであり、スキャナＳＲにより選択的にスイッチ
ング制御を受ける。ＰＤｎ−１、ＰＤｎ 、ＰＤｎ＋１
は受光用のフォトダイオード、Ｃｎ−１、Ｃｎ 、 Ｃ
ｎ＋１は電荷蓄積用のコンデンサである。このうち受光
用のフォトダイオードＰＤｎ−１〜ＰＤｎ＋１及び電荷
蓄積用のコンデンサＣｎ−１〜Ｏｎ＋１によってこの実
施例にあっては３つの受光画素が構成される。勿論、受
光画素の数は適宜の数とすることができる。
フォトダイオードｐ［）ｎ−１〜ＰＤｎ＋１及びコンデ
ンサＣｎ−１〜Ｃｎ＋１でなる３つの受光画素に対して
は飽和検出手段としてＭＯＳトランジスタＱ１ｎ−１、
Ｑｌｎ 、Ｑ１ｎ＋１が設けられる。即ちＭＯＳトラン
ジスタＱ １ｎ−１〜Ｑ”ｌｎ＋１のゲート電極が各受
光画素に接続され、ドレイン電極は共通に接地され、更
にソース電極は共通出力として接続される。
ンサＣｎ−１〜Ｃｎ＋１でなる３つの受光画素に対して
は飽和検出手段としてＭＯＳトランジスタＱ１ｎ−１、
Ｑｌｎ 、Ｑ１ｎ＋１が設けられる。即ちＭＯＳトラン
ジスタＱ １ｎ−１〜Ｑ”ｌｎ＋１のゲート電極が各受
光画素に接続され、ドレイン電極は共通に接地され、更
にソース電極は共通出力として接続される。
ＭＯＳトランジスタＱ １ ｎ−１〜Ｑ １ ｎ＋１
（Ｄ’） −スミ極を共通接続した出力ラインはコンパ
レータＡのマイナス入力端子に接続され、コンパレータ
Ａのプラス入力端子には参照電圧Ｖｒが設定され、更に
マイナス入力端子に対するＭＯＳトランジスタＱ １ｎ
−１〜Ｑ １ｎ＋１のソース電極を共通接続した出力ラ
インは抵抗Ｒ３を介して参照電圧Ｖｒにプルアップされ
ている。
（Ｄ’） −スミ極を共通接続した出力ラインはコンパ
レータＡのマイナス入力端子に接続され、コンパレータ
Ａのプラス入力端子には参照電圧Ｖｒが設定され、更に
マイナス入力端子に対するＭＯＳトランジスタＱ １ｎ
−１〜Ｑ １ｎ＋１のソース電極を共通接続した出力ラ
インは抵抗Ｒ３を介して参照電圧Ｖｒにプルアップされ
ている。
ここで、各受光画素の受光出力が飽和レベルに達したこ
とを検出するためのＭＯＳトランジスタＱ １ｎ−１〜
Ｑ ’ｌ ｎ＋１の動作点は次のように設定されている
。
とを検出するためのＭＯＳトランジスタＱ １ｎ−１〜
Ｑ ’ｌ ｎ＋１の動作点は次のように設定されている
。
例えば、ＭＯＳトランジスタＱｌｎを例にとると、スキ
ャナーＳＲによりＭＯＳトランジスタＱｎをオンしてコ
ンデンサＣｎをプリチャージ電圧Ｖｐに充電した後に露
光を開始してフォトダイオードＰＤｎの光電流によるコ
ンデンサＣｒ１７）放電電圧をＶｎとし、また、ＭＯＳ
トランジスタＱ１ｎのスレッショルド電圧をＶｔとする
と、ＭＯＳトランジスタＱ１ｎは、 ｖｎくＶｒ−Ｖｔ ・・・（１）となる関係
に充電電圧Ｖｎが低下したときにオンして飽和検出出力
を生ずる。
ャナーＳＲによりＭＯＳトランジスタＱｎをオンしてコ
ンデンサＣｎをプリチャージ電圧Ｖｐに充電した後に露
光を開始してフォトダイオードＰＤｎの光電流によるコ
ンデンサＣｒ１７）放電電圧をＶｎとし、また、ＭＯＳ
トランジスタＱ１ｎのスレッショルド電圧をＶｔとする
と、ＭＯＳトランジスタＱ１ｎは、 ｖｎくＶｒ−Ｖｔ ・・・（１）となる関係
に充電電圧Ｖｎが低下したときにオンして飽和検出出力
を生ずる。
具体的にはコンデンサＣｎの充電電圧ＶｎがＶｎ＝Ｑに
放電したときに飽和レベルに達することから、飽和レベ
ルに達する直前に飽和検出出力を得るため、 前記第（１）式の（Ｖｒ −Ｖｔ）は、Ｖｒ −Ｖｔ
＞０ となるように設定する。
放電したときに飽和レベルに達することから、飽和レベ
ルに達する直前に飽和検出出力を得るため、 前記第（１）式の（Ｖｒ −Ｖｔ）は、Ｖｒ −Ｖｔ
＞０ となるように設定する。
次に、飽和検出手段としてのＭＯＳトランジスタＱ ’
ｌ ｎ−１〜Ｑ １ｎ＋１のソース電極を共通接続して
入力したコンパレータＡにおいては、ＭＯＳトランジス
タＱ １ ｎ−１〜Ｑ １ｎ＋１の全てがオフの時、そ
の出力ＶＣはＬレベル、即ちＶｃ ＝ＯＶにあるが、Ｍ
ＯＳトランジスタＱ １ ｎ−１〜Ｑ １ ｎ＋１ ノ
イずれか１つが一オンすると抵抗Ｒ３の電圧降下分だけ
マイナス入力端子が参照電圧Ｖｒより低下し、出力ＶＣ
