JPH0159720B2 - - Google Patents
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- JPH0159720B2 JPH0159720B2 JP57092277A JP9227782A JPH0159720B2 JP H0159720 B2 JPH0159720 B2 JP H0159720B2 JP 57092277 A JP57092277 A JP 57092277A JP 9227782 A JP9227782 A JP 9227782A JP H0159720 B2 JPH0159720 B2 JP H0159720B2
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 2
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000002594 fluoroscopy Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 1
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- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G1/00—X-ray apparatus involving X-ray tubes; Circuits therefor
- H05G1/08—Electrical details
- H05G1/70—Circuit arrangements for X-ray tubes with more than one anode; Circuit arrangements for apparatus comprising more than one X ray tube or more than one cathode
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G1/00—X-ray apparatus involving X-ray tubes; Circuits therefor
- H05G1/08—Electrical details
- H05G1/26—Measuring, controlling or protecting
- H05G1/30—Controlling
- H05G1/34—Anode current, heater current or heater voltage of X-ray tube
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、複数個のＸ線管用のＸ線発生装置で
あつて、照射と照射のインターバル中Ｘ線管のフ
イラメントに対し待機フイラメント電流を調整す
る装置が設けられているＸ線発生装置を具えるＸ
線装置を駆動する方法に関するものであると共
に、該方法を実施するためのＸ線発生装置にも関
するものである。
あつて、照射と照射のインターバル中Ｘ線管のフ
イラメントに対し待機フイラメント電流を調整す
る装置が設けられているＸ線発生装置を具えるＸ
線装置を駆動する方法に関するものであると共
に、該方法を実施するためのＸ線発生装置にも関
するものである。
通常、照射に先だつて準備動作相があり、この
動作相中に陰極フイラメントの温度がＸ線照射に
必要な値に上昇されるが、この動作相中は管電圧
がまだスイツチオンされないため、Ｘ線はまだ発
生しない。この準備相の持続時間はフイラメン
ト、を昇圧することにより短縮することができる
が、この方法ではフイラメントが焼け切れる惧れ
があり、これを避ける必要があるために十分な準
備期間の短縮を得ることはできない。これがた
め、準備期間を短縮するために、待機期間中にも
つと後のＸ線照射に使用するＸ線管のフイラメン
トに待機フイラメント電流を供給することが既知
である。このようにするとフイラメント温度及び
従つてフイラメントのオーム抵抗値が増大するた
め、フイラメントは次の準備相中に直ちに最終温
度に到達することができる。
動作相中に陰極フイラメントの温度がＸ線照射に
必要な値に上昇されるが、この動作相中は管電圧
がまだスイツチオンされないため、Ｘ線はまだ発
生しない。この準備相の持続時間はフイラメン
ト、を昇圧することにより短縮することができる
が、この方法ではフイラメントが焼け切れる惧れ
があり、これを避ける必要があるために十分な準
備期間の短縮を得ることはできない。これがた
め、準備期間を短縮するために、待機期間中にも
つと後のＸ線照射に使用するＸ線管のフイラメン
トに待機フイラメント電流を供給することが既知
