JPH0149904B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はプローブ校正判断方法、特にオシロス
コープを利用することなくプローブが校正されて
いるか否かを判断する方法に関する。

オシロスコープ、周波数カウンタ、デジタル・
マルチメータ、ロジツク・アナライザ等の電子測
定装置は、プローブを介して種々の周波数帯域の
入力信号を受けて種々の測定を行なう。特にプロ
ーブ自体のインピーダンスと電子測定装置の入力
インピーダンスとにより分圧器を構成する電圧減
衰プローブを用いて信号測定を行う際には、プロ
ーブによる信号波形歪が最小となるようにプロー
ブを校正する必要がある。このため、減衰プロー
ブに校正信号発生器からの校正用矩形波信号を供
給し、プローブの出力信号波形をオシロスコープ
により観測し、この出力信号波形が正確に矩形波
の場合にプローブは校正されていると判断してい
た。即ち、プローブの出力信号波形が矩形波でな
い場合は、オシロスコープにより波形を観測しな
がらプローブを校正した。しかし、オシロスコー
プ以外の電子測定装置では一般にオシロスコープ
の機能を有さないので、プローブの校正を判断す
るためにのみ、オシロスコープを利用しなければ
ならず、不経済かつ非常に面倒であつた。そこ
で、オシロスコープを用いないで、減衰プローブ
が校正されていることを判断する方法が従来提案
されている。

従来のプローブ校正判断方法の１つは、陰極線
管を有するロジツク・アナライザにオシロスコー
プの機能を持たせて、プローブの校正を判断して
いる。しかし、この方法はプローブの校正のため
にのみオシロスコープ機能を組込むので、回路が
複雑となり製品が高価になるという欠点がある。

従来の他のプローブ校正判断方法は特開昭52―
137954号（米国特許第4070615号に対応）に開示
された方法である。この方法はプローブに印加さ
れる矩形波信号を差動増幅器の一方の入力端に供
給し、他方の入力端にはプローブの出力信号を供
給する。次に差動増幅器の出力信号を平滑し、そ
の直流レベルを発光ダイオードによりチエツクす
る。操作者は発光ダイオードが最も明るくなつた
ときに、プローブが校正されたと判断する。しか
し、この方法では発光ダイオードが最も明るくな
つたときを識別するのが困難なため、プローブの
最適校正状態を判断するのが難かしい。

更に他の従来のプローブ校正判断方法は特開昭
55―147368号（米国特許第4253057号に対応）に
開示されている。この方法によれば、プローブの
校正は常に補償不足（アンダーシユート）状態か
ら開始しなければならないので、校正を始める前
にプローブが補償過多（オーバーシユート）か或
いは補償不足かを判断しなければならないという
欠点がある。よつてプローブが校正状態か否か直
ちに判断できない。

したがつて、本発明の目的の１つは上述の従来
技術の欠点を克服したプローブ校正判断方法の提
供にある。

本発明の他の目的はオシロスコープを使用せず
に、確実かつ容易に減衰プローブが校正されたか
否かを判断できるプローブ校正判断方法の提供に
ある。

本発明のプローブ校正判断方法は、周波数特性
を調整する為の可変コンデンサ及び抵抗器の並列
回路を有する減衰型プローブに既知の校正用矩形
波信号を供給し、上記プローブの出力信号を可変
閾値レベルと順次比較し、この比較結果を表す比
較データに応じて上記プローブの校正状態を判断
するものである。

その為に、上記可変閾値レベルと上記プローブ
の出力信号との非交差状態（又は交差状態）か
ら、上記可変閾値レベルを順次微小量ずつ交差状
態方向（又は非交差状態方向）へ変化させる毎に
上記比較データを監視し、上記校正用矩形波信号
の一方のレベルの全期間にわたつて、上記可変閾
値レベルが上記プローブの出力信号に対して交差
状態（又は非交差状態）に変化したときを上記比
較データから検出し、上記可変閾値レベルを逆方
向に微小量だけ変化させ、上記校正用矩形波信号
の上記一方のレベルの全期間にわたる、上記可変
閾値レベルと上記プローブの出力信号との非交差
状態（又は交差状態）を上記比較データから検出
したとき、上記プローブが校正されたと判断す
る。

