JPH01500891A - 圧電効果により励振可能な膜を有するインキ記録ヘツド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 圧電効果によシ励振可能な膜を 有するインキ記録ヘッド 木兄ＥＡば、請求の範囲第１項および第１６項の前提部によるインキ記録ヘッド およびインキ記録ヘッドの製造法に関する。

インキ記録器中の圧電動作形部動素子は、一般に公知でるる。そこで、西ドイツ 国ｔ＃肝出顔公開第２１６４６１４号明細１１にト、層色液を用いて紙上にｈ己 録するための記ｇ＆慎構を備えたｄ己録装置かに己載さｎており、この表置の場 合、インキ室中に４在する液体は、圧電動作形部動素子により記録ノズルから噴 出さｎる。座中の容ｆＫ化は、金Ｉ！４板上に座層しかつこのＭ’Ｆへ湾口する 、電気制御形圧電セラミックスにより惹起される。使用される圧区駆動累子は、 金！４板上に配置さｎている連続的に分画された圧電セラミック層からなり、そ の際この金属板に対向電極として使用される。適当な電圧インパルスを印加する 場合、この圧電セラミックスは収縮する。このセラミックスは金属板上に固定さ れているので、この板には臼げモーメントが作用する。したがって、板の中心部 分が液体室中へ湾曲共出することとなる。

直接に圧！効果により発生させることのできる長さ変化は極めて小さい。その上 、長さ変化は、セラミックスに絶縁破壊または火花放電を生じることなしに印ｍ しうる電界強度により制限されている。さらに、印ｍさ３７’（電界強度０：転 極を生じてはならず、その上、電界強度は相応する制御回路により切換え可能で なければならない。

したがって、約２０ＤＶ（Ｄ電圧を越えないのが普通でおる。この場合に、電界 強度は分極と反対方向に１Ｖ／μｍよりも小さい。さらに、窒息中の゛成極間の 距離は１μｍ　／　Ｖよりも小さい。したがって、こうして得ることのできる直 接の長さ変化は、このセラミックスが完全に一貫して活性で必シかったとえば屍 付被膜によって部分的にも不活性でほないと仮足して、２００μｍＯ層厚の場合 に約１％または約０．２μｍである。ところで、インキ印刷の場合、駆動素子は 、圧電小管で６ｎ圧電小板でめれ、多くの債能に必要でるる。こ几らの駆動素子 は制御下に小量のインキを加速し、液画として噴出し、かつインキを蒲めから補 給しなければならない。また、これらの駆１１ｂ菓子は、できれば噴出口を閉鎖 して、インキの流出および乾燥を阻止しなシブればならない。最後に、この種の 菓子を用いてインキ通路および出口孔を清浄にしかつ排気することもできなけれ ばならない。

音響的滴形成を行なう公知の駆動菓子の場合には、これらの機能の一部しか達成 さｒＬない。実際に、インキ通路中の音波は高速流動する滴を形成することはで きるが、しかし通路中の＃ｊｔ害物を取除くための静圧は発生させることができ ない。インキ通路中の９気封入は、通路中の圧力及の伝Ｗｉｔ−制限し、また全 ＩＣなった通路は外部からの作用により再び満たすことができるにすぎない。出 口孔の閉鎖も、背響的調形成の場合（（は同様に外部から愼械的に行なうことが できるにすき゛ない。

したがって本発明の課題は、前記ａ！頑のインキヘッドを、−面ＩＣ２いて電鋳 法で藺単に製造することができ、他面において高い効率を有するようＶｃ禰成す ることでるる。

上記の課題は、前記種類の装置に２いて、請求の範囲第１項の１＃徴部によシ解 決さｎる。

本発明の有利な溝底は、請求の範囲第２項ないし第１９項に日己載されている。

膜が圧電効果によシ励振可能な周辺範囲と、圧電効横方向収［ｉＣよって短縮さ れかつその中心範囲で延長されるように？ｆｆ１Ｊ（ｌＩｉｌされることにより 、特に大きな行程が得られる・この行程は、２つの作用、すなわちセラミックそ れ自体の横方向収縮と、異なる伸びを有する隣接層のＶ会体の湾曲とを利用する ことの結果である。