である。このようにするとフイラメント温度及び
従つてフイラメントのオーム抵抗値が増大するた
め、フイラメントは次の準備相中に直ちに最終温
度に到達することができる。
一つのＸ線発生装置を異なるフイラメントを有
する数個のＸ線管に対し使用する場合には、待機
フイラメント電流は一般に、これらフイラメント
の中で最大の抵抗値を有するフイラメントに対し
適切な値に選択される。従つて低オームフイラメ
ントを有するＸ線管が接続されたときにはそのフ
イラメントがＸ線照射に必要な温度に到達するの
に比較的長い準備期間が必要となる。
する数個のＸ線管に対し使用する場合には、待機
フイラメント電流は一般に、これらフイラメント
の中で最大の抵抗値を有するフイラメントに対し
適切な値に選択される。従つて低オームフイラメ
ントを有するＸ線管が接続されたときにはそのフ
イラメントがＸ線照射に必要な温度に到達するの
に比較的長い準備期間が必要となる。
本発明の目的は準備相中に一層迅速にフイラメ
ントの最終温度に到達し得るようにした上述した
種類の方法並びにこの方法の実施に好適なＸ線発
生装置を提供せんとするにある。
ントの最終温度に到達し得るようにした上述した
種類の方法並びにこの方法の実施に好適なＸ線発
生装置を提供せんとするにある。
本発明は、この目的を達成するために、複数個
のＸ線管のフイラメントと関連する複数個の待機
フイラメント電流値を記憶しておき、高圧発生器
に接続されたＸ線管と関連する待機フイラメント
電流値をアドレスし、このＸ線管のフイラメント
をこの値に調整することを待機とする。従つて、
この方法を実施するために、本発明はＸ線管を選
択する管選択装置と、焦点選択装置と、記憶して
あつたフイラメント電流で制御されるフイラメン
ト電流調整装置を具えるＸ線発生装置において、
複数個の待機フイラメント電流用の複数個のメモ
リセルを具える不揮発性デジタルメモリ装置を設
け、前記管選択装置を前記メモリ装置をアドレス
及びアクセスする装置に結合して前記管選択装置
及び焦点選択装置により選択された各管フイラメ
ントに対して所定のメモリセルがアドレスされ、
その内容が前記フイラメント電流調整装置の制御
に使用されるようにしたことを特徴とする。
のＸ線管のフイラメントと関連する複数個の待機
フイラメント電流値を記憶しておき、高圧発生器
に接続されたＸ線管と関連する待機フイラメント
電流値をアドレスし、このＸ線管のフイラメント
をこの値に調整することを待機とする。従つて、
この方法を実施するために、本発明はＸ線管を選
択する管選択装置と、焦点選択装置と、記憶して
あつたフイラメント電流で制御されるフイラメン
ト電流調整装置を具えるＸ線発生装置において、
複数個の待機フイラメント電流用の複数個のメモ
リセルを具える不揮発性デジタルメモリ装置を設
け、前記管選択装置を前記メモリ装置をアドレス
及びアクセスする装置に結合して前記管選択装置
及び焦点選択装置により選択された各管フイラメ
ントに対して所定のメモリセルがアドレスされ、
その内容が前記フイラメント電流調整装置の制御
に使用されるようにしたことを特徴とする。
図面につき本発明を説明する。
第１図は本発明によるＸ線発生装置の一例のブ
ロツク図を示す。このＸ線発生装置は高圧発生器
１を具え、この高圧発生器には数個（本例では３
個）のＸ線管１４，１５，１６の１個を高圧スイ
ツチ２を経て接続することができる。各Ｘ線管は
２個のフイラメント４，４′，６，６′を具える。
これがため、高圧発生器は管電圧発生用の高圧変
成器に加えて２個のフイラメント電流変成器を具
え、両変成器の一次巻線は既知のように焦点選択
装置１７，１８，１９によりフイラメント４，
４′，５，５′，６，６′に接続して各管のフイラ
メントにフイラメント電流を供給し得るようにな
つている。これらのフイラメント電流変成器（図
示せず）はフイラメント電流制御回路３の一部を
構成する。フイラメント電流制御回路３はフイラ
メント電流の実際値を基準値と比較する比較器３
１とその差の制御量を増幅してフイラメント電流
変成器に供給する制御増幅器３２を具え、フイラ
メント電流の実際値をその基準値に略々一致させ
るよう機能する。
ロツク図を示す。このＸ線発生装置は高圧発生器
１を具え、この高圧発生器には数個（本例では３
個）のＸ線管１４，１５，１６の１個を高圧スイ
ツチ２を経て接続することができる。各Ｘ線管は
２個のフイラメント４，４′，６，６′を具える。
これがため、高圧発生器は管電圧発生用の高圧変
成器に加えて２個のフイラメント電流変成器を具
え、両変成器の一次巻線は既知のように焦点選択
装置１７，１８，１９によりフイラメント４，
４′，５，５′，６，６′に接続して各管のフイラ
メントにフイラメント電流を供給し得るようにな
つている。これらのフイラメント電流変成器（図