以下添付図を参照して本発明の好適な実施例を
詳細に説明する。第１図は本発明の好適な第１実
施例の主な流れ図である。まず電圧減衰プローブ
を電子測定装置の入力端子に接続し、プローブを
介して電子測定装置に矩形波信号を供給する。こ
のプローブの信号路には少なくとも抵抗器と可変
コンデンサの並列回路が挿入されており、また電
子測定装置の入力インピーダンスは抵抗器及びコ
ンデンサの並列回路とみなすことができる。よつ
てプローブ内の並列回路のインピーダンスと電子
測定装置の入力インピーダンスにより矩形波信号
は分圧されて電子測定装置に加わる。ここで、こ
れらプローブのインピーダンスと電子測定装置の
入力インピーダンスとの夫々の抵抗及び容量の比
が等しければ、即ちプローブが校正されていれ
ば、プローブの出力信号（波形）Viは第２図Ａ
に示す如く正確な矩形波となる。またプローブが
校正されておらず補償不足状態ならばプローブの
出力波形Viは第２図Ｂの如く立ち上り及び立ち
下り部分の緩やかな波形（アンダーシユート）と
なり、補償過多状態ならばプローブの出力波形
Viは第２図Ｃの如く立ち上り及び立ち下り部分
が突出する波形（オーバーシユート）となる。そ
こで本発明の第１実施例では以下のステツプでプ
ローブの校正状態の判断を行なう。

ステツプ１０：基準レベル、例えばスレツシヨ
ルド（Ｔ／Ｈ）レベルをプローブの出力信号レベ
ルの最大値以上に設定し（第２図Ａ，Ｂ及びＣを
参照、即ち、非交差状態）、このＴ／Ｈレベルを
順次低下させ、プローブの出力波形と交差するま
で調整する（第２図Ｄ，Ｅ及びＦを参照、即ち交
差状態）。よつてＴ／Ｈレベルはプローブの出力
信号の最大ピーク値よりも微小低いレベルに設定
されたことになる。なお、このステツプはＴ／Ｈ
レベル及びプローブの出力信号を夫々比較器の反
転入力端及び非反転入力端に供給し、比較器の出
力信号が「低」レベルから「高」レベルに変化し
たことを確認することにより実行できる。

ステツプ１２：矩形波信造の「高」レベルの全
期間においてＴ／Ｈレベルはプローブの出力信号
と交差するか判断する。プローブに供給される矩
形波信号は既知なため、この矩形波信号の「高」
レベルの期間も予め判つている。よつて、この期
間中、比較器の出力信号が連続的に「高」レベル
であるかを判断することにより、このステツプを
実行できる。この判断結果が肯定（イエス）の場
合、即ちプローブの出力信号及びＴ／Ｈレベルの
関係が第２図Ｄの場合は、ステツプ１４に進み、
また判断結果が否定（ノー）の場合、即ち第２図
Ｅ又はＦの場合は、ステツプ２０に進む。

尚、本明細書において、流れ図の判断ブロツク
に関して用いられる「イエス」及び「ノー」の用
語は、日本語の「ハイ」及び「イイエ」に夫々対
応するものと理解されたい。

ステツプ１４：Ｔ／Ｈレベルがプローブの出力
波形と交差しない方向にＴ／Ｈレベルを微小変
化、即ちＴ／Ｈレベルを微小増加させる。

ステツプ１６：Ｔ／Ｈレベルがプローブの出力
波形と交差しないかを判断する。このステツプは
比較器の出力信号が常に「低」レベルであるかを
確認することにより実行できる。ステツプ１２及
び１６により、矩形波信号が「高」レベルの全期
間中、プローブの出力波形が所定の微小レベル範
囲内にあるか否かを判断して、プローブの校正状
態の判断を確実にしている。ステツプ１６の判断
結果がイエスなら、即ち第２図Ｇの如くＴ／Ｈレ
ベルがプローブの出力波形と交差しなければステ
ツプ１８に進む。またステツプ１２が終了後、操
作者がプローブの可変コンデンサを操作して補償
過多の状態にした場合は第２図Ｈのようになり、
ステツプ１６の判断結果はノーとなりステツプ２
０に進む。