この横方向収縮によって、膜の行程は層厚の減少および長さ寸法の増大により高 められる。

特に有利な力作用は、上記の膜範囲を互いに同心に配置して、こ几らの範囲が励 振の際にいぼ状に湾曲する場合に得られる。このいｔ！状湾曲は、平らな層から 出発して全所を拡げかつ閉じる、最も小さくてコンパクトな幾何学的形状でろる 。この形状に曲面法Ｍｔ中心に回転対称であ夕、かつ平面から円環状に立ち上が ｐ　（ｔｏｒｕａｆｏｅｒｍｉｇｅｎ　Ｈｏｈｌｋｅｈｌｅ　）　、この立ち上 ＃）部ぼレンズ状球面部に移行する。移行域で、所要の湾曲状態は変化する。相 応して、電極は、周辺範囲（円形リング〕が短縮し、それに対して中心範ｆＨ３ が延長するように配置されているか、もしくは相応する膜範囲は、周辺範囲（円 形リング）が短縮し、それに対して中心本発明のも５１つの有利な構成の場合に ａ１互いに個個に独立した数個の活性化可能な膜が、共通の泰板面上に配置され てお夕、その際１１！！々のＭ範囲のための制御線は、これらの制御線によって 制御する場合に望ましくない圧電効果が出現しないように、基板面の非分櫃範８ を通る。

行程をなおさらに増大するために、叉符層の代Ｖりに、それぞれ圧電効果によ夕 励振可能な第１層に対して反対方向に分極さルている、もう１つの圧電効果によ り励損可能な層が配置されていてもよい。これによシ、行程のほぼ倍加が得られ る。

特に簡単で確実に作東するインキ記録ヘッドは、そｎぞれのインキ通路に、記録 液用のポンプ通路によって互いに接続された３１１Ｉ！ＩＱ属が所属さＩＬでい て、これらの膜が制御可能な２個のダート升を胃する静的ボ／ゾと、可変の全所 とを形成することにより形成することができる。第１夏範囲は、−万では供給路 によってインキ供給系と接続しておシ、他方でば可変の空所と接続してお夕、か つ入口升として使用される。第２！Ｍ範囲は可変の全所にｆｆｒ属されており、 第３膜範囲ば空所とインキ通路との間に、出口弁として配置されている。本発明 の有利な１傳成では、狭で４合するポンプ通路は、升として構成された膜の範囲 内に分離ウエデ践分離つエデの範囲内で膜面によって遮断されているようにする 。

この場合に、分離ウェブは連続ウェブとして＊ｇされているか、または出口孔な いしは入口孔の介在するカラー状隆起部として構成さｎて＾てもよい。

本発明によるインキ記録ヘッドの場合には低い粘度を有するインキ全使用するこ とができるので、インキは極めて良好ＣＣａ過することができ、これによりイン キ通路中へ汚物の侵入することが回避される。付加的に、？）ｆ伊化目的のため に出入口断面積を電気的に拡張し、圧送方向をｉ松することが可能でめる。さら ＩＣ１Ｃ１分離ウェブ接に超音波を用いてｆｆ＃ｉｃすることができ、かつ分離 ウェブに付層する不純ｗｔ粉砕することができる。

変換菓子は、この変換素子が制御さｔ″Ｌない間ぼインキ通路を閉鎖した状態に 保つので、記録ヘッドと紙との間のノズルの慎械釣な閉鎖部材ａ必要でなく、刀 １つこのよ５な閉鎖部冴の駆動装置は不要とすることができる。したがって、紙 距離を顕著に減少させることが可能でめシ、とＺ’ＬＫより活字面に制の飛散速 度２工び飛散方間のばらつきによりめまシ瑣ｖｎない。圧力をノズルに１＃ＦＦ Ｊに加えることができるので、素数速度を高めることができる。ノズル間のＪＴ ＝　Ｌ７１；始喝チはなくなる。それというのも、吠出する１合に流動結合は生 じないからである。

噴ｃＩｌｌ頻度は、通路中での反射および隣接ノ＃〆によシ劉限されているので はなく、たんに個々の変換菓子の固有値によシ制限されているにすき゛ない。変 換素子の各個の調整は不要とすることができる。それというのも、インキへの変 換器の連結は、はるかに直接的かつ均一に行なわれるからである。

