JPH01321689A - プリント基板のめっき処理方法 - Google Patents

プリント基板のめっき処理方法

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JPH01321689A
JPH01321689A JP15621788A JP15621788A JPH01321689A JP H01321689 A JPH01321689 A JP H01321689A JP 15621788 A JP15621788 A JP 15621788A JP 15621788 A JP15621788 A JP 15621788A JP H01321689 A JPH01321689 A JP H01321689A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
hole
plating
printed circuit
circuit board
holes
Prior art date
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Pending
Application number
JP15621788A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshiichi Kobayashi
敏一 小林
Shigeru Nishizawa
西沢 茂
Yoshimi Sugimoto
義己 杉本
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Publication of JPH01321689A publication Critical patent/JPH01321689A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/42Plated through-holes or plated via connections
    • H05K3/422Plated through-holes or plated via connections characterised by electroless plating method; pretreatment therefor

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 プリント基板のめっき処理方法に関し、プリント基板に
形成された穴(スルーホール、半貫通穴)の小径化によ
るめっき欠けの発生を減少させることを目的とし、 穴明けしたプリント基板にめっきを施す前段階で、水蒸
気中にプリント基板を入れ、該プリント基板に形成され
た穴に水蒸気による結露水を充満させて穴の内部から気
泡を追い出すとともに、めっき処理液の浸透性を高める
ようにし、また、穴明けしたプリント基板にめっきを施
す段階で、めっき処理液に低級アルコールまたは界面活
性剤を添加する構成とした。
〔産業上の利用分野〕
本願発明はプリント基板のめっき処理に関し、特にプリ
ント基板に形成された穴(スルーホール、半貫通穴)の
めっき欠けの発生を減少出来るめっき処理における脱泡
方法に関する。
〔従来の技術〕
第5図、第6図は従来のプリント基板のめっき処理を説
明するための図である。一般に、多層プリント基板1で
は、表裏両面以外に更に内層に1層以上の回路配線部が
設けられ、表裏両面の導体の接続はプリント基板1に形
成されたスルーホール(貫通穴)2aにめっきすること
によって行われ、また、内層の導体と外層の導体との接
続はプリント基板1に形成された半貫通穴2bにめっき
することによって行われる。これ等スルーホール2aあ
るいは半貫通穴2b(以下特に必要ある場合を除いて穴
2と総称する)へのめっき(以下スルーホールめっきと
云う)は、銅張積層板の表面をエツチングして内層導体
パターンを形成し、プリプレグを積層して圧着し、穴明
けをした後に行われ、始めに化学銅めっき(無電解銅め
っき)を施し、更に電気銅めっきを行うという2段階の
めっきにより行われている。
このスルーホールめっきの工程において発生する問題と
して、スルーホールめっきの欠損、即ち、スルーホール
欠けがある。
このスルーホール欠けの主要な原因の一つとして、めっ
き処理特に化学銅めっき処理をする時に例えば第5図に
示すようにプリント基板1に形成されたスルーホール2