ステツプ１８：表示装置に校正完了（又は校正
済）の表示を行なう。

ステツプ２０：表示装置に校正不完全の表示を
行なう。

このようなステツプ１０〜２０によりプローブ
の校正を判断できる。またステツプ１８及び２０
を実行後、ステツプ１０に戻ることにより、操作
者はステツプ１８及び２０の表示を参照しながら
プローブを校正できる。なお、第１図の実施例で
は、Ｔ／Ｈレベルをプローブの出力波形よりも高
いレベルから順次降下させたが、プローブの出力
波形よりも低いレベルから順次上昇させても、同
様にプローブの校正を判断できる。この場合は、
第１図の流れ図において、ステツプ１２の「高」
レベルを「低」レベルと変更すればよい。

第３図は本発明の好適な第２実施例の流れ図で
ある。以下、この流れ図に従つて説明する。

ステツプ２２：上述の如くプローブに供給され
る矩形波信号は既知であるので、予めＴ／Ｈレベ
ルがプローブの出力波形と交差するように、例え
ばこの出力波形の中間レベルに設定する。次に、
Ｔ／Ｈレベルがプローブの出力波形と交差しなく
なるまでＴ／Ｈレベルを上昇させる。このステツ
プも第１図の実施例と同様に比較器を利用するこ
とにより実行できる。

ステツプ２４：矩形波の全期間においてＴ／Ｈ
レベルがプローブの出力波形と交差していないか
を判断する。これは、ステツプ２２においてプロ
ーブの出力波形が補償不足又は補償過多の場合
に、Ｔ／Ｈレベルがプローブの出力波形の「高」
レベルと部分的に交差しなくなつたのを検出する
ためである。全期間においてＴ／Ｈレベルがプロ
ーブの出力波形と交差しないならばステツプ２６
に進み、Ｔ／Ｈレベルがプローブの出力波形と部
分的にでも交差しておればステツプ３２に進む。
このステツプは比較器の出力レベルを判断するこ
とにより実行できる。

ステツプ２６：Ｔ／Ｈレベルがプローブの出力
波形と交差する方向にＴ／Ｈレベルを微小変化さ
せる。

ステツプ２８：矩形波信号の「高」レベルの全
期間において、Ｔ／Ｈレベルがプローブの出力波
形と交差するかを判断する。これは第１図の実施
例のステツプ１２に対応する。ステツプ２４及び
２８により、プローブの出力波形の「高」レベル
が、この出力波形の最大ピークレベルよりも微小
高いレベル及び微小低いレベルの所定範囲内か否
かを、即ちプローブが校正されているか否かを判
断している。ステツプ２８においてイエスならス
テツプ３０に進み、ノーならばステツプ３２に進
む。

ステツプ３０及び３２：夫々第１図の実施例の
ステツプ１８及び２０に対応する。

このように、ステツプ２２〜３２によりプロー
ブの校正状態を判断できるし、ステツプ３０及び
３２の表示を参照することによりプローブを校正
することもできる。また上述の説明では、ステツ
プ２２においてＴ／Ｈレベルを上昇させたが、下
降させてもよい。この場合ステツプ２８の「高」
レベルが「低」レベルとなる。

