JPH0237125B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0237125B2 JPH0237125B2 JP59148205A JP14820584A JPH0237125B2 JP H0237125 B2 JPH0237125 B2 JP H0237125B2 JP 59148205 A JP59148205 A JP 59148205A JP 14820584 A JP14820584 A JP 14820584A JP H0237125 B2 JPH0237125 B2 JP H0237125B2
- Authority
- JP
- Japan
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- distribution
- resistance value
- power divider
- thin film
- terminals
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 13
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/12—Coupling devices having more than two ports
Landscapes
- Waveguides (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、マイクロ波電力を分配する電力分
配器に関するものである。
配器に関するものである。
従来この種の電力分配器としては、第１図に示
すものがあつた。第１図は従来の電力分配器の構
成を示す斜視図である。第１図に示す様な電力分
配器は、４個の分配端子を有する例である。図に
示す様に、入力端子１から入つたマイクロ波電力
は、第１のウイルキンソン形分配器２で２等分さ
れる。この２等分された一方のマイクロ波電力
は、第２のウイルキンソン形分配器３で２等分さ
れ、上記２等分された他方のマイクロ波電力は、
第３のウイルキンソン形分配器４で２等分され、
それぞれ分配端子５，６，７，８に至る。各第
１、第２、第３のウイルキンソン形分配器２，
３，４に装荷された各抵抗９，１０，１１は、上
記各分配端子５〜８間のアイソレーシヨンを得る
ためのものである。また、１２は誘電体基板（又
は半導体基板）であり、１３は電気長が使用周波
数において約1/4波長であるマイクロストリツプ
線路（分布定数線路）である。
すものがあつた。第１図は従来の電力分配器の構
成を示す斜視図である。第１図に示す様な電力分
配器は、４個の分配端子を有する例である。図に
示す様に、入力端子１から入つたマイクロ波電力
は、第１のウイルキンソン形分配器２で２等分さ
れる。この２等分された一方のマイクロ波電力
は、第２のウイルキンソン形分配器３で２等分さ
れ、上記２等分された他方のマイクロ波電力は、
第３のウイルキンソン形分配器４で２等分され、
それぞれ分配端子５，６，７，８に至る。各第
１、第２、第３のウイルキンソン形分配器２，
３，４に装荷された各抵抗９，１０，１１は、上
記各分配端子５〜８間のアイソレーシヨンを得る
ためのものである。また、１２は誘電体基板（又
は半導体基板）であり、１３は電気長が使用周波
数において約1/4波長であるマイクロストリツプ
線路（分布定数線路）である。
従来の電力分配器は以上の様に構成されている
ので、マイクロ波電力を２等分するごとにウイル
キンソン形分配器を必要とする。例えば分配端子
数が2n個の場合に、必要とするウイルキンソン形
分配器の数は2n−１個となる。このため、電力分
配器自体の装置が大型になり、また、損失が増大
するなどの欠点があつた。
ので、マイクロ波電力を２等分するごとにウイル
キンソン形分配器を必要とする。例えば分配端子
数が2n個の場合に、必要とするウイルキンソン形
分配器の数は2n−１個となる。このため、電力分
配器自体の装置が大型になり、また、損失が増大
するなどの欠点があつた。
この発明は、上記の様な従来のものの欠点を改
善する目的でなされたもので、誘電体基板あるい
は半導体基板上にマイクロ波集積回路又はモノリ
シツクマイクロ波集積回路で構成され、１個の入
力端子と３個以上の分配端子とを有する電力分配
器において、上記入力端子と上記複数個の分配端
子とを、所定の特性インピーダンスを有し、かつ
使用周波数でほぼ1/4波長の長さを有するマイク
ロストリツプ線路でそれぞれ接続し、上記両端の
分配端子とそれに隣接する分配端子間を負荷イン
ピーダンスの３倍の抵抗値を有する第１の薄膜抵
抗で接続すると共に、それ以外の隣接する分配端
子間を負荷インピーダンスの４倍の抵抗値を有す
る第２の薄膜抵抗で接続し、上記両端の分配端子
から中央部の分配端子に向かつて上記第１の薄膜
抵抗の抵抗値を１対２に分割する位置に、及び上
記第２の薄膜抵抗の抵抗値を１対１に分割する位
置にそれぞれ金属膜で成る区域を設け、かつ隣接
する区域どうしを金属線とコンデンサとの直列接