a内に気泡3が残留し、その気泡3の部分にめっき処理
液4が充分に浸透せず、プリント基板lの樹脂部の活性
化が不十分になることが挙げられている。また、第6図
に示すように半貫通穴2bにめっき処理を施す場合には
、半貫通穴2bの奥部に気泡3が残留し、めっき欠けが
生じ易いことも知られている。上記のような穴2への気
泡3の残留は、穴2が小径になればなるほど発生しやす
くなる。現在、めっきをする穴2の穴径は例えば0.3
5+n程度に小さくなってきており、今後更に小径化さ
れる傾向にあることから、プリント基板工の穴2の気泡
3の残留を防止することは、今や、きわめて重要な課題
となってきている。
従来、このような気泡3の残留を無くすためのプリント
基板1のめっき処理における脱泡方法としては、めっき
処理液4を入れた槽の内圧を減圧して、該めっき処理液
4中に浸漬されたプリント基板1の穴2から気泡3を抜
く方法が採用されている。この従来の方法では、めっき
処理液4を入れた槽の内圧が減圧されることによって気
泡3が穴2の外側に膨出するとともに、気泡3の浮力が
大きくなって穴2の外に押し出されることになる。
また、めっき処理液4に入れたプリント基板1を機械的
に揺動させることによって、穴2から気泡3を追い出す
方法も採用されていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上記減圧方法は、プリント基板lに明けられる穴2(ス
ルーホール2a、半貫通穴2b)が比較的大きいときは
それなりの効果をあげることができるが、穴2が小径化
されると気泡3を膨張させる効果が小さくなり、気泡が
穴2の外側まで膨張し難くなるので、気泡3が穴2に閉
じ込められたままとなり、スルーホール欠けが発生し易
くなる。
また上記揺動方法は、比較的径の大きなスルーホール2
aに対しては有効であるが、半貫通穴2b、特に、小径
の半貫通穴2bあるいは小径のスルーホール2aではめ
っき処理液4の流通が悪くなり、初期の効果をあげるこ
とが出来ない。
本発明は、上記の事情を考慮してなされたものであって
、プリント基板1に形成された穴2の小径化によるスル
ーホール欠は等のめっき欠けの発生を減少させることを
目的としている。
〔課題を解決するための手段〕
上記の目的を達成するために、第1図、第2図に示すよ
うに、水蒸気中にプリント基板1を入れ、2に水蒸気に
よる結露水を充満させて穴2の内部から気泡3を追い出
すとともに、化学銅めっきあるいは電解銅めっきのめっ
き処理液4の浸透性を高めるようにする。
更に、上記目的を達成するための別の手段として、穴明
けしたプリント基板1にめっきを施す工程で、めっき処
理液4に界面活性剤を添加するようにする。
〔作用〕
水蒸気は非常に微細な水の粒子を含んでいるので、微細
な径の穴2(スルーホール2 a 、半貫通穴2b)の
中に流入することができる。そして、穴2の内周面や奥
端面に接触することにより次々に結露し、次第に穴2の
内部に結露水7が充満する。この結露水7に代わって穴
2の内部の気泡3は次第に追い出されることになる。穴
2の内部が結露水7で充満されると、プリント基板1を
めっき処理液4に漬けた時に該処理液4の拡散作用ある
いは浸透作用によって穴2内のめっき処理液4の有効成
分の濃度が高められ、やがて、その他の部分と全く同じ
濃度になり、スルーホール2aの内周面、半貫通穴2b
の内周面及び奥端面に充分処理液4が浸透し、プリント
基板1の樹脂部が充分に活性化される。その結果、スル
ーホール2aの内周面、半貫通穴2bの内周面及び奥端
面にくまなく化学銅めっきあるいは電解銅めっきが施さ
れ、めっき欠けの発生が防止されることになる。
この方法に於いて、水蒸気中にプリント基板lを入れる
前にプリント基板lを冷却させておくと、結露効果を高
めてより好ましい結果を得ることができる。
更に、めっき処理液4に低級アルコールあるいは界面活
性剤を添加することにより、めっき処理液4の穴2への
浸透性、あるいはプリント基板lへの濡れ性が良くなり
、気泡3がプリント基板1から離れ易くなる。これによ
り穴2無いの気泡が除去されめっき欠けの発生が防止さ
れる。
この方法に於いて使用される低級アルコールあるいは界
面活性剤は、めっき反応を阻害することなくめっき処理
液4の基板への濡れ性を高めるものであれば特に限定さ
れるものではない。低級アルコールとしては例えば、エ
タノール、あるいはメタノール等を使用することが可能