第４図は本発明のプローブ校正判断方法をロジ
ツク・アナライザに適用した場合のロジツク・ア
ナライザのブロツク図である。ロジツク・アナラ
イザ３４の構成は以下の通りである。比較器３６
及び３８の非反転入力端は入力端子４０からロジ
ツク入力信号を受け、また反転入力端は夫々デジ
タル・アナログ変換器（DAC）４２及び４４か
らバス４５（データ線，アドレス線及び制御線を
含む）の信号に応じたＴ／Ｈレベル及びトリガ・
レベル（TL）を受ける。入力端子４０には抵抗
器４６及びコンデンサ４８の並列回路が接続され
ている。なお、比較器３６及び３８の入力インピ
ーダンスは非常に高く、ロジツク・アナライザ３
４の入力インピーダンスは上述の並列回路４６，
４８で決まる。比較器３６は入力信号レベルを後
段の取込みメモリ５０に適するレベルに変換する
ための回路である。トリガ回路５２はバス４５か
らの信号に応じて比較器３８からのトリガ信号の
傾斜選択及び遅延等を行なう。取込みメモリ制御
回路５４はバス４５からの制御信号により取込み
メモリ５０を書込み状態とし、トリガ回路５２の
出力信号により取込みメモリ５０の書込み状態を
停止させて読出し状態とする。バス４５の信号に
より周波数の制御されるクロツク信号発生器５６
からのクロツク信号（CLK）により、取込みメ
モリ５０の書込み及び読出し速度が制御され、取
込みメモリ５０の読出し信号はバス４５に供給さ
れる。バス４５には更に中央処理装置（CPU）
５８、リード・オンリ・メモリ（ROM）６０、
ランダム・アクセス・メモリ（RAM）６２、キ
ーボード６４、及び表示装置６６が接続されてい
る。CPU５８はマイクロプロセツサ、例えば
8080型IC又はZ80A型ICであり、ROM６０に記
憶されたプログラムに従いRAM６２を一時記憶
回路として用いて、種々の制御、取込みメモリ５
０に取込んだデータの処理等を行なう。キーボー
ド６４は入力装置であり、種々の設定を行なう。
また表示装置６６は例えば陰極線管であり、測定
結果等を表示する。ロジツク・アナライザ３４は
更にプローブ校正用の矩形波信号を端子７０に発
生する校正信号発生器６８を有しており、この矩
形波信号の周波数及び振幅は既知であり、例えば
夫々1KH及び4Vである。

減衰プローブ７２は、例えば抵抗器７４及び可
変コンデンサ７６の並列回路と可変コンデンサ７
８とから構成され、出力端子及び接地端子を夫々
ロジツク・アナライザ３４の入力端子４０及び接
地端子８０に接続する。よつて上述の如く低抗器
４６及び７４、並びにコンデンサ４８，７６及び
７８で分圧器を構成する。このプローブ７２の校
正状態を判断、又は校正するには、プローブ７２
の入力端子を校正端子７０に接続する。

次に第４図のロジツク・アナライザ３４におい
て、本発明のプローブ校正判断方法の一実施例を
第５Ａ〜５Ｇ図の流れ図を参照して説明する。こ
の流れ図は第１図に示した本発明の第１実施例を
基本にしている。キーボード６４によりプローブ
校正モードを選択すると、CPU５８はROM６０
内のプログラムに従い以下のステツプを実行す
る。まず第５Ａ図を参照すれば、 ステツプ１００：プローブ校正モードになる前
の各種設定をRAM６２に記憶し、プローブ校正
モード終了後にこのモードになる前の状態に戻せ
るようにする。

ステツプ１０２：プローブ校正判断に必要な各
種初期値を設定する。具体的にはDAC４２のア
ナログ出力レベル（Ｔ／Ｈレベル）を最大値に設
定し、プローブ７２の出力波形Viと交差しない
ようにする。（第２図Ａ，Ｂ及びＣを参照）また
はプローブ７２に供給される校正信号発生器６８
からの矩形波信号の立上り時点にトリガ信号TR
が得られるように、DAC４４からのアナログ出
力レベル（トリガ・レベル）TLをプローブ出力
波形Viと低いレベルで交差するように設定する。
例えばプローブ７２が10倍のプローブの場合、正
しく校正されていればプローブ出力波形Viの振
幅は400mVとなり、トリガ・レベルTLは約
140mVに設定される。トリガ回路５２、メモリ
制御回路５４及びクロツク信号発生器５６は取込
みメモリ５０が矩形波信号の１サイクル中の
「高」レベル期間中に比較器３６の出力を取込む
ように設定される。即ちトリガ信号TRの立上り
でトリガされるポスト・トリガ・モードが選択さ
れる。これらの設定は矩形波信号が既知なので容
易にできる。

ステツプ１０４：キーボード６４のストツプ・
キーが押されたかを判断し、押されていれば（イ
エスならば）第５Ｇ図の終了ルーチンへ進み、ノ
ーならばステツプ１０６に進む。

