JPH01319647A - Ｎｂ↓３Ｘ系超電導材およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野−１ 本発明は、臨界温度と臨界磁界が高いことで知られてい
るＮｂ３Ｇａ系あるいはＮ［）３ハ１系の超電導側およ
びその製造方法に関する。

「従来の技術−１ 臨界温度と臨界磁界が１司り優れた化合物超電導体とし
て、従来から、Ｎｂ３Ｓｎ、　ＶｚＧａ、　Ｎｂ、Ｇａ
。

ＮｂｓΔｌなどのＡＩ５型化合物が知られている。

これらのＡＩ５型化合物超電導体において、Ｎｂ。

Ｓｎ、Ｖ、、Ｇａなとの化合物超電導体を用いた超電導
線は、外部拡散法あるいは内部拡散法などを応用した種
々゛の製造方法の開発により実用化が進められ、Ｎ　ｂ
　３　Ｓ　ｎ系あるいはＶ　３Ｇ　ａ系の超電導線、ま
たは超電導マクネットとして実用に供されるに至ってい
る１、 ところか、＋ｉｉｊ記△１５型化合物超電導体において
、Ｎｂ３Ｇａ、　ＮｂＪＡＩなどの化合物超電導体は、
平衡状態で（」その組成が化学量論比よりムＧａあるい
はＡＩか少ない方に４−れる傾向があるために、従来知
られている平衡状態におけろ拡散法を利用した製造方法
を実施した場合、化学量論組成比に合致しない組成であ
って、著しく臨界温度の低い化合物超電導体が生成され
ろ問題があった。

従って従来、ＮｂｚＧａあるいはＮ［）３△１化合物超
電導体を製造する場合（」、蒸着法などの特別な製造方
法を用いて強制的に組成を揃えろか、あるしくｊ、前記
化合物超電！４体が１４００℃以１′、の高温で安定な
相であることを利用して１４００°Ｃ以」−の高温にお
（する溶融反応を行ってこれらの化合物超電導体を生成
上ろことか可能であった。

［−発明か解決１．ようとずろ課題」 ところか１１１１述の蒸着法では、製造できる化合物超
電導体の大きさに限界があり、線側などの長尺物に（」
適用できない欠点がある。

また、＋４００’Ｃ以上の高温に加熱して溶融反応を生
じさせる製造方法では、安定化１月１などを含ぬた線材
化を考慮した場合、１７１００℃以上の高温の熱処理に
耐えろる構造］」か見当たらなし１問題がある。１．か
しこのような高温に加熱するごとにより生成さＵた化合
物超電導体の結晶粒（」、高温熱処１１１の影響で粗大
化しているために臨界電流密度が低い問題がある。

ところで、例えば、Ｎｂ３Ｇａ系の化合物超電導線を溶
融反応法を応用して製造しようとずろ場合、第１０図と
第１．１図を基に以下に説明する方法を実施できること
が想定できる。

まず、Ｎｂ製の管体ｌの内部にＧ　ａ製のロット２を挿
入して複合体３を作成し、この複合体３を１４００℃以
」二で加熱してＮ　ｂと（Ｊ　ａとの間に溶融拡散反応
を生じさせ、管体１とロッド２の境界部分に第１＋図に
示ｔようにＮｂ、Ｇａからなる化合物超電導層４を生成
させることによりＮｂ３Ｇａ系の超電導線５を製造でき
る。

ところが前述の方法で製造されたＮｂ３Ｇａ系の超電導
線５においては、管体Ｉとロッ）・２の境界部分に化合
物超電導層４を生成できろものの、線材の中心部側に（
」未反応のＧａか残留し、しかも未反応（Ｊ　ａの内部
にボイドＣ）か生成されてしまう問題かある。なお、線
（Δの中心部に残留するＧａの融点は２９７８°Ｃてあ
ろのて線材の内部にこのような低融点物質が残留するこ
と自体好ましくない。

一力、ＮｂａＧａ系のテープ状の超電導導体を製造しよ
うと４′る場合、第１２図と第１３図を基に以下に説明
４−ろ方法を実施できることが想定できる。

まず、第１２図に示ｄ−ように、Ｎ　ｂからなるテープ
＋Ａ’　７の上面にＣｘ　ａからなる。ノソギ層８を形
成し、両名を１４００℃以１−に加熱して溶融反応を生
じさＵろことにより、テープ＋Ａ７の−１−、部に第１
２図に示すようにＮｂＪＧａからなる化合物超電導層９
を生成できろ。