続回路で互いに接続した構成とすることにより、
小型で低損失であり、かつアイソレーシヨン特性
が良好な電力分配器を提供するものである。
善する目的でなされたもので、誘電体基板あるい
は半導体基板上にマイクロ波集積回路又はモノリ
シツクマイクロ波集積回路で構成され、１個の入
力端子と３個以上の分配端子とを有する電力分配
器において、上記入力端子と上記複数個の分配端
子とを、所定の特性インピーダンスを有し、かつ
使用周波数でほぼ1/4波長の長さを有するマイク
ロストリツプ線路でそれぞれ接続し、上記両端の
分配端子とそれに隣接する分配端子間を負荷イン
ピーダンスの３倍の抵抗値を有する第１の薄膜抵
抗で接続すると共に、それ以外の隣接する分配端
子間を負荷インピーダンスの４倍の抵抗値を有す
る第２の薄膜抵抗で接続し、上記両端の分配端子
から中央部の分配端子に向かつて上記第１の薄膜
抵抗の抵抗値を１対２に分割する位置に、及び上
記第２の薄膜抵抗の抵抗値を１対１に分割する位
置にそれぞれ金属膜で成る区域を設け、かつ隣接
する区域どうしを金属線とコンデンサとの直列接
続回路で互いに接続した構成とすることにより、
小型で低損失であり、かつアイソレーシヨン特性
が良好な電力分配器を提供するものである。
以下、この発明の実施例を図について説明す
る。第２図はこの発明の一実施例である電力分配
器の構成を示す斜視図、第３図は、第２図の電力
分配器の等価回路図である。第２図に示す電力分
配器では、分配端子が４個の場合について説明す
るが、分配端子の数は４個に限らず、３個以上の
任意の数であつても良い。第２図に示す様に、入
力端子１と各分配端子５，６，７，８とは、その
特性インピーダンスがZ0、電気長が使用周波数に
おいて約1/4波長であるマイクロストリツプ線路
（分布定数線路）２０によつて接続されている。
また、各分配端子５，６間及び各分配端子７，８
間には、それぞれ抵抗値RAの抵抗２１及び抵抗
値RBの抵抗２２が装荷されている。また、各分
配端子６，７間には２個の抵抗値RBの抵抗２２
が装荷されている。また、２個の各抵抗２１と２
２，２２と２２，２２と２１の各接続点には各金
属膜２３，２４，２５が設けられ、この各金属膜
２３，２４間及び各金属膜２４，２５間は、それ
ぞれ金属膜２６とコンデンサ２７とを直列に接続
して成る接続回路２８にて接続されている。ここ
で、入力端子１に接続される負荷インピーダンス
をR1、各分配端子５〜８に接続される負荷イン
ピーダンスをR2とすると、上記マイクロストリ
ツプ線路（分布定数線路）２０の特性インピーダ
ンスZ0は２√1 2に、上記抵抗２１の抵抗値RA
はR2に、上記抵抗２２の抵抗値RBは2R2にそれぞ
れ選ばれる。第３図に示される様に、第２図の電
力分配器の等価回路図において、インダクタ２９
は第２図中に示す金属線２６によるものであり、
キヤパシタ３０は、第２図中に示すコンデンサ２
７によるものである。ここで、インダクタ２９の
インダクタンスＬ及びキヤパシタ３０のキヤパシ
タンスＣは、使用周波数ｆにおいて、 となる様に選ばれる。この時、上記第２図に示す
電力分配器の使用周波数ｆの近傍における等価回
路は、第４図に示す様になり、上記インダクタ２
９及びキヤパシタ３０の影響は無視できる。この
様に、第４図に示す等価回路は、ウイルキンソン
形電力分配器と同一の等価回路となり、良好な反
射及びアイソレーシヨン特性が得られる。また、
入力端子１と各分配端子５〜８間は、使用周波数
ｆにおいて約1/4波長のマイクロストリツプ線路
（分布定数線路）２０のみで接続されているので、
電力分配器自体を小型にでき、また、低損失に構
成できる。
る。第２図はこの発明の一実施例である電力分配
器の構成を示す斜視図、第３図は、第２図の電力
分配器の等価回路図である。第２図に示す電力分
配器では、分配端子が４個の場合について説明す
るが、分配端子の数は４個に限らず、３個以上の
任意の数であつても良い。第２図に示す様に、入
力端子１と各分配端子５，６，７，８とは、その
特性インピーダンスがZ0、電気長が使用周波数に
おいて約1/4波長であるマイクロストリツプ線路
（分布定数線路）２０によつて接続されている。
また、各分配端子５，６間及び各分配端子７，８
間には、それぞれ抵抗値RAの抵抗２１及び抵抗
値RBの抵抗２２が装荷されている。また、各分
配端子６，７間には２個の抵抗値RBの抵抗２２
が装荷されている。また、２個の各抵抗２１と２
２，２２と２２，２２と２１の各接続点には各金
属膜２３，２４，２５が設けられ、この各金属膜
２３，２４間及び各金属膜２４，２５間は、それ
ぞれ金属膜２６とコンデンサ２７とを直列に接続
して成る接続回路２８にて接続されている。ここ
で、入力端子１に接続される負荷インピーダンス
をR1、各分配端子５〜８に接続される負荷イン
ピーダンスをR2とすると、上記マイクロストリ
ツプ線路（分布定数線路）２０の特性インピーダ
ンスZ0は２√1 2に、上記抵抗２１の抵抗値RA
はR2に、上記抵抗２２の抵抗値RBは2R2にそれぞ
れ選ばれる。第３図に示される様に、第２図の電
