JPS5961789A - プロ−ブ校正判断方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はプローブ校正判断方法、特（ニオシロスコープ
を利用することなくプローブが校正されているか否かを
判断する方法に関する。

オシロスコープ、周波数カウンタ、デジタル・マルチメ
ータ、ロジック・アナライザ等の電子測定装置は、プロ
ーブを介して種々の周波数帯域の人力信号を受けて神々
の測定を行なう。特にプローブ自体のインピーダンスと
電子測定装置の入力インピーダンスとにより分圧器を構
成する電圧減衰プローブを用いて信号測定を行う際には
、プローブによる信号波形歪が最小となるようにプロー
ブを校正する必要がある。このため、減衰プローブに校
正信号発生器からの校正用矩形波信号を供給し、プロー
ブの出力信号波形をオンロスコープにより観測し、この
出力信号波形が正確に矩形波の場合にプローブは校正さ
れていると判断しでいた。即ち、プローブの出力信号波
形が矩形波でない場合は、オシロスコープにより波形を
観測しながらプローブを校正した。しかし、オンロスコ
ープ以外の電子測定装置では一般にオンロスコ（ −プの機能を有さないので、プローブの校正を判断する
ため（二のみ、オシロスコープを利用しなければならず
、不経済かつ非常に面倒であった。そこて、オシロスコ
ープを用いないで、減衰プローブが校正されていること
を判断する方法が従来提案されている。

従来のプローブ校正判断方法の１つは、陰極線管を有す
るロジック・アナライザにオシロスコープの機能を持た
せて、プローブの校正を判断している。しかし、この方
法はプローブの校正のためにのみオシロスコープ機能を
組込むので、回路が複雑となり製品が高価になるという
欠点がある。

従来の他のプローブ校正判断方法は特開昭５２−１３’
７９５４号（米国特許第４０’７０６１５号に対応）に
開示された方法である。この方法はプローブに印加され
る矩形波信号を差動増幅器の一方の入力端（二供給し、
他方の入力端にはプローブの出力信号を供給する。次に
差動増幅器の出力信号を平滑し、その直流レベルを発光
ダイオードによりチェックする。操作者は発光ダイオー
ドが最も明るくなったときに、プローブが校正されたと
判断する。

しかし、この方法では発光ダイオードが最も明るくなっ
たときを識別するのが困難なため、プローブの最適校正
状態を判断するのが難かしい。

更に他の従来のプローブ校正判断方法は特開昭５５−１
４７３６８号（米国特許第４２５３０５７号に対応）に
開示されている。この方法によれば、プローブの校正は
常に補償不足（アンダーシュート）状態から開始しなけ
ればならないので、校正を始める前にプローブが補償過
多（オーパンニート）か或いは補償不足かを判断しなけ
ればならないという欠点がある。よってプローブが校正
状態か否か直ちに判断できない。

したがって、本発明の目的の１つは上述の従来技術の欠
点を克服したプローブ校正判断方法の提供にある。

本発明の他の目的はオシロスコープを使用せず（二、確
実かつ容易に減衰プローブが校正されたか否かを判断で
きるプローブ校正判断方法の提供にある。

本発明によれば、電子測定装置の入力端子に接続された
減衰プローブに矩形波信号を供給する。このプローブの
出力信号の最大ピーク値又は最小ピーク値よりも微小高
い第ルベル及び第２レベルを設定する。次に、第Ｊ及び
第２レベルに関連するピーク値が最大ピーク値の場合、
第ルベルがプローブの出力信号と交差しないかを判断し
、更に矩形波信号の１制」レベルの全期間において第２
レベルがプローブの出力信号と交差するかを判断する。

また第１及び第２レベルに関連するピーク値が最小ピー
ク値の場合、矩形波信号の「低」レベルの全期間（二お
いて第ルベルがプローブの出力信号と交差するかを判断
し、更（１弟２レベルがプローブの出力信号と交差しな
いかを判断する。そして、上述の２つの場合のどちらに
おいても、２つの判断結果が共に肯定のときにプロ・−
ブが校正されていると判断する。