本発明によるインキ供給系は静的負圧とはＳ関係でろるので、このインキ供給系 は者しく安定となり、これによシインキ記録ヘッドのｍ運敏感性も消滅する。

靜幻ポンプ作用により、気泡をインキ通路から除去することができる。窒の通ｇ は、電気的に制御して満たすことができる。

インキ？ｆＪ　Ｃ１ｖｌ　、困緬ｌしにプリンター中に足置ｔζ収納することが できる。連動さｎる供給ホースからの圧力波は、滴形成にぼ作用しない。

インキ溜めの爺視は、もｒｉ−？溜め容器中の静圧の択い範囲に行なう必要はな い。

全記録ヘッドは、特に簡単な方法ではブレーカ技術で製造することができる。賞 賛な部分、すなわち圧電セラミックスは、本来の組二て前に試験することができ る。

本発明の笑厖例は図ｒＭＪに示されており、？Ｋにこれを例示釣に詳説する。

第１図は内圧下での膜板の変形と、付与された湾曲禾励熾状態の本発明による膜 を示し、第４図は互いに結合された３制の膜からなる静的ポンプｋ”Ｆ面図で示 し、第５図はＭ４図による静的ポンプを所面図で示し、第６図、第７図、第８図 、第９図２よびＭ２Ｏ図は木兄８Ａ１Ｃよるインキ記録ヘッドの層構造の略図を 示し、８１１図はカラー状分離つエグ合有する変換菓子の暗示断面図を示し、第 １２図は本発明Ｃ（よるインキ記録ヘッドの略図を示し、第１３図はラインプリ ント装置中の傾斜位置のインキ記録ヘッドの略図を示す。

第２図およびＭ３図に図示されているような圧電セラミックスからなるプレーナ 形変換器は、圧電効果によシ励振可能な、一方向に連既的に分極された圧電セラ ミックスからなる層１と、この励振可能な層と強固ｉＣ結合された、たとえばニ ッケルからなる叉愕層２とからなる。こうして形成さ几たｔ気的に？ｆｆ１Ｊ御 可能なこの膜は、相応する電極３１４によ夕制岬さｎｌその際叉愕層２に運硯す るアース１！極として使用され、置方の制御電極は、周辺？ｆｆ１Ｊ御電極６と 中心？ＩｔｌＪ卿電極４とか範囲を決定する。そこで、こうして傳成さｎｆｃ膜 をするように制御する場会、この膜は、円形リング電極３によってこのリング電 ＃＆５の範囲内で圧電セラミック層１を収縮させかつ電極４の範囲内で圧電セラ ミック層１の押びを生じる際に第２図に図示さｎた方向＆Ｃ湾曲する。

このことを、次に第１図につき詳説する。

平らな層から出発して、僅かな曲率しか必要とせず、かつ９所を拡げかつ閉じる 、最も小さくてコンパクトな幾何学的形状は、いぼ形またはドーム状の湾曲であ る。この種の形状は、曲面法線を中心に回転対称でらり、かつ平面から円環状に 立ち上がり、この立ち上シ部はレンズ状球面部に移行する。

ところで、この種の理想円形状は、平らな弾性Ｍｔ均一の同圧にさらすことによ シつくることができる。

これによシ、第１ａ図の左１１１１１１Ｃ図示さｎた形状が、第１ｂ図に示され た勾配Ｅｌｆｌ　ｄ　２よび第１Ｃ図による血率Ｓ城と共に優られ、そのｖＡ慎 座憚く膜面の半径に所属している。

ところで、本発明によれば、この理想的ないぼ形を得るために、制御電極３およ び４は、圧電効果により励振可能な層１２よびアース電極として文月さｎる支が 生じるように傳或されている。

この目的のために、円形外１１１１１電極３は膜の外側湾曲範囲内に配置さｎて お夕、かつ原電極にζこの湾口範囲内の圧電層が収縮するような電界が印加され る。また、この外側電極に対して同心に配置さｎｆｃ内側電極４には、圧電セラ ミック層１の平心範囲が伸びるよりな電界が印加される。これにより、２つの効 果、すなわちセラミックス自体の横方向収縮と、異なる伸びを有する隣接層の複 合体の湾曲とを同時に利用することができる。平らな層がこのよ５に湾曲される までの曲率半径は、如何なる薄さに層を製造することができるかによシ、約ｏ、 ｉ　ｍ〜０．４ｍである。ところで、電ｉ面積の相互比は、第１ａ図の所望の近 似形状が得られるように寸法決めされている。これにより、第１ｂ図νてよる勾 配と、所属する第１Ｃ図の曲率とが生じる（第１図の右側）。

