JPH013135A - 高純度m−エチルフェノ−ルの回収方法 - Google Patents
高純度m−エチルフェノ−ルの回収方法Info
- Publication number
- JPH013135A JPH013135A JP62-156987A JP15698787A JPH013135A JP H013135 A JPH013135 A JP H013135A JP 15698787 A JP15698787 A JP 15698787A JP H013135 A JPH013135 A JP H013135A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ethylphenol
- crystalline aluminosilicate
- zsm
- catalyst
- reaction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- HMNKTRSOROOSPP-UHFFFAOYSA-N 3-Ethylphenol Chemical compound CCC1=CC=CC(O)=C1 HMNKTRSOROOSPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 78
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 23
- 238000011084 recovery Methods 0.000 title claims description 6
- HXDOZKJGKXYMEW-UHFFFAOYSA-N 4-ethylphenol Chemical compound CCC1=CC=C(O)C=C1 HXDOZKJGKXYMEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 67
- IXQGCWUGDFDQMF-UHFFFAOYSA-N o-Hydroxyethylbenzene Natural products CCC1=CC=CC=C1O IXQGCWUGDFDQMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 63
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 43
- 229910000323 aluminium silicate Inorganic materials 0.000 claims description 25
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 24
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 13
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 13
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 7
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 7
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 6
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 5
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 claims description 3
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims description 2
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 26
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 13
- PFEOZHBOMNWTJB-UHFFFAOYSA-N 3-methylpentane Chemical compound CCC(C)CC PFEOZHBOMNWTJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 9
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 8
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 239000000047 product Substances 0.000 description 7
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 6
- 239000012263 liquid product Substances 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N Ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1 YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003905 agrochemical Substances 0.000 description 4
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 4
- 239000000543 intermediate Substances 0.000 description 4
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical group [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Chemical class 0.000 description 3
- PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 2-(3-bromo-2-fluorophenyl)acetic acid Chemical compound OC(=O)CC1=CC=CC(Br)=C1F PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MXVYJZNEWIGHQA-UHFFFAOYSA-N 3-ethylbenzenesulfonic acid Chemical compound CCC1=CC=CC(S(O)(=O)=O)=C1 MXVYJZNEWIGHQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BRIXOPDYGQCZFO-UHFFFAOYSA-N 4-ethylphenylsulfonic acid Chemical compound CCC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 BRIXOPDYGQCZFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000254158 Lampyridae Species 0.000 description 2
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 2
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 2
- 238000010908 decantation Methods 0.000 description 2
- MNNHAPBLZZVQHP-UHFFFAOYSA-N diammonium hydrogen phosphate Chemical compound [NH4+].[NH4+].OP([O-])([O-])=O MNNHAPBLZZVQHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 organic acid salts Chemical class 0.000 description 2
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 2