以下添付図を参照して本発明の好適な実施例を詳細に説
明する。第１図は本発明の好適な第１実施例の主な流れ
図である。まず電圧減衰プローブを電子測定装置の入力
端子に接続し、プローブを介して電子測定装置に矩形波
信号を供給する。

このプローブの信号路には少なくとも抵抗器と可変コン
デンサの並列回路が挿入されており、また′電子測定装
置の人力インピーダンスは抵抗器及びコンデンサの並列
回路とみなすことができる。よってプローブ内の並列回
路のインピーダンスと電子測定装置の人力インピーダン
スにより矩形波信号は分圧されて電子測定装置に加わる
。ここで、これらプローブのインピーダンスと電子測定
装置の入力インピーダンスとの夫々の抵抗及び容量の比
が等しければ、即ちプローブが一校正されていれば、プ
ローブの出力信号（波形）■１は第２図Ａに示す如く正
確な矩形波となる。またプローブが校正されておらず補
償不足状態ならばプローブの出力波形■１は第２図Ｂの
如く立ち上り及び立ち下り部分の緩やかな波形（アンダ
ーシュート）となり、補償過多状態ならばプローブの出
力波形Ｖｉは第２図Ｃの如く立ち゛上り及び立ち下り部
分が突出する波形（オーパンニート）となる。そこで本
発明の第１実施例では以下のステップでプローブの校正
状態の判断を行なう。

ステップ１０：基準レベル、例えばスレノンヨルｌ’　
（Ｔ／Ｈ）レベルをプローブの出力信号レベルの最大値
界」二に設定しく第２図Ａ。

Ｂ及びＣを参照）、この７１’　／　Ｈレベルを順次低
下させ、プローブの出力波形と交差するまで調整する（
第２図ＩＪ、　　Ｅ及びＦを参照）。

よってＴ　／　Ｈレベルはプローブの出力信号の最大ピ
ーク値よりも微小低いレベルに設定されたことになる。

なお、このステップはＴ／Ｈレベル及びプローブの出力
信号を夫々比較器の反転入力端及び非反転入力端に供給
し、比較器の出力信号が「低」レベルから「高」レベル
に変化したこと１確認することにより実行できる。

ステップ１２：矩形波信号の「高」レベルの毎期間にお
いてＴ／Ｈレベルはプローブの出力信号と交差するか判
断する。プローブに供給される矩形波信号は既知なため
、この矩形波信号の「高」レベルの期間も予め判ってい
る。よって、この期間中、比較器の出力−信号が連続的
（二「高」レベルであるかを判断することにより、この
ステップを実行できる。

この判断結果が肯定（イエス）の場合、即ちプローブの
出力信号及び’Ｊ’　／　ＩＩレベルの関係が第２図Ｊ
〕の場合は、ステップ１４（二進み、また判断結果が否
定（ノー）の場合、即ち第２図Ｅ又はＦの場合は、ステ
ップ２０に進む。

ステップ１４：Ｔ／Ｉｆレベルカフローブの出力波形と
交差しない方向に１’　／　ＩＩレベルを微小変化、即
ちＴ／Ｈレベルを微小増加させる。

ステップ１６：Ｔ／Ｈレベルカフローブの出力波形と交
差しないかを判断する。このステップは比較器の出力信
号が常に１低」レベルであるかを確認することにより実
行できる。ステップ１２及び１６により、矩形波信号が
「高」レベルの全期間中、プローブの出力波形が所定の
微小レベル範囲内にあるか否かを判断して、プローブの
校正状態の判断を確実にしている。ステップ１６の判断
結果がイエスなら、即ち第２図Ｇの如くＴ／′、■ルベ
ルがプローブの出力波形とり差しなければステップ１８
に進む。またステップ１２カー終了後、操作者がプロー
ブの可変コンデンサを操作して補償過多の状態にした場
合しま９４２　ｍ　ｌ−Ｉのようになり、ステップ１６
の判断結果ｋまノーとなりステップ２０（−進む。

