JPH01308028A - 銅もしくは銅合金電極配線の形成方法 - Google Patents
銅もしくは銅合金電極配線の形成方法Info
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- JPH01308028A JPH01308028A JP13971188A JP13971188A JPH01308028A JP H01308028 A JPH01308028 A JP H01308028A JP 13971188 A JP13971188 A JP 13971188A JP 13971188 A JP13971188 A JP 13971188A JP H01308028 A JPH01308028 A JP H01308028A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
Ｖｌ、Ｓｌ等に用いられる銅（Ｃｏ）もしくはＣｕ合金
配線の形成方法、特にパターニング方法の改良に閉じ、 高精度を有し、口、つ高エツチング速度を有するＣｕも
し７くはＣｕ合金皮１１りのエソ千ング方法の提供を１
］的とし、 銅もしくは銅合金の皮膜を、レジストをマスクにし、銅
をＬＫ ｔＡするガスと不活性ガスとの混合ガスの雰囲
気中において、反応性イオンビームエツチング法により
パターニングする］−程を含む構成を有する。
配線の形成方法、特にパターニング方法の改良に閉じ、 高精度を有し、口、つ高エツチング速度を有するＣｕも
し７くはＣｕ合金皮１１りのエソ千ング方法の提供を１
］的とし、 銅もしくは銅合金の皮膜を、レジストをマスクにし、銅
をＬＫ ｔＡするガスと不活性ガスとの混合ガスの雰囲
気中において、反応性イオンビームエツチング法により
パターニングする］−程を含む構成を有する。
本発明はＶＬＳ Ｉ等に用いられる銅（Ｃｕ）もしくは
Ｃｕ合金配線の形成方法、特にパターニング方法の改良
に関する。
Ｃｕ合金配線の形成方法、特にパターニング方法の改良
に関する。
ｖｔ、ｓ＋の配線材料には従来からアルミニウム（ＡＩ
）合金が主に用いられているが、この八１合金により１
．０μｆｆ１以下の（）゛ブミクン幅の配線を形成ずイ
）と、該配線内を流れる電流密度の増大に伴うエレクト
ロマイグレーシ；Ｉンの発生により断線が発生ずる確率
が増大して、高い信頼度を得ろことが田！Ｕになる。
）合金が主に用いられているが、この八１合金により１
．０μｆｆ１以下の（）゛ブミクン幅の配線を形成ずイ
）と、該配線内を流れる電流密度の増大に伴うエレクト
ロマイグレーシ；Ｉンの発生により断線が発生ずる確率
が増大して、高い信頼度を得ろことが田！Ｕになる。
そこで＾１合金に代わって、より高い許容電流密度力ｆ
ｊｔられ、■つ耐エレクトロマイグレーション特性に優
れたＣＩ＋もしくはＣｕ合金を配線に用いろ試みがなさ
ているが、これらＣｕ系の祠料はエツチングの困難性か
ら精度のよい配線パターンが形成され速り、高精度をｆ
ｌするエソ千ング技術の開発が望まれている。
ｊｔられ、■つ耐エレクトロマイグレーション特性に優
れたＣＩ＋もしくはＣｕ合金を配線に用いろ試みがなさ
ているが、これらＣｕ系の祠料はエツチングの困難性か
ら精度のよい配線パターンが形成され速り、高精度をｆ
ｌするエソ千ング技術の開発が望まれている。
従来、ＣＩＩもしくはＣｕ合金配線パターンを形成する
に際してのＣｕもしくはＣｕ合金皮膜のエツチング手段
には、ウェットエツチングによる方法、塩素系ガスを用
いたりアクティブイオンエツチングによる方法、及び不
活性ガスを用いたスパソタエ・７−ｆ〜ソングよる方法
等が用いられ°ζいた。
に際してのＣｕもしくはＣｕ合金皮膜のエツチング手段
には、ウェットエツチングによる方法、塩素系ガスを用
いたりアクティブイオンエツチングによる方法、及び不
活性ガスを用いたスパソタエ・７−ｆ〜ソングよる方法
等が用いられ°ζいた。
ウェットエツチングによるツノ−法ｔＪ、例えばレジス
トをマスクにし、１０％硝酸（ＩＩＮＯ，）等により選
択エツチングする方法であるが、この方法には、サイド
エソヂング用が大きいためにパターニング精爪が１−が
らず、サブミクＵｌン幅の配線パターンの形成が困難で
あるという問題があった。
トをマスクにし、１０％硝酸（ＩＩＮＯ，）等により選