であり、界面活性材としては非イオン性界面活性剤〔三
洋化成社製、商標ニューボールPE)を使用することが
出来る。これらの中では、取扱が特に容易で安価なエタ
ノールを使用することが推奨される。低級アルコールと
してエタノールを使用する場合、めっき処理液4中のエ
タノールの濃度を10〜30重量%とすることが好まし
い。めっき処理液4中のエタノールの濃度が10重量%
を下回る時はエタノール添加の効果が認められないので
好ましくなく、30重量%を上回るとめっき液が分離す
るので好ましくない。また、界面活性剤として非イオン
性界面活性剤を使用する場合には、0.01重量%以上
を添加することができるが、1重量%をこえて添加して
も効果は飽和するので不都合である。また0、01重量
%未満では穴2への充分な浸透性を得ることが出来ない
〔実施例 I〕
先ず、銅張積層板の表面をエツチングして内層導体パタ
ーンを形成し、プリプレグを積層して圧着し、穴明けを
して穴2 (スルーホール2a、半貫通穴2b)を形成
し、めっき処理前のプリント基板1を得る。
第1図あるいは第2図に部分的に示されたプリント基板
1は、この後、図示しない蒸気釜の中に入れられ、プリ
ント基板1の表面に結露させる。
水蒸気は非常に微細な水の粒子を含んでいるので、微細
な径の穴2の中に流入し、プリント基板1の穴2の内周
面や奥端面に接触することにより結露してこれらの面を
濡らす。更に、結露して穴2の内周面や奥端面に結露水
7が溜り、穴2の内部の気泡′3が次第に追い出され、
穴2の内部に結露水7が充満することになる。
脱泡を終了した後、プリント基板lは図示しない化学銅
めっき処理槽内のめっき処理液4中に浸漬される。そし
て、めっき処理液4中の有効成分が穴2の内部の結露水
に拡散してスルーホール2aの内周面、半貫通穴2bの
内周面及び奥端面に充分浸透し、樹脂部が充分に活性化
され、化学銅めっきが全面的に行われることになる。
更に、この後、プリント基板1は電解メツキ槽に入れら
れて電気めっきが施される。ここで、上述したようにス
ルーホール2aの内周面、半貫通穴2bの内周面及び奥
端面に充分浸透し、樹脂部が充分に活性化され、化学銅
めっきが全面的に行われているので、電気めっきも全面
的に行われることになり、スルーホール欠けはほぼ完全
に防止することができた。
尚、上記実施例において、蒸気中に入れられる前にプリ
ント基板lを充分冷やしておくと、水蒸気が冷却されて
結露効果が大きくなる。
〔実施例 ■〕
プリント基板に付着する気泡を除去するために、めっき
処理液に穴への浸透性、あるいはプリント基板への濡れ
性を高めることも一つの方法である。
以下その方法を第3図あるいは第4図に示すように半貫
通穴2を明けたプリント基板1の化学銅めっきを行う場
合を例にとって説明する。
めっき処理槽6内にはエタノールを添加しためっき処理
液4が入れられ、その液中には超音波発振器5が配置さ
れている。
このめっき処理槽6内のめっき処理液4中に、処理され
るプリント基板1を浸漬し、10分間超音波発振器5を
作動させた状態でのプリント基板1の穴2内の気泡3の
状態と、その後の気泡3の残留状態、めっき処理液4の
変化、及びめっき欠けの有無を観察した。
ここでは、エタノール添加の効果および添加可能な範囲
を調べるために、エタノール無添加のめっき処理液4と
、めっき処理液4中のエタノール濃度を10重量%、2
0重世%、30重量%、40重量%と異ならせて上記の
観察をした。
めっき処理液4にエタノール無添加の場合には、第4図
に示すように、気泡3が半貫通穴2b内で砕けて、半貫
通穴2bの壁面で細かく振動していることが観察された
。これに対して、エタノール濃度10〜30重量%の場
合には、穴2b内の気泡3が小さく砕けて、半貫通穴2
b内からめっき処理液4中に飛散して行くのが観察され
た。このような差異は、めっき処理液4にエタノールを
添加することにより、めっき処理液4の半貫通穴2bへ
の浸透性あるいは濡れ性が良くなり、半貫通穴2b内の
気泡3が半貫通穴2b外に出やすくなるからであると思
われる。
上記のようにめっき処理液4中で10分間の超音波振動
をくわえた後の気泡3の残留状態、めっき処理液4の変
化、及びめっき欠けの有無の観察結果は第1表に示す通
りである。
第1表から明らかなように、エタノールを10〜30重
量%添加した場合にはめっき欠けが発生せず、めっき状
態が改善されている。
エタノール無添加の場合にめっき欠けが発生したのは、