ステップ１８：表示装置に校正完了（又は校正済）の表
示を行なう。

ステップ２０：表示装置（二校正不完全の表示を行なう
。

このようなステップ１０〜２０（二よりプローブの校正
を判断できる。またヌテツブ１８及び２０を実行後、ス
テップ１０（＝戻ること（二よＩ）、操作者はステップ
１８及び２０の表示を参ｐ、ｕ　ｔ、なからプローブを
校正できる。なお、第１図の実施例テハ、Ｔ　／　ＨＬ
／ベベルプローブの出力波ｔＶよｌノも高いレベルから
順次降下・させたカー、プローブの出力波形よりも低い
レベルから順次上昇させても、同様（−プローブの校正
を判断できる。この場合しよ、第１図の流れ図（二おい
て、ステップ１２の「高」レベルを「低」レベルと変更
すればよ（１０第３図は本発明の好適な第２実施例の流
れ図である。以下、この流れ図（−従って説明する。

ステップ２２：」二連の如くプローブに供給される矩形
波信号は既知であるので、予めＴ　／　Ｈレベルがプロ
ーブの出力波形と交差するように、例えばこの出力波形
の中間レベルに設定する。次（二、Ｔ　／　Ｈレベルが
プローブの出力波形と交差しなくなるまでＴ　／　Ｈレ
ベルを上昇させる。このステップも第１図の実施例と同
様、に比較器を利用することにより実行できる。

ステップ２４：矩形波の全期間においてＴ／Ｈレベルが
プローブの出力波形と交差していないかを判断する。こ
れは、ステップ２２においてプローブの出力波形が補償
不足又は補償過多の場合に、Ｔ／Ｈレベルがプローブの
出力波形の「高」レベルと部分的（−寥差しなくなった
のを検出するためである。全期間（−おいて　　　　　
　　゛　　　　　　　　−１−２，−・　　　−゛・　
　Ｔ ／Ｈレベルがプローブの出力波形と交差しながプローブ
の出力波形と部分的にで＼も交差しておればステップ３
２（二進む。このステップは比較器の出力レベルを判断
すること；二より実行できる。

ステップ２６：Ｔ／Ｈレベルがプローブの出力波形と交
差する方向にＴ　／　Ｈレベルを微小変化させる。

ステップ２８：矩形波信号の「高」レベルの全期間にお
いて、Ｔ／Ｈレベルがプローブの出力波形と交差するか
を判断する。これは第１図の実施例のステップ１２に対
応する。

ステップ２４及び２８により、プローブの出力波形の「
高」レベルが、この出力波形の最大ピークレベルよりも
微小高いレベル及び微小低いレベルの所定範囲内か否か
を、即ちプローブが校正されているか否かを判断してい
る。ステップ２８においてイエスならステップ３０に進
み、ノーならばステップ３２に進む。

ステップ３０及び３２：夫々第１図の実施例のステップ
１８及び２０に対応する。

このよう（二、ステップ２２〜３２（二より］。

ローブの校正状態を判断できるし、ステップ３０及び３
２の表示を参照することによりプローブを校正すること
もできる。また上述の説明では、ステップ２２（−おい
てＴ／Ｈレベルを」１昇させたカー、下降させてもよい
。この場合ステップ２８の１高ｊレベルカ「低」レベル
トする。

第４図は本発明のプローブ校正判断方法をロジック・ア
ナライザに適用した場合のロジック・アナライザのブロ
ック図である。ロジック・アナライザ３４の構成は以下
の通りである。比較器３６及び３８の非反転入力端は入
力端子４０からロジック入力信号を受け、また反転入力
端は夫々デジタル・アナログ変換器（ＤＡＣ）４２及び
る。入力端子４０には抵抗器４６及びコンデンサ４８の
並列回路が接続されている。なお、比較器３６及び３８
の入力インピーダンスは非常に高く、ロジック・アナラ
イザ３４の入力インピーダンスは上述の並列回路（４，
５，４８）で決まる。比較器３６は入力信号レベルを後
段の取込みメモリ５０（二連するレベルに変換するため
の回路である。トリガ回路５２はパス４５からの信号に
応じて比較器３８からのトリガ信号の傾斜選択及び遅延
等を行なう。取込みメモリ制御回路５４はパス４５から
の制御信号により取込みメモリ５０を書込み状態とし、
トリが回路５２の出力信号により取込みメモリ５０の書
込み状態を停止させて読出し状態より、取込みメモリ５
０の書込み及び読出し速度が制御され、取込みメモリ５
０の読出し信号はパス４５に供給される。パス４５には
更に中央処理装置（ＣＰＵ）５８、リード・オンリ・メ
モリ（ＲＯＭ）！３０、ランダム拳アクセス・メモリ（
ｌ（ＡＭ　）　６２、キーボード６４、及び表示装置６
６が接続されている。ＣＰＵ５８はマイクロプロセッサ
、例えば８０８０型ＩＣ又はＺ８０Ａ型ＩＣであり、Ｒ
ＯＭ６０に記憶されたプログラムに従いＲＡＭ６２を一
時記憶回路として用いて、種々の制御、取込みメモリ５
０に取込んだデータの処理等を行なう。キーボード６４
は入力装置であり、種々の設定を行なう。また表示装置
６６は例えば陰極線管であり、測定結果等を表示する。

