JPH0193744A - フォトマスク - Google Patents

フォトマスク

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Publication number
JPH0193744A
JPH0193744A JP62251978A JP25197887A JPH0193744A JP H0193744 A JPH0193744 A JP H0193744A JP 62251978 A JP62251978 A JP 62251978A JP 25197887 A JP25197887 A JP 25197887A JP H0193744 A JPH0193744 A JP H0193744A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
resist
wavelength
resist film
pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62251978A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigeru Saito
茂 齋藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyushu Fujitsu Electronics Ltd
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Kyushu Fujitsu Electronics Ltd
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyushu Fujitsu Electronics Ltd, Fujitsu Ltd filed Critical Kyushu Fujitsu Electronics Ltd
Priority to JP62251978A priority Critical patent/JPH0193744A/ja
Publication of JPH0193744A publication Critical patent/JPH0193744A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 レジストが最も良く感光する波長の光のみを透過するバ
ンドパスフィルタ付レチクルに関し、ウェーハ上のレジ
スト膜に切れの良い画像を形成することが可能となるバ
ンドパスフィルタ付レチクルの提供を目的とし、 遮光パターンが形成された透明基板上を覆う、所定の帯
域の波長の光を通過させるように吸光特性の異なる少な
くとも2種類の染料を含有した樹脂膜が、遮光パターン
を形成した透明基板上に設けられているよう構成する。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、フォトマスク、例えばレチクルの構造に係り
、特にレジストが最も良く感光する波長の光のみを透過
するバンドパスフィルタ付レチクルに関するものである
半導体装置の製造工程のフォトプロセスにて用いる縮小
投影露光装置は、レジストが最も良く感光する波長の光
のみでなく、その波長の近傍の波長を有する光をも照射
しており、これらの光がレチクルを透過し、レチクルの
パターンの縮小された像を、ウェーハ上に形成したレジ
スト膜に照射している。
このような光の照射によりレジスト膜に形成されるパタ
ーンは、周辺ににじみが生じた切れの良くない画像とな
っている。
以上のような状況から切れの良い画像をウェーハ上のレ
ジスト膜に形成することが可能なレチクルが要望されて
いる。
〔従来の技術〕
従来のレチクルは、第3図に示すような石英よりなる透
明基板11の表面に、クローム(Cr)よりなる遮光パ
ターン12と透明基板11の上になにも存在しない光透
過部13を形成し、これに光を照射して縮小し、第4図
に示すようにウェーハ16上のレジスト膜17に光透過
部13の縮小された画像を照射している。
〔発明が解決しようとする問題点〕
以上説明の従来のレチクルで問題となるのは、レチクル
を透過する光が、レジストが最も良く感光する波長の光
のみでなく、その波長の近傍の波長を有する光をも含ん
でおり、これらの光がレチクルを透過し、レチクルのパ
ターンの縮小された像がウェーハ上に形成したレジスト
膜に照射され、切れの良くない画像がレジスト膜に形成
されることである。
即ち、レジストが最も良く感光する波長の光のみでなく
、その波長の近傍の波長を有する光をも含んだ光が照射
されると、その波長の近傍の波長を有する光にレジスト
膜が感光し、パターンの周辺部がシャープに露光されず
、切れの良くない画像がレジスト膜に形成されるのであ
る。
本発明は以上のような状況から、ウェーハ上のレジスト
膜に切れの良い画像を形成することが可能となるバンド
パスフィルタ付レチクルの提供を目的としたものである
〔問題点を解決するための手段〕
上記問題点は、遮光パターンが形成された透明基板上を
覆う、所定の帯域の波長の光を通過させるように吸光特
性の異なる少なくとも2種類の染料を含有した樹脂膜が
、遮光パターンを形成した透明基板上に設けられている
本発明によるフォトマスクによって解決される。
〔作用〕
即ち本発明においては、レジストが最も良く感光する波
長の光のみでなく、その波長の近傍の波長を有する光を
も含んだ光が照射される場合においても、これらの光の