択エツチングする方法であるが、この方法には、サイド
エソヂング用が大きいためにパターニング精爪が１−が
らず、サブミクＵｌン幅の配線パターンの形成が困難で
あるという問題があった。
また塩素系ガスを用いたりアクティブイオンエツチング
による方法は、反応生成物である蒸気圧のイ１（い塩化
銅がエツチング面をＩＷってエツチングの進行が阻ＩＬ
−されるのを回避するために、エツチングガスにアルゴ
ン等の不活性ガスを加えてプラズマ強度を増すと同時に
、基板を２００〜２３０ ”Ｃ程度に加熱することによ
ってエツチング面に付着する塩化ｉ１４を排除しつつエ
ツチングを行うが、この方法によると、基板加熱により
レジストマスクが軟化するためにパターン精度が低下す
ると同時に、形成されるＣｕもしくは（：１１合金配線
の側面が酸化されて配線の実効断面積が低下するので、
前記ウエッＩ・〕−ソチング法同様にサブミクし１７幅
の配線パターンの形成が困難であった。
による方法は、反応生成物である蒸気圧のイ１（い塩化
銅がエツチング面をＩＷってエツチングの進行が阻ＩＬ
−されるのを回避するために、エツチングガスにアルゴ
ン等の不活性ガスを加えてプラズマ強度を増すと同時に
、基板を２００〜２３０ ”Ｃ程度に加熱することによ
ってエツチング面に付着する塩化ｉ１４を排除しつつエ
ツチングを行うが、この方法によると、基板加熱により
レジストマスクが軟化するためにパターン精度が低下す
ると同時に、形成されるＣｕもしくは（：１１合金配線
の側面が酸化されて配線の実効断面積が低下するので、
前記ウエッＩ・〕−ソチング法同様にサブミクし１７幅
の配線パターンの形成が困難であった。
また不活性ガスによるスパッタエソ−ｆ゛ング方法は、
エツチング速度が極めて遅く製造効率が大幅に低下する
という問題があった。
エツチング速度が極めて遅く製造効率が大幅に低下する
という問題があった。
そこで本発明は、ＣｕもしくはＣｕ合金配線パターンを
形成するに際しての、高精度を有し、１１つ高エツチン
グ速度を有するＣｕもしくはＣ１１合冷皮膜のエツチン
グ方法の提供を目的とする。
形成するに際しての、高精度を有し、１１つ高エツチン
グ速度を有するＣｕもしくはＣ１１合冷皮膜のエツチン
グ方法の提供を目的とする。
１−記課題は、ＣｕもしくはＣｕ合金の皮膜を、レジス
トをマスクにし、Ｃｕを腐蝕するガスと不活性ガスとの
混合ガスの雰囲気中において、反応性イオンビーＪ、エ
ツチング法によりパターニングする１−稈を有する本発
明によるＣｕもしくはＣＩＩ合倉電１〜配線の形成方法
によ−、て解決される。
トをマスクにし、Ｃｕを腐蝕するガスと不活性ガスとの
混合ガスの雰囲気中において、反応性イオンビーＪ、エ
ツチング法によりパターニングする１−稈を有する本発
明によるＣｕもしくはＣＩＩ合倉電１〜配線の形成方法
によ−、て解決される。
即ら本発明の方法においては、高速に加速された電気的
に中性なＣ１１を腐蝕するガスの粒子の衝突によってＣ
ｕもしくはＣｕ合金の表面がエツチングされ、１′［つ
エツチング面に反応生成物とし７て形成されるＣｕ化合
物が高速に加速されて衝突する電気的に中性な不活性ガ
ス粒子・のスパッタ効果によって飛１１１１．除去され
て常に清浄なエツチング面が表出される。従って、イオ
ンビーＪ、工、チング特仔の基板面に対して垂直な方向
に異方性を有するＣｕもしくはＣｕ合金のエツチングを
急速に進行せしめることが可能になり、ナブミクロン幅
を有するＣｕもしくは（：０合金電極配線を高精度に、
■・つ効率良く形成することができるなる。
に中性なＣ１１を腐蝕するガスの粒子の衝突によってＣ
ｕもしくはＣｕ合金の表面がエツチングされ、１′［つ
エツチング面に反応生成物とし７て形成されるＣｕ化合
物が高速に加速されて衝突する電気的に中性な不活性ガ
ス粒子・のスパッタ効果によって飛１１１１．除去され
て常に清浄なエツチング面が表出される。従って、イオ
ンビーＪ、工、チング特仔の基板面に対して垂直な方向
に異方性を有するＣｕもしくはＣｕ合金のエツチングを
急速に進行せしめることが可能になり、ナブミクロン幅
を有するＣｕもしくは（：０合金電極配線を高精度に、
■・つ効率良く形成することができるなる。
〔実施例］
以下本発明を、図示実施例により具体的に説明する。