ロジック・アナライザ３４は更にプローブ校正用の矩形
波信号を端子７０（二発生する校正信号発生器６８を有
しており、この矩形波信号の周波数及び振幅は既知であ
り、例えば夫々ＩＫＨ及び４Ｖである。

減衰プローブ７２は、例えば抵抗器７４及び可変コンデ
ンサ７６の並列回路と可変コンデンサ７８とから構成さ
れ、出力端子及び接地端子を夫々ロジック・アナライザ
３４の入力端子４０及び接地端子８０に接続する。よっ
て上述の如く抵抗器４６及び７４、並びにコンデンサ４
８．７６及び７８で分圧器を構成する。このプローブ７
２の校１１−状態を判断、又は校屯するには、プ「１−
ブ７２の入力端子を校正端子７０に接続する。

次（−第４図のロジック・アナライザ３４において、本
発明のプローブ校正判断方法の一実施例を第５Ａ〜５Ｇ
図の流れ図を参照して説萌する。

この流れ図は第１図に示した本発明の第１実施例を裁本
にしている。キーボード６４によりプローブ校正モード
を選択すると、ＣＰＵ５８はＲＯＭ６０内のプログラム
に従い以下のステップを実行する。まず第５Ａ図を参照
すれば、 ステップ１００　ニブローブ校正モードになる前の各種
設定をＲＡＭ６２に記憶し、プローブ校正モード終了後
にこのモードになる前の状態に戻せるようにする。

ステップ１０２ニブローブ校正判断に必要な各種初期値
を設定する。具体的にはＤＡＣ４２のアナログ出力レベ
ル（Ｔ／Ｈレベル）を最大値に設定し、プローブ７２の
出力波形Ｖｉと交差しないよう（ニする。（第２図Ａ。

Ｂ及びＣを参照）またプローブ７２に供給される校正信
号発生器６８からの矩形波信号の高上り時点にトリガ信
号ＴＲが得られるよう（二、ＤＡＣ４４からのアナログ
出力しゝル（トリが参レベル）ＴＬをプローブ出力波形
Ｖｉと低いレベルで交差するように設定する。例えばプ
ローブ７２が１０倍のプローブの場合、正しく校正され
ていればプローブ出力波形■１の振幅は４００ｍＶとな
り、トリガ・レベルＴＬは約１．４０ｍＶに設定される
。トリが回路５２、メモリ制御回路５４及びクロック信
号発生器５６は取込みメモリ５０が矩形波信号の１サイ
クル中の「高」レベル期間中に比較器３６の出力を取込
むように設定される。即ちトリが信号ＴＲの高上りでト
！Ｊ　ノｆされるポスト・トリが・モードが選択される
。

これらの設定は矩形波信号が既知なので容易にできる。

ステップ１０４：キーボード６４のストップ・キーが押
されたかを判断し、押されていれば（イエスならば）第
５Ｇ図の終了ル−チンへ進み、ノーならばステップ１０
６（二進む。

ステップ１０６：取込みメモリ５０番ま比較器３６の出
力信号をクロック信号ＣＬＫ毎（二記憶し、トリが信号
ＴＲが発生後、矩形波信号の「高」レベル期間が終了し
たならｔｆ書込モードを停止して読出しモードとする。