ステツプ１０６：取込みメモリ５０は比較器３
６の出力信号をクロツク信号CLK毎に記憶し、
トリガ信号TRが発生後、矩形波信号の「高」レ
ベル期間が終了したならば書込モードを停止して
読出しモードとする。よつて取込みメモリ５０に
は矩形波信号が「高」レベル期間中におけるプロ
ーブ出力波形ViとＴ／Ｈレベルとの関係が記憶
される。Ｔ／Ｈレベルがプローブ出力波形Viと
交差した場合の補償適正、補償不足及び補償過多
における各波形関係を第６Ａ，６Ｂ及び６Ｃ図に
示す。これらの図において、Ｍは矩形波信号が
「高」レベル期間中における取込みメモリ５０の
内容を示す。尚、「０」及び「１」はレベル「低」
及び「高」を示し、また図では10ビツトしか記憶
していないが、実際はクロツク信号CLKの周波
数を上げて64ビツト程記憶してもよい。なお、取
込みメモリ５０における矩形波信号「高」レベル
期間中のデータのアドレスは、この「高」レベル
期間、クロツク周波数及びトリガ位置から容易に
判る。

ステツプ１０８：矩形波信号「高」レベル期間
中のデータをCPU５８に読取る。このステツプ
が実行される毎に、このデータを最初から順次読
取る。

ステツプ１１０：CPU５８は読取つたデータ
が「高」レベル（これはＴ／Ｈレベルがプローブ
出力波形Viと交差した状態であり、この状態を
CPU５８は「01」と認識する。）かを判断し、ノ
ーならばステツプ１１２に進み、イエスならばス
テツプ１１８に進む。

ステツプ１１２：CPU５８は読取つたデータ
が矩形波信号「高」レベル期間の最終データかを
判断し、イエスならステツプ１１４に進み、ノー
ならステツプ１０８に進む。

ステツプ１１４：DAC４２を制御して、Ｔ／
Ｈレベルを所定値VR、例えば40mV下げる。

ステツプ１１６：CPU５８はＴ／Ｈレベルの
設定が所定下限値VL、例えば100mV以下である
かを判断して、イエス及びノーなら夫々ステツプ
１０２及び１０６に進む。このステツプにより、
Ｔ／Ｈレベルが下り過ぎたことによる暴走を防止
する。

このようにステツプ１０８〜１１２により、
Ｔ／Ｈレベルがプローブ出力波形Viと交差して
いるかを判断する。交差していない場合はステツ
プ１１４によりＴ／Ｈレベルを微小所定値だけ下
げて新たにデータを取込みメモリ５０に記憶さ
せ、Ｔ／Ｈレベルがプローブ出力波形Viと交差
しているかを判断する。これらのステツプはＴ／
Ｈレベルがプローブ出力波形と交差するまで繰返
えされる。ステツプ１１０でイエスの場合は、第
２図のＤ，Ｅ又はＦの状態であり、Ｔ／Ｈレベル
はプローブ出力波形Viの最大ピーク値よりも微
小低い値（ステツプ１１４の所定値VR以下）で
ある。

ステツプ１１８：ステツプ１０８で読取つたデ
ータが矩形波信号「高」レベル期間の最初のデー
タかをCPU５８判断する。即ち、この「高」レ
ベル期間の初めにおいてＴ／Ｈレベルがプローブ
出力波形Viと交差しているかを判断する。イエ
ス（第２図Ｄ又はＦの状態）ならばステツプ１２
０に進み、ノー（第２図Ｅの補償不足状態）なら
ば第５Ｂ図の補償不足ルーチンに進む。

ステツプ１２０：CPU５８が次のデータを読
取る。

ステツプ１２２：CPU５８が、ステツプ１２
０で読取つたデータが「低」レベル（これはＴ／
Ｈレベルがプローブ出力波形Viと交差しない状
態にあり、この状態をCPU５８は「03」と認識
する。）かを判断し、イエスなら第５Ｃ図の補償
過多ルーチンへ進み、ノーならばステツプ１２４
に進む。