ところがごのような方法で（」、Ｇ　ａの融点か極めて
低い関係から１４００℃以十に加熱４−ろ熱処理時のＧ
ａの蒸気圧は極めて高くなり、熱処理中にＧａが蒸発し
て消失する傾向があるために、生成されたＮ　＋）　３
　Ｇ　ａ超電導体においてＧａ含有量が著しく不足し、
Ｎ　ｌ）　３　Ｇａ超電導体の化学ｊｔ論組成がくずれ
、結果的に優れた超電導特性を得ろことができない問題
がある。まノこ、この製法で得ら相た超電導体は結晶粒
が粗大化しているために、臨界電流密度が低くなる問題
がある。

以上のような背景からＮｂａＧａ系あるいはＮｂ３△１
系の超電導線の製造方法が種々試ゐられて（Ｊいろが、
Ｉ　０００℃以Ｆの温度で行う熱処理により特性の優れ
ノコ超電導線を製造４゛ろ何効な方法は未だ開発されて
いないのが現状である。ところが最近本発明者らはＡ、
ｇ基地の内部で拡散反応を生しさＵることにより、特性
の優れたＮｂ５ＧａあるいはＮ　ｌ）ｓ　Ａ、　Ｉを生
成できることをり、１１見した。

本発明は前記背景に鑑ゐろとともに本発明者゛らが知見
した内容に括いてなされたもので、化学は論組成に合致
した組成であ−）で臨界温度と臨界磁場のｔ＝ｂ　Ｌ）
Ｎ　ｂ３Ｘ系超電導（Ａを提供するごと、お上び、６０
０〜１０００’ｃに加熱する熱処理で前記Ｎｂ、、Ｘ系
超電！４１Ａを製造てきろ方法をＩＪＩ供するごとを「
Ｉ的とする。

［−課題を解決するための手段−１ 請求項１に記・Ｉ戊１．た発明（Ｊ前記課題を解決］゛
るノごめ（こ、ＮＬ＋Ｘ（ノニだし、　ｘ　ｕ　Ａ　＋
あるし）ｉ」Ｇａを水上）系超電導祠にＹ３いて、Ａｇ
’Ｊ：たはＡｇ合金からなろＪ■（地の内部に、Ｎ１）
、△１あろいはＮ　１１３　Ｇ　ａからなる繊賄状の超
電導フィツメントを多数分散してなるものである。

請求項２に記載した発明１Ｊｌｉｉｊ記課題を解決する
ノこめに、Ａｇ」：た（」Ａｇ合金からなる基地の内部
て）じ索ＸとＮｂとの拡１″？Ｉ反応を生しさＵてＮｂ
、Ｘ超電導体を生成させるしのである。

請求項３に記載した発明は、前記課題を解決するために
、Ｎｂ、Ｘ（たたしＸ　＋」ｉ　Ａ　＋あろいｉ：ｌ：
　Ｇ　ａを示ず）系の超電導線材の製造方法において、
Ａ、ｇまた（」Ａｇ合金からなる基地の内部にＮｂの樹
枝状晶か分散されてなるインザイチコインゴットを溶製
し、このインサイチーフィンゴツトを加圧してテープ状
あるいは線状の基（オを溶製し、この括（」にΔ１ある
いはＧａを含有４′る添加材を一体化して複合体を作成
し、次いでこの複合体を６００−＋０００°Ｃて加熱す
る熱処理を族４−乙のである３、１作用−１ Ａｇ＋：たはＡｇ合金からなる基地の内部でＮ　ｔ、＋
と元素Ｘを拡散反応させるために、６００〜１０００°
（：で行う熱処理により化学量論組成に合致した超電導
特性の優れたＮｂ３Ｇａ系あるいはＮｂ３Δ１系の超電
導体が生成する。

ＡｇまたげＡ、ｇ合金からなる基地の内部にＮｂの樹枝
状晶を分散させた基（」に、Δ１あるいはＧａを拡散さ
せてＮｂ、ｌΔ１あるいはＮｂａＧａ化合物超電導体を
生成させるので、６００〜Ｉ　０００　’Ｃの温度で行
う熱処理により、組成が整一で超電導特性に優れ、機械
強度も高いＮｂ３Δ１あるいｔＪ’、　Ｎ　ｂ　３　Ｇ
　ａ化合物超電導材が得られる。