- DHEQXMRUPNDRPG-UHFFFAOYSA-N strontium nitrate Chemical compound [Sr+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O DHEQXMRUPNDRPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RLEWTHFVGOXXTN-UHFFFAOYSA-N 2,3-diethylphenol Chemical compound CCC1=CC=CC(O)=C1CC RLEWTHFVGOXXTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFABGHUZZDYHJO-UHFFFAOYSA-N 2-Methylpentane Chemical compound CCCC(C)C AFABGHUZZDYHJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGHLEPMKNSFGCE-UHFFFAOYSA-N 2-ethylbenzenesulfonic acid Chemical class CCC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O UGHLEPMKNSFGCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004254 Ammonium phosphate Substances 0.000 description 1
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K Citrate Chemical compound [O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- 229910052687 Fermium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005909 Kieselgur Substances 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000002152 alkylating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- LFVGISIMTYGQHF-UHFFFAOYSA-N ammonium dihydrogen phosphate Chemical compound [NH4+].OP(O)([O-])=O LFVGISIMTYGQHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000148 ammonium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019289 ammonium phosphates Nutrition 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- ITHZDDVSAWDQPZ-UHFFFAOYSA-L barium acetate Chemical compound [Ba+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O ITHZDDVSAWDQPZ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- VSGNNIFQASZAOI-UHFFFAOYSA-L calcium acetate Chemical compound [Ca+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O VSGNNIFQASZAOI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001639 calcium acetate Substances 0.000 description 1
- 235000011092 calcium acetate Nutrition 0.000 description 1
- 229960005147 calcium acetate Drugs 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- XGRJZXREYAXTGV-UHFFFAOYSA-N chlorodiphenylphosphine Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(Cl)C1=CC=CC=C1 XGRJZXREYAXTGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 229940011182 cobalt acetate Drugs 0.000 description 1
- QAHREYKOYSIQPH-UHFFFAOYSA-L cobalt(II) acetate Chemical compound [Co+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O QAHREYKOYSIQPH-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229910000388 diammonium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019838 diammonium phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- BEQVQKJCLJBTKZ-UHFFFAOYSA-N diphenylphosphinic acid Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(=O)(O)C1=CC=CC=C1 BEQVQKJCLJBTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 1
- 150000002085 enols Chemical class 0.000 description 1
- 229910052675 erionite Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- MIORUQGGZCBUGO-UHFFFAOYSA-N fermium Chemical compound [Fm] MIORUQGGZCBUGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000004442 gravimetric analysis Methods 0.000 description 1
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- UEGPKNKPLBYCNK-UHFFFAOYSA-L magnesium acetate Chemical compound [Mg+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O UEGPKNKPLBYCNK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000011285 magnesium acetate Nutrition 0.000 description 1
- 239000011654 magnesium acetate Substances 0.000 description 1
- 229940069446 magnesium acetate Drugs 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 229940071125 manganese acetate Drugs 0.000 description 1
- UOGMEBQRZBEZQT-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);diacetate Chemical compound [Mn+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O UOGMEBQRZBEZQT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- CAAULPUQFIIOTL-UHFFFAOYSA-N methyl dihydrogen phosphate Chemical compound COP(O)(O)=O CAAULPUQFIIOTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 229910052680 mordenite Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- DLRJIFUOBPOJNS-UHFFFAOYSA-N phenetole Chemical compound CCOC1=CC=CC=C1 DLRJIFUOBPOJNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003014 phosphoric acid esters Chemical class 0.000 description 1