ステツプ１２４：ステツプ１１２と同じであ
り、イエスなら第５Ｆ図の校正完了ルーチンへ進
み、ノーならばステツプ１２０に進む。

これらステツプ１２０〜１２４により、矩形波
信号「高」レベルの全期間においてＴ／Ｈレベル
がプローブ出力波形Viと交差しているかを判断
している。そして第２図Ｆのように、この全期間
の初めの部分でしかＴ／Ｈレベルがプローブ出力
波形Viと交差していない補償過多状態では補償
過多ルーチンへ進む。また第２図Ｄのように
「高」レベルの全期間にわたつてＴ／Ｈレベルが
プローブ出力波形Viと交差している補償適正状
態では校正完了ルーチンへ進む。

次に第５Ｂ図を参照して補償不足ルーチンを説
明する。

ステツプ１２６：ステツプ１０４と同じであ
り、イエスなら第５Ｇ図の終了ルーチンへ進み、
ノーならステツプ１２８に進む。

ステツプ１２８：CPU５８は表示装置６６に
プローブが補償不足状態にある旨表示する。操作
者はこの表示によりプローブ７２の可変コンデン
サ７６又は７８を調整して、プローブ７２の校正
を行なえる。

ステツプ１３０：プローブ７２の状態が以前と
異つているため、ステツプ１０６と同様にデータ
を取込みメモリ５０に記憶する。なお、このステ
ツプにおけるプローブ出力波形Viは補償適性，
補償不足又は補償過多状態である。

ステツプ１３２：ステツプ１０８と同様に
CPU５８が取込まれたデータを読取る。

ステツプ１３４：ステツプ１１０と同じであ
り、Ｔ／Ｈレベルがプローブ出力波形Viと交差
していれば（「01」ならば）ステツプ１３８に進
み、交差していなければ（「03」ならば）ステツ
プ１３６に進む。

ステツプ１３６：ステツプ１１２と同様であ
り、ステツプ１３２で読取つたデータが最終デー
タかを判断する。イエスならばＴ／Ｈレベルが高
過ぎ、第５Ｅ図の高ルーチンへ進み、ノーならば
ステツプ１３２に進む。

ステツプ１３８〜１４４：これらのステツプは
ステツプ１１８〜１２４と同じであが、ステツプ
１４４でイエスならば、第５Ｄ図の低ルーチンへ
進む。

即ち、ステツプ１３２〜１３６によりＴ／Ｈレ
ベルがプローブ出力波形Viと部分的にでも交差
するかを判断する。全く交差しない場合は高ルー
チンへ進み、部分的にでも交差する場合は、補償
不足か補償過多かを判断する。なおステツプ１４
４がイエスのときにステツプ１２４のように校正
完了ルーチンへ進まずに、Ｔ／Ｈレベルが低過ぎ
る場合の低ルーチンへ進むのは、プローブ出力波
形Viにノイズが重畳した場合を考慮したためで
ある。

第５Ｃ図は補償過多ルーチンの流れ図である。

ステツプ１４６：ステツプ１０４及び１２６と
同様でありイエス又はノーなら夫々終了ルーチン
及びステツプ１４８に進む。

ステツプ１４８：CPU５８がプローブが補償
過多状態である旨を表示装置６６に表示する。操
作者はこの表示によりプローブ７２を適当に調整
してもよい。

ステツプ１５０：ステツプ１０６及び１３０と
同様に取込みメモリ５０にデータを記憶する。こ
の場合、プローブ出力波形Viは第２図Ａ，Ｂ及
びＣの如く補償適正，不足及び過多のいずれかで
ある。なお、このステツプにおいて、Ｔ／Ｈレベ
ルは第５図Ａのルーチンで補償過多を判断したと
きのままである。

ステツプ１５２：ステツプ１０８及び１３２と
同様に矩形波信号「高」レベル期間の最初のデー
タから、このステツプの実行の度に順次データを
CPU５８が読取る。

ステツプ１５４：ステツプ１２２と同様に読取
つたデータが「03」か、即ちＴ／Ｈレベルがプロ
ーブ出力波形と交差していないかを判断し、交差
していればステツプ１５６に、交差していなけれ
ばステツプ１５８に進む。

ステツプ１５６：ステツプ１５２で読取つたデ
ータが最終データかを判断し、イエスなら「低」
ルーチンへ進み、ノーならステツプ１５２に戻り
次のデータを読取る。

ステツプ１５８：ステツプ１１８と同様に読取
つたデータが矩形波信号「高」レベル期間の最初
のデータかを判断し、イエスのときはステツプ１
６０に進み、ノーのときは補償過多ルーチンへ進
む。

ステツプ１６０：CPU５８が次のデータを読
取る。

ステツプ１６２：ステツプ１２２及び１５４と
同様であり、イエスのときはステツプ１６４に、
ノーのときは補償不足ルーチンへ進む。

ステツプ１６４：読取つたデータが最終データ
ならば高ルーチンへ進み、そうでなければステツ
プ１６０に進む。

このようにステツプ１５２〜１５６によりＴ／
Ｈレベルがプローブ出力波形Viと交差しないか
を判断する。矩形波信号「高」レベル全期間にわ
たつて交差するときは、上述のノイズの影響を考
慮して低ルーチンへ進む。またステツプ１５８に
おいて、最初のデータ以外で交差しないことを示
せば補償過多ルーチンに進む。最初のデータが交
差しないことを示し、２番目のデータが交差した
ことを示す場合は、ノイズの影響を考慮してステ
ツプ１６２により補償不足ルーチンへ進む。更に
全期間にわたつて交差しないときは高ルーチンへ
進む。

第５図Ｄは低ルーチンの流れ図である。このル
ーチンへ進むのは、Ｔ／Ｈレベルがプローブ出力
波形Viの最大ピーク値よりも微小低い（所定値
VR以内）か、Ｔ／Ｈレベルが充分に低くて、矩
形波信号「高」レベルの全期間においてＴ／Ｈレ
ベルがプローブ出力波形Viと交差している場合
である。

ステツプ１６６：ステツプ１０４と同じであ
り、イエスなら終了ルーチンへ、ノーならばステ
ツプ１６８に進む。

ステツプ１６８：DAC４２を制御し、Ｔ／Ｈ
レベルを微小所定値VRだけ高くする。

ステツプ１７０：ステツプ１０６と同様にデー
タを取込む。

ステツプ１７２：ステツプ１０８と同様にデー
タを読取る。

ステツプ１７４：読取つたデータが交差しない
ことを示せばステツプ１７６に進み、交差してい
ることを示せばステツプ１７８に進む。

ステツプ１７６：ステツプ１７２で読取つたデ
ータが最終データであれば校正完了ルーチンへ進
み、そうでなければステツプ１７２に進み次のデ
ータを読取る。

ステツプ１７８：Ｔ／Ｈレベルを所定値VRだ
け下げ、ステツプ１０６に進む。

この低ルーチンにおいて、Ｔ／Ｈレベルが全期
間にわたつてプローブ出力波形と交差しなけれ
ば、即ち矩形波信号「高」レベルの全期間にわた
つて、プローブ出力波形の最大ピーク値の微小高
いレベル及び微小低いレベルの範囲にプローブ出
力波形があれば、プローブは校正状態であり、校
正完了ルーチンへ進む。また校正状態でない場合
は第５Ａ図のルーチンへ戻る。

第５Ｅ図は高ルーチンの流れ図である。このル
ーチンへ進むのは、Ｔ／Ｈレベルがプローブ出力
波形Viの最大ピーク値よりも所定値VR以内で微
小高いか、Ｔ／Ｈレベルが充分に高くて、Ｔ／Ｈ
レベルがプローブ出力波形Viと交差しない場合
である。このルーチンの各ステツプ１８０〜１９
２は第５Ｄ図のステツプ１６６〜１７８と夫々対
応するが、ステツプ１８８では読取つたデータが
交差を示すかを判断し、ステツプ１８２及び１９
２ではＴ／Ｈレベルを所定値VRだけ夫々下げ及
び上ている。この高ルーチンにおいて、矩形波信
号「高」レベルの全期間にわたつてＴ／Ｈレベル
がプローブ出力波形Viと交差すれば、即ちプロ
ーブ出力波形の最大ピーク値の微小高いレベル及
び微小低いレベルの間にプローブ出力波形の高レ
ベルの全期間があれば、プローブは校正状態であ
り、校正完了ルーチンへ進む。また校正状態でな
い場合は第５Ａ図のルーチンへ戻る。