第２図〜第５図に図示さｎたように、圧゛成セラミックスからなるこの種のプレ ーナ形変洪６を用いて、２個の制御可能なデー）：９ＰＳＥおよびＳＡと可変の 中全呈Ｈとからなる静的ポンプを４成することができる。

この目的のために、セラミック基板ＫＳＫ、Ｈ，ＳＡのための３１固の膜範囲が 傳成さｎている。基板１と、その所属する叉舟層２とｔ担狩する担愕層Ｔ中には 、ポンプ通路Ｐが構成されている。このポンプ通路Ｐは、流体溜めＶ（第４図） と接続している。このポンプ通路中≦では、入口弁（ＳＫ）の範囲内に横方向リ ゾｑが形成されてひり、この横方向リゾには未励振状態で、圧電セラミックス１ と支持層２とからなる膜が当接し、ひいてはこの通＠を閉鎖する。第２図に相応 する励振状態で、この膜はいぼ状に愕ち上がＣ，したがって通路Ｐを開く。

横万回すゾｑ金有する入口弁ＳＥｊの場合と同じ拷造は、横方向リゾＱｅ有する 出口弁ＳＡの場合にも生じる。入口弁ＳＫと出口弁ＳＡとの間には、本来のポン プＨとして使用され、入口弁ＳＥｐよび出口弁ＳＡの膜に一致するよう４Ｃ構成 されている膜範囲がグ圧する。

ところで、こうして構成された第４図２よび第５図におけるようなポンプは、有 利ｉＣはたとえば三相交流により制御し、しかもポンプ動作の第１相でさしろた シ入口５ＰＳＥが開き、膜Ｈのたわみによって流体が溜めＶから吸込まれ、次い で入口：７ＰｓＥが閉じ、出口弁ＳＡが開いｆｃ後４（（第３相）、本来のボン ゾ膜Ｈの操作に工って流体が出口範囲Ａから屓出さするように制御することがで きる。

使用目面ＱＣ応じて、ポンプ通路は別の方法で構成することもできる。すなわち 、横方向リプＱを、ポンプ通路中に矢出する円形流入−２よび流出関口部Ａのカ ラー状ｖｃ′ｌＰｔ成さルた周壁に代えることも可能でるる。

この場合に膜面は、未励振状態で横方向リグの場合と同様に、このガラ−上に当 接し、こうして入口または出口を閉鎖する。

ところで、この種の靜釣ポンプに関しては、種々の装置が可能でろる。そこで、 第１３図により、唯一つの基板１上にたとえば９１ｒＩＡの記録ノズル８１〜Ｓ ９が配置さｎているインキ記録ヘッドを構成することができる。こｎらの記録ノ ズルのそれでｆＬは、入口弁Ｓ　Ｋ。

可変の望所Ｈおよび出口弁ＳＡからなる。この場合、記録ノズル８１〜Ｓ９は、 溜め範囲Ｖと接続している。

多数のノズルを有する記録ヘッドを形成することができるようにするためにａ１ 記録ノズルを有する数個の基板を積重ねて包装することも可能でるる。

この種のインキ記録ヘッドでは、記録ノズルＳ１〜Ｓ９は機能的には、インキ供 給部Ｖと完全に分離されている。したがって、記録ヘッドと、この記録ヘッドの 前号に配置された紙との間のノズルの嶺械的閉鎖部材およびこの閉鎖部材の駆動 装置は不要とすることができる。そｎというのもインキ通路Ｖよ出口弁ＳＡによ うのも、本来の噴出動作の際に流動結合は生じないかの記録ノズル８１〜Ｓ９の 固有１厘によ夕制限さｎるにすぎない。静的ポンプ作用により、気ｒｔ！’ｖイ ンキ通路Ｐから除去し、かつ空の通路を再び満たすことができる。