示せず）はフイラメント電流制御回路３の一部を
構成する。フイラメント電流制御回路３はフイラ
メント電流の実際値を基準値と比較する比較器３
１とその差の制御量を増幅してフイラメント電流
変成器に供給する制御増幅器３２を具え、フイラ
メント電流の実際値をその基準値に略々一致させ
るよう機能する。
フイラメント電流の基準値は中間メモリ８に接
続されたデジタル―アナログ変換器７により供給
され、中間メモリ８はスイツチ１０を経て読取専
用メモリとして構成されたメモリ９に接続され
る。読取専用メモリ９は第１メモリ区分９１を具
え、この区分には（ドイツ国特許出願公開第
2703420号から既知のように）フイラメント電流
値が記憶されていると共に、メモリセル９４，９
５及び９６を有する第２メモリ区分を具え、これ
らセルには３個のＸ線管１４，１５及び１６のた
めの待機フイラメント電流値（各Ｘ線管に対し２
つの待機フイラメント電流値がある）が記憶され
ている。
続されたデジタル―アナログ変換器７により供給
され、中間メモリ８はスイツチ１０を経て読取専
用メモリとして構成されたメモリ９に接続され
る。読取専用メモリ９は第１メモリ区分９１を具
え、この区分には（ドイツ国特許出願公開第
2703420号から既知のように）フイラメント電流
値が記憶されていると共に、メモリセル９４，９
５及び９６を有する第２メモリ区分を具え、これ
らセルには３個のＸ線管１４，１５及び１６のた
めの待機フイラメント電流値（各Ｘ線管に対し２
つの待機フイラメント電流値がある）が記憶され
ている。
これらの待機フイラメント電流値は各Ｘ線管及
びその各フイラメント毎に選択され、そのＸ線管
をこのフイラメント電流で、高圧（例えば
40KV）を印加して動作させたときに所定の最大
放射値（例えば20μA）が維持されるよう選択さ
れる。この手段は、透視を小焦点用フイラメント
４，５，６によつて行なつている間に照射モード
用に大焦点と関連するフイラメントを予め選択す
る場合でも、画質及び透視制御回路の制御特性が
待機電流が供給されているフイラメントの追加の
放射により殆んど影響されないようにするために
必要である。
びその各フイラメント毎に選択され、そのＸ線管
をこのフイラメント電流で、高圧（例えば
40KV）を印加して動作させたときに所定の最大
放射値（例えば20μA）が維持されるよう選択さ
れる。この手段は、透視を小焦点用フイラメント
４，５，６によつて行なつている間に照射モード
用に大焦点と関連するフイラメントを予め選択す
る場合でも、画質及び透視制御回路の制御特性が
待機電流が供給されているフイラメントの追加の
放射により殆んど影響されないようにするために
必要である。
スイツチング装置１０及びＸ線管選択用高圧ス
イツチ２並びに焦点選択装置（図示せず）を制御
装置１１を介して互に結合して、メモリセル９４
がＸ線管１４に対して、メモリセル９５がＸ線管
１５に対して、メモリセル９６がＸ線管１６に対
して作用するようにする。上述したようにこれら
セルには各フイラメントに対する測定待機フイラ
メント電流値が記憶されている。これがため、準
備期間の開始時には既にフイラメントは比較的短
時間で最終温度に到達するような温度を有するこ
とになる。準備期間が開始し、これが入力端子１
２を経て制御装置１１に信号されると、関連する
Ｘ線管のＸ線照射に必要なフイラメント電流が記
憶されているメモリ区分９１に切換えられる。
イツチ２並びに焦点選択装置（図示せず）を制御
装置１１を介して互に結合して、メモリセル９４
がＸ線管１４に対して、メモリセル９５がＸ線管
１５に対して、メモリセル９６がＸ線管１６に対
して作用するようにする。上述したようにこれら
セルには各フイラメントに対する測定待機フイラ
メント電流値が記憶されている。これがため、準
備期間の開始時には既にフイラメントは比較的短
時間で最終温度に到達するような温度を有するこ
とになる。準備期間が開始し、これが入力端子１
２を経て制御装置１１に信号されると、関連する
Ｘ線管のＸ線照射に必要なフイラメント電流が記
憶されているメモリ区分９１に切換えられる。
制御装置１１はマイクロコンピユータで実現す
るのが好適である。この場合、読取専用メモリ９
へのアクセスはマイクロコンピユータを読取専用
メモリ９及び中間メモリ８に接続するバスを経て
行なわれる。
るのが好適である。この場合、読取専用メモリ９
へのアクセスはマイクロコンピユータを読取専用
メモリ９及び中間メモリ８に接続するバスを経て
行なわれる。
制御装置１１及びメモリ９を第２図に詳細に示
す。制御装置１１はマイクロプロセツサ２０
（INTEL8086）、クロツク発生器２１（同8284）、
割込制御器２２（同8259A）、８進ラツチ回路２