第５Ｆ図は校正完了ルーチンの流れ図であり、
ステツプ１９４によりCPU５８は表示装置６６
に校正が完了した旨を表示する。そしてステツプ
１９６でＴ／Ｈレベルを所定値VRだけ上昇させ
てステツプ１０６に戻る。

第５Ｇ図は終了ルーチンの流れ図であり、ステ
ツプ１９８でRAM６２に記憶されたプローブ校
正モード以前の設定値に戻し、以前の状態に戻
る。

従つて第５Ａ〜５Ｇ図に示した本発明の実施例
によつても、プローブの校正状態を確実に判断で
きる。またステツプ１２８，１４８及び１９４に
よる校正状態の表示を参照しながらプローブを調
整し、校正完了の表示によりプローブ調整を止
め、キーボード６４のストツプ・キーを押せば、
容易にプローブの校正ができる。なお、ステツプ
１００〜１９８は高速で実行されるので、これら
ステツプと非同期にプローブを調整できる。また
これらステツプは上述の如くROM６０に記憶さ
れたプログラムにより、RAM６２を一時記憶回
路としてCPU５８により制御される。

上述の如く発明によればオシロスコープを利用
せずに、確実かつ容易にプローブの校正状態を判
断できる。また電子測定装置がマイクロプロセツ
サ等のCPUを具えていれば、第４図の実施例の
如くプローブ校正判断のためにハードウエア的に
は校正信号発生器を新たに設けるのみでよいの
で、構成が簡単となる。

上述は本発明の好適な実施例についてのみ説明
したが、当業者には本発明の要旨を逸脱すること
なく種々の変形変更が可能なことが理解できよ
う。例えば、プローブに供給する矩形波信号を発
生する校正用信号発生器は、非安定マルチバイブ
レータ等の一般のパルス発生器でもよいし、接地
レベル及び所定レベルを交互に選択するスイツチ
ング回路でもよい。また、この矩形波信号の振幅
はプローブの倍率により選択できる構成であつて
もよい。プローブの校正状態を示す表示装置とし
ては陰極線管の他に、ランプ、発光ダイオード、
液晶等であつてもよい。また第４図の実施例にお
いて、校正信号発生器６８の矩形波信号を直接
DAC４４のトリガ・レベルTLと比較してもよ
い。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１実施例の流れ図、第２図
は本発明を説明する波形図、第３図は本発明の第
２実施例の流れ図、第４図は本発明をロジツク・
アナライザに適用させる場合のロジツク・アナラ
イザ及びプローブのブロツク図、第５Ａ〜５Ｇ図
は本発明の第３実施例の流れ図、第６Ａ〜６Ｃ図
は本発明の第３実施例を説明する波形図である。 ３４：ロジツク・アナライザ、７２：プロー
ブ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 周波数特性を調整する為の可変コンデンサ及
   び抵抗器の並列回路を有する減衰型プローブに既
   知の校正用矩形波信号を供給し、上記プローブの
   出力信号を可変閾値レベルと順次比較し、この比
   較結果を表す比較データに応じて上記プローブの
   校正状態を判断するプローブ校正判断方法であつ
   て、 上記可変閾値レベルと上記プローブの出力信号
   との非交差状態（又は交差状態）から、上記可変
   閾値レベルを順次微小量ずつ交差状態方向（又は
   非交差状態方向）へ変化させる毎に上記比較デー
   タを監視し、 上記校正用矩形波信号の一方のレベルの全期間
   にわたつて、上記可変閾値レベルが上記プローブ
   の出力信号に対して交差状態（又は非交差状態）
   に変化したときを上記比較データから検出し、 上記可変閾値レベルを逆方向に微小量だけ変化
   させ、 上記校正用矩形波信号の上記一方のレベルの全
   期間にわたる、上記可変閾値レベルと上記プロー
   ブの出力信号との非交差状態（又は交差状態）を
   上記比較データから検出したとき、上記プローブ
   が校正されたと判断することを特徴とするプロー
   ブ校正判断方法。