がＨレベルに立ち上がって外部に飽和検出出力を生じ、
図示しない露光制御手段により受光画素に対する露光を
停止させるようになる。
ｌ ｎ−１〜Ｑ １ｎ＋１のソース電極を共通接続して
入力したコンパレータＡにおいては、ＭＯＳトランジス
タＱ １ ｎ−１〜Ｑ １ｎ＋１の全てがオフの時、そ
の出力ＶＣはＬレベル、即ちＶｃ ＝ＯＶにあるが、Ｍ
ＯＳトランジスタＱ １ ｎ−１〜Ｑ １ ｎ＋１ ノ
イずれか１つが一オンすると抵抗Ｒ３の電圧降下分だけ
マイナス入力端子が参照電圧Ｖｒより低下し、出力ＶＣ
がＨレベルに立ち上がって外部に飽和検出出力を生じ、
図示しない露光制御手段により受光画素に対する露光を
停止させるようになる。
次に、第１図の実施例の動作を説明する。
まず、露光前の前処理動作としてスキャナーＳＲはＭＯ
ＳトランジスタＱｎ−１〜Ｑｎ＋１をオンし、これによ
ってコンデンサＣｎ−１〜Ｃｎ＋１のそれぞれがプリチ
ャージ電圧Ｖｐに充電される。続いて受光画素に対する
露光を開始すると、フォトダイオードｐ ［） ｎ−１
〜ｐ［）ｎ＋１のそれぞれは受光量に応じた光電流を生
じてコンデンサＣｎ−１〜Ｃｎ＋１に充電されたプリチ
ャージ電圧Ｖｐの放電を開始し、各充電電圧Ｖｎ−１〜
Ｖｎ＋１は徐々に低下する。
ＳトランジスタＱｎ−１〜Ｑｎ＋１をオンし、これによ
ってコンデンサＣｎ−１〜Ｃｎ＋１のそれぞれがプリチ
ャージ電圧Ｖｐに充電される。続いて受光画素に対する
露光を開始すると、フォトダイオードｐ ［） ｎ−１
〜ｐ［）ｎ＋１のそれぞれは受光量に応じた光電流を生
じてコンデンサＣｎ−１〜Ｃｎ＋１に充電されたプリチ
ャージ電圧Ｖｐの放電を開始し、各充電電圧Ｖｎ−１〜
Ｖｎ＋１は徐々に低下する。
ここで、フォトダイオードＰＤｎに対する受光量が最大
でおったとすると、他のコンデンサＣｎ−１、Ｏｎ＋１
に対し、コンデンサＣｎの充電電圧が最も早く放電し、
この放電により低下した充電電圧ｖｎが前記第（１）式
で与えられる動作点に達するとＭＯＳトランジスタＱｌ
ｎがオンし、抵抗Ｒ３に電流が流れる。このため抵抗Ｒ
３の電圧降下分だけコンパレータＡのマイナス入力端子
に対する入力電圧が低下し、コンパレータＡの出力ＶＣ
はＨレベルに立ち上がる。コンパレータＡのトルベル出
力は露光制御回路（図示せず）に与えられ、各受光画素
に対する露光を停止し、その後にスキャナーＳＲにより
ＭＯＳトランジスタＱｎ−１〜Ｑｎ＋１を順次オンする
ことで光電流に応じた放電状態にあるコンデンサＣｎ−
１〜Ｃｎ＋１を順次プリチャージ電圧Ｖｐに充電し、こ
のとき抵抗Ｒ１に流れる電流による電圧降下を測定する
ことで受光出力を読取ることができる。
でおったとすると、他のコンデンサＣｎ−１、Ｏｎ＋１
に対し、コンデンサＣｎの充電電圧が最も早く放電し、
この放電により低下した充電電圧ｖｎが前記第（１）式
で与えられる動作点に達するとＭＯＳトランジスタＱｌ
ｎがオンし、抵抗Ｒ３に電流が流れる。このため抵抗Ｒ
３の電圧降下分だけコンパレータＡのマイナス入力端子
に対する入力電圧が低下し、コンパレータＡの出力ＶＣ
はＨレベルに立ち上がる。コンパレータＡのトルベル出
力は露光制御回路（図示せず）に与えられ、各受光画素
に対する露光を停止し、その後にスキャナーＳＲにより
ＭＯＳトランジスタＱｎ−１〜Ｑｎ＋１を順次オンする
ことで光電流に応じた放電状態にあるコンデンサＣｎ−
１〜Ｃｎ＋１を順次プリチャージ電圧Ｖｐに充電し、こ
のとき抵抗Ｒ１に流れる電流による電圧降下を測定する
ことで受光出力を読取ることができる。
このように露光中に最大受光量となる受光画素の受光出
力が予め設定した飽和レベルに達すると、対応するＭＯ
Ｓトランジスタがオンして飽和検出出力を生じ、この飽
和検出出力に基づいて露光停止を行なうことで局部的に
イメージセンサに高い照度の光が当たっていても、受光
画素の出力を飽和させることなく正確な受光情報を読出
すことができる。
力が予め設定した飽和レベルに達すると、対応するＭＯ
Ｓトランジスタがオンして飽和検出出力を生じ、この飽
和検出出力に基づいて露光停止を行なうことで局部的に
イメージセンサに高い照度の光が当たっていても、受光
画素の出力を飽和させることなく正確な受光情報を読出