第６図〜第１０図に図示したように、木兄ＢＡｖｃよるインキ記録ヘッドは、％ ＩＣｗＪ単にプレーナ技術で製造することができる。この目的のためにａ１第６ 図により約２００μｍの厚さの圧電セラミックスからなる基板１を、さしあたシ 分極しかつ試験する。次に、この圧電セラミックスミｆｔ、両面で真空蒸着また はスパッタリングによ夕金属化する（たとえばＴｉ　５　Ｑ　ｎｍおよびＣｕ　 ５００　ｎｍ　）。支持層２　ｋ　ｓ全面に電気メッキにより析出させる。同時 に、セラミックス１の相対する側に、フォトレゾストマーキングを用いて、周辺 ２よび中心制御電極３および４ｆｔ’、ｌ−ドＭＬと一緒に形成することができ る（たとえばＮｉ　１００μｍ）ＯあとでウェブＱからいぼ状体を分離でさるよ うにするためには、この範囲内にその他の講造に対して選択的にエツチングする ことのでさる薄い中間層２（たとえばＪまたはＣｕ　Ｑ、　２　ｍ　）が必要で ろる。この中間層は蒸着またはスパッタリングさル、かつフォトリングラフイー エツチング反術によシ樽成さｎる。

通路Ｐを構成するのは、７オトレゾスト構造体の間に金属層ｗｌ電気メッキによ り析出させることにより行なうことができる（たとえばＮ１５０μｍ〕。久いで 、非導電性７オトレシスト上に金１４４体層を設σた仮に、と−緒に１工程で製 造することもできる。このためには、支持層２上に、ろとで通路および空所を形 成するフォトレジストまたは金属（たとえばＣｕ　）からなる構造体Ｋｔりくる 。フォトレゾストを使用する場合は、引き絖きその表面をもう１つの薄い金属層 で導電性にしなければならない。金属を使用する場合には、構造体におよび残シ の裸出する基板面２の上に、直接に通路壁・担時層金Ｓｔ電気メッキによう析出 させることができる（たとえばＮｉ　１００μｍ）、（第１１図）Ｏ次いで、フ ォトレゾストまたは金属からなる構造体には、全構造に対して選択的に溶出され 、引き続き横方向ウェブＱは、中間層を溶出することにより“ハぼ状体と分離さ れる。

しかし、さしあたり薄い補助層（ＡＬｆｆ　）上に通路構造体（Ｗ）の壁を′＃ ４成し、こうして形成さｎた通路Ｐ中にエツチング可能な尤槙剤を注入すること も可能でろる。次いで担得層Ｔを収けた後番て、エツチング可能な尤填剤を除云 しかつ補助層ＣＺ）も同様に除云して、横方向リゾＱが、基板１が大きく湾ヨす る場合に支愕層２から離九ることができるようにする。

補助層ないしは通路ｔ−構取する冴科ｔエツチング妖術によシ除去すること金谷 易にするために、開口を設け、これｋｈとで再び閉じることもできる。

製置変化の際の複合体の変動を阻止するためには、電極の外部でセラミック層１ の裏面番でも５１つの支愕層ｓｓ′を収けることができる。また、電＠３および ４の導線Ｌ（第１０図）を、支愕層と同時に同じ材料から、同じ厚さに形成する ことも可能でるる。

記載された横方向リプｑの代わりに、第１２図Ｖζより、横方向リゾを円形にｍ 成することも可能であシ、したがってこの場合に出ロノズル人の軸戚は、基板面 １に対して据置の方向金材する。すなわち、インキ記録ヘッドを、出口ノズルＡ が端面側で基板に配置さｎているか、またはこれらの出口ノズルが基板表面に配 置されているように構成することが可能でるる。どちらが有利な配置でるるかは 、使用目的に依存する。さらに第１４図に図示されているように、ラスター（Ｒ Ｚ）間の分割密度を高めるために、インキ記録ヘッドはラスタ祿に対して一定角 度にＦＪＩ斜していてもよい。