［実施例　］ 第１図ないし第５図は、Ｎ　ｔ、＋　３Ａ　Ｉ系の超電
導線の製造方法に適用した本発明方法の一例を１悦明す
るためのちので、第１図に示す超電導線Ａを製造ｄ−る
に（ｊ、ます、秀導加熱溶解法などの手段によりＡｇ−
Ｎｂ合金からなる第２図に示すインザイヂコインコソト
１０を溶製４゛ろ３、このインサイヂコインゴッｌ−１
，０ｆ」、ＡｇまたはＡｇ合金からなる基地１１の内部
にＮｂからなる樹枝状晶Ｉ２が多数分散された構造のち
のである。

次に、インザイヂ＝！インゴノ）・１０を鍛造加工ある
いはｉｌ／１’　シノール加工なとの方法で所望の直径
まで縮径して第３図に不正インザイヂョ線１３を作Ｉ戊
６′ろ。ｉｉ’ｊ　７＋己インザイヂコインコ゛ノド１
０は八ｇまたはＡｇ合金からなる。１］（地１１の内部
にＮ　ｂの樹枝状晶か分散された構造で加工性に富むの
で、加工中に断線などを引さ起ご４−ごとなく容易に縮
径加圧かてきろ。前１記インザイヂコ線Ｉ３の内部に（
ｊ前記Ｎｂの樹枝状晶か変形されてなる繊維状の連続あ
るい（Ｊ不連続の繊維状のフィラメンｌ−１４がインサ
イヂ、線１３の長さ方向に揃って多数分散さＳ′ｌた構
造となっている。

次に前記インザイチご！線１３を複数本（この例では６
本）用意するとともに、Ａｌ製の芯線（添加材）１５の
周囲に第４図に示すように束ねて配置し、仝休を′１゛
ａあるいＩ：Ｊ　Ｎｂからん゛る管体１６に収納し２、
更に純Ｃｕ製の管体Ｉ７に収納ｊ７て複合体Ｉ８を作成
する。

次いでこの複合体１８を所望の直径まで縮径して第５図
に示す素線Ｉ９を得る。この素線１９は、前記芯線１５
が縮径された芯部２０を中心部に備え、その外方にイン
ザイチュ線Ｉ３を圧密した圧密層２Ｉが形成され、更に
その外方にｎｉｊ記管体Ｉ６が縮径された拡散バリア層
２２と、前記純Ｃｕ製の管体１７が縮径された安定化層
２３か形成された構造となっている。

次に前記素線１９に拡散熱処理を施す。この拡散熱処理
は真空雰囲気あるいは不活性カス雰囲気などにおいて、
６００〜１０００℃て、よりＱｆま１、＜は６００〜９
５０°Ｃて数時間〜数百１＋！ｉ間加熱することで行う
。この拡散熱処理により芯部２０の△ｌが圧密層２Ｉ側
に拡散し、月密層２１の内部のＮ　ｂフィラメノトと反
応してＮｂ５Ａ＋系の超市導フィラメンｌ−Ｐか生成さ
れ、第１図に７」マす超電導線Ａを得ろごとがてきろ６
、Ｃお、前１肥圧密層２Ｉの外方に（」拡散バリア層２
２が形成されているため１こ、拡散熱処Ｔ１１１時？、
＝ＡＩｆＪ拡散バリア層２２の外側に拡散するごとかム
＜、１々定化層２３の１０染を阻止できろ。

以−１−の製造方法により、６００−１０００’Ｃ程度
の／ｌｌｌ！ｌ瓜に加熱４−る熱処理であっＣｂ化・下
晴論組成に合致した組成のＮｂｌΔＩ化合物超電導体を
生成さ口ろごとができろ。」］ノご、熱処理温度を６０
０〜１０００°Ｃにできるので、生成される化合物超７
１１導体の結晶１′！γの粗大化を抑制することができ
、微細ム゛結晶拉のＮｂ：＋△）超電導体を生成させる
ごとができる。従−１て臨界電流密度が高く、臨界温度
も高い優れたＮｂ、、ＡＩ系の超゛市η線（超′市導１
）Ａを１１Ｊるご七かてきろ。更に、１）１ｊ記超電埠
線Ａ　＋、Ｊい△ｇｔた（ｊΔｇ合金からなる基地１１
の内部に微細な繊維状の超電導フィラメントＦか多数形
成され、各超電導フィラメントＰか基地ＩＩを強化して
いるので、超電導線Δの機械強度が向上しているとと乙
に、機械歪に、Ｌる臨界電流牛、）性の劣化も少なＬ）
。

な、［へ通常の平衡状態におし）て、６００　”　ｌ　
０ｏｏ０ｃで行う拡散反応によりＮ　ｂ表ＡＩの反応か
らＮｔ、＋３Δ１を生成させた場合は、化学量論組成か
ら一４゛れた組成の超電導化合物が滑−成される（ば１
向があるが、ごの例の如く、ＡｇまたはＡｇ合金からな
る坊地１１の内部にＮ　ｂのフィラメンＩ・１４を分散
さ且たインザイヂ：Ｉ綜１３に、ＡＩを６００−１００
０　℃で拡散反応さＵた場合ＩＪＩ、’ＪＬＪが何等か
の触媒効果を発揮オろために化学量論組成に合致した化
合物超電導体か生成するものと本発明者は推定している
。

／、Ｊ′お、前述の例でｔＪＮｂ３Δｌ系の超電導Ｈの
製造方法に本発明方法を適用した例について説明したか
、複合体１８の内部に配する芯線１５をＧａから形成す
るならば、Ｎｂ３Ｇａ化合物超電導線を製造することが
できろ。まノー、複合体１８の内部に配する芯線Ｉ５は
複数であっても良いし、芯線１５を設（Ｊる位置は中心
部以外でも差（、支えない。

一方、息子に、本発明方法をＮｂ３Ｇａ系超電導桐の製
造方法に適用した例について第６図ないし第９図をジ１
（に説明する。

ごの例を実施４−ろに（ｊ、ま」、第２図に示ケイノザ
イヂコインゴットＩ　Ｏと同宿の１°１１１造の第６図
に示すインザイチコイノコ゛ソト５０を作成する。

このインザイヂ：］イン＝Ｊソ）・５０は、Ａｇまたは
Ａｇ合金からなる基地５１の内部にＮ　ｂの樹枝状晶５
２が多数分散された構造となっている。

次にこのインザイヂュ、インゴッｈ　５０を圧延加工あ
るいは鍛造加土して第７図に示すインザイヂコテープ２
４を作成する。このインザイヂコテープ２４（ｊ第３図
に示］−インザイチコ線Ｉ３と同様に、八ｇ」［たはＡ
ｇ合金からなる基地の内部にＮ　ｌ）からなる連続ある
いは不連続の繊維状のフィラメント２５か多数分散さ矛
またｌ：、Ｗ　迅である。

次に［）［ｊ記インザイチｒノテープ２４の外面に第８
図に示中浸漬装置Ｓを使用してＧ　ａからなる被覆層（
話力１０Ａ）２６を形成する。

ｎＵ記浸／ｉｌｉ装置Ｓ　１７、ハｒガスなよの不活性
カス雰ｕｒ（気に維持可能な調整室３０の内部にインダ
クノヨンヒータなどの加熱ヒータ３１と、この加熱ヒー
タ３１により加熱される容器３２とを主体として構成さ
れ、容器３２の内部に（Ｊグラフアイ）・製の案内＝１
０３３．３４が設置されろととムに、容器３２の上方に
も案内コロ３５．３６，３７．３８が設（づられていて
、案内コ〔）３３〜３８に沿−）で第７図に示すインザ
イヂュテープ２４を案内した場合に、インサイヂコテー
プ２４が容器３２の内部を通過できるように各案内コｏ
　３３〜３８が配置されている。また、容器３２の内部
には加熱ヒータ３１により加熱溶融された状態のＧａの
溶湯３９が収容されている。

調整室３０の内部を不活性ガス雰囲気としたならば、案
内コロ３３〜３８によってインザイヂ、１テープ２７Ｉ
をＧａの溶湯３９に浸にｉして所定の速度で引き−１−
げる。この操作によ−・−ζ第７図に示セような被覆層
２６をインザイチコフ・−プ２４の外周面に形成（２て
テープ状の複合体４０を得ることができろ。

次にこのフ゛−プ状の複合体／１０を１１１ｊ記の例と
同＋？Ａに６００〜Ｉ　（］　ＯＯ℃て熱処理ずろ七被
覆層２６のＧ　ａをインザイチコう゛−プ２　ｌＩの内
部側に拡散さＵ′ろごとかてき、これによ−）で第９図
に示−計ようにＡｇよへｉｊＡｇ合金からなろ基地４Ｉ
の内部に多数の繊ｉイｆ状の超電導フィラメン）・ｌ）
をイ１−：　Ｉｉｋさ口て超ｔ［ｌ導テープ（超電導材
）Ｂを得ろことができろ。