半貫通穴2の壁面で細かく振動している気泡3が化学銅
めっき液4の浸透を阻害し、基板1の樹脂部が充分に活
性化されなかったためであると思われる。エタノール濃
度が40重量%の場合には、めっき処理液4が分離した
ために半貫通穴2b内の気泡3の有無は確認できず、ま
た、めっき処理液4にも不溶性沈澱物が発注していた。
以上半貫通穴2bに対する例について説明したが、この
実施例は当然スルーホール2aに対しても適用でき、同
様の効果をあげることが出来る。
以上化学銅めっきに関する2つの発明に対応する実施例
をあげたが、上記2つの発明は電解めっきについても適
用できることは勿論である。
〔発明の効果〕
以上のように、プリント基板をめっき処理前に水蒸気中
におく方法によると、スルーホールあるいは半貫通穴内
で次々に結露する結露水によりスルーホールあるいは半
貫通大内の空気を排除することができる。しかも、水蒸
気中に含まれた水分はきわめて微細であるので、スルー
ホールあるいは半貫通穴が小径であってもその内部に流
入して結露することができ、小径のスルーホールあるい
は半貫通穴でも結露水によって気泡を追い出すことがで
きる。その結果、めっき処理スルーホールあるいは半貫
通穴の小径化によるスルーホール欠けが発生し難くなる
のである。
また、めっき処理液に低級アルコールや界面活性剤を添
加する方法によると、めっき処理液のスルーホールや半
貫通穴への浸透性あるいは濡れ性が改善され、その結果
、スルーホールあるいは半貫通穴部の気泡の残留による
めっき欠けを無くすことができる。
【図面の簡単な説明】 第1図は本発明の一実施例を説明するプリント基板のス
ルーホール部の断面図、第2図は本発明の一実施例を説
明するプリント基板の半貫通穴部の縦断面図、第3図は
別の発明の一実施例に係るめっき処理装置の要部の構成
図、第4図は同じ装置を使用してエタノール無添加状態
での超音波振動による化学銅めっき中の穴内気泡の状態
を示す説明図、第5図は従来のプリント基板のめっき処
理におけるスルーホール部の断面図、第6図は従来のプ
リント基板のめっき処理における半貫通穴部の縦断面図
である。 図中、 ■・・・プリント基板、 2 (2a、2b)・・・穴、 3・・・気泡、 4・・・めっき処理液、7・・・結露
水。 本光I!月υス)レー爪−ル實p断面図第 1 図 v42 図 Pln IEy14r8nE41’x図第3図 第4図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 〔1〕穴明けしたプリント基板(1)にめっきを施す前
    段階で、水蒸気中にプリント基板(1)を入れ、該プリ
    ント基板(1)に形成された穴(2)に水蒸気による結
    露水(7)を充満させて該穴(2)の内部から気泡(3
    )を追い出すとともに、めっき処理液(4)の浸透性を
    高めることを特徴とするプリント基板のめっき処理方法
    。 〔2〕前記水蒸気中にプリント基板(1)を入れる前に
    、一旦プリント基板(1)を冷却する請求項1に記載の
    プリント基板のめっき処理方法。 〔3〕穴明けしたプリント基板(1)にめっきを施す工
    程で、めっき処理液(4)に低級アルコールまたは界面
    活性剤を添加した液を用いることを特徴とするプリント
    基板のめっき処理方法 〔4〕エタノールを10〜30重量%添加する請求項3
    に記載のプリント基板のめっき処理方法。
JP15621788A 1988-06-23 1988-06-23 プリント基板のめっき処理方法 Pending JPH01321689A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04208595A (ja) * 1990-12-03 1992-07-30 Fujitsu Ltd プリント配線板の小径孔内の脱泡方法
JPH0690074A (ja) * 1991-02-14 1994-03-29 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 超小型電子回路パッケージの製造方法
JP2011052263A (ja) * 2009-09-01 2011-03-17 Yamada Mekki Kogyosho:Kk メッキ方法

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