JPH0178032U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0178032U JPH0178032U JP1987173904U JP17390487U JPH0178032U JP H0178032 U JPH0178032 U JP H0178032U JP 1987173904 U JP1987173904 U JP 1987173904U JP 17390487 U JP17390487 U JP 17390487U JP H0178032 U JPH0178032 U JP H0178032U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding pad
- pad portion
- semiconductor device
- protective film
- surface protective
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
第1図は本考案の一実施例の半導体装置の部分
断面図、第2図はその平面図、第3図は従来の半
導体装置の部分断面図である。 1……シリコン基板、2……絶縁膜、3……ボ
ンデイングパツド部、4……表面保護膜、5……
動作領域部、6……金属細線、7……周辺金属層
。
断面図、第2図はその平面図、第3図は従来の半
導体装置の部分断面図である。 1……シリコン基板、2……絶縁膜、3……ボ
ンデイングパツド部、4……表面保護膜、5……
動作領域部、6……金属細線、7……周辺金属層
。
Claims (1)
- 半導体基板の表面に形成した表面保護膜を開口
してボンデイングパツド部を形成し、かつ全体を
樹脂でパツケージ封止してなる半導体装置におい
て、前記ボンデイングパツド部の周囲の表面保護
膜上に周辺金属層を形成したことを特徴とする半
導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1987173904U JPH0178032U (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1987173904U JPH0178032U (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0178032U true JPH0178032U (ja) | 1989-05-25 |
Family
ID=31465789
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1987173904U Pending JPH0178032U (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0178032U (ja) |
-
1987
- 1987-11-16 JP JP1987173904U patent/JPH0178032U/ja active Pending