ＩＧ　１ ＦＩＧ　１０ ＦＩＧＩＩ　ＦＩＧ　１２ ＩＧ　１３ ＦＩＧ　１４ 補正書の翻訳文提出書（特許法第１８４条の８）昭和６３年　１１月３０　日 特許庁長官　吉　１）文　鍛　殿 １、国際出願番号 ＰＣＴ／ＤＥ　８７１００２２９ ２、発明の名称 圧電効果によシ励振可能な膜を有するインキ記録ヘッド ３、特許出願人 名称　シーメンス　アクテエンゲゼルシャフト４、代理人 住所　〒１００東京都千代田区丸の内３丁目３番１号新東京ビルヂング５５３号 電話（２１６）５０３１〜５番昭和６３年２、特許 請求の範囲 される圧電変換素子（３，４）とを有し、その際跋変換累子（３，４）は、圧電 効果によジ励振可能な第１層（１）と、この励振可能な層と強固に結合された支 によって賓出さｎるインキ記録ヘッドにおいて、圧゛酸効果により励振可能な層 （１）が周辺範囲（３）と中が償方間収絹ｌζよって短縮しかつ中心範囲（４） が伸びによって延長するよ５４Ｃ？ｆｆ１Ｊ飾さ几ることｔｔ＃徴とする、イン キ記録ヘッド。

２、圧電効果により励振可能な、一方向に連続的に分極された層（１）が、その −万の１１１には連続アース電極（２）″を有し、そのもう−万〇側ｅ（に周辺 範囲に所属する第１制御１Ｑ＋電極（３）ｐよび中心範囲に所属すの範囲第１項 記載のインキ記録ヘッド。

