JPH0158887B2 - - Google Patents
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- JPH0158887B2 JPH0158887B2 JP57219150A JP21915082A JPH0158887B2 JP H0158887 B2 JPH0158887 B2 JP H0158887B2 JP 57219150 A JP57219150 A JP 57219150A JP 21915082 A JP21915082 A JP 21915082A JP H0158887 B2 JPH0158887 B2 JP H0158887B2
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- voltage
- switching element
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- transistor
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 23
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
- H03G3/20—Automatic control
- H03G3/30—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
- H03G3/3005—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in amplifiers suitable for low-frequencies, e.g. audio amplifiers
- H03G3/301—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in amplifiers suitable for low-frequencies, e.g. audio amplifiers the gain being continuously variable
- H03G3/3015—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in amplifiers suitable for low-frequencies, e.g. audio amplifiers the gain being continuously variable using diodes or transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
- H03G3/20—Automatic control
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
発明の分野
本発明は装置の入出力間に配置した抵抗および
増幅器の直列接続を含み、該増幅器の入力をトラ
ンジスタの主電流通路を介して定電位点に接続
し、該トランジスタの制御電極を積分器に接続す
るとともに、該トランジスタの制御電極を制御ル
ープを介して装置の出力に接続するようにした振
幅制御装置に関するものである。
増幅器の直列接続を含み、該増幅器の入力をトラ
ンジスタの主電流通路を介して定電位点に接続
し、該トランジスタの制御電極を積分器に接続す
るとともに、該トランジスタの制御電極を制御ル
ープを介して装置の出力に接続するようにした振
幅制御装置に関するものである。
従来技術
この種振幅制御装置に関しては、西独国公開特
許（DT−OS）第1512291号に記載されており公
知である。前記既知装置においては、トランジス
タの制御電極を比較器の出力に接続し、前記比較
器の一方の入力を基準電圧源に接続し、他の入力
を抵抗およびメモリ装置を介して第１スイツチン
グ素子に接続している。また、前記比較器の他の
入力と比較器の出力間にはコンデンサを配置し、
該抵抗とともに積分器を形成せしめる。前記第１
スイツチング素子は、コンデンサで側路した第２
スイツチング素子を介して定電位点に接続するほ
か、ダイオードを介して制御装置の出力にも接続
する。
許（DT−OS）第1512291号に記載されており公
知である。前記既知装置においては、トランジス
タの制御電極を比較器の出力に接続し、前記比較
器の一方の入力を基準電圧源に接続し、他の入力
を抵抗およびメモリ装置を介して第１スイツチン
グ素子に接続している。また、前記比較器の他の
入力と比較器の出力間にはコンデンサを配置し、
該抵抗とともに積分器を形成せしめる。前記第１
スイツチング素子は、コンデンサで側路した第２
スイツチング素子を介して定電位点に接続するほ
か、ダイオードを介して制御装置の出力にも接続
する。
第２スイツチング素子に接続したコンデンサは
該ダイオードとともに、通常、ピーク値検出器と
呼ばれる回路を形成する。前記ピーク値検出器
は、第１スイツチング素子が閉じ、第２スイツチ
ング素子が開いている時間周期の間に制御装置の
出力にあらわれる電圧の振幅を測定した後、この
振幅情報をメモリ装置に記憶させ、その後、第１
スイツチング素子を開き、第２スイツチング素子
を閉じさせる。メモリ内に含まれる振幅情報は比
較器に供給するようにし、前記比較器の出力電圧
を集積回路状に形成したトランジスタの制御電極
に供給する。同時に、ピーク値検出器内のコンデ
ンサは第２スイツチング素子を介して放電し、次
の振幅サンプルの受信にそなえる。
該ダイオードとともに、通常、ピーク値検出器と
呼ばれる回路を形成する。前記ピーク値検出器
は、第１スイツチング素子が閉じ、第２スイツチ
ング素子が開いている時間周期の間に制御装置の
出力にあらわれる電圧の振幅を測定した後、この
振幅情報をメモリ装置に記憶させ、その後、第１
スイツチング素子を開き、第２スイツチング素子
を閉じさせる。メモリ内に含まれる振幅情報は比
較器に供給するようにし、前記比較器の出力電圧
を集積回路状に形成したトランジスタの制御電極
に供給する。同時に、ピーク値検出器内のコンデ
ンサは第２スイツチング素子を介して放電し、次
の振幅サンプルの受信にそなえる。
このような従来技術による振幅制御装置の場合
は、出力信号の振幅値の測定にピーク値検出器を
使用しているという不便さがある。コンデンサを
充電するこの測定は、ダイオードを介して行われ
るため、このダイオードの温度特性によりむしろ
不正確であり、さらに、この測定方法は妨害に対
して感受性が高い、例えば、制御装置の出力信号
に高い振幅の妨害ピークが生じた場合は、ピーク
値検出器のコンデンサ両端の電圧は激しく動揺
し、かくして制御装置による過度の振幅低下をき
たす。これは、この形式の制御装置では、出力信
号の優勢な振幅が振幅低下にとつて決定的である
という事実によるものである。さらに、従来技術
による振幅制御装置は例えば、スイツチング素子
を制御するための３つの単安定フリツプフロツプ
ならびにメモリ装置のような種々の付加的構成素
子を必要とする。
は、出力信号の振幅値の測定にピーク値検出器を
使用しているという不便さがある。コンデンサを
充電するこの測定は、ダイオードを介して行われ
るため、このダイオードの温度特性によりむしろ
不正確であり、さらに、この測定方法は妨害に対
して感受性が高い、例えば、制御装置の出力信号
に高い振幅の妨害ピークが生じた場合は、ピーク
値検出器のコンデンサ両端の電圧は激しく動揺
し、かくして制御装置による過度の振幅低下をき
たす。これは、この形式の制御装置では、出力信
号の優勢な振幅が振幅低下にとつて決定的である
という事実によるものである。さらに、従来技術
による振幅制御装置は例えば、スイツチング素子
を制御するための３つの単安定フリツプフロツプ
ならびにメモリ装置のような種々の付加的構成素
子を必要とする。
また、既知の振幅制御装置の他の難点は、サン
プリングしようとする信号となんらの関係なく、
該フリツプフロツプにより使用スイツチを開閉さ
せていることである。この場合には、サンプリン
グ時間を、サンプリングしようとする信号にピー
クが生ずる時間と正しく一致するよう調整するこ
とは難かしく、その結果、生成される制御電圧
は、信号をサンプリングする時間により決まるこ
とになる。
プリングしようとする信号となんらの関係なく、
該フリツプフロツプにより使用スイツチを開閉さ
せていることである。この場合には、サンプリン
グ時間を、サンプリングしようとする信号にピー
クが生ずる時間と正しく一致するよう調整するこ
とは難かしく、その結果、生成される制御電圧
は、信号をサンプリングする時間により決まるこ
とになる。
発明の目的
本発明の目的は上述の欠陥を取除き、かつ、さ
らに簡単な構成とした振幅制御装置を提供しよう
とするものである。
らに簡単な構成とした振幅制御装置を提供しよう
とするものである。
発明の構成
本発明振幅制御装置によるときは、該制御ルー
プは第１スイツチング素子を介して該トランジス
タの制御電極に接続し、かつ第２スイツチング素
子を介して定電位源に接続するようにした電流源
を含み、該装置の出力を比較器の一方の入力に接
続し、該比較器の他の入力を基準電圧源に接続
し、該比較器の出力電圧により、該比較器の一方
の入力上の電圧が他の入力上の電圧より高い場合
は、第１スイツチング素子が閉じて、第２スイツ
チング素子が開き、該比較器の一方の入力上の電
圧が他の入力上の電圧より低い場合は、第１スイ
ツチング素子が開いて第２スイツチング素子が閉
じるような方法で２つの該スイツチング素子を制
御するようにしたことを特徴とする。
プは第１スイツチング素子を介して該トランジス
タの制御電極に接続し、かつ第２スイツチング素
子を介して定電位源に接続するようにした電流源
を含み、該装置の出力を比較器の一方の入力に接
続し、該比較器の他の入力を基準電圧源に接続
し、該比較器の出力電圧により、該比較器の一方
の入力上の電圧が他の入力上の電圧より高い場合
は、第１スイツチング素子が閉じて、第２スイツ
チング素子が開き、該比較器の一方の入力上の電
圧が他の入力上の電圧より低い場合は、第１スイ
ツチング素子が開いて第２スイツチング素子が閉
じるような方法で２つの該スイツチング素子を制
御するようにしたことを特徴とする。
実施例の説明
以下図面により本発明を説明する。
第１図示実施例において、入力１は、抵抗３お
よび増幅器５の直列配置を介して装置の出力２に
接続し、前記増幅器５の入力をトランジスタ４の
コレクタ・エミツタ通路を介して大地電位源に接
続するとともに、前記トランジスタ４のベースと
エミツタ間に抵抗６とコンデンサ７の並列接続を
配置する。また、前記トランジスタ４のベースを
第１スイツチング素子８を介して電流源１０に接
続し、前記電流源１０それ自体を第２スイツチン
グ素子９を介して大地電位点に接続するととも
に、これら２つのスイツチング素子の制御入力を
比較器１１の出力に接続する。また、比較器１１
の一方の入力１５を制御装置の出力２に接続し、
他の入力１６を基準電圧源１２を介して大地電位
点に接続する。
よび増幅器５の直列配置を介して装置の出力２に
接続し、前記増幅器５の入力をトランジスタ４の
コレクタ・エミツタ通路を介して大地電位源に接
続するとともに、前記トランジスタ４のベースと
エミツタ間に抵抗６とコンデンサ７の並列接続を
配置する。また、前記トランジスタ４のベースを
第１スイツチング素子８を介して電流源１０に接
続し、前記電流源１０それ自体を第２スイツチン
グ素子９を介して大地電位点に接続するととも
に、これら２つのスイツチング素子の制御入力を
比較器１１の出力に接続する。また、比較器１１
の一方の入力１５を制御装置の出力２に接続し、
他の入力１６を基準電圧源１２を介して大地電位
点に接続する。
作 用
以下本発明振幅制御装置の作動につき説明す
る。
る。
出力２における信号が、例えば、第３図の時間
間隔（τ0−τ1）の場合のように、電圧源１２より
生成される基準電圧REFより大きくなると、比
較器１１の出力電圧により第１スイツチング素子
８は閉じ、第２スイツチング素子９が開き、これ
に応じて、コンデンサ７は該時間間隔の間定電流
Ｉにより充電される。また、第３図に示す他の時
間間隔（τ2−τ3）、（τ4−τ5）の場合のように、ス
レシヨールド電圧REFを超えるたびごとに、コ
ンデンサ７は定電流源１０を介してさらに充電さ
れ、それに応じて、コンデンサ７の両端の電圧は
増加し、トランジスタ４の導電性は増大される。
したがつて、この電圧の増加に応じて、トランジ
スタ４のコレクタ電流が増大し、抵抗３の両端の
電圧降下も増加するため、出力２の電圧を減少さ
せる。これは、比較器１１の入力１５上の電圧が
比較器１１の入力１６上の電圧にほぼ等しくなる
まで続く。
間隔（τ0−τ1）の場合のように、電圧源１２より
生成される基準電圧REFより大きくなると、比
較器１１の出力電圧により第１スイツチング素子
８は閉じ、第２スイツチング素子９が開き、これ
に応じて、コンデンサ７は該時間間隔の間定電流
Ｉにより充電される。また、第３図に示す他の時
間間隔（τ2−τ3）、（τ4−τ5）の場合のように、ス
レシヨールド電圧REFを超えるたびごとに、コ
ンデンサ７は定電流源１０を介してさらに充電さ
れ、それに応じて、コンデンサ７の両端の電圧は
増加し、トランジスタ４の導電性は増大される。
したがつて、この電圧の増加に応じて、トランジ
スタ４のコレクタ電流が増大し、抵抗３の両端の
電圧降下も増加するため、出力２の電圧を減少さ
せる。これは、比較器１１の入力１５上の電圧が
比較器１１の入力１６上の電圧にほぼ等しくなる
まで続く。
第１スイツチング素子８が閉じたままの状態と
なつている時間周期は、制御装置の出力２の電圧
が基準電圧源１２により生成される電圧より大き
い時間によつてのみ決まり、起りうる任意の電圧
ピークＳ（第３ａ図参照）が装置による振幅低減
に影響を与えることはない。これは、本発明制御
装置が処理しようとする信号内の突発的電圧ピー
クに対して不感であることを意味する。次に、第
３ａ図のｔ＝τ7のように、制御装置の出力２の電
圧が基準電位源１２により生成される電圧より低
い場合は、スイツチ８が開き、スイツチ９は閉じ
て、電流源１０により生成される電流がスイツチ
９を介して大地に流れる。したがつて、コンデン
サ７は、抵抗６の抵抗値とコンデンサ７の容量値
の積により決まる時定数で抵抗６を通じて放電さ
れ、その結果として、コンデンサ７の両端の電圧
は減少し、それに応じて、トランジスタ４はその
導電性を低下させる。かくして、トランジスタ４
のコレクタ電流は減少して、抵抗３の両端の電圧
降下を減少させ、かつ、制御装置の出力２におけ
る電圧を増加させる。
なつている時間周期は、制御装置の出力２の電圧
が基準電圧源１２により生成される電圧より大き
い時間によつてのみ決まり、起りうる任意の電圧
ピークＳ（第３ａ図参照）が装置による振幅低減
に影響を与えることはない。これは、本発明制御
装置が処理しようとする信号内の突発的電圧ピー
クに対して不感であることを意味する。次に、第
３ａ図のｔ＝τ7のように、制御装置の出力２の電
圧が基準電位源１２により生成される電圧より低
い場合は、スイツチ８が開き、スイツチ９は閉じ
て、電流源１０により生成される電流がスイツチ
９を介して大地に流れる。したがつて、コンデン
サ７は、抵抗６の抵抗値とコンデンサ７の容量値
の積により決まる時定数で抵抗６を通じて放電さ
れ、その結果として、コンデンサ７の両端の電圧
は減少し、それに応じて、トランジスタ４はその
導電性を低下させる。かくして、トランジスタ４
のコレクタ電流は減少して、抵抗３の両端の電圧
降下を減少させ、かつ、制御装置の出力２におけ
る電圧を増加させる。
したがつて、電流源１０を使用して、コンデン
サ７を充電するようにしたことは、処理しようと
する信号内に大きい値の雑音ピークが生じた際、
コンデンサ７がその全容量まで急速に充電される
のを防止する働きをしている。実際上は、コンデ
ンサ７の両端の電圧の変化はきわめて少ないた
め、電流源１０は、抵抗により形成することもで
きる。また、電流源１０がコンデンサ７を充電す
る平均時間周期は一定でなければならないので、
第３ｂ図から容易に分るように、電流源１０の制
御において雑音信号が発生した際は、パルス幅変
調が生ずる。このパルス幅変調系は、信号プラス
妨害信号の振幅が基準電圧源１２よりの電圧以下
に減少するまで作動し続ける。その場合には、ス
イツチ８が開くので、電流源１０はコンデンサ７
と減結合状態となり、コンデンサ７は前述のよう
に抵抗６を介して放電される。
サ７を充電するようにしたことは、処理しようと
する信号内に大きい値の雑音ピークが生じた際、
コンデンサ７がその全容量まで急速に充電される
のを防止する働きをしている。実際上は、コンデ
ンサ７の両端の電圧の変化はきわめて少ないた
め、電流源１０は、抵抗により形成することもで
きる。また、電流源１０がコンデンサ７を充電す
る平均時間周期は一定でなければならないので、
第３ｂ図から容易に分るように、電流源１０の制
御において雑音信号が発生した際は、パルス幅変
調が生ずる。このパルス幅変調系は、信号プラス
妨害信号の振幅が基準電圧源１２よりの電圧以下
に減少するまで作動し続ける。その場合には、ス
イツチ８が開くので、電流源１０はコンデンサ７
と減結合状態となり、コンデンサ７は前述のよう
に抵抗６を介して放電される。
さらに、本発明方法によるときは、別個のサン
プリング回路によつてではなく、比較器１１の出
力信号によりスイツチ８および９の開閉を行うこ
とが可能となり、したがつて、信号内のピーク値
が生ずる時間とサンプリング時間との間の同期を
とる必要性がなくなる。
プリング回路によつてではなく、比較器１１の出
力信号によりスイツチ８および９の開閉を行うこ
とが可能となり、したがつて、信号内のピーク値
が生ずる時間とサンプリング時間との間の同期を
とる必要性がなくなる。
また、第２図示実施例では、スイツチング素子
８および９をどのような方法で簡単に実現しうる
かを示すものである。図示のように、第１スイツ
チング素子８はダイオード状に形成し、第２スイ
ツチング素子９はトランジスタ状に形成する。比
較器１１は、比較器１１の入力１５上の電圧が比
較器１１の入力１６上の電圧を超えるとき、トラ
ンジスタ９が非導通状態となるようこれを形成す
る。その場合には、電流源１０はダイオード８を
介してコンデンサ７に接続され、コンデンサ７は
電流源１０により充電される。また、比較器１１
の入力１５の電圧が入力１６の電圧より低い場合
には、トランジスタ９は導電状態となり、電流源
１０とコンデンサ７は減結合状態となる。
８および９をどのような方法で簡単に実現しうる
かを示すものである。図示のように、第１スイツ
チング素子８はダイオード状に形成し、第２スイ
ツチング素子９はトランジスタ状に形成する。比
較器１１は、比較器１１の入力１５上の電圧が比
較器１１の入力１６上の電圧を超えるとき、トラ
ンジスタ９が非導通状態となるようこれを形成す
る。その場合には、電流源１０はダイオード８を
介してコンデンサ７に接続され、コンデンサ７は
電流源１０により充電される。また、比較器１１
の入力１５の電圧が入力１６の電圧より低い場合
には、トランジスタ９は導電状態となり、電流源
１０とコンデンサ７は減結合状態となる。
第２図示実施例においては、スイツチング素子
としてダイオードおよびバイポーラトランジスタ
を配置するようにしているが、前記スイツチング
素子として電界効果トランジスタを使用してもよ
いこと当然である。同様に、トランジスタ４も電
界効果トランジスタ状に形成しても差支えない。
としてダイオードおよびバイポーラトランジスタ
を配置するようにしているが、前記スイツチング
素子として電界効果トランジスタを使用してもよ
いこと当然である。同様に、トランジスタ４も電
界効果トランジスタ状に形成しても差支えない。
発明の要約
装置の入力１と出力２との間に配置した抵抗３
と増幅器５の直列接続を含み、該増幅器５の入力
をトランジスタ４の定電流通路を介して定電位点
に接続し、該トランジスタ４の制御電極１３を積
分器６，７に接続するとともに、該トランジスタ
４の制御電極１３を制御ループを介して装置の出
力２に接続するようにした振幅制御装置におい
て、該制御ループは、第１スイツチング素子８を
介して該トランジスタ４の制御電極１３に接続
し、かつ、第２スイツチング素子９を介して定電
位点に接続するようにした電流源１０を含み、該
振幅制御装置の出力２を比較器１１の一方の入力
１５に接続し、該比較器１１の他の入力１６を基
準電圧源１２に接続し、該比較器１１の出力電圧
により、比較器１１の一方の入力１５の電圧が他
の入力１６の電圧より高い場合は、第１スイツチ
ング素子８が閉じて、第２スイツチング素子９が
開き、比較器１１の一方の入力１５の電圧が他の
入力１６の電圧より低い場合は、第１スイツチン
グ素子８が開いて、第２スイツチング素子９が閉
じるような方法で２つの該スイツチング素子８，
９を制御するようにした振幅制御装置。
と増幅器５の直列接続を含み、該増幅器５の入力
をトランジスタ４の定電流通路を介して定電位点
に接続し、該トランジスタ４の制御電極１３を積
分器６，７に接続するとともに、該トランジスタ
４の制御電極１３を制御ループを介して装置の出
力２に接続するようにした振幅制御装置におい
て、該制御ループは、第１スイツチング素子８を
介して該トランジスタ４の制御電極１３に接続
し、かつ、第２スイツチング素子９を介して定電
位点に接続するようにした電流源１０を含み、該
振幅制御装置の出力２を比較器１１の一方の入力
１５に接続し、該比較器１１の他の入力１６を基
準電圧源１２に接続し、該比較器１１の出力電圧
により、比較器１１の一方の入力１５の電圧が他
の入力１６の電圧より高い場合は、第１スイツチ
ング素子８が閉じて、第２スイツチング素子９が
開き、比較器１１の一方の入力１５の電圧が他の
入力１６の電圧より低い場合は、第１スイツチン
グ素子８が開いて、第２スイツチング素子９が閉
じるような方法で２つの該スイツチング素子８，
９を制御するようにした振幅制御装置。
第１図は本発明振幅制御装置の一実施例を示す
図、第２図は第１図に示す２つのスイツチング素
子を実現する方法を示す図、第３図は本発明振幅
制御装置の作動説明用電圧波形図である。 １……入力、２……出力、３，６……抵抗、４
……トランジスタ、５……増幅器、７……コンデ
ンサ、８……第１スイツチング素子またはダイオ
ード、９……第２スイツチング素子またはトラン
ジスタ、１０……電流源、１１……比較器、１２
……基準電位源、１３，１４……制御電極、１
５，１６……比較器入力。
図、第２図は第１図に示す２つのスイツチング素
子を実現する方法を示す図、第３図は本発明振幅
制御装置の作動説明用電圧波形図である。 １……入力、２……出力、３，６……抵抗、４
……トランジスタ、５……増幅器、７……コンデ
ンサ、８……第１スイツチング素子またはダイオ
ード、９……第２スイツチング素子またはトラン
ジスタ、１０……電流源、１１……比較器、１２
……基準電位源、１３，１４……制御電極、１
５，１６……比較器入力。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 装置の入力１と出力２との間に配置した抵抗
３と増幅器５の直列接続を含み、該増幅器５の入
力をトランジスタ４の定電流通路を介して定電位
点に接続し、該トランジスタ４の制御電極１３を
積分器６，７に接続するとともに、該トランジス
タ４の制御電極１３を制御ループを介して装置の
出力２に接続するようにした振幅制御装置におい
て、該制御ループは、第１スイツチング素子８を
介して該トランジスタ４の制御電極１３に接続
し、かつ第２スイツチング素子９を介して定電位
点に接続するようにした電流源１０を含み、該振
幅制御装置の出力２を比較器１１の一方の入力１
５に接続し、該比較器１１の他の入力１６を基準
電圧源１２に接続し、該比較器１１の出力電圧に
より比較器１１の一方の入力１５の電圧が他の入
力１６の電圧より高い場合は、第１スイツチング
素子８が閉じて、第２スイツチング素子９が開
き、比較器１１の一方の入力１５の電圧が他の入
力１６の電圧より低い場合は、第１スイツチング
素子８が開いて、第２スイツチング素子９が閉じ
るような方法で２つの該スイツチング素子８，９
を制御するようにしたことを特徴とする振幅制御
装置。 ２ 該第１スイツチング素子８を半導体ダイオー
ド状に形成するとともに、該第２スイツチング素
子９をトランジスタ状に形成し、該トランジスタ
９の制御電極１４を該比較器１１の出力に接続
し、該トランジスタ９のコレクタ・エミツタ通路
を電流源１０と定電位点との間に接続するように
したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8105688 | 1981-12-17 | ||
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Family
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Family Applications (1)
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