力分配器の等価回路図において、インダクタ２９
は第２図中に示す金属線２６によるものであり、
キヤパシタ３０は、第２図中に示すコンデンサ２
７によるものである。ここで、インダクタ２９の
インダクタンスＬ及びキヤパシタ３０のキヤパシ
タンスＣは、使用周波数ｆにおいて、 となる様に選ばれる。この時、上記第２図に示す
電力分配器の使用周波数ｆの近傍における等価回
路は、第４図に示す様になり、上記インダクタ２
９及びキヤパシタ３０の影響は無視できる。この
様に、第４図に示す等価回路は、ウイルキンソン
形電力分配器と同一の等価回路となり、良好な反
射及びアイソレーシヨン特性が得られる。また、
入力端子１と各分配端子５〜８間は、使用周波数
ｆにおいて約1/4波長のマイクロストリツプ線路
（分布定数線路）２０のみで接続されているので、
電力分配器自体を小型にでき、また、低損失に構
成できる。
なお、上記実施例では、分配端子５〜８が４個
の場合について説明したが、分配端子数は３個以
上の任意の複数個であつても良い。
の場合について説明したが、分配端子数は３個以
上の任意の複数個であつても良い。
また、上記実施例における電力分配器は、
GaAs等の半導体基板上に構成されたモノリシツ
ク増幅器に使用しても良い。
GaAs等の半導体基板上に構成されたモノリシツ
ク増幅器に使用しても良い。
また、上記実施例の電力分配器において、各金
属膜２３，２４，２５間に装荷されるコンデンサ
２７としてMIM（Metal Insulator Metal）キヤ
パシタ等の薄膜コンデンサを用いても良く、ま
た、各金属線２６は、エアブリツジ等により構成
しても良い。
属膜２３，２４，２５間に装荷されるコンデンサ
２７としてMIM（Metal Insulator Metal）キヤ
パシタ等の薄膜コンデンサを用いても良く、ま
た、各金属線２６は、エアブリツジ等により構成
しても良い。
この発明は以上説明した様に、電力分配器にお
いて、入力端子と複数個の分配端子とを、所定の
特性インピーダンスを有し、かつ使用周波数でほ
ぼ1/4波長の長さを有するマイクロストリツプ線
路でそれぞれ接続し、上記両端の分配端子とそれ
に隣接する分配端子間を負荷インピーダンスの３
倍の抵抗値を有する第１の薄膜抵抗で接続すると
共に、それ以外の隣接する分配端子間を負荷イン
ピーダンスの４倍の抵抗値を有する第２の薄膜抵
抗で接続し、上記両端の分配端子から中央部の分
配端子に向かつて上記第１の薄膜抵抗の抵抗値を
１対２に分割する位置に、及び上記第２の薄膜抵
抗の抵抗値を１対１に分割する位置にそれぞれ金
属膜で成る区域を設け、かつ隣接する区域どうし
を金属線とコンデンサとの直列接続回路で互いに
接続した構成としたので、電力分配器自体の装置
が非常に小型で、かつ薄型平面状に構成できて低
損失であり、また、反射及びアイソレーシヨン特
性が良好な電力分配器が得られるという優れた効
果を奏するものである。
いて、入力端子と複数個の分配端子とを、所定の
特性インピーダンスを有し、かつ使用周波数でほ
ぼ1/4波長の長さを有するマイクロストリツプ線
路でそれぞれ接続し、上記両端の分配端子とそれ
に隣接する分配端子間を負荷インピーダンスの３
倍の抵抗値を有する第１の薄膜抵抗で接続すると
共に、それ以外の隣接する分配端子間を負荷イン
ピーダンスの４倍の抵抗値を有する第２の薄膜抵
抗で接続し、上記両端の分配端子から中央部の分
配端子に向かつて上記第１の薄膜抵抗の抵抗値を
１対２に分割する位置に、及び上記第２の薄膜抵
抗の抵抗値を１対１に分割する位置にそれぞれ金
属膜で成る区域を設け、かつ隣接する区域どうし
を金属線とコンデンサとの直列接続回路で互いに
接続した構成としたので、電力分配器自体の装置
が非常に小型で、かつ薄型平面状に構成できて低
損失であり、また、反射及びアイソレーシヨン特
性が良好な電力分配器が得られるという優れた効
果を奏するものである。
第１図は従来の電力分配器の構成を示す斜視
図、第２図はこの発明の一実施例である電力分配
器の構成を示す斜視図、第３図は、第２図の電力
分配器の等価回路図、第４図は、第２図の電力分
配器の使用周波数近傍における等価回路図であ
る。 図において、１…入力端子、２…第１のウイル
キンソン形分配器、３…第２のウイルキンソン形
分配器、４…第３のウイルキンソン形分配器、５
〜８…分配端子、９〜１１，２１，２２…抵抗、
１２…誘電体基板、１３，２０…マイクロストリ
ツプ線路（分布定数線路）、２３〜２５…金属膜、
２６…金属線、２７…コンデンサ、２８…接続回
路、２９…インダクタ、３０…キヤパシタであ
る。なお、各図中、同一符号は同一、又は相当部
分を示す。
図、第２図はこの発明の一実施例である電力分配
器の構成を示す斜視図、第３図は、第２図の電力
分配器の等価回路図、第４図は、第２図の電力分
配器の使用周波数近傍における等価回路図であ
る。 図において、１…入力端子、２…第１のウイル
キンソン形分配器、３…第２のウイルキンソン形
分配器、４…第３のウイルキンソン形分配器、５