６、圧電効果により励振可能な層が、その−万の側には運萩アース電極（２）を 有し、そのもう−万Ｏ側国際調査報告 ＡＮＮＥＸ　Ｔｏ　ＴＨＥ　ＩＮＴＥＲＮＡＴｒＯＮＡＬ　５ＥＡＲＣＨＲＥＰ ＯＲτ０ＮＤＥ−Ａ−３３２０４４３０６／１２／８４　ＮｏｎｅＤＥ−Ｂ−１ １６５６６７Ｎｏｎｅ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．インキ噴出通路（Ｐ）と、該インキ噴出通路（Ｐ）に所属し、供給導管（Ｖ ）によつて記録液が供給される圧電変換素子（３，４）とを有し、その際該変換 素子（３，４）は、圧電効果により励振可能な第１層（１）と、この励振可能な 層と強固に結合された支持層（２）とを有する電気的に制御可能な膜を有する、 インキ記録ヘッドにおいて、 圧電効果により励振可能な層（１）が周辺範囲（３）と中心範囲（４）とを有し 、これらの範囲は、記録動作に必要な膜の変位を形成させるために、周辺範囲（ ３）が特に横方向収縮によつて短縮しかつ中心範囲（４）が伸びによつて延長す るように制御されることを特徴とする、インキ記録ヘッド。 ２．圧電効果により励振可能な、一方向に連続的に分極された層（１）が、その 一方の側には連続アース電極（２）を有し、そのもう一方の側には周辺範囲に所 属する第１制御電極（３）および中心範囲に所属する第２制御電極（４）を有し 、その際周辺範囲と中心範囲とには、制御のために、異なる電界が印加される請 求の範囲第１項記載のインキ記録ヘッド。 ３．圧電効果により励振可能な層が、その一方の側には連続アース電極（２）を 有し、そのもう一方の側には共通の制御電極を有し、その際周辺範囲と中心範囲 とは具なるように分極されている、請求の範囲第１項記載のインキ記録ヘッド。 ４．膜の膜範囲（３，４）が互いに同心に配置されており、かつ制御する場合に いぼ状に湾曲する、請求の範囲第１項から第３項までのいずれか１項記載のイン キ記録ヘッド。 ５．個々に互いに独立に活性化することのできる数個の膜範囲（３，４）が、共 通の基板面（１）上に配置されている、請求の範囲第１項から第４項までのいず れか１項記載のインキ記録ヘッド。 ６．個々の候範囲のための制御線（Ｌ）が、膜面の非分極範囲を通る、請求の範 囲第５項記載のインキ記録ヘッド。 ７．支持層（２）の代わりにもう１つの圧電効果により励振可能な層が配置され ており、この層は、それぞれ圧電効果により励振可能な第１層に対して反対方向 に分極されている、請求の範囲第１項から第６項までのいずれか１項記載のイン キ記録ヘッド。 ８．膜は、非活性化状態でインキ通路を機械的に遮断する、請求の範囲第１項か ら第７項までのいずれか１項記載のインキ記録ヘッド。 ９．それぞれのインキ通路には、記録液用のポンプ通路（Ｐ）を介して互いに結 合された３個の膜範囲が所属しており、これらの膜範囲は制御可能な２個のゲー ト弁（ＳＥ，ＳＡ）と可変の空所（Ｈ）とを有する静的ポンプを形成し、その際 第１膜範囲（ＳＥ）は一方では供給通路によつてインキ供給系（Ｖ）と接続して おり、他方では可変の空所（Ｈ）と接続しておりかつ入口弁として供給通路と空 所との間に配置されており、第２膜範囲（ＰＨ）はその可変の空所を用いてポン プ行程を惹起し、第３膜範囲（ＳＡ）は空所（ＰＨ）と、インキ通路の出口範囲 （Ａ）との間に出口弁として配置されている、請求の範囲第１項から第８項まで のいずれか１項記載のインキ記録ヘッド。 １０．膜範囲を連結するポンプ通路（Ｐ）が、弁として構成された膜面の範囲内 に分離ウエブ（Ｑ）を有し、この分離ウエブは膜面と協働して、ポンプ通路が膜 面変位 の湾曲後に該分離ウエブによつて開きかつ膜面の変位ていない状態ではポンプ通 路が該分離ウエブ（Ｑ）の範囲内で膜面により遮断されているようにする、請求 の範囲第９項記載のインキ記録ヘッド。 １１．数個の膜面が、直なり合つてインキ記録ヘッド内に配置されている、請求 の範囲第１項から第１０項までのいずれか１項記載のインキ記録ヘッド。 １２．ラスタ線（ＲＺ）間のピッチを小さくするために、インキ記録ヘッド（Ｔ Ｓ）はラスタ線に対して傾斜されている、請求の範囲第１項から第１１項までの いずれか１項記載のインキ記録ヘッド。 １３．請求の範囲第１項から第１２項までのいずれか１項記載のインキ記録ヘッ ドを製造する方法において、圧電セラミックスからなる薄い層を基板（１）とし て使用し、この層上にインキヘッドの必要な構造を電鋳により構成することを特 徴とする、インキ記録ヘッドの製造法。 １４．圧電セラミック層（１）を、電鋳による構成の前に分極する、請求の範囲 第１３項記載の方法。 １５．圧電セラミックス（１）を両面で蒸着またはスパッタリングにより金属化 し、その後に、その一方の面にフオトリソグラフイにより制御電極（３，４）な らびにこれらに所属するリード線（Ｚ）を構成し、同時に該圧電セラミックスの もう一方の面に電気メッキにより支持層（２）を折出させ、次いでこの支持層（ ２）上に１個または数個の薄い補助層を構成し、該補助層はあとで溶出すること により膜を通路構造体（Ｐ）中の横方向リプ（Ｑ）から分離することができる、 請求の範囲第１３項または第１４項記載の方法。 １６．通路構造体（Ｐ）の壁（Ｗ）を電気メッキにより支持層（２）および薄い 補助層Ｚ上に、フオトレジスト構造体の間に折出させ、フオトレジスト構造体お よび通路壁層上に薄い金属層を設け、該金属層上に担持層（Ｔ）を全面に電気メ ッキにより折出させ、かつフオトレジストを選択的に溶出する、請求の範囲第１ ３項から第１５項までのいずれか１項記載の方法。 ｌ７．支持層（２）および薄い補助層（Ｚ）上に、フオトレジストまたは金属か らなる通路の形の構造体（Ｋ）を形成し、該構造体（Ｋ）がフオトレジストから なる場合はその上に薄い金属フイルムを設け、次いで通路壁（Ｗ）および担持層 （Ｔ）を一緒に支持層（２）および構造体（Ｋ）上に、位相的層として電気メッ キにより折出させ、最後に該構造体（Ｋ）を選択的に溶出する、請求の範囲第１ ３項から第１５項までのいずれか１項記載の方法。 １８．薄い補助層上に、記録液を収容するたのの通路構造体の壁（Ｗ）を構成し 、次いでこうして形成された通路（Ｐ）をエッチング可能な充填剤で充填し、こ うして充填された通路（Ｐ）上に被覆層（Ｔ）を設け、次いで該充填剤を除去す る、請求の範囲第１３項から第１５項までのいずれか１項記載の方法。 １９．補助層ないしは通路（Ｐ）を構成する材料のエッチング技術による除去を 容易にするために、あとで閉鎖される開口を設ける、請求の範囲第１６項または 第１７項記載の方法。