この、）、うに製造された超電導テープＦ３にあ、−１
でら先に説明した場合と同一イｉの効果を得ろことがで
きる。なお、第１２図と第１３図を、２１（に説明（２
だ従来例にあ−、て（ｊ、１４００°Ｃ以１−の高温に
加熱する必要か、パうり、このような品ｌｉｎ’ｔに加
熱した場合にＩＪ：　Ｇ　；１か蒸発して１１＆少七ろ
問題かぁ−、］ごか、この例の製ノｚ方法では６００〜
＋０００’Ｃで熱処理可能てあろのて、Ｇ　ａの蒸発に
よろ減少を従来より少なくすることかてき、インザイチ
コテープ２４内のフィラメント２５に１−分な量のＧａ
を拡散さセろことがて１Ｓるのて化学量論組成に合致し
た特性の優れノこ超、（Ｌ心フィラメントＩ２を生成さ
して超電導テープＩ３を得ることができろ。

なおごの例では、インザイチご１テープ２４に被覆層２
６を形成して超電導テープ１３を作成したが、先に説明
したインザイチコ線１３に被覆層２６を形成して熱処理
を行−・て超電導線を製造−４〜ろことムできろ。

］−製造例１１ Ａｇ−２０ｗｔ％Ｎｂ 製し、直径２　０　ｍｍのインザイチコインゴツトを作
成した。次にこのインザイチュインゴヅＩ・を鍛造加二
［および溝ロール加工により縮径して直１￥３ｍ１１の
インザイヂュ線を得た。次に、純△１製の直径３ｍｍの
芯材の周囲に前記インサイチ．，腺を６木集合して束ね
、外径１５ｍｍ、内径１０ｍｍのＮｌｌ管に全体を挿入
し、更にこれを外径２０ｍｍ、内径１６ｍｍ０′）Ｃｕ
管に挿入し、縮径加工を施して直ｉ￥０７ｍｍの複合体
を得た。

次にこの複合体をへｒガス雰囲気中において、６００℃
で４［」間加熱し、更に、８００’Ｃて１「１間加熱す
る熱処理を行い、Ｎｔ：＋、６Δ１系の超電導線を　ｊ
（ｊ　　〕こ　。

得られた超電心線の臨界温度（Ｔｃ；　ｍｉｄ　！’）
ｏｉｎｔ）ｉＪ：　Ｉ　７　、　８　Ｋを示し、臨界電
流密度（、Ｉｃ）ｆｊ：　Ｉ　０　１’（テスラ）の磁
場中において２×ＩＯ″′△／ｃｍ２の優秀な値を発揮
した。

［製造例２−］ Ａｇ−２０ｗｔ％Ｎｂ 製し、直径２０ｍｍのインザイチュインコソトを得た。

ごの後に鍛造加」、と１７１ｔ　Ｌ’Ｖ−ル加二［を行
１・て幅３ｍｍ、厚さ０．５ｍｍのインザイヂ，テープ
を作成した。このインザイヂコテープを６００℃に保温
された（Ｊ　ａ溶湯に線速５ｍ／分て連続的に浸漬し２
て引き］−げてＧａメノギ層を形成した。このＧ　ａメ
ノニ）−層の厚さｉＪ：４０，！ｙｍてあー・ノこ。

次いてこのチープレをＡｒカス雰囲気中において６　０
　０　０（ンζ２「１間、更に８　０　０　℃で１［、
１間加熱する熱処理を施してｌ’ＪｂａＧａ超電導テー
プを得た。

ごの超電導テープの臨界温度（Ｔｃ：　ｍｉｄ　ｐｏｉ
ｎｔ）ハＩ　８　、　５　Ｋを示し、臨界ｄｉ　ＭＥ密
：隻ハＩ　Ｏ　’Ｉ’　０’）　磁場中において２ｘ１
０５△／ｃｍ２の優秀な値を発揮した。

［発明の効果」 以ト説明したように本発明は、Ａｇまた（」Δｇ合金か
らなる基地の内部にへ１）、Ａ１あるいはＮｈ．Ｇａ超
電導フィラメントを配してなる構造のために、６００〜
１０００℃の熱処理によるＮ　＋．）とＡ１の拡散反応
、あるいｌ：ｌ　Ｎ　ｂとＧａの拡散反応により超電導
フィラメントを生成さ且て製造することができる。また
、従来に比較して低０温度で行う熱処理により超電導フ
ィラメントを生成さ且るので、超電導フィラメン］・の
結晶粒の１′ｆ１大化が抑制されて微細な結晶粒の超電
導フィラメントか得られる。

従−１て臨界温度と臨界磁場の高い優れたＮ１ｇＧａ系
あるいはＮｂ５Ａ＋系の超電導材を提供ｉ−ろごとかで
きる。

また、インザイヂニ１インニ１ソｊ・を力］ｊ玉し，て
Ｇａあろい（」Ａ１を６００〜＋　０　０　０　°Ｃて
拡散さ口ろ方法により、結晶粒か微細で組成の整った臨
界電流密度の高（ハＮｂａ　Ｇ　ａ系あろい（：ｌ　Ｎ
　ｈａＡｌ系の超電導体を／１成させることができる。

また、インザイチ：Ｉイン二ノ゛ツｊ・（Ｊ加−１，性
に優れるので断線ム゛とのトシフルを生しろごとなく縮
径加工するごとがてきる。更に、ｉ５Ｉられた超電導し
くＪ、Δｇまたｆ、１：　Ａ　ｇ合金からム゛ろ、２１
（地を超電導フィラメンｊ・で補強した構造となるので
、機賊強度か高く機（成子が生し。

た場合でも臨界電流時）ゾ１が低−１・しなＬ）（９れ
たＮｂ。

Ｇａ系あるいはＮ１）３Δ１系の超電導材を得ろことが
できろ１゜ ４　図面の簡＋ｌｊ、　／６．説明 第１図ないし第５図（」、本発明の一実施例を示す乙の
で、第１図は超１（ｉ導線の断面図、第２図（」イン→
］゛イヂコインゴソ］・の断面図、第３図（」インザイ
チコ線の断面図、第・１図はインザイチコ線の集合状態
を７トす断面図、第５図は素線の断面図、第６図なり、
ＩＬ第９図は本発明の他の実施例を説明ケろ丸めの乙の
て、第０図（Ｊインツ゛イチ：２イン−１ソトの断面図
、第７図（」インザイチコナーブと複合体の断面図、第
８図（」浸漬装置を示す構成図、第９図（Ｊ超電導材の
断面図、第１Ｏ図と第１Ｉ図は従来の製造方法の一例を
示オムので、第１Ｏ図（」Ｎ　ｌ）管とＧａロッ）・の
複合状態を示４−断面図、第１１区１は超電導線の断面
図、第１２図と第１３図（」従来の製造方法の他の例を
示すもので、第１２図は複合アープの断面図、第１３図
（」超電導アープの断面図である。

Ａ　超電導線（超電導Ｈ）、 １０．５０　　インザイヂご１インゴツト、Ｉｆ、５１
　　基地、１２．５２　　樹枝状晶、１３　インザイヂ
ュ線、Ｉ５　芯線（添加（Δ）、１４、．２５　　フィ
ラメンＩ・、１８．４０　　複合体、２４　インザイヂ
ュフ゛−ブ、２６　被覆層、Ｉ３　　超電導テープ（超
電導材）、４Ｉ　基地、１＝’　　超電導フィラメンＩ
・４゜

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）Ｎｂ＿３Ｘ（たたしＸはＧａあるいはＡｌを示す
   。）系超電導材において、ＡｇまたはＡｇ合金からなる
   基地の内部に、Ｎｂ＿３Ｘからなる化合物超電導フィラ
   メントを多数分散させてなることを特徴とするＮｂ＿３
   Ｘ系超電導材。
2. （２）Ｎｂ＿３Ｘ系超電導材の製造方法において、Ａｇ
   またはＡｇ合金からなる基地の内部で元素ＸとＮｂとの
   拡散反応を生じさせてＮｂ＿３Ｘ超電導体を生成させる
   ことを特徴とするＮｂ＿３Ｘ系の超電導材の製造方法。
3. （３）Ｎｂ＿３Ｘ系超電導材の製造方法において、Ａｇ
   またはＡｇ合金からなる基地の内部にＮｂの樹枝状晶が
   分散されてなるインサイチュインゴットを溶製し、この
   インサイチュインゴットを加工して線状あるいはテープ
   状の基材を作成し、この基材にＧａあるいはＡｌを含有
   する添加材を一体化させて複合体を作成し、次いでこの
   複合体を６００〜１０００℃で加熱して複合体の内部に
   Ｎｂ＿３Ｘ超電導体を生成させることを特徴とするＮｂ
   ＿３Ｘ系超電導材の製造方法。