- FAIAAWCVCHQXDN-UHFFFAOYSA-N phosphorus trichloride Chemical compound ClP(Cl)Cl FAIAAWCVCHQXDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 229910052705 radium Inorganic materials 0.000 description 1
- HCWPIIXVSYCSAN-UHFFFAOYSA-N radium atom Chemical compound [Ra] HCWPIIXVSYCSAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 239000010454 slate Substances 0.000 description 1
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- CYTQBVOFDCPGCX-UHFFFAOYSA-N trimethyl phosphite Chemical compound COP(OC)OC CYTQBVOFDCPGCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000002351 wastewater Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はm−エチルフェノールの回収方法に関し、詳し
くはm−およびp−エチルフェノールを含有するエチル
フェノール混合物を特定の触媒と加熱下接触させること
によりp−エチルフェノールを選択的に脱アルキル化さ
せてフェノールおよびエチレンに分解し、高純度のm−
エチルフェノールを回収する方法である。
くはm−およびp−エチルフェノールを含有するエチル
フェノール混合物を特定の触媒と加熱下接触させること
によりp−エチルフェノールを選択的に脱アルキル化さ
せてフェノールおよびエチレンに分解し、高純度のm−
エチルフェノールを回収する方法である。
m−エチルフェノールは医薬・a薬の中間体として有用
であるが、医薬や農薬は直接、間接に人命に関わるもの
であり、製品となった場合に不純物の混在は許されない
。従って医薬・農薬の製造においては原料や中間体とし
ても可能な限り高純度のものが望ましく、m−エチルフ
ェノールも医薬・農薬の中間体として使用する場合には
高見・純度が要求される。
であるが、医薬や農薬は直接、間接に人命に関わるもの
であり、製品となった場合に不純物の混在は許されない
。従って医薬・農薬の製造においては原料や中間体とし
ても可能な限り高純度のものが望ましく、m−エチルフ
ェノールも医薬・農薬の中間体として使用する場合には
高見・純度が要求される。
(従来の技#)
従来、m−エチルフェノールを製造する方法としては、
エチルベンゼンをスルホン化し、得られたエチルベンゼ
ンスルホン酸混合物から、m一体以外のエチルベンゼン
スルホン酸を加水分解し、残ったm−エチルベンゼンス
ルホン酸をアルカリ融解する方法があり、これは古くか
ら工業的に実施されている。
エチルベンゼンをスルホン化し、得られたエチルベンゼ
ンスルホン酸混合物から、m一体以外のエチルベンゼン
スルホン酸を加水分解し、残ったm−エチルベンゼンス
ルホン酸をアルカリ融解する方法があり、これは古くか
ら工業的に実施されている。
また、フェノールをエチレン、エタノール等でアルキル
化するとエチルフェノールの異性体混合物が得られるこ
とも知られている(I+!J公昭43−53、米国考許
第4.532,368号)。
化するとエチルフェノールの異性体混合物が得られるこ
とも知られている(I+!J公昭43−53、米国考許
第4.532,368号)。
しかし、エチルフェノールのうちm−エチルフェノール
とp−エチルフェノールは沸点が極めて近接しているた
めエチルフェノール混合物からm−エチルフェノールを
蒸留して単離することは殆A7ど不可能であり、フェノ
ールのエチル化物からm−エチルフェノールを精製する
工業的な方法は未だ知られていない。
とp−エチルフェノールは沸点が極めて近接しているた
めエチルフェノール混合物からm−エチルフェノールを
蒸留して単離することは殆A7ど不可能であり、フェノ
ールのエチル化物からm−エチルフェノールを精製する
工業的な方法は未だ知られていない。
(発明が解決しようとする問題点)
エチルベンゼンからエチルベンゼンスルホン酸を経てm
−エチルフェノールを得る従来からの方法は、工程数が
多く煩雑であるうえ、取り扱いの危険な硫酸およびカセ
イソーダを高温で使用するため作業環境が悪い、硫酸を
使用するため装置が経食しやすい、硫酸、アルカリなど
を含む廃水が発生する等の問題点があり新しい方法の開
発が望まれていた。
−エチルフェノールを得る従来からの方法は、工程数が
多く煩雑であるうえ、取り扱いの危険な硫酸およびカセ
イソーダを高温で使用するため作業環境が悪い、硫酸を
使用するため装置が経食しやすい、硫酸、アルカリなど
を含む廃水が発生する等の問題点があり新しい方法の開
発が望まれていた。
一方、フェノールをエチルイとする方法は工程数が少な
く操作も容易であり、エチルフェノール混合物を得る方
法として優れているが、混合物中(1) m−エチルフ
ェノールとp−エチルフェノールとの分離が困難なため
高純度のm−エチルフェノールを選択的に得ることはで
きなかった。
く操作も容易であり、エチルフェノール混合物を得る方
法として優れているが、混合物中(1) m−エチルフ
ェノールとp−エチルフェノールとの分離が困難なため
高純度のm−エチルフェノールを選択的に得ることはで
きなかった。
本発明は従来技術が持っている上記の問題点を解決しよ
うとするものである。
うとするものである。
即ち、本発明の目的はm−エチルフェノールとp−エチ
ルフェノールを含有するエチルフェノール混合物から高
純度のm−エチルフェノールを簡便に収率よく、しかも
経済的に回収する方法を提供するにある。
ルフェノールを含有するエチルフェノール混合物から高
純度のm−エチルフェノールを簡便に収率よく、しかも
経済的に回収する方法を提供するにある。
(問題点を解決するための手段)
本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた
。その結果特定の結晶性アルミノシリケート触媒を使用
するとm−およびp−エチルフェノール混合物のうちp
−エチルフェノールのみが選択的に脱アルキル化されて
高純度のm−エチルフェノールが回収できることを見い
出し本発明を完成するに至った。
。その結果特定の結晶性アルミノシリケート触媒を使用
するとm−およびp−エチルフェノール混合物のうちp
−エチルフェノールのみが選択的に脱アルキル化されて
高純度のm−エチルフェノールが回収できることを見い
出し本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明はm−およびp−エチルフェノールを
含有するエチルフェノール混合物を、制御指数が1〜1
5の結晶性アルミノシリケートにリン、マンガン、コバ
ルト、ケイ紫および周期律表第mA族から選ばれた元素
を有する1種以上の化合物を含有させたのち焼成して得
られる結晶性アルミノシリケート触媒と加熱下に接触さ
せて、p−エチルフェノールを選択的に脱アルキル化す
ることを物徴とする高純度m −エチルフェノールの回
収方法である。
含有するエチルフェノール混合物を、制御指数が1〜1
5の結晶性アルミノシリケートにリン、マンガン、コバ
ルト、ケイ紫および周期律表第mA族から選ばれた元素
を有する1種以上の化合物を含有させたのち焼成して得
られる結晶性アルミノシリケート触媒と加熱下に接触さ
せて、p−エチルフェノールを選択的に脱アルキル化す
ることを物徴とする高純度m −エチルフェノールの回
収方法である。
本発明に用いる触媒は、制御指数が1〜15の結晶性ア
ルミノシリケートにリン、マンガン、コバルト、ケイ票
および周期律表第mA族から選ばれた元素を有する1種
以上の化合物を含有させたのち焼成した結晶性アルミノ
シリケート触媒である。ここで制御指数とはジャーナル
・オブ會キャタリンス(J−Catal、、 67、2
18(1981)lに記載されているn−ヘキサンと3
−メチルペンタンの競争クラ、キングで得られる両者の
クラッキング速度の比で表わされる指数である。具体的
には、ヘリウムで5倍に稀釈したn−へキサンと3−メ
チルペンタンの等モル混合物をLH8V=1h で2
0分間触媒上を流し、得られた混合物中に残存するn−
へキサンと3−メチルペンタンの割合を測定して次の式
から求められる。
ルミノシリケートにリン、マンガン、コバルト、ケイ票
