JPH0193744A - フォトマスク - Google Patents
フォトマスクInfo
- Publication number
- JPH0193744A JPH0193744A JP62251978A JP25197887A JPH0193744A JP H0193744 A JPH0193744 A JP H0193744A JP 62251978 A JP62251978 A JP 62251978A JP 25197887 A JP25197887 A JP 25197887A JP H0193744 A JPH0193744 A JP H0193744A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- resist
- wavelength
- resist film
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- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
レジストが最も良く感光する波長の光のみを透過するバ
ンドパスフィルタ付レチクルに関し、ウェーハ上のレジ
スト膜に切れの良い画像を形成することが可能となるバ
ンドパスフィルタ付レチクルの提供を目的とし、 遮光パターンが形成された透明基板上を覆う、所定の帯
域の波長の光を通過させるように吸光特性の異なる少な
くとも２種類の染料を含有した樹脂膜が、遮光パターン
を形成した透明基板上に設けられているよう構成する。
ンドパスフィルタ付レチクルに関し、ウェーハ上のレジ
スト膜に切れの良い画像を形成することが可能となるバ
ンドパスフィルタ付レチクルの提供を目的とし、 遮光パターンが形成された透明基板上を覆う、所定の帯
域の波長の光を通過させるように吸光特性の異なる少な
くとも２種類の染料を含有した樹脂膜が、遮光パターン
を形成した透明基板上に設けられているよう構成する。
本発明は、フォトマスク、例えばレチクルの構造に係り
、特にレジストが最も良く感光する波長の光のみを透過
するバンドパスフィルタ付レチクルに関するものである
。
、特にレジストが最も良く感光する波長の光のみを透過
するバンドパスフィルタ付レチクルに関するものである
。
半導体装置の製造工程のフォトプロセスにて用いる縮小
投影露光装置は、レジストが最も良く感光する波長の光
のみでなく、その波長の近傍の波長を有する光をも照射
しており、これらの光がレチクルを透過し、レチクルの
パターンの縮小された像を、ウェーハ上に形成したレジ
スト膜に照射している。
投影露光装置は、レジストが最も良く感光する波長の光
のみでなく、その波長の近傍の波長を有する光をも照射
しており、これらの光がレチクルを透過し、レチクルの
パターンの縮小された像を、ウェーハ上に形成したレジ
スト膜に照射している。
このような光の照射によりレジスト膜に形成されるパタ
ーンは、周辺ににじみが生じた切れの良くない画像とな
っている。
ーンは、周辺ににじみが生じた切れの良くない画像とな
っている。
以上のような状況から切れの良い画像をウェーハ上のレ
ジスト膜に形成することが可能なレチクルが要望されて
いる。
ジスト膜に形成することが可能なレチクルが要望されて
いる。
従来のレチクルは、第３図に示すような石英よりなる透
明基板１１の表面に、クローム（Ｃｒ）よりなる遮光パ
ターン１２と透明基板１１の上になにも存在しない光透
過部１３を形成し、これに光を照射して縮小し、第４図
に示すようにウェーハ１６上のレジスト膜１７に光透過
部１３の縮小された画像を照射している。
明基板１１の表面に、クローム（Ｃｒ）よりなる遮光パ
ターン１２と透明基板１１の上になにも存在しない光透
過部１３を形成し、これに光を照射して縮小し、第４図
に示すようにウェーハ１６上のレジスト膜１７に光透過
部１３の縮小された画像を照射している。
以上説明の従来のレチクルで問題となるのは、レチクル
を透過する光が、レジストが最も良く感光する波長の光
のみでなく、その波長の近傍の波長を有する光をも含ん
でおり、これらの光がレチクルを透過し、レチクルのパ
ターンの縮小された像がウェーハ上に形成したレジスト
膜に照射され、切れの良くない画像がレジスト膜に形成
されることである。
を透過する光が、レジストが最も良く感光する波長の光
のみでなく、その波長の近傍の波長を有する光をも含ん
でおり、これらの光がレチクルを透過し、レチクルのパ
ターンの縮小された像がウェーハ上に形成したレジスト
膜に照射され、切れの良くない画像がレジスト膜に形成
されることである。
即ち、レジストが最も良く感光する波長の光のみでなく
、その波長の近傍の波長を有する光をも含んだ光が照射
