JPH01308060A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH01308060A JPH01308060A JP13965288A JP13965288A JPH01308060A JP H01308060 A JPH01308060 A JP H01308060A JP 13965288 A JP13965288 A JP 13965288A JP 13965288 A JP13965288 A JP 13965288A JP H01308060 A JPH01308060 A JP H01308060A
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- semiconductor device
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Links
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 12
- 239000010953 base metal Substances 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置、特に上地金属膜＋５−分割して
電気的に絶縁された部分を有するＭｅｔａｌ−Ｉｎｓｕ
ｌ！ａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌキャパシタ（以後ＭＺＭ容量
と記丁）の構造に関するものである。
電気的に絶縁された部分を有するＭｅｔａｌ−Ｉｎｓｕ
ｌ！ａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌキャパシタ（以後ＭＺＭ容量
と記丁）の構造に関するものである。
第８図はモノシリツク化マイクロ波工０（以後ＭＭ工０
と記す）に整合回路素子として多用されている従来の構
造よりなる基本的なＭＩＭ容量の構造を示す斜視図であ
る。
と記す）に整合回路素子として多用されている従来の構
造よりなる基本的なＭＩＭ容量の構造を示す斜視図であ
る。
図において、山は半導体基板％１！：は下地金属膜、１
３１は絶縁膜、（４１は上地金属膜である。
３１は絶縁膜、（４１は上地金属膜である。
ＭｘＭ容量の実効容Ｗｋ値Ｃは絶縁膜１３１の上に杉収
された上地金属膜１４）の面積日、絶縁暎（３）の誘電
率ε及び膜厚ｄｆｔ用いて近似的に次式のように表わさ
れる。
された上地金属膜１４）の面積日、絶縁暎（３）の誘電
率ε及び膜厚ｄｆｔ用いて近似的に次式のように表わさ
れる。
（） ｒｍ ｇ−−−−−−＋ｌｌ
１１１式より使用絶縁楔に応じた誘電率Ｃ０絶縁模の膜
厚ｄ、上地金属膜の面積Ｓを適当に設定することにより
、実効容敞値Ｃとして所望のＩＩｆｉを実現することが
出来る。
厚ｄ、上地金属膜の面積Ｓを適当に設定することにより
、実効容敞値Ｃとして所望のＩＩｆｉを実現することが
出来る。
従来のＭＸＭ容量は以上のように構成されており、上記
ε、（１，８が固定されるため、Ｍ工Ｍ容量が形成され
た後では容敞値Ｃ１を変更或いけ１４整することが出来
なかった。仁のため、例えば製作後においてＭＭ工○の
マイクロ波における高周波特性を調整する場４＋は、容
敬値の調整ではなく分布定数１ｆｆｌ路の線路長、線路
幅を機械的に調整する手法がとられていた。しかしなが
ら、ｍ路長、＠のｌＡ！ｌではかなりの習熟度が要求さ
れ、又、果中定数的な取り扱いができないという問題が
あった。
ε、（１，８が固定されるため、Ｍ工Ｍ容量が形成され
た後では容敞値Ｃ１を変更或いけ１４整することが出来
なかった。仁のため、例えば製作後においてＭＭ工○の
マイクロ波における高周波特性を調整する場４＋は、容
敬値の調整ではなく分布定数１ｆｆｌ路の線路長、線路
幅を機械的に調整する手法がとられていた。しかしなが
ら、ｍ路長、＠のｌＡ！ｌではかなりの習熟度が要求さ
れ、又、果中定数的な取り扱いができないという問題が
あった。
この発明は上記のような間頭を解消するためになされた
もので、Ｍ工Ｍ容量値をＩＣ形成後においても容易に可
変とすることができる半導体装置を得ることを目的とす
る〇 〔課題を解決するための手段〕 この発明に係る半導体装置はＭ工Ｍ容鷺の上地金属膜を
分割して電気的に絶縁された部分を複数個形成したもの
である。
もので、Ｍ工Ｍ容量値をＩＣ形成後においても容易に可
変とすることができる半導体装置を得ることを目的とす
る〇 〔課題を解決するための手段〕 この発明に係る半導体装置はＭ工Ｍ容鷺の上地金属膜を
分割して電気的に絶縁された部分を複数個形成したもの
である。
この発明における半導体装置はＭＩＭ容量の上地金属膜
として電気的に分離して配設された島状のパターンによ
り構成され、それぞれ独立した上地金属膜全金線などで
接続することにより、ＭＸＭ容ｔ ｆｌｌｌの調整を可
能にする。
として電気的に分離して配設された島状のパターンによ
り構成され、それぞれ独立した上地金属膜全金線などで
接続することにより、ＭＸＭ容ｔ ｆｌｌｌの調整を可
能にする。
〔実ｌ１ｖｅＡ１〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、…は半導体基板、（２１はＭＩＭ下地金属
膜、（３１は絶Ｒ幌、ｎｌｊｄ等分に複数個に分割され
たＭ工Ｍ上地金属膜である。
図において、…は半導体基板、（２１はＭＩＭ下地金属
膜、（３１は絶Ｒ幌、ｎｌｊｄ等分に複数個に分割され
たＭ工Ｍ上地金属膜である。
従来のＭ工Ｍ容量はそのＭ工Ｍ容ｕｒｎは半導体装置が
形成された後には変更できなかったが、この発明による
Ｍ工Ｍ容量では分割されたＭＩＭ上地金属膜倉金線或い
は金リボンなどにより短絡し、その接続する上地金属膜
の面積を実効時に任意に調整が出来るため、結果として
ＭＩＭ容量値を可変とすることができる。
形成された後には変更できなかったが、この発明による
Ｍ工Ｍ容量では分割されたＭＩＭ上地金属膜倉金線或い
は金リボンなどにより短絡し、その接続する上地金属膜
の面積を実効時に任意に調整が出来るため、結果として
ＭＩＭ容量値を可変とすることができる。
その結果として、ＭＭＭｏ２マイクロ波における高周波
特性が調整できる。
特性が調整できる。
なお、上記実蓮例では複数個に等分割されたＭ工Ｍ上地