よって取込みメモリ５０（二は矩形波信号カー「高」レ
ベル期間中（二おけるプローブ出力波ノ１９ＶｉとＴ　
／　ｌ−Ｉレベルとの関係が記憶される。Ｔ／Ｈレベル
がプローブ出力波形Ｖｉと交差した場合の補償適正、補
償不足及び補償過多（二おける各波形関係を第６　Ａ、
、　６　Ｂ及び６Ｇ図（−示す。これらの図（二おいて
、Ｍは矩ノ杉波イ言号が「高」レベル期間中（＝おける
取込みメモリ５０の内容を示す。尚、「０」及び「１」
しまレベル「低」及び「高」を示し、また図で１ま１０
ビツト己か記憶してし・な（・が、実際しまクロック信
号ＣＬＫの周波数を上げて６４ピツト程記憶してもよい
。なお、取込みメモリ５０における矩形波信号１−高」
レベル期間中のデータのアドレスは、この「高」レベル
１す１１＃ｌ、クロック周波数及びトリが位置から容易
（二ｖｌＪる。

ステップ１０８：矩形波信号「高」レベル期間中のデー
タなＣＰＵ５８ｉ−読取る。このステップが実行される
毎（−１このデータを最初から順次読取る。

ステップ１１０：ＣＰＵ５８は読取ったデータカ「高」
レベル（これはＴ　／　ｌ−ルヘルがプローブ出力波形
Ｖｉと交差した状態であり、この状態をＣＰ　Ｕ　５８
は「０１」と認識する。）かを判断し、ノーならばステ
ップ１１２（二進み、イエスならばステップ１１８（−
進む。

ステップ１１２：ＣＰＵ５８は読取ったデータが矩形波
信号「高」レベル期間の最終データかを判断し、イエス
ならステップ１１４に進み、ノーならステップ１０８（
−進む。

ヌテノ・プ１１４：ＤＡＣ４２を制御して、Ｔ　／　Ｈ
レベルを所定値Ｖ　Ｒ１例えば４’□　ｍＶ下げる。

ステップ１１６：ＣＰＵ５８はＴ／Ｈレベルの設定が所
定下限値ＶＬ、例えば１００ｍＶ以下であるかを判断し
て、イエス及びノーなら夫々ステップ１０２及び１０６
に進む。

このステップにより、Ｔ／Ｈレベルが下り過ぎたことに
よる暴走を防止する。

このようにステップ１０８〜１１２（二より、Ｔ　／　
Ｈレベルがプローブ出力波形Ｖｉと交差しているかを判
断する。交差していない場合はステップ１１４によりＴ
／Ｈレベルを微小所定値だけ下げて新たにデータを取込
みメモリ５ｏに記憶させ、Ｔ　／　Ｉ−Ｉレベルがプロ
ーブ出力波形Ｖｉと交差しているかを判断する。これら
のステップはＴ　／　Ｉ−Ｉレベルがプローブ出力′波
形と交差するまで繰返えされる。ステップ１．１０でイ
エスの場合は、第２図めり、Ｅ又はＦの状態であり、Ｔ
／Ｈレベルはプローブ出力波形Ｖｉの最大ピーク値より
も微小低い値（ステップ１１４の所定値Ｖ、Ｒ以下）で
ある。

ステップ１１８：ステップ１０８で読取ったデータが矩
形波信号「高」レベル１１１１間の最初のデータかをＣ
ＰＵ５８が判断する。即ち、この「高」レベル期間の初
めにおいてＴ／Ｈレベルがプローブ出力波形Ｖｉと交差
しているかを判断する。イエス（第２図］）又はＦの状
態）ならばステップ１２０に進み、ノー（第２図Ｅの補
償不足状態）ならば第５１３図の補償不足ルーチンに進
む。

ステップ１２０：ＣＰＵ５８が次のデータを読取る。

ステップ１２２：ＣＰＵ５８が、ステップ１２０で読取
ったデータが１低」レベル（これはＴ／Ｈレベルがプロ
ーブ出力波形■１と交差しない状態であり、この状態を
ＣＰ　Ｕ５８は「０３」と認識する。）かを判断し、イ
エスなら第５Ｃ図の補償過多ルーチンへ進み、ノーなら
ばステップ１２４に進む。