すことができる。
第２図は本発明の他の実施例を示した回路構成図であり
、この実施例にあってはＣＯＤイメージセンサを対象と
したことを特徴とする。
、この実施例にあってはＣＯＤイメージセンサを対象と
したことを特徴とする。
即ち、第２図において、ｐ［）ｎ−１〜ｐ［）ｎ＋１は
ＣＯＤの受光画素を構成する受光部であり、第１図の実
施例と同様、受光部Ｐ Ｄ ｎ−１〜ｐ［）ｎ＋１の出
力電圧を各受光画素に対応して設けた飽和検出手段とし
てのＭＯＳ）−ランジスタＱ ’ｌ ｎ−１〜Ｑ１ｎ＋
１のゲート電極に加えるようにしており、他の構成は第
１図の実施例と同じになる。
ＣＯＤの受光画素を構成する受光部であり、第１図の実
施例と同様、受光部Ｐ Ｄ ｎ−１〜ｐ［）ｎ＋１の出
力電圧を各受光画素に対応して設けた飽和検出手段とし
てのＭＯＳ）−ランジスタＱ ’ｌ ｎ−１〜Ｑ１ｎ＋
１のゲート電極に加えるようにしており、他の構成は第
１図の実施例と同じになる。
このようなＣＯＤイメージセンサについても局部的に高
い照度を受け、受光画素の受光出力のうちの最大のもの
がＭＯＳトランジスタＱｎ−１〜Ｑｎ＋１の動作点とし
て設定した飽和レベルに達すると飽和検出出力が得られ
て露光を停止するようになり、局部的に高い照度の光を
受けても受光出力を飽和させることなく正しい受光情報
を読出すことができる。
い照度を受け、受光画素の受光出力のうちの最大のもの
がＭＯＳトランジスタＱｎ−１〜Ｑｎ＋１の動作点とし
て設定した飽和レベルに達すると飽和検出出力が得られ
て露光を停止するようになり、局部的に高い照度の光を
受けても受光出力を飽和させることなく正しい受光情報
を読出すことができる。
［発明の効果］
以上説明してきたようによ本発明によれば、露光中に複
数の受光画素の受光出力のうち、最大の受光出力が飽和
レベルに達したことを検出できるため、飽和レベル検出
出力が得られたときに露光を中止して受光出力を読出す
ことで局部的に高い照度の光を受けても受光出力を飽和
させることなく受光情報を正確に読出すことができる。
数の受光画素の受光出力のうち、最大の受光出力が飽和
レベルに達したことを検出できるため、飽和レベル検出
出力が得られたときに露光を中止して受光出力を読出す
ことで局部的に高い照度の光を受けても受光出力を飽和
させることなく受光情報を正確に読出すことができる。
また、飽和検出手段としては各受光画素毎にＭＯＳトラ
ンジスタを設けるだけで良いことから、イメージセンサ
の製造プロセスの変更あるいは工程の追加を必要とせず
にマスクレイアウトのみを変更するだけで受光出力の飽
和レベルへの到達を検出する機能を持ったイメージセン
サを容易に製造することができる。
ンジスタを設けるだけで良いことから、イメージセンサ
の製造プロセスの変更あるいは工程の追加を必要とせず
にマスクレイアウトのみを変更するだけで受光出力の飽
和レベルへの到達を検出する機能を持ったイメージセン
サを容易に製造することができる。
第１図はライン型イメージセンサを例にとって本発明の
一実施例を示した回路構成図、第２図はＣＯＤイメージ
センサを例にとった本発明の他の実施例を示した回路構
成図、第３図は従来例を示した回路構成図、第４図は従
来のイメージセンサの受光量と出力電圧の関係を示した
説明図である。 Ｑｎ−１，Ｑｎ、Ｑｎ＋１ ： ＭＯＳ トランジス
タ（スイッチング用） ＰＤｎ−１，ＰＤｎ、ＰＤｎ＋１ ニア＋ ト’ｔイ
オ−ド０ｎ−１，Ｃｎ、Ｃｎ＋１ ： コ）７”、／
”ｊＳＲ：スキャナー Ｑ １ ｎ−１，Ｑ １ ｎ、Ｑ １ ｎ＋１ ：
ＭＯＳ トランジスタ（飽和検出用） Ａ：コンパレータ ＲＩＩＬ、 Ｒ３：抵抗 特許出願人 日本光学工業株式会社
一実施例を示した回路構成図、第２図はＣＯＤイメージ
センサを例にとった本発明の他の実施例を示した回路構
成図、第３図は従来例を示した回路構成図、第４図は従
来のイメージセンサの受光量と出力電圧の関係を示した
説明図である。 Ｑｎ−１，Ｑｎ、Ｑｎ＋１ ： ＭＯＳ トランジス
タ（スイッチング用） ＰＤｎ−１，ＰＤｎ、ＰＤｎ＋１ ニア＋ ト’ｔイ
オ−ド０ｎ−１，Ｃｎ、Ｃｎ＋１ ： コ）７”、／