されると、その波長の近傍の波長を有する光にレジスト
膜が感光し、パターンの周辺部がシャープに露光されず
、切れの良くない画像がレジスト膜に形成されるのであ
る。
、その波長の近傍の波長を有する光をも含んだ光が照射
されると、その波長の近傍の波長を有する光にレジスト
膜が感光し、パターンの周辺部がシャープに露光されず
、切れの良くない画像がレジスト膜に形成されるのであ
る。
本発明は以上のような状況から、ウェーハ上のレジスト
膜に切れの良い画像を形成することが可能となるバンド
パスフィルタ付レチクルの提供を目的としたものである
。
膜に切れの良い画像を形成することが可能となるバンド
パスフィルタ付レチクルの提供を目的としたものである
。
上記問題点は、遮光パターンが形成された透明基板上を
覆う、所定の帯域の波長の光を通過させるように吸光特
性の異なる少なくとも２種類の染料を含有した樹脂膜が
、遮光パターンを形成した透明基板上に設けられている
本発明によるフォトマスクによって解決される。
覆う、所定の帯域の波長の光を通過させるように吸光特
性の異なる少なくとも２種類の染料を含有した樹脂膜が
、遮光パターンを形成した透明基板上に設けられている
本発明によるフォトマスクによって解決される。
即ち本発明においては、レジストが最も良く感光する波
長の光のみでなく、その波長の近傍の波長を有する光を
も含んだ光が照射される場合においても、これらの光の
全てが無色透明なカバーを透過し、レチクルの全面を覆
う、レジストが最も良く感光する波長の光の透過率の高
い複数の染料を含有するＥＢレジストを透過すると、ウ
ェーハ上のレジスト膜上にはレジストが最も良く感光す
る波長の光が照射され、その波長の近傍の波長を有する
光が照射されなくなるので、遮光パターンを縮小した切
れの良い画像がウェーハ上のレジスト膜上に形成するこ
とが可能となる。
長の光のみでなく、その波長の近傍の波長を有する光を
も含んだ光が照射される場合においても、これらの光の
全てが無色透明なカバーを透過し、レチクルの全面を覆
う、レジストが最も良く感光する波長の光の透過率の高
い複数の染料を含有するＥＢレジストを透過すると、ウ
ェーハ上のレジスト膜上にはレジストが最も良く感光す
る波長の光が照射され、その波長の近傍の波長を有する
光が照射されなくなるので、遮光パターンを縮小した切
れの良い画像がウェーハ上のレジスト膜上に形成するこ
とが可能となる。
以下第１図〜第２図について本発明の一実施例を説明す
る。
る。
本発明のバンドパスフィルタ付レチクルは、第１図に示
すような石英よりなる透明基板１の表面に、クローム（
Ｃｒ）よりなる遮光パターン２と透明基板１の上になに
も存在しない光透過部３を形成し、少なくとも２種類の
染料を含有することが可能な厚さ１μｍのＰＭＭＡ系の
樹脂、例えば、ＥＢレジスト膜４がその全面を覆うよう
に形成されており、更にその上の全表面をＥＢレジスト
膜４を保護する厚さ１μｍの無色透明のＰＧＭＡ系のレ
ジストからなるカバー５で覆われている。
すような石英よりなる透明基板１の表面に、クローム（
Ｃｒ）よりなる遮光パターン２と透明基板１の上になに
も存在しない光透過部３を形成し、少なくとも２種類の
染料を含有することが可能な厚さ１μｍのＰＭＭＡ系の
樹脂、例えば、ＥＢレジスト膜４がその全面を覆うよう
に形成されており、更にその上の全表面をＥＢレジスト
膜４を保護する厚さ１μｍの無色透明のＰＧＭＡ系のレ
ジストからなるカバー５で覆われている。
このＥＢレジスト膜４は、第２図に示す照射光の特性曲
線図におけるレジストが最も良く感光する波長４３６
ｎ ｍの光は透過し、波長４２０ｎｍ以下の光を吸収す
る色の染料、例えば透過率が下記の表（ａｌに示すよう
な値を有するチバ・ガイギー社製のオラゾールの淡い黄
色の有機溶媒性染料と、波長４５０ｎｍ以上の光を吸収
する色の染料、例えば透過率が下記の表（ｂ）に示すよ
うな値を有するチバ・ガイギー社製のオラゾールの暗い
紫色の有機溶媒性染料とをおのおの５％程度含有してい
る。
線図におけるレジストが最も良く感光する波長４３６
ｎ ｍの光は透過し、波長４２０ｎｍ以下の光を吸収す
る色の染料、例えば透過率が下記の表（ａｌに示すよう
な値を有するチバ・ガイギー社製のオラゾールの淡い黄
色の有機溶媒性染料と、波長４５０ｎｍ以上の光を吸収
する色の染料、例えば透過率が下記の表（ｂ）に示すよ
うな値を有するチバ・ガイギー社製のオラゾールの暗い
紫色の有機溶媒性染料とをおのおの５％程度含有してい
る。
表（ａ） 表（ｂ）
このようにレジストが最も良く感光する光の透過率が高
く、その波長の近傍の光の透過率が低い染料を含有する
ＥＢレジスト膜４を光透過部３に形成するので、レジス
トが最も良く感光する光がレジスト膜上に照射され、レ