ステップ１２４ニステツプ１１２と同じであり、イエス
なら第５Ｆ図の校正完了ルーチンへ進み、ノーならばス
テップ１２０に進む。

これらステップ−１２０〜１２４により、矩形波信号「
高」レベルの全期間においてＴ／Ｈレベルがプローブ出
力波形Ｖｉと交差しているかを判断している。そして第
２図Ｆのように、この全期間の初めの部分でしかＴ　／
　Ｉ−Ｉレベルがプローブ出力波形■１と交差していな
い補償過多状態では補償過多ルーチンへ進む。また第２
図りのように「高」レベルの全期間にわたってＴ　／　
Ｉ−Ｉレベルがプローブ出力波形’Ｖｉと交差している
補償適正状態では校正完了ルーチンへ進む。

次に第５Ｂ図を参照して補償不足ルーチンを説明する。

ステイブ１２６：ステップ１０４と同じであり、イエス
なら第５Ｇ図の終了ルーチンへ進み、ノーならステップ
１２８に進む。

ステップ１２８　：ＣＰＵ５８は表示装置６６にプロー
ブが補償不足状態にある旨表示する。操作者はこの表示
によりプローブ７２の可変コンデンサ７６又は７８を調
整して、プローブ７２の校正を行なえる。

ステップ１３０ニブローブ７２の状態が以前と異ってい
るため、ステップ１０６と同様にデータを取込みメモリ
５０に記憶する。

なお、このステップにおけるプローブ出力波形■１は補
償適性、補償不足又は補償過多状態である。

ステップ１３２ニステツプ１０８と同様にＣＰＵ５８が
取込まれたデータを読取る。

ステップ１３４ニステツプ１１０と同噂テアリ、Ｔ／Ｈ
レベルがプローブ出力波形Ｖｉと交差していれば（ｒｏ
ｌｌならば）ステップ１３８に進み、交差していなけれ
ば（「０３」ならば）ステップ１３６に進む。

ステップ１３６：ステップ１１２と同様であり、ステッ
プ１３２で読取ったデータが最終データかを判断する。

イエスならばＴ／Ｉ−ルベルが高過ぎ、第５Ｅ図の高ル
ーチンへ進み、ノーならばステップ１３２に進む。

ステップ１３８〜１４４：これらのステツブはステップ
１１８〜１２４と同じであるが、ステップ１４４でイエ
スならば、第５Ｄ図め低ルーチンへ進む。

即ち、ステップ゛１３２〜１３６（二よりＴ／１１レベ
ルがプローブ出力波形Ｖｉと部分的（二でも交差するか
を判断する。全く交差しない場合は高ルーチンへ進み、
部分的にでも交差する場合は、補償不足か補償過多かを
判断する。なおステップ１４４がイエスのときにステッ
プ１２４のように校正完了ルーチンへ進まずに、Ｔ／Ｈ
レベルが低過ぎる場合の低ルーチンへ進むのは、プロー
ブ出力波形Ｖｉ＋二ノイズが重畳した場合を考慮したた
めである。

第５Ｃ図は補償過多ルーチンの流れ図である。

ステップ１４６：ステノプ１０４及び １２６と同様でありイエス又はノー外ら夫々終了ルーチ
ン及びステップ１４８に進む。

ステップ１４８：ＣＰｔＪ５８がプローブが補償過多状
態である旨を表示装置６６に表示する。操作者はこの表
示によりプローブ７２を適当に調整してもよい。

ステップ１５０ニステップ］、　０６及び１３０と同様
に収込みメモリ５０にデータを記憶する。この場合、ブ
ロー、ブ出力波形Ｖｉは第２図Ａ、　　Ｂ及びＣの如く
補償適正、不足及び過多のいずれかである。なお、この
ステップにおいて、Ｔ　／　Ｈレベルは第５Ａ図のルー
チンで補償過多を判断したときのままである。