および周期律表第mA族から選ばれた元素を有する1種
以上の化合物を含有させたのち焼成した結晶性アルミノ
シリケート触媒である。ここで制御指数とはジャーナル
・オブ會キャタリンス(J−Catal、、 67、2
18(1981)lに記載されているn−ヘキサンと3
−メチルペンタンの競争クラ、キングで得られる両者の
クラッキング速度の比で表わされる指数である。具体的
には、ヘリウムで5倍に稀釈したn−へキサンと3−メ
チルペンタンの等モル混合物をLH8V=1h で2
0分間触媒上を流し、得られた混合物中に残存するn−
へキサンと3−メチルペンタンの割合を測定して次の式
から求められる。
ただし反応温度は、287〜51.0℃の範囲内で、か
つ全体の転化率が10〜60%となるような温度とする
。活性が低く510℃度下では転化率が10%に満たな
い場合はL I(S Vを小さくして転化率が10〜6
0%の範囲内に入るようにする。結晶性アルミノシリケ
ートを触媒としてこの制御指数を測定することにより、
その結晶性アルミノシリケートの相対的な細孔の大きさ
を知ることができる。即ち、n−ヘキサンと3−メチル
ペンタンのうち、相対的に分子径の小さいn−へキサン
は侵入し易いが、3−メチルペンタンは侵入困難な大き
さの細孔を有する結晶性アルミノシリケートは、1Ii
lJ御指数30以上の大きな値を示すが、n−ヘキサン
も3−メチルペンタンも比較的自由に出入りし易いよう
な大きな細孔を有する結晶性アルミノシリケートはn−
へキサンと3−メチルペンタンの固有のクラッキング反
応性に基づいて1以下の値を示す。前者の例として細孔
入口が酸素8員環で構成されるエリオナイトなどがあり
、後者の列として細孔入口が酸素12員環で構成される
希土類含有Y型ゼオライ)(REY)やH型モルデナイ
トなどがある。
つ全体の転化率が10〜60%となるような温度とする
。活性が低く510℃度下では転化率が10%に満たな
い場合はL I(S Vを小さくして転化率が10〜6
0%の範囲内に入るようにする。結晶性アルミノシリケ
ートを触媒としてこの制御指数を測定することにより、
その結晶性アルミノシリケートの相対的な細孔の大きさ
を知ることができる。即ち、n−ヘキサンと3−メチル
ペンタンのうち、相対的に分子径の小さいn−へキサン
は侵入し易いが、3−メチルペンタンは侵入困難な大き
さの細孔を有する結晶性アルミノシリケートは、1Ii
lJ御指数30以上の大きな値を示すが、n−ヘキサン
も3−メチルペンタンも比較的自由に出入りし易いよう
な大きな細孔を有する結晶性アルミノシリケートはn−
へキサンと3−メチルペンタンの固有のクラッキング反
応性に基づいて1以下の値を示す。前者の例として細孔
入口が酸素8員環で構成されるエリオナイトなどがあり
、後者の列として細孔入口が酸素12員環で構成される
希土類含有Y型ゼオライ)(REY)やH型モルデナイ
トなどがある。
本発明で使用する制御指数1〜】5の結晶性アルミノシ
リケートはp−エチルフェノールとm−エチルフェノー
ルとの分子径の差により侵入の難易が決定されるような
中程度の大きさの細孔を有し、かつシリカ/アルミナ比
が20以上のペンタシル型ゼオライトであり、例えばM
obil Oi1社が開発したZSM−5やz s M
−11(米国的許第3,709,979号)、ZSM−
12(米国特許第3.832,449号)、Z S M
−35(米国%許第4.016.245号)、ZSM
−38(米国船許第4,046.859号)などが1j
■記条件を満足することが知られている。
リケートはp−エチルフェノールとm−エチルフェノー
ルとの分子径の差により侵入の難易が決定されるような
中程度の大きさの細孔を有し、かつシリカ/アルミナ比
が20以上のペンタシル型ゼオライトであり、例えばM
obil Oi1社が開発したZSM−5やz s M
−11(米国的許第3,709,979号)、ZSM−
12(米国特許第3.832,449号)、Z S M
−35(米国%許第4.016.245号)、ZSM
−38(米国船許第4,046.859号)などが1j
■記条件を満足することが知られている。
これらの結晶性アルミノシリケートの結晶粒径は0.0
05−1OA、好ましくは0.2〜3μmである。前記
結晶性アルミノシリケートは、その電気的中性を保つた
めアルミニウム近傍に交換可能なカチオンが存在する。
05−1OA、好ましくは0.2〜3μmである。前記
結晶性アルミノシリケートは、その電気的中性を保つた
めアルミニウム近傍に交換可能なカチオンが存在する。
本発明においては、このカチオンをHまたはNH4かあ
るいは多価カチオンに交換して使用する。また、結晶性
アルミノシリケートは粉末のままか、あるいは成形して
用いることができる。成形は結晶性アルミノシリケート
単独で行なうか、または適当な結合74r1」と混合し
て行なうことができる。
るいは多価カチオンに交換して使用する。また、結晶性
アルミノシリケートは粉末のままか、あるいは成形して
用いることができる。成形は結晶性アルミノシリケート
単独で行なうか、または適当な結合74r1」と混合し
て行なうことができる。
このような結合剤としては、粘土、珪藻土、シリカ、ア
ルミナ、または金属酸化物などが挙げられる。1媒全体
中の上記結合剤の含有砂は90重量%以下であればよい
が、好ましくは2〜501J31%である。本発明で用
いられる結晶性アルミノシリケート触媒を調製するには
、附記結晶性アルミノシリケートをリン、マンガン、コ
バルト、ケイ素および周期律表第nA族から選ばれた元
素を有する1種以上の化合物と適当な方法で接触させれ
ばよく、その方法は%K 1iilJ限されない。例え
ば目11記元素含有化合物を溶媒に溶かした溶液に前記
結晶性アルミノシリケートを浸したのち溶媒をp過また
は蒸発させて除去し、次いでこれを乾燥、焼成して行な
うか、= 9 − または、前記元素含有化合物を気相で窒素、ヘリウム、
アルゴン、炭酸ガス、水蒸気等の不活性ガスと共に結晶
性アルミノシリケートと接触させたのち乾燥、焼成して
行なうことができる。
ルミナ、または金属酸化物などが挙げられる。1媒全体
中の上記結合剤の含有砂は90重量%以下であればよい
が、好ましくは2〜501J31%である。本発明で用
いられる結晶性アルミノシリケート触媒を調製するには
、附記結晶性アルミノシリケートをリン、マンガン、コ
バルト、ケイ素および周期律表第nA族から選ばれた元
素を有する1種以上の化合物と適当な方法で接触させれ
ばよく、その方法は%K 1iilJ限されない。例え
ば目11記元素含有化合物を溶媒に溶かした溶液に前記
結晶性アルミノシリケートを浸したのち溶媒をp過また
は蒸発させて除去し、次いでこれを乾燥、焼成して行な
うか、= 9 − または、前記元素含有化合物を気相で窒素、ヘリウム、
アルゴン、炭酸ガス、水蒸気等の不活性ガスと共に結晶
性アルミノシリケートと接触させたのち乾燥、焼成して
行なうことができる。
本発明でいう周期律表第1fA族元素はべり%ム、マグ
ネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、ラ
ジウムであり、好ましくはマグネシウム、カルシウム、
ストロンチウム、バリウムである。本発明で前記元素含
有化合物を溶かす溶媒としては1元素含有化合物および
結晶性アルミノシリケートに対し不活性なものであれば
よく、適当な例としては、水、芳香族および脂肪族炭化
水素、アルコール、有機酸(例えばギ酸、酢酸、プロピ
オン酸等)、無機酸(例えば、塩酸、硝酸、硫酸等)、
ハロゲンイヒ炭イニ氷禦、ケトンおよびエーテル等があ
る。−般に最も有用な溶媒は氷である。リン含有化合物
の例としては、リン酸アンモニウム、リン酸−+素ニア
ンモニウム、リン酸二水素−アンモニウム、ジフェニル
ホスフィンクロライド、トリメチルホスファイト、三塩
化リン、リン酸、ジフヱニルホスフイン酸、酸性リン酸
メチルおよびその他の酸性リン酸エステル等を挙げるこ
とができる。マンガン、コバルト、マグネシウム、カル
シウム、ストロンチウムおよびバリウム含有化合物の例
としては、有機酸塩(例えば酢酸・シュウ酸・乳酸・酒
石酸・クエン酸塩等)、炭酸塩、研酸塩、硝酸塩および
ハロゲン化物等がある。その中でも好ましいのは酢酸塩
および硝酸塩である。ケイ素含有化合物の例としては、
シラン類およびシリコーン化合物がある。シラン類とし
ては、 Rn S s (OR) 4 n (1)で表さ
れる(式(1)中、n = 0〜3、ORは炭素数1〜
6のアルコキシ基、Rは炭素数1〜6のアルキルまたは
アリール基である)アルコキシシラン類が用いられる。
ネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、ラ
ジウムであり、好ましくはマグネシウム、カルシウム、
ストロンチウム、バリウムである。本発明で前記元素含
有化合物を溶かす溶媒としては1元素含有化合物および
結晶性アルミノシリケートに対し不活性なものであれば