３（同8282）及びいくつかの他の回路（後述す
る）を具えている。マイクロプロセツサ２０はラ
ツチ回路２３、メモリ９′（同2732，2118）及び
割込制御器２２を相互接続するアドレス／データ
バス２４を具えている。マイクロプロセツサ２０
により発生されたアドレスはラツチ回路２３内
に、この回路２３のストローブ入力端子STBに
マイクロプロセツサから制御バイアス２５の制御
ラインを経て供給されるストローブ信号によりラ
ツチされる。このアドレスは回路２３が制御バス
２５から受信する出力エネーブル信号OEにより
アドレスバス２６上に送出される。制御バス２５
又はアドレスバス２６上の信号はバスドライバ回
路２８ａ及び２８ｃ（同75LS244）を経てシステ
ムバス２７上に送出される。メモリ９′はデータ
バス２４及びアドレスバス２６に接続されてい
る。メモリデコーダ２９（同N82S137）により読
取専用メモリ９又はランダムアクセスメモリ９ａ
が駆動される。適正動作のために、デコーダ回路
２９はラツチ回路２３からのアドレス（の一部）
を受信すると共に、入力を受信すべきか出力を双
方向バスドライバ２８ｄ（同8286）を経てシステ
ムバスに送出すべきかを示す別の制御信号も受信
する。
す。制御装置１１はマイクロプロセツサ２０
（INTEL8086）、クロツク発生器２１（同8284）、
割込制御器２２（同8259A）、８進ラツチ回路２
３（同8282）及びいくつかの他の回路（後述す
る）を具えている。マイクロプロセツサ２０はラ
ツチ回路２３、メモリ９′（同2732，2118）及び
割込制御器２２を相互接続するアドレス／データ
バス２４を具えている。マイクロプロセツサ２０
により発生されたアドレスはラツチ回路２３内
に、この回路２３のストローブ入力端子STBに
マイクロプロセツサから制御バイアス２５の制御
ラインを経て供給されるストローブ信号によりラ
ツチされる。このアドレスは回路２３が制御バス
２５から受信する出力エネーブル信号OEにより
アドレスバス２６上に送出される。制御バス２５
又はアドレスバス２６上の信号はバスドライバ回
路２８ａ及び２８ｃ（同75LS244）を経てシステ
ムバス２７上に送出される。メモリ９′はデータ
バス２４及びアドレスバス２６に接続されてい
る。メモリデコーダ２９（同N82S137）により読
取専用メモリ９又はランダムアクセスメモリ９ａ
が駆動される。適正動作のために、デコーダ回路
２９はラツチ回路２３からのアドレス（の一部）
を受信すると共に、入力を受信すべきか出力を双
方向バスドライバ２８ｄ（同8286）を経てシステ
ムバスに送出すべきかを示す別の制御信号も受信
する。
Ｘ線装置の待機モードは割込入力端子１２の信
号により開始され、この信号は割込制御器２２を
介して待ち状態（第４図のフローチヤートのステ
ツプ４―０）にあつたマイクロプロセツサ２０を
駆動する。マイクロプロセツサ２０は選択された
Ｘ線管の番号ｉ及び選択されたフイラメントを読
み取り、対応するアドレスをラツチ回路２３及び
バスドライバ２８ａを介してシステムバス２７に
供給すると共にドライバ２８ｄからデータを取り
込む（第４図のスローチヤートのステツプ４―
１）。第３図から明らかなように、スイツチ２の
位置は入力マルチプレクス回路４０（HEF―
4512B）により検出される。このマルチプレクサ
回路４０はバス４１から検出すべき入力端子のア
ドレスを受信し、この入力端子がスイツチ２′を
経て＋Ｖに接続されている場合に出力ライン４２
に出力HIGHを発生する。スイツチ２′は検出す
べきスイツチ２に機械的に連結されて連動する。
マイクロプロセツサ２０は、管番号ｉに基づいて
メモリ９内に記憶されている待機電流表のアドレ
ス（ADR（ｉ））を選択する（第４図のステツプ
４―２）。次にマイクロプロセツサ２０はどちら
のフイラメントが選択されているか検査する（大
管電流用の大焦点（LF）か、小管電流用の小焦
点？；第４図のステツプ４―３）。大焦点が使用
される場合、管番号ｉに基づいて発生されたアド
レスが一定値ｃだけ増加される（第４図のステツ
プ４―４）。小焦点が使用される場合にはステツ
プ４―４は飛ばされる。こうして発生されたアド
レスは回路２３にラツチされ、フイラメント電流
値（If）をメモリ９から読み出すことができる
（第４図のステツプ４―５）。従つて、スイツチ１
０（第１図）は実際にはラツチ回路２３とデコー
ダ回路２９で構成されること明らかである。次の
ステツプ４―６中にフイラメント電流値がドライ
バ回路２８ｄ及びシステムバス２７を経てラツチ
回路８（第３図、INTEL4516）に供給される。
このフイラメント電流値は回路８にラツチされ、
その出力がデジタル―アナログ変換器７に供給さ
れ、その出力がフイラメント電流制御回路３に供