ステップ１５２ニステツプ１０８及び １３２と同様に矩形波信号「高」レベル期間の最初の部
分におけるデータをＣＰＵ５８が読取る。

ステップ１５４ニステツプ１２２と同様に読取ったデー
タが「０３」か、即ちＴ／Ｈレベルがプローブ出力波形
と交差していないかを判断し、交差していればステップ
１５８に、交差していなければステップ１５６に進む。

ステップ１５６：ステップ１５２で読取ったデータが最
終データかを判断し、イエスなら「低」ルーチンへ進み
、ノーならステップ１５２に戻り次のデータを読取る。

ステップ１５８ニステツプ１１８と同様に読取ったデー
タが矩形波信号「高」レベル期間の最初のデータかを判
断し、イエスのときはステップ１６０に進み、ノーのと
きは補償過多ルーチンへ進む。

ステップ１６０：ＣＰＵ５８が次のデータを読取る。

ステップ１６２ニステツプ１２２及び １５４と同様であり、イエスのときはステップ１６４（
−、ノーのときは補償不足ルーチンへ進む。

ステップ１６４：読取ったデータが最終データならば高
ルーチンへ進み、そうでなければステップ１６０（二進
む。

このようにステップ１５２〜１５６（二よりＴ　／　Ｈ
レベルがプローブ出力波形Ｖｉと交差しないかを判…ｒ
する。矩形波信号「高」レベル全期間（二わたって交差
するときは、」二連のノイズの影響を考慮して低ルーチ
ンへ進む。ま在ヌテソブ１５８（二おいて、最初のデー
タ以外で交差しないことを示せば補償過多ルーチンに進
む。最初のデータが交差しないことを示し、２番目のデ
ータが交差したことを示す場合は、ノイズの影響を考慮
してステップ１６２（−より補償不足ルーチンへ進む。

更に全期間にわたって交差しないときは高ルーチンへ進
む。

第５１）図は低ルーチンの流れ図である。このルーチン
へ進むのは、Ｔ／１（レベルがプローブ出力波形Ｖｉの
最大ピーク値よりも微小低い（所定値ＶＲＪ２１内）か
、Ｔ　／　Ｈレベルが充分に低くて、矩形波信号「高ｊ
レベルの全期間（＝おいてＴ　／　１−ルベルがプロー
ブ出力波形Ｖｉと交差している場合である。

ステップ１６６：ステップ１０４と同じであり、イエス
なら終了ルーチンへ、ノーならばステップ１６８に進む
。

ステップ１６８：ＤＡＣ４２を制御し、Ｔ　／　Ｉ−ル
ベルを微小所定値ＶＲだけ高くする。

ステップ１７０ニステツプ１０６と同様にデータを取込
む。

ステップ１７２ニステツプ１０８と同様にデータを読取
る。

ステップ１７４：読取ったデータが交差しないことを示
せばステップ１７６に進み、交差していることを示せば
ステップ１７８　Ｅ進む。

ステップ１７６：ステップ１７２で読取ったデータが最
終データであれば校正完了ルーチンへ進み、そうでなけ
ればステップ１７２に進み次のデータを読取る。

ステ、プ１７８：Ｔ／Ｈレベルを所定値ＶＲだけ下げ、
ステップ１０６に進む。

この低ルーチンにおいて、Ｔ／Ｈレベルが全期間にわた
ってプローブ出力波形と交差しなければ、即ち矩形波信
号「高」レベルの全期間にわたって、プローブ出力波形
の最大ピーク値の微小高いレベル及び微小低いレベルの
範囲にプローブ出力波形があれば、プローブは校正状態
であり、校正完了ルーチンへ進む。また校ｉ１Ｅ状態で
ない場合は第５Ａ図のルーチンへ戻る。