全てが無色透明なカバーを透過し、レチクルの全面を覆
う、レジストが最も良く感光する波長の光の透過率の高
い複数の染料を含有するEBレジストを透過すると、ウ
ェーハ上のレジスト膜上にはレジストが最も良く感光す
る波長の光が照射され、その波長の近傍の波長を有する
光が照射されなくなるので、遮光パターンを縮小した切
れの良い画像がウェーハ上のレジスト膜上に形成するこ
とが可能となる。
〔実施例〕
以下第1図〜第2図について本発明の一実施例を説明す
る。
本発明のバンドパスフィルタ付レチクルは、第1図に示
すような石英よりなる透明基板1の表面に、クローム(
Cr)よりなる遮光パターン2と透明基板1の上になに
も存在しない光透過部3を形成し、少なくとも2種類の
染料を含有することが可能な厚さ1μmのPMMA系の
樹脂、例えば、EBレジスト膜4がその全面を覆うよう
に形成されており、更にその上の全表面をEBレジスト
膜4を保護する厚さ1μmの無色透明のPGMA系のレ
ジストからなるカバー5で覆われている。
このEBレジスト膜4は、第2図に示す照射光の特性曲
線図におけるレジストが最も良く感光する波長436 
n mの光は透過し、波長420nm以下の光を吸収す
る色の染料、例えば透過率が下記の表(alに示すよう
な値を有するチバ・ガイギー社製のオラゾールの淡い黄
色の有機溶媒性染料と、波長450nm以上の光を吸収
する色の染料、例えば透過率が下記の表(b)に示すよ
うな値を有するチバ・ガイギー社製のオラゾールの暗い
紫色の有機溶媒性染料とをおのおの5%程度含有してい
る。
表(a)         表(b) このようにレジストが最も良く感光する光の透過率が高
く、その波長の近傍の光の透過率が低い染料を含有する
EBレジスト膜4を光透過部3に形成するので、レジス
トが最も良く感光する光がレジスト膜上に照射され、レ
ジストに形成されるパターンが切れの良いものになる。
〔発明の効果〕
以上の説明から明らかなように、本発明によればレチク
ル表面に極めて簡単な構造のEBレジストとカバーを基
板の光透過部に設けることにより、レジストが最も良(
感光する波長の光のみをウェーハ上のレジスト膜に照射
することが可能となり、ウェーハ上のレジスト膜に切れ
の良い画像を形成することが可能となる等の利点があり
、著しい経済的及び、信頼性向上の効果が期待でき工業
的には極めて有用なものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による一実施例を示す側断面図、第2図
は縮小投影露光装置より照射される光の特性曲線図、 第3図は従来のレチクルの側断面図、 第4図は縮小投影露光装置における光の照射状況を模式
的に示す側断面図、 である。 図において、 1.11は透明基板、 2,12は遮光パターン、3.
13は光透過部、 4はEBレジスト膜、5はカバー、
    16はウェーハ、17はレジスト膜、 を示す。 本発明による一実施例を示す側断面図 第1図 縮小投影露光装置より照射される光の特性曲線図第2図 従来のレチクルの側断面図 第 3 図 縮小投影露光装置における光の照射状況を模式的に示す
側断面図第4図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  遮光パターン(2)が形成された透明基板(1)上を
    覆う、所定の帯域の波長の光を通過させるように吸光特
    性の異なる少なくとも2種類の染料を含有した樹脂膜(
    4)が、遮光パターン(2)を形成した透明基板(1)
    上に設けられていることを特徴とするフォトマスク。
JP62251978A 1987-10-06 1987-10-06 フォトマスク Pending JPH0193744A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62251978A JPH0193744A (ja) 1987-10-06 1987-10-06 フォトマスク

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62251978A JPH0193744A (ja) 1987-10-06 1987-10-06 フォトマスク

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0193744A true JPH0193744A (ja) 1989-04-12

Family

ID=17230831

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62251978A Pending JPH0193744A (ja) 1987-10-06 1987-10-06 フォトマスク

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0193744A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012194554A (ja) * 2011-03-03 2012-10-11 Hoya Corp フォトマスク、パターン転写方法、及びペリクル

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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