ジストに形成されるパターンが切れの良いものになる。
く、その波長の近傍の光の透過率が低い染料を含有する
ＥＢレジスト膜４を光透過部３に形成するので、レジス
トが最も良く感光する光がレジスト膜上に照射され、レ
ジストに形成されるパターンが切れの良いものになる。
以上の説明から明らかなように、本発明によればレチク
ル表面に極めて簡単な構造のＥＢレジストとカバーを基
板の光透過部に設けることにより、レジストが最も良（
感光する波長の光のみをウェーハ上のレジスト膜に照射
することが可能となり、ウェーハ上のレジスト膜に切れ
の良い画像を形成することが可能となる等の利点があり
、著しい経済的及び、信頼性向上の効果が期待でき工業
的には極めて有用なものである。
ル表面に極めて簡単な構造のＥＢレジストとカバーを基
板の光透過部に設けることにより、レジストが最も良（
感光する波長の光のみをウェーハ上のレジスト膜に照射
することが可能となり、ウェーハ上のレジスト膜に切れ
の良い画像を形成することが可能となる等の利点があり
、著しい経済的及び、信頼性向上の効果が期待でき工業
的には極めて有用なものである。
第１図は本発明による一実施例を示す側断面図、第２図
は縮小投影露光装置より照射される光の特性曲線図、 第３図は従来のレチクルの側断面図、 第４図は縮小投影露光装置における光の照射状況を模式
的に示す側断面図、 である。 図において、 １．１１は透明基板、 ２，１２は遮光パターン、３．
１３は光透過部、 ４はＥＢレジスト膜、５はカバー、
１６はウェーハ、１７はレジスト膜、 を示す。 本発明による一実施例を示す側断面図 第１図 縮小投影露光装置より照射される光の特性曲線図第２図 従来のレチクルの側断面図 第 ３ 図 縮小投影露光装置における光の照射状況を模式的に示す
側断面図第４図
は縮小投影露光装置より照射される光の特性曲線図、 第３図は従来のレチクルの側断面図、 第４図は縮小投影露光装置における光の照射状況を模式
的に示す側断面図、 である。 図において、 １．１１は透明基板、 ２，１２は遮光パターン、３．
１３は光透過部、 ４はＥＢレジスト膜、５はカバー、
１６はウェーハ、１７はレジスト膜、 を示す。 本発明による一実施例を示す側断面図 第１図 縮小投影露光装置より照射される光の特性曲線図第２図 従来のレチクルの側断面図 第 ３ 図 縮小投影露光装置における光の照射状況を模式的に示す
側断面図第４図
Claims (1)
- 遮光パターン（２）が形成された透明基板（１）上を
覆う、所定の帯域の波長の光を通過させるように吸光特
性の異なる少なくとも２種類の染料を含有した樹脂膜（
４）が、遮光パターン（２）を形成した透明基板（１）
上に設けられていることを特徴とするフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62251978A JPH0193744A (ja) | 1987-10-06 | 1987-10-06 | フォトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62251978A JPH0193744A (ja) | 1987-10-06 | 1987-10-06 | フォトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0193744A true JPH0193744A (ja) | 1989-04-12 |
Family
ID=17230831
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62251978A Pending JPH0193744A (ja) | 1987-10-06 | 1987-10-06 | フォトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0193744A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012194554A (ja) * | 2011-03-03 | 2012-10-11 | Hoya Corp | フォトマスク、パターン転写方法、及びペリクル |
-
1987
- 1987-10-06 JP JP62251978A patent/JPH0193744A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012194554A (ja) * | 2011-03-03 | 2012-10-11 | Hoya Corp | フォトマスク、パターン転写方法、及びペリクル |
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