第５　ｊｖ図は高ルーチンの流れ図である。このルーチ
ンへ進むのは、Ｔ　／　Ｉ−ルベルがプローブ出力波形
■１の最大ピーク値よりも所定値Ｖ　Ｒ以内で微小高い
か、Ｔ　／　Ｈレベルが充分に高くて、Ｔ／１］レベル
がプローブ出力波形Ｖｉと交差しない場合である。この
ルーチンの各ステップ１８０〜１９２は第５Ｄ図のステ
ップ１６６〜１７８と夫ルーチンにおいて、矩形波信号
「高」　レベルの全期間にわたってＴ／Ｈレベルがプロ
ーブ出力波形Ｖｉと交差すれば、即ちプローブ出力波形
の最大ピーク値の微小高いレベル及び微小低いレベルの
間にプローブ出力波形があれば、プローブは校正状態で
あり、校正完了ルーチンへ進む。また校正状態でない場
合は第５Ａ図のルーチンへ戻る。

Ｎ（５Ｉ、１図は校正完了ルーチンの流れ図であり、ス
テップ１９４によりＣＰ　ＴＪ　５．８は表示装置６６
に校正が完了した旨を表示する。そしてステップ１９６
でＴ／ＩＩレベルを所定値■Ｒだけ」１昇させてステッ
プ１．０６に戻る。

第５Ｇ図は終了ルーチンの流れ図であり、ステップ“１
９８でＲＡＭ６２ｆ二記憶されたプローブ校正モード以
前の設定値に戻し、以前の状態に戻る。

従って第５Ａ〜５Ｇ図に示した本発明の実施例によって
も、プローブの校正状態を確実に判断できる。またステ
ップ１２８，１４８及び１９４による校正状態の表示を
参照しながらプローブを調整し、校正完了の表示により
プローブ調整を止め、キーボード６４のストップ・キー
を押せば、容易にプローブの校正ができる。なお、ステ
ップ１００〜１９８は高速で実行されるので、これら　
　　１ステツプと非同期にプローブを調整できる。また
これらステップは上述の如くＲＯＭ６０に記憶されたプ
ログラムにより、ＲＡＭ６２を一時記憶回路としてＣＰ
Ｕ５８により制御される。

上述の如〈発明によればオシロスコープを利用せず（−
１確実かつ容易にプローブの校正状態を判断できる。ま
た電子測定装置がマイクロプロセッサ等のＣＰＵを具え
ていれば、第４図の実施例の如くプローブ校正判断のた
めにハードウェア的には校正信号発生器を新たに設ける
のみでよいので、構成が簡単となる。

」二連は本発明の好適な実施例についてのみ説明したが
、当業者には本発明の要旨を逸脱することなく種々の変
形変更が可能なことが理解できよう。例えば、プローブ
に供給する矩形波信号を発生する校正用信号発生器は、
非安定マルチバイブレータ等の一般のパルス発生器でも
よいし、接地レベル及び所定レベルを交互に選択するス
イッチング回路でもよい。また、この矩形波信号の振幅
はプローブの倍率により選択できる構成であってもよい
。プローブの校正状態を示す表示装置としては陰極線管
の他に、ランプ、発光ダイオード。

液晶等であってもよい。また第４図の実施例において、
校正信号発生器６８の矩形波信号を直接ＤＡＣ４４のト
リガ・レベルＴＬと比較してもよい。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１実施例の流れ図、第２図は本発明
を説明する波形図、第３図は本発明の第２実施例の流れ
図、第４図は本発明をロジック・アナライザに適用させ
る場合のロジック・アナライザ及びプローブのブロック
図、第５Ａ〜５Ｇ図は本発明の第３実施例の流れ図、第
６Ａ〜６０図は本発明の第３実施例を説明する波形図で
ある。 ３４：ロジック・アナライザ ７２ニブローブ 特許出願人二ソニー・デクトロニクス株式会社第１図 算６図 第ＳＥ図 享５Ｆ図 第５Ｇ図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. プローブに矩形波信号を供給し、上記プローブの出力信
   号のピーク値よりも微小高い第ルベル及び微小低い第２
   レベルを設定し、上記矩形波信号の一方のレベルの全期
   間において上記ｉＭ　１及び第２レベルの一方が」１記
   プローブの出力信号と交差するかを判断し、」二記第１
   及び第２レベルの他方が」−記プローブの出力信号と交
   差しないかを判断し、上記２つの判断の結果が共に肯定
   の場合上記プローブが校正されていると判断することを
   特徴どするプローブ校正判断方法。