よく、適当な例としては、水、芳香族および脂肪族炭化
水素、アルコール、有機酸(例えばギ酸、酢酸、プロピ
オン酸等)、無機酸(例えば、塩酸、硝酸、硫酸等)、
ハロゲンイヒ炭イニ氷禦、ケトンおよびエーテル等があ
る。−般に最も有用な溶媒は氷である。リン含有化合物
の例としては、リン酸アンモニウム、リン酸−+素ニア
ンモニウム、リン酸二水素−アンモニウム、ジフェニル
ホスフィンクロライド、トリメチルホスファイト、三塩
化リン、リン酸、ジフヱニルホスフイン酸、酸性リン酸
メチルおよびその他の酸性リン酸エステル等を挙げるこ
とができる。マンガン、コバルト、マグネシウム、カル
シウム、ストロンチウムおよびバリウム含有化合物の例
としては、有機酸塩(例えば酢酸・シュウ酸・乳酸・酒
石酸・クエン酸塩等)、炭酸塩、研酸塩、硝酸塩および
ハロゲン化物等がある。その中でも好ましいのは酢酸塩
および硝酸塩である。ケイ素含有化合物の例としては、
シラン類およびシリコーン化合物がある。シラン類とし
ては、 Rn S s (OR) 4 n (1)で表さ
れる(式(1)中、n = 0〜3、ORは炭素数1〜
6のアルコキシ基、Rは炭素数1〜6のアルキルまたは
アリール基である)アルコキシシラン類が用いられる。
その中でも好ましくはORがメトキシまたはエトキシ基
であり、船に好ましいのは、n = 0であるテトラメ
トキシシランおよびテトラエトキシシランである。シリ
コーン化合物の例としてはシリコーン油およびシリコー
ングリースがある。
であり、船に好ましいのは、n = 0であるテトラメ
トキシシランおよびテトラエトキシシランである。シリ
コーン化合物の例としてはシリコーン油およびシリコー
ングリースがある。
本発明で触媒の乾燥は80〜150℃、焼成は酸素の存
在下、例えば空気中で450〜800℃の範囲で1〜2
0時間行なう。リン、マンガン、コバルト、ケイ素およ
び周期律表第BA族から選ばれた元素を有する化合物を
前記結晶性アルミノシリケートに含有させる量は、結晶
性アルミノシリケートに対し元素として0.2〜40重
量%、好ましくは0.4〜25重量%である。
在下、例えば空気中で450〜800℃の範囲で1〜2
0時間行なう。リン、マンガン、コバルト、ケイ素およ
び周期律表第BA族から選ばれた元素を有する化合物を
前記結晶性アルミノシリケートに含有させる量は、結晶
性アルミノシリケートに対し元素として0.2〜40重
量%、好ましくは0.4〜25重量%である。
本発明の実施は、前記触媒とm−およびp−エチルフェ
ノール類を含有するエチルフェノール混合物を接触させ
て、p−エチルフェノールを選が的に脱アルキル化する
ことにより行なわれる。
ノール類を含有するエチルフェノール混合物を接触させ
て、p−エチルフェノールを選が的に脱アルキル化する
ことにより行なわれる。
本発明に使用するm−およびp−エチルフェノール類を
含有するエチルフェノール混合物はm−およびp−エチ
ルフェノールの他フェノール、0−エチルフェノール、
ジエチルフェノール、フエネトール等を含んでいてもよ
い。m−およびp−エチルフェノール類を含有するエチ
ルフェノール混合物中のm−エチルフェノール/p−エ
チルフェノールモル比は、特に制限はないが高い方がm
−エチルフェノールの回収率および得られるm−エチル
フェノールの純度は高くなるので、好ましくは0.5以
上がよい。また、m−およびp−エチルフェノール類を
含有するエチルフェノール混合物は、水(水蒸気)、脂
肪族および芳香族炭化水素、窒素、ヘリウム、炭酸ガス
で希釈して反応させることもできる。
含有するエチルフェノール混合物はm−およびp−エチ
ルフェノールの他フェノール、0−エチルフェノール、
ジエチルフェノール、フエネトール等を含んでいてもよ
い。m−およびp−エチルフェノール類を含有するエチ
ルフェノール混合物中のm−エチルフェノール/p−エ
チルフェノールモル比は、特に制限はないが高い方がm
−エチルフェノールの回収率および得られるm−エチル
フェノールの純度は高くなるので、好ましくは0.5以
上がよい。また、m−およびp−エチルフェノール類を
含有するエチルフェノール混合物は、水(水蒸気)、脂
肪族および芳香族炭化水素、窒素、ヘリウム、炭酸ガス
で希釈して反応させることもできる。
好ましい希釈剤は73C(水蒸気)である。これら希釈
剤はm−およびp−エチルフェノール類を含有するエチ
ルフェノール混合物にあらかじめ混入して反応器へ送入
してもよいし、別個に反応器へ送入してもよい。反応方
式としてはバッチ式、固定床または流動床の流通式など
が挙げられるが、特に固定床流通式で行なうことが好ま
しい。反応温度は、300℃以下では反応の進行が遅く
、一方600℃以上では触媒に炭素質が析出し触媒寿命
が短くなりやすいため350〜550℃が好ましい。反
応は気相でも液相でもよいが、気相の方が好ましい。反
応圧力は、鉤に制限はないが、好ましくは50kg/i
以下である。成形融媒を用いる固定床流通式では、触媒
を基準として重量時間空間速度(WH8V)0.05〜
100h である。
剤はm−およびp−エチルフェノール類を含有するエチ
ルフェノール混合物にあらかじめ混入して反応器へ送入
してもよいし、別個に反応器へ送入してもよい。反応方
式としてはバッチ式、固定床または流動床の流通式など
が挙げられるが、特に固定床流通式で行なうことが好ま
しい。反応温度は、300℃以下では反応の進行が遅く
、一方600℃以上では触媒に炭素質が析出し触媒寿命
が短くなりやすいため350〜550℃が好ましい。反
応は気相でも液相でもよいが、気相の方が好ましい。反
応圧力は、鉤に制限はないが、好ましくは50kg/i
以下である。成形融媒を用いる固定床流通式では、触媒
を基準として重量時間空間速度(WH8V)0.05〜
100h である。
以上の条件下における本発明の回収方法は概して、m−
およびp−エチルフェノールを含有するエチルフェノー
ル混合物を350〜550℃で前記触媒を接触させるこ
とにより、p−エチルフェノールは触媒細孔内へ拡散し
、脱アルキル化ヒされてエチレンと7エノールに分解す
る。
およびp−エチルフェノールを含有するエチルフェノー
ル混合物を350〜550℃で前記触媒を接触させるこ
とにより、p−エチルフェノールは触媒細孔内へ拡散し
、脱アルキル化ヒされてエチレンと7エノールに分解す
る。
−)5、m−エチルフェノールはp−エチルフェノール
に比べて分子径が大きいので触媒細孔内への拡散速度が
非常に遅いためほとんど反応しない。このようにしてp
−エチルフェノールを選択的に分解を−だ後、反応生成
物は凝縮液化され、ないしは気相のまま蒸留工程に導び
かれ、分解生成物であるエチレン、フェノールおよび少
量の副生物並びに場合によっては前記希釈剤を除くこと
によって、本発明の目的物である1n−エチルフエノー
ルが高純度で得られる。、(発明の効果) 本発明は従来実施されてきたm−エチルベンゼンスルホ
ン酸をアルカリ融解する方法に比べて、工程数が少なく
操作も容易であるフェノールをエチル化する方法により
得たm−およびp−エチルフェノール混合物を原料とし
、船足の触媒によりp−エチルフェノールのみを選択的
に分解してm−エチルフェノールを回収する方法であり
、本発明方法によれば、医薬拳農薬の中間体として使用
し得る高純度のm−エチルフェノールを闇便に収率よく
、しかも経隣1nに回収することが出来る。
に比べて分子径が大きいので触媒細孔内への拡散速度が
非常に遅いためほとんど反応しない。このようにしてp
−エチルフェノールを選択的に分解を−だ後、反応生成
物は凝縮液化され、ないしは気相のまま蒸留工程に導び
かれ、分解生成物であるエチレン、フェノールおよび少
量の副生物並びに場合によっては前記希釈剤を除くこと
によって、本発明の目的物である1n−エチルフエノー
ルが高純度で得られる。、(発明の効果) 本発明は従来実施されてきたm−エチルベンゼンスルホ
ン酸をアルカリ融解する方法に比べて、工程数が少なく
操作も容易であるフェノールをエチル化する方法により
得たm−およびp−エチルフェノール混合物を原料とし
、船足の触媒によりp−エチルフェノールのみを選択的
に分解してm−エチルフェノールを回収する方法であり
、本発明方法によれば、医薬拳農薬の中間体として使用
し得る高純度のm−エチルフェノールを闇便に収率よく
、しかも経隣1nに回収することが出来る。
(実施fll)
以下、実施例などにより本発明をさらに具体的に説明す
るが、これらによって本発明が限定されるものではない
。
るが、これらによって本発明が限定されるものではない
。
参考倒1
米国特許第3,702,886号に基いて、仕込みシリ
カ/アルミナモル比100のNa−ZSM−5を合成し
た。得られたNa−ZSM−5は螢iX線分析で求めた
シリカ/アルミナモル比が96、電子顕微鏡で測定した
平均結晶粒径が1.0μmであった。このNa−ZSM
−514O2を1..00 (’1 mlのIN硝酸ア
ンモニウム水溶液に浸し12時間還流した後静置し上ず
み液をデカンテーションにより除去した。さらに、1.