”ｊＳＲ：スキャナー Ｑ １ ｎ−１，Ｑ １ ｎ、Ｑ １ ｎ＋１ ：
ＭＯＳ トランジスタ（飽和検出用） Ａ：コンパレータ ＲＩＩＬ、 Ｒ３：抵抗 特許出願人 日本光学工業株式会社
Claims (3)
- （１）複数の受光画素を備えたイメージセンサに於いて
、 前記受光画素毎に、露光中に受光出力が所定の飽和レベ
ルに達したことを検出して出力する飽和検出手段を設け
たことを特徴とするイメージセンサ。 - （２）前記飽和検出手段は、ゲート電極が受光画素に接
続されると共にドレイン電極が共通に接地され、更にソ
ース電極が共通に出力端子に接続されたＭＯＳトランジ
スタで成ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
のイメージセンサ。 - （３）前記飽和検出手段は、飽和検出出力により露光又
は蓄積動作を停止させることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載のイメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62251866A JPH0193966A (ja) | 1987-10-06 | 1987-10-06 | イメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62251866A JPH0193966A (ja) | 1987-10-06 | 1987-10-06 | イメージセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0193966A true JPH0193966A (ja) | 1989-04-12 |
Family
ID=17229092
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62251866A Pending JPH0193966A (ja) | 1987-10-06 | 1987-10-06 | イメージセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0193966A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100344414B1 (ko) * | 1998-12-02 | 2002-07-24 | 닛본 덴기 가부시끼가이샤 | 상검출기 |
| JP2008283565A (ja) * | 2007-05-11 | 2008-11-20 | Canon Inc | 撮像素子及び撮像装置 |
| EP3062063A1 (en) * | 2015-02-26 | 2016-08-31 | Sick Optex Co., Ltd. | Optical displacement sensor |
-
1987
- 1987-10-06 JP JP62251866A patent/JPH0193966A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100344414B1 (ko) * | 1998-12-02 | 2002-07-24 | 닛본 덴기 가부시끼가이샤 | 상검출기 |
| JP2008283565A (ja) * | 2007-05-11 | 2008-11-20 | Canon Inc | 撮像素子及び撮像装置 |
| EP3062063A1 (en) * | 2015-02-26 | 2016-08-31 | Sick Optex Co., Ltd. | Optical displacement sensor |
| US9846061B2 (en) | 2015-02-26 | 2017-12-19 | Sick Optex Co., Ltd. | Optical displacement sensor having a light receiving level upper limit value specifying unit |
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