〜８…分配端子、９〜１１，２１，２２…抵抗、
１２…誘電体基板、１３，２０…マイクロストリ
ツプ線路（分布定数線路）、２３〜２５…金属膜、
２６…金属線、２７…コンデンサ、２８…接続回
路、２９…インダクタ、３０…キヤパシタであ
る。なお、各図中、同一符号は同一、又は相当部
分を示す。
Claims (1)
- １ 誘電体基板あるいは半導体基板上にマイクロ
波集積回路又はモノリシツクマイクロ波集積回路
で構成され、１個の入力端子と３個以上の分配端
子とを有する電力分配器において、上記入力端子
と上記複数個の分配端子とを、所定の特性インピ
ーダンスを有し、かつ使用周波数でほぼ1/4波長
の長さを有するマイクロストリツプ線路でそれぞ
れ接続し、上記両端の分配端子とそれに隣接する
分配端子間を負荷インピーダンスの３倍の抵抗値
を有する第１の薄膜抵抗で接続すると共に、それ
以外の隣接する分配端子間を負荷インピーダンス
の４倍の抵抗値を有する第２の薄膜抵抗で接続
し、上記両端の分配端子から中央部の分配端子に
向かつて上記第１の薄膜抵抗の抵抗値を１対２に
分割する位置に、及び上記第２の薄膜抵抗の抵抗
値を１対１に分割する位置にそれぞれ金属膜で成
る区域を設け、かつ隣接する区域どうしを金属線
とコンデンサとの直列接続回路で互いに接続した
ことを特徴とする電力分配器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14820584A JPS6126302A (ja) | 1984-07-17 | 1984-07-17 | 電力分配器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14820584A JPS6126302A (ja) | 1984-07-17 | 1984-07-17 | 電力分配器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6126302A JPS6126302A (ja) | 1986-02-05 |
| JPH0237125B2 true JPH0237125B2 (ja) | 1990-08-22 |
Family
ID=15447606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14820584A Granted JPS6126302A (ja) | 1984-07-17 | 1984-07-17 | 電力分配器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6126302A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0628805Y2 (ja) * | 1987-07-03 | 1994-08-03 | 日本電気株式会社 | 電力合成分配器 |
| JPH0775283B2 (ja) * | 1988-07-18 | 1995-08-09 | 三菱電機株式会社 | マイクロ波給電回路 |
| JP2579371B2 (ja) * | 1989-10-20 | 1997-02-05 | 富士通株式会社 | 高周波信号用の電力分配／合成器 |
| EP0720277B1 (en) * | 1992-09-24 | 2000-03-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Snubber circuit, switching power-supply, and saturable inductor used for them |
| US5455546A (en) * | 1994-09-22 | 1995-10-03 | Glenayre Electronics, Inc. | High power radio frequency divider/combiner |
| US5917712A (en) * | 1995-05-10 | 1999-06-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Self oscillating power supply |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5243954U (ja) * | 1975-09-18 | 1977-03-29 |
-
1984
- 1984-07-17 JP JP14820584A patent/JPS6126302A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5243954U (ja) * | 1975-09-18 | 1977-03-29 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6126302A (ja) | 1986-02-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |