JPH0157823U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0157823U JPH0157823U JP15273387U JP15273387U JPH0157823U JP H0157823 U JPH0157823 U JP H0157823U JP 15273387 U JP15273387 U JP 15273387U JP 15273387 U JP15273387 U JP 15273387U JP H0157823 U JPH0157823 U JP H0157823U
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- JP
- Japan
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- fet
- logic circuit
- channel
- type fet
- channel type
- Prior art date
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- Pending
Links
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Logic Circuits (AREA)
Description
第1図は本考案による一実施例としてのGaA
s論理回路、第2図は本考案のGaAs論理回路
と従来回路の入出力伝達特性を示す図、第3図a
〜cは従来のGaAs論理回路例図でaはDCF
Lの回路例、b,cは相補型論理回路図である。 11はシヨツトキ接合形のNチヤネル形FET
、12はPN接合形のPチヤネル形FET、13
,14は寄生ダイオード。
s論理回路、第2図は本考案のGaAs論理回路
と従来回路の入出力伝達特性を示す図、第3図a
〜cは従来のGaAs論理回路例図でaはDCF
Lの回路例、b,cは相補型論理回路図である。 11はシヨツトキ接合形のNチヤネル形FET
、12はPN接合形のPチヤネル形FET、13
,14は寄生ダイオード。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 1 相補的に接続されたPチヤネル形FETとN
チヤネル形FETを含む論理回路において、上記
Pチヤネル形FETはPN接合形FETであり、
上記Nチヤネル形FETはシヨツトキ形FETで
ある事を特徴とするGaAs論理回路。 2 上記FETはいずれもノーマリオフ形FET
である事を特徴とする実用新案登録請求の範囲第
1項記載のGaAs論理回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15273387U JPH0157823U (ja) | 1987-10-07 | 1987-10-07 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15273387U JPH0157823U (ja) | 1987-10-07 | 1987-10-07 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0157823U true JPH0157823U (ja) | 1989-04-11 |
Family
ID=31427922
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15273387U Pending JPH0157823U (ja) | 1987-10-07 | 1987-10-07 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0157823U (ja) |
-
1987
- 1987-10-07 JP JP15273387U patent/JPH0157823U/ja active Pending