000m1のIN硝酸アンモニウム水溶液の添加、還流
、デカンテーションの操作を3回繰り返した後、水で洗
浄し、久いで120℃で一晩乾燥してNI(4−ZSM
−5を得た。
カ/アルミナモル比100のNa−ZSM−5を合成し
た。得られたNa−ZSM−5は螢iX線分析で求めた
シリカ/アルミナモル比が96、電子顕微鏡で測定した
平均結晶粒径が1.0μmであった。このNa−ZSM
−514O2を1..00 (’1 mlのIN硝酸ア
ンモニウム水溶液に浸し12時間還流した後静置し上ず
み液をデカンテーションにより除去した。さらに、1.
000m1のIN硝酸アンモニウム水溶液の添加、還流
、デカンテーションの操作を3回繰り返した後、水で洗
浄し、久いで120℃で一晩乾燥してNI(4−ZSM
−5を得た。
このNI−]4−ZSM−5にアルミナバインダーがx
oii%含まれるようにアルミナゾル(@媒イヒ成工業
■製キャタロイドーAP)を加え、水と共によく混合し
て成形し、−晩風乾したのち120℃で4時間乾燥、さ
らに仝気気流中400℃で2時間、530℃で12時間
焼成し、次いで16〜28メツシユに揃え、1−11−
1−ZS/Al2O3を得た。
oii%含まれるようにアルミナゾル(@媒イヒ成工業
■製キャタロイドーAP)を加え、水と共によく混合し
て成形し、−晩風乾したのち120℃で4時間乾燥、さ
らに仝気気流中400℃で2時間、530℃で12時間
焼成し、次いで16〜28メツシユに揃え、1−11−
1−ZS/Al2O3を得た。
得られたH−ZSM−5/A720315.9を石英製
の反応管に充填し、固定床流通式にてエチレンによるフ
ェノールのエチル化を行なった。
の反応管に充填し、固定床流通式にてエチレンによるフ
ェノールのエチル化を行なった。
なお、水を反応のプロモータとl−て反応系て加えた。
反応条件は、フェノール/エチレン/水モ/l/比=1
.010.8/1.3、WH8V=12h 、常圧、
温度400℃である。液状生成物をガスクロマトグラフ
ィで分析I−た結果、第1表の通りであった。
.010.8/1.3、WH8V=12h 、常圧、
温度400℃である。液状生成物をガスクロマトグラフ
ィで分析I−た結果、第1表の通りであった。
第1表 1−11−1−ZS/AI!203 触媒によ
る液状生成物組成 1: 1′ □ □ 次に、この液状生成物を25段オールダーシヨウ型蒸留
塔で減圧蒸留し、m−およびp−エチルフェノール領分
を採取し、m−およびp−エチルフェノールを含有する
エチルフェノール混合物を得た。その組成を第2表に示
した。
る液状生成物組成 1: 1′ □ □ 次に、この液状生成物を25段オールダーシヨウ型蒸留
塔で減圧蒸留し、m−およびp−エチルフェノール領分
を採取し、m−およびp−エチルフェノールを含有する
エチルフェノール混合物を得た。その組成を第2表に示
した。
第2表 m−およびp−エチルフェノール留分の組成
参考例2
参考例1で得られたH−ZSM−5/AJ203Zoo
、9を、リン酸−水素二アンモニウム((NH4)21
(PO4) 11.0.9を永4ool!に溶かした溶
液に入れ、90℃で24時間放置した。
、9を、リン酸−水素二アンモニウム((NH4)21
(PO4) 11.0.9を永4ool!に溶かした溶
液に入れ、90℃で24時間放置した。
その後触媒な濾過により分離し、120℃で3時間乾燥
し、次いで空気中530℃で12時間焼成してP−ZS
M−5/Aj203を得た。リンの含有量は螢元Xa分
析で求めた結果1.1重量%であった。
し、次いで空気中530℃で12時間焼成してP−ZS
M−5/Aj203を得た。リンの含有量は螢元Xa分
析で求めた結果1.1重量%であった。
実施例1
参考fl12で得られたP−ZSM−5/AI!203
109を酢酸マグネシウムCMg (Cl4a C00
) 2・4H2013,(lを/に25#に溶かした溶
液に入れ90℃で24時間放置した。その後触媒を濾過
により分離し、120℃で3時間乾燥後、生気中530
℃で12時間焼成t、て、Mg −P −ZSM−57
A1203を得た。マグネシウムおよびリンの含有量は
螢光X線分析の結果、各々1.8.1,11敏%であっ
た。
109を酢酸マグネシウムCMg (Cl4a C00
) 2・4H2013,(lを/に25#に溶かした溶
液に入れ90℃で24時間放置した。その後触媒を濾過
により分離し、120℃で3時間乾燥後、生気中530
℃で12時間焼成t、て、Mg −P −ZSM−57
A1203を得た。マグネシウムおよびリンの含有量は
螢光X線分析の結果、各々1.8.1,11敏%であっ
た。
このMg−P−ZSM−5/A72035.9を石英製
の固定床流通式反応管に充填し、反応原料として参考例
1で得られたm−およびp−エチルフェノールを含有す
るエチルフェノール混合物(第3表、反応原料)を水と
共K(灰石原料/氷重歓比=1/1)、反応温度450
℃、WH8V8”で供給し反応させた。反応生成物はガ
スと液状生成物に分離し、各々生成量を測足すると同時
にガスクロマトグラフィで組成な分析した。そして、ガ
スと液状生成物の生成量および組成から計算で全体の反
応生成物組成を求めた。反応生成物組成は第3表に示し
た。得られた液状生成物を25段オールダーショウ型蒸
留塔で蒸留し、m−およびp−エチルフェノール留分を
採取したところ、純度98.61曾%のm−エチルフェ
ノールが得られた。不純物はホトんどp−エチルフェノ
ールであった。
の固定床流通式反応管に充填し、反応原料として参考例
1で得られたm−およびp−エチルフェノールを含有す
るエチルフェノール混合物(第3表、反応原料)を水と
共K(灰石原料/氷重歓比=1/1)、反応温度450
℃、WH8V8”で供給し反応させた。反応生成物はガ
スと液状生成物に分離し、各々生成量を測足すると同時
にガスクロマトグラフィで組成な分析した。そして、ガ
スと液状生成物の生成量および組成から計算で全体の反