給される。次にＸ線装置は準備ステツプ４―７に
入る。
号により開始され、この信号は割込制御器２２を
介して待ち状態（第４図のフローチヤートのステ
ツプ４―０）にあつたマイクロプロセツサ２０を
駆動する。マイクロプロセツサ２０は選択された
Ｘ線管の番号ｉ及び選択されたフイラメントを読
み取り、対応するアドレスをラツチ回路２３及び
バスドライバ２８ａを介してシステムバス２７に
供給すると共にドライバ２８ｄからデータを取り
込む（第４図のスローチヤートのステツプ４―
１）。第３図から明らかなように、スイツチ２の
位置は入力マルチプレクス回路４０（HEF―
4512B）により検出される。このマルチプレクサ
回路４０はバス４１から検出すべき入力端子のア
ドレスを受信し、この入力端子がスイツチ２′を
経て＋Ｖに接続されている場合に出力ライン４２
に出力HIGHを発生する。スイツチ２′は検出す
べきスイツチ２に機械的に連結されて連動する。
マイクロプロセツサ２０は、管番号ｉに基づいて
メモリ９内に記憶されている待機電流表のアドレ
ス（ADR（ｉ））を選択する（第４図のステツプ
４―２）。次にマイクロプロセツサ２０はどちら
のフイラメントが選択されているか検査する（大
管電流用の大焦点（LF）か、小管電流用の小焦
点？；第４図のステツプ４―３）。大焦点が使用
される場合、管番号ｉに基づいて発生されたアド
レスが一定値ｃだけ増加される（第４図のステツ
プ４―４）。小焦点が使用される場合にはステツ
プ４―４は飛ばされる。こうして発生されたアド
レスは回路２３にラツチされ、フイラメント電流
値（If）をメモリ９から読み出すことができる
（第４図のステツプ４―５）。従つて、スイツチ１
０（第１図）は実際にはラツチ回路２３とデコー
ダ回路２９で構成されること明らかである。次の
ステツプ４―６中にフイラメント電流値がドライ
バ回路２８ｄ及びシステムバス２７を経てラツチ
回路８（第３図、INTEL4516）に供給される。
このフイラメント電流値は回路８にラツチされ、
その出力がデジタル―アナログ変換器７に供給さ
れ、その出力がフイラメント電流制御回路３に供
給される。次にＸ線装置は準備ステツプ４―７に
入る。
待機フイラメント電流値は各Ｘ線管と関連する
個々のメモリセル（第１図の９４，…９６）にプ
ログラムすることができ、記憶ユニツトを追加す
ることにより拡張することもできる。また、待機
フイラメント電流値はＸ線発生装置に接続し得る
凡ゆる種類のＸ線管用に製造したアキユムレータ
メモリにプログラムすることもでき、記憶値のア
ドレツシング及びそれら値の接続Ｘ線管への割当
ては制御装置又はマイクロコンピユータのプログ
ラミングにより支配することができる。
個々のメモリセル（第１図の９４，…９６）にプ
ログラムすることができ、記憶ユニツトを追加す
ることにより拡張することもできる。また、待機
フイラメント電流値はＸ線発生装置に接続し得る
凡ゆる種類のＸ線管用に製造したアキユムレータ
メモリにプログラムすることもでき、記憶値のア
ドレツシング及びそれら値の接続Ｘ線管への割当
ては制御装置又はマイクロコンピユータのプログ
ラミングにより支配することができる。
第１図は本発明によるＸ線発生装置の一例のブ
ロツク図、第２図は第１図に示すＸ線発生装置の
制御装置とメモリ装置の詳細ブロツク図、第３図
は第１図に示すＸ線発生装置の他の部分の詳細ブ
ロツク図、第４図は本発明Ｘ線発生装置の動作説
明用フローチヤートである。 １…高圧発生器、２…高圧スイツチ、３…フイ
ラメント電流制御回路、３１…比較器、３２…制
御増幅器、４，４′，５，５′，６，６′…フイラ
メント、７…Ｄ／Ａ変換器、８…中間メモリ、９
…読取専用メモリ、９１…第１メモリ区分、９
４，９５，９６…第２メモリ区分、１０…スイツ
チング装置、１１…制御装置、１４，１５，１６
…Ｘ線管、１７，１８，１９…焦点選択装置、２
０…マイクロプロセツサ、２１…クロツク発生
器、２２…割込制御器、２３…ラツチ回路、２４
…アドレス／データバス、２５…制御バス、２６
…アドレスバス、２７…システムバス、２８ａ，
２８ｃ，２８ｄ…バスドライバ、２９…デコーダ
回路。
ロツク図、第２図は第１図に示すＸ線発生装置の
制御装置とメモリ装置の詳細ブロツク図、第３図
は第１図に示すＸ線発生装置の他の部分の詳細ブ
ロツク図、第４図は本発明Ｘ線発生装置の動作説
明用フローチヤートである。 １…高圧発生器、２…高圧スイツチ、３…フイ
ラメント電流制御回路、３１…比較器、３２…制
御増幅器、４，４′，５，５′，６，６′…フイラ
メント、７…Ｄ／Ａ変換器、８…中間メモリ、９
…読取専用メモリ、９１…第１メモリ区分、９
４，９５，９６…第２メモリ区分、１０…スイツ
チング装置、１１…制御装置、１４，１５，１６
…Ｘ線管、１７，１８，１９…焦点選択装置、２
０…マイクロプロセツサ、２１…クロツク発生
器、２２…割込制御器、２３…ラツチ回路、２４
…アドレス／データバス、２５…制御バス、２６
…アドレスバス、２７…システムバス、２８ａ，
２８ｃ，２８ｄ…バスドライバ、２９…デコーダ
回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 各々複数個のフイラメントを有する複数個の
Ｘ線管を具えたＸ線発生装置を駆動するに当り、
照射と照射のインターバル中に種々のＸ線管のフ
イラメントに対し待機フイラメント電流を調整す
るステツプを具えるＸ線発生装置の駆動方法にお
いて、前記待機フイラメント電流の調整ステツプ
は、 種々のＸ線管のフイラメントと関連する複数個
のフイラメント電流値を不揮発性メモリ内の関連
するアドレスに記憶し、 前記複数個のＸ線管の選択された１つのＸ線管
の１つのフイラメントと関連する前記メモリ内の
待機フイラメント電流値をアドレスして読み出
し、 前記選択されたＸ線管のフイラメントの電流を
前記読み出された待機フイラメント電流値に従つ
て調整すること により実行することを特徴とするＸ線発生装置の
駆動方法。 ２ 各々複数個のフイラメントを有する複数個の
Ｘ線管の１つを選択する管選択手段と、 前記選択されたＸ線管の焦点を選択する焦点選
択手段と、 前記選択されたＸ線管のフイラメント電流を調
整する調整手段とを具えた複数個のＸ線管用Ｘ線
発生装置において、更に、 種々のＸ線管のフイラメントと関連する種々の
待機フイラメント電流値が記憶された複数個のメ
モリセルを具える不揮発性デイジタルメモリ手段
と、 前記メモリ手段をアドレスするアドレス手段
と、 前記管選択手段及び前記焦点選択手段と前記ア
ドレス手段とを結合する結合手段とを具え、 前記管選択手段及び前記焦点選択手段により選
択された各Ｘ線管のフイラメントに対し関連する
メモリセルがアドレスされ、該メモリセル内の待
機フイラメント電流値が前記調整手段の制御に使
用されるようにしてあることを特徴とするＸ線発
生装置。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19813122185 DE3122185A1 (de) | 1981-06-04 | 1981-06-04 | Verfahren zum betrieb eines roentgengenerators und roentgengenerator zur durchfuehrung dieses verfahrens |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57210600A JPS57210600A (en) | 1982-12-24 |
| JPH0159720B2 true JPH0159720B2 (ja) | 1989-12-19 |
Family
ID=6133892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57092277A Granted JPS57210600A (en) | 1981-06-04 | 1982-06-01 | Method of driving x-ray device and x-ray generator for executing same |
Country Status (4)
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|---|---|
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| JP (1) | JPS57210600A (ja) |
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-
1982
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- 1982-05-28 EP EP82200653A patent/EP0066928B1/de not_active Expired
- 1982-06-01 JP JP57092277A patent/JPS57210600A/ja active Granted
- 1982-06-03 CA CA000404426A patent/CA1193751A/en not_active Expired
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Also Published As
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