金属膜１４１の場合を示したが分割は等分にしなくても
よい。
金属膜１４１の場合を示したが分割は等分にしなくても
よい。
また、上記実旋例では１つのＭ工Ｍ容量の場合について
示したが、上地金属膜（４）を任意に区分することによ
り、ｌりの上地金属膜１４１で８つのＭ工Ｍ容量を形成
することもできる。
示したが、上地金属膜（４）を任意に区分することによ
り、ｌりの上地金属膜１４１で８つのＭ工Ｍ容量を形成
することもできる。
また、上地金属膜１４）と下地金属膜（２１がシュート
している上地金属膜部分を使用せずにＭ工Ｍ容量を形成
することができ、その歩留）を向上する効果を有する。
している上地金属膜部分を使用せずにＭ工Ｍ容量を形成
することができ、その歩留）を向上する効果を有する。
以上のようにこの発明によれば１Ｍ工Ｍ容量の上地金属
膜を分割することによりＭｒＭ容量値を可変できるよう
に構成したので、ＭＭＭｏ２マイクロ波における高周波
特性をＭＩＭ容量で調整可能となりＭＭＺＯのマイクロ
波における高周波特性における歩留りを向上することが
できる。
膜を分割することによりＭｒＭ容量値を可変できるよう
に構成したので、ＭＭＭｏ２マイクロ波における高周波
特性をＭＩＭ容量で調整可能となりＭＭＺＯのマイクロ
波における高周波特性における歩留りを向上することが
できる。
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置のＭ工Ｍ
容量の斜視図、第３図は従来の半導体装置のＭ工Ｍ容量
の斜視図である。 図にお−で、…は半導体基板、（２１はＭｒＭ下地下地
金膜４膜３１は絶縁膜、（４１けＭ工Ｍ上地金属膜を示
す。 なお１図中、同一符号は１Ｎ−１または相当部分を示す
。
容量の斜視図、第３図は従来の半導体装置のＭ工Ｍ容量
の斜視図である。 図にお−で、…は半導体基板、（２１はＭｒＭ下地下地
金膜４膜３１は絶縁膜、（４１けＭ工Ｍ上地金属膜を示
す。 なお１図中、同一符号は１Ｎ−１または相当部分を示す
。
Claims (1)
- 半導体基板上に形成された下地金属膜とこの下地金属
膜上に絶縁膜を介して前記下地金属膜と対向して形成さ
れた上地金属膜とからなるＭｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔ
ｏｒ−Ｍｅｔａｌキャパシタの上地金属膜を分割して電
気的に絶縁された部分を有することを特徴とする半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13965288A JPH01308060A (ja) | 1988-06-06 | 1988-06-06 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13965288A JPH01308060A (ja) | 1988-06-06 | 1988-06-06 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01308060A true JPH01308060A (ja) | 1989-12-12 |
Family
ID=15250259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13965288A Pending JPH01308060A (ja) | 1988-06-06 | 1988-06-06 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01308060A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5233310A (en) * | 1991-09-24 | 1993-08-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Microwave integrated circuit |
| WO2002037573A1 (fr) * | 2000-10-30 | 2002-05-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Dispositif semi-conducteur et son procede de fabrication |
| US6507232B2 (en) | 1998-07-09 | 2003-01-14 | Nec Corporation | Semiconductor device which can be set to predetermined capacitance value without increase of delay time |
-
1988
- 1988-06-06 JP JP13965288A patent/JPH01308060A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5233310A (en) * | 1991-09-24 | 1993-08-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Microwave integrated circuit |
| US6507232B2 (en) | 1998-07-09 | 2003-01-14 | Nec Corporation | Semiconductor device which can be set to predetermined capacitance value without increase of delay time |
| WO2002037573A1 (fr) * | 2000-10-30 | 2002-05-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Dispositif semi-conducteur et son procede de fabrication |
| US6940132B2 (en) | 2000-10-30 | 2005-09-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
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