応生成物組成を求めた。反応生成物組成は第3表に示し
た。得られた液状生成物を25段オールダーショウ型蒸
留塔で蒸留し、m−およびp−エチルフェノール留分を
採取したところ、純度98.61曾%のm−エチルフェ
ノールが得られた。不純物はホトんどp−エチルフェノ
ールであった。
実施例2
参考例2で得られたP−ZSM−5/A12031(l
を酢酸バリウA [: Ba (CH3C00)2 )
3.09を氷25gに溶かした溶液に入れ実施例1と
同様に処理してBa−P−ZSM−5/AA!203を
得た。バリウムおよびリンの含有量は螢光X線分析の結
果、各々7.9.1.1重量%であった。
を酢酸バリウA [: Ba (CH3C00)2 )
3.09を氷25gに溶かした溶液に入れ実施例1と
同様に処理してBa−P−ZSM−5/AA!203を
得た。バリウムおよびリンの含有量は螢光X線分析の結
果、各々7.9.1.1重量%であった。
このBa −P Z S M 5 / A1203
触媒5gを石英製の固定床流通式反応管に充填し、実
施例1と全く同様にしてm−およびp−エチルフェノー
ルを含有するエチルフェノール混合物を反応させた。得
られた反応生成物の組成を第3表に示した。
触媒5gを石英製の固定床流通式反応管に充填し、実
施例1と全く同様にしてm−およびp−エチルフェノー
ルを含有するエチルフェノール混合物を反応させた。得
られた反応生成物の組成を第3表に示した。
実施例3
参考例2で得られたP−ZSM−5/AJ20310.
9を酢酸マンガンCMn (CH3COO) 2 ’
4)(20:]5、Ogを水25gに溶かした溶液に入
れ、実施例1と同様に処理してMn −P −Z SM
−s/At203を得た。マンガンおよびリンの含有量
は各々4.0.1.1重量%であった。
9を酢酸マンガンCMn (CH3COO) 2 ’
4)(20:]5、Ogを水25gに溶かした溶液に入
れ、実施例1と同様に処理してMn −P −Z SM
−s/At203を得た。マンガンおよびリンの含有量
は各々4.0.1.1重量%であった。
このMn−P−ZSM−5/Al2O3触媒5Iを石英
製の固定床流通式反応管に充填し、実施例1と全く同様
にして、m−およびp−エチルフェノールを含有するエ
チルフェノール混合物を反応させた。得られた反応生成
物の組成を第3表に示した。
製の固定床流通式反応管に充填し、実施例1と全く同様
にして、m−およびp−エチルフェノールを含有するエ
チルフェノール混合物を反応させた。得られた反応生成
物の組成を第3表に示した。
実施例4
参考例2で得られたP−ZSM−5/A/20310、
!i+を酢酸コバルト(Co (CH3COO)2 ”
4 H2O)5.0#を水25gに溶かした溶液に入
れ、実施例1と同様に処理LテCo−P−ZSM−5/
AJ203ヲ得り。コバルトおよびリンの含有量は各々
4.6、1.1重量%であった。
!i+を酢酸コバルト(Co (CH3COO)2 ”
4 H2O)5.0#を水25gに溶かした溶液に入
れ、実施例1と同様に処理LテCo−P−ZSM−5/
AJ203ヲ得り。コバルトおよびリンの含有量は各々
4.6、1.1重量%であった。
このCo−P−ZSM−5/Al2O3触媒sIiを石
英製の固定床流通式反応管に充填し、実施例1と全く同
様にしてm−およびp−エチルフェノールを含有するエ
チルフェノール混合物を反応させた。得られた反応生成
物の組成を第3表に示した。
英製の固定床流通式反応管に充填し、実施例1と全く同
様にしてm−およびp−エチルフェノールを含有するエ
チルフェノール混合物を反応させた。得られた反応生成
物の組成を第3表に示した。
実施例5
参考例1で得られたH−ZSM−5/lAI!2031
0.9をフラスコに入れ、トルエン25.9にテトラメ
トキシシラン10.9を混合した溶液を加え90℃で5
時間還流した。次いで溶液を涙過して風乾したのち望見
気流中200℃で2時間、530℃で12時間焼成し、
Si −ZSM−5/A/203 を得た。こうして得
られた触媒のケイ素担持量は重量分析により求めたとこ
ろ6.4重量%であった。
0.9をフラスコに入れ、トルエン25.9にテトラメ
トキシシラン10.9を混合した溶液を加え90℃で5
時間還流した。次いで溶液を涙過して風乾したのち望見
気流中200℃で2時間、530℃で12時間焼成し、
Si −ZSM−5/A/203 を得た。こうして得
られた触媒のケイ素担持量は重量分析により求めたとこ
ろ6.4重量%であった。
コ(’) Si −Z SM 5 / Al103
触媒51 ヲ石英製の固定床流通式反応管に充填し、実
施例1と全く同様にしてm−およびp−エチルフェノー
ルを含有するエチルフェノール混合物を反応させた。得
られた生成物の組成を第3表に示した。
触媒51 ヲ石英製の固定床流通式反応管に充填し、実
施例1と全く同様にしてm−およびp−エチルフェノー
ルを含有するエチルフェノール混合物を反応させた。得
られた生成物の組成を第3表に示した。
実施例6
参考例2で得られたP −Z S M −5/At20
310.9を硝酸ストロンチウム〔5r(NO3)21
14H20)3.0.9を水2511に溶かした溶液に
入れ、実施例1と同様に処理してSr−P−ZSM−5
/Al2O3を得た。ストロンチウムおよびリンの含有
量は各々3.7.1.1重量%であった。
310.9を硝酸ストロンチウム〔5r(NO3)21
14H20)3.0.9を水2511に溶かした溶液に
入れ、実施例1と同様に処理してSr−P−ZSM−5
/Al2O3を得た。ストロンチウムおよびリンの含有
量は各々3.7.1.1重量%であった。
このSr P ZSM 5/AA’203 触媒
5gを石英製の固定床流通式反応管に充填し、実施例の
組成を第3表に示した。
5gを石英製の固定床流通式反応管に充填し、実施例の
組成を第3表に示した。
実施例7
参考例2で得られたP−ZSM−5/A120310.
9を酢酸カルシウムCCa(CH3COO)2”H20
’14.0gを71(25#に溶かした溶液に入れ実施
例1と同様に処理してCa −P−Z SM 5/A
J203を得た。カルシウムおよびリンの含有量は各々
3.1.1.1重量%であった。
9を酢酸カルシウムCCa(CH3COO)2”H20
’14.0gを71(25#に溶かした溶液に入れ実施
例1と同様に処理してCa −P−Z SM 5/A
J203を得た。カルシウムおよびリンの含有量は各々
3.1.1.1重量%であった。
このCa P−ZSM−5/Al2O3@媒5Iを石
英製の固定床流通式反応管に充填し、実施例1と全く同
様にしてm−およびp−エチルフェノールを含有するエ
チルフェノール混合物を反応させた。得られた反応生成
物の組成を第3表に示した。
英製の固定床流通式反応管に充填し、実施例1と全く同
様にしてm−およびp−エチルフェノールを含有するエ
チルフェノール混合物を反応させた。得られた反応生成
物の組成を第3表に示した。
比較例
参考例1で得うしたH−ZSM−5/A/2035Iを
石英製の固定床流通式反応管に充填し、実施例1と全く
同様にして、m−およびp−エチルフェノールを含有す
るエチルフェノール混合物を反応させた。得られた生成
物の組成を第3表に示した。
石英製の固定床流通式反応管に充填し、実施例1と全く
同様にして、m−およびp−エチルフェノールを含有す
るエチルフェノール混合物を反応させた。得られた生成
物の組成を第3表に示した。
生成物中の
は75.0%で反応原料とほとんど同一で、m−エチル
フェノール回収率も7.6%で低かった。
フェノール回収率も7.6%で低かった。
Claims (3)
- (1)m−およびp−エチルフェノールを含有するエチ
ルフェノール混合物を、制御指数が1〜15の結晶性ア
ルミノシリケートにリン、マンガン、コバルト、ケイ素
および周期律表第IIA族から選ばれた元素を有する1種
以上の化合物を含有させたのち焼成して得られる結晶性
アルミノシリケート触媒と加熱下に接触させて、p−エ
チルフェノールを選択的に脱アルキル化することを特徴
とする高純度m−エチルフェノールの回収方法。 - (2)前記結晶性アルミノシリケートがシリカ/アルミ
ナモル比20以上のペンタシル型ゼオライトである特許
請求の範囲第1項に記載の回収方法。 - (3)周期律表第IIA族元素がマグネシウム、カルシウ
ム、ストロンチウム、バリウムである特許請求の範囲第
1項または第2項に記載の回収方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62-156987A JPH013135A (ja) | 1987-06-24 | 高純度m−エチルフェノ−ルの回収方法 | |
US07/206,227 US4847435A (en) | 1987-06-24 | 1988-06-13 | Process for the recovery of high-purity m-ethylphenol |
DE8888110016T DE3870724D1 (de) | 1987-06-24 | 1988-06-23 | Verfahren zur rueckgewinnung von hochreinem m-ethylphenol. |
EP88110016A EP0296582B1 (en) | 1987-06-24 | 1988-06-23 | Process for the recovery of high-purity m-ethylphenol |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62-156987A JPH013135A (ja) | 1987-06-24 | 高純度m−エチルフェノ−ルの回収方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS643135A JPS643135A (en) | 1989-01-06 |
JPH013135A true JPH013135A (ja) | 1989-01-06 |
JPH0224259B2 JPH0224259B2 (ja) | 1990-05-29 |
Family
ID=
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4847435A (en) | Process for the recovery of high-purity m-ethylphenol | |
US8956588B2 (en) | Selective dealumination of MOR type zeolites | |
EP0320936B1 (en) | Process for the preparation of para-ethylphenol | |
RU2658820C2 (ru) | Способ карбонилирования | |
JP2019503959A (ja) | Emm−28、新規合成結晶性材料、その製造および使用 | |
JPS62202814A (ja) | ゼオライトおよびその製法 | |
JPS59206323A (ja) | フエノ−ル及びアセトンの製造方法 | |
JPH0585974A (ja) | クメンヒドロペルオキシドからフエノールとアセトンを製造する方法 | |
JPH01163149A (ja) | ゼオライト触媒を用いる1,4−ビス(4−フエノキシベンゾイル)ベンゼンの製造方法 | |
JPS6060920A (ja) | 安定化された柱状層状クレ−およびその製造方法 | |
JP6798282B2 (ja) | Aei型ゼオライトの製造方法 | |
JP4462933B2 (ja) | 多孔質結晶性物質(itq−21)およびフッ化物イオンの不存在下でのその製法 | |
JP2664455B2 (ja) | フェニルエタノールの製法 | |
JPH013135A (ja) | 高純度m−エチルフェノ−ルの回収方法 | |
US3954859A (en) | Preparation of phosphine chlorides | |
EP0228675A2 (de) | Neue Phenylacetaldehyde und Verfahren zur Herstellung von Phenylacetaldehyden | |
CA2049908A1 (en) | Process for the preparation of acylbenzenes | |
JPH08176058A (ja) | 芳香族ケトンの製造方法 | |
EP0310991B1 (en) | Process for producing m-xylene from o-xylene | |
JP2824398B2 (ja) | 芳香族炭酸エステル製造用触媒およびそれを用いた芳香族炭酸エステルの製造法 | |
JP2736909B2 (ja) | 3―エチルベンゾフェノンの製造方法 | |
JPH08253435A (ja) | 高純度1,3−シクロヘキサジエンの製造方法 | |
JP4326759B2 (ja) | 4−アルキルフェノール類の製造方法 | |
JP2004532232A (ja) | 異性体分布が制御されたメタンジフェニルジアミン及びその高級同族体の混合物の合成方法 | |
JPH08253434A (ja) | 高純度1,3−シクロヘキサジエンの製造法 |