第１図（、Ｉ）〜（ｄｉは本発明の方法の一実施例の工
程断面図、第２図はイオンビームエツチング装置の栓穴
側断面図、第３図は本発明の方法の反応のメカニズムを
示す図である。
程断面図、第２図はイオンビームエツチング装置の栓穴
側断面図、第３図は本発明の方法の反応のメカニズムを
示す図である。
全図を通じ同一対象物は同一符合で示す。
第１図（ａ）参照
本発明の方法を用いて半導体装置のＣｕ配綿を形成する
に際しては、例えばｒｌ ’型不純物拡散９ｒ！域２を
有するｐ型シリニｔン基板Ｉ Ｌに７．酸化シリτｌン
（Ｓｉｎ□）等の絶縁膜３が形成され、該化１７膜３に
ｉｆｆ記ロ°型不純物拡散領域２を表出するコンタクト
窓４が形成されてなる被処理基板りに、１ｌｌｌ常のス
パッタ技術を用いて、シリコン面との良好な電気的接続
を得るためのコンタクト層としての厚さ１００人程度の
チタン（Ｔｉ）層５、及びＣｕの拡散を！９１市するバ
リ）′層として厚さ１０００八程度の窒化チタン（Ｔｉ
Ｎ）層６を形成した後、該ＴｉＮ層６１二に通常のマグ
ネトロンスパッタ法により配線材料である厚さ５０００
八程度のＣｕ膜７を形成°４°ろ。
に際しては、例えばｒｌ ’型不純物拡散９ｒ！域２を
有するｐ型シリニｔン基板Ｉ Ｌに７．酸化シリτｌン
（Ｓｉｎ□）等の絶縁膜３が形成され、該化１７膜３に
ｉｆｆ記ロ°型不純物拡散領域２を表出するコンタクト
窓４が形成されてなる被処理基板りに、１ｌｌｌ常のス
パッタ技術を用いて、シリコン面との良好な電気的接続
を得るためのコンタクト層としての厚さ１００人程度の
チタン（Ｔｉ）層５、及びＣｕの拡散を！９１市するバ
リ）′層として厚さ１０００八程度の窒化チタン（Ｔｉ
Ｎ）層６を形成した後、該ＴｉＮ層６１二に通常のマグ
ネトロンスパッタ法により配線材料である厚さ５０００
八程度のＣｕ膜７を形成°４°ろ。
第１図（ｂ）参照
次いで通常のフォトプロセスにより−１−記Ｃｕ ｌｌ
り７トにサブミクロン幅の配線パターンに対応すイ）形
状を在する厚さｌ ｐ ｍ程度のし・シストパターン８
を形成する。
り７トにサブミクロン幅の配線パターンに対応すイ）形
状を在する厚さｌ ｐ ｍ程度のし・シストパターン８
を形成する。
第１図（Ｃａｐ照
次いで１．記しジストパターン８をマスクにし７、Ｃｕ
を腐蝕するガス例えば亜酸他室：＋７（ＮｚＯ） と不
活性ガス例えばアルゴン（＾「）との混合ガスの減圧雰
囲気中においてイオンビー１、エツチングを行い、レジ
ストパターン８の側方に露出Ｌ７ているＣｕ１１９７を
選択的にエツチング除去しリーブミクロン幅を有する肖
−配線７！、を形成する。
を腐蝕するガス例えば亜酸他室：＋７（ＮｚＯ） と不
活性ガス例えばアルゴン（＾「）との混合ガスの減圧雰
囲気中においてイオンビー１、エツチングを行い、レジ
ストパターン８の側方に露出Ｌ７ているＣｕ１１９７を
選択的にエツチング除去しリーブミクロン幅を有する肖
−配線７！、を形成する。
第２図はト記エツチングに用いたイオンビームエッヂン
グ装置の一例を模式的に示した図で、１０はタングステ
ン（唱 フィラメント、１１はアノード、１２はマグネ
ｙ Ｉ・、１３はカソードグリッド、１４はエクストラ
クタグリッド、１５はニュートライザ、１６は被処理基
板、【７はステージ、Ｒ１は被処理基板の公転を示す矢
印、Ｒ２は被処理基板の自転を示す矢印、Ｖｌｌｃは真
空ｔａｒ気、ＩＧはイオンガン部、 ＥＯはエツチング
−Ｔ・ヤンバ部を示す。
グ装置の一例を模式的に示した図で、１０はタングステ
ン（唱 フィラメント、１１はアノード、１２はマグネ
ｙ Ｉ・、１３はカソードグリッド、１４はエクストラ
クタグリッド、１５はニュートライザ、１６は被処理基
板、【７はステージ、Ｒ１は被処理基板の公転を示す矢
印、Ｒ２は被処理基板の自転を示す矢印、Ｖｌｌｃは真
空ｔａｒ気、ＩＧはイオンガン部、 ＥＯはエツチング
−Ｔ・ヤンバ部を示す。
この図に示されるように、装置はイオンビー１、を発生
するイオンガン部（ＩＧ）とエツチングが行われるエツ
チングチャンバ部（［ＩＣ）とからなっており、エツチ
ングに際しては、第１Ｖ４（１１）に示す状態の被処理
基板１６をステージ１７にに搭載し、・Ｃオンガン（１
Ｇ）側から所定の等し７い流晴で前記Ｎ２０ガスと静ガ
スを流入し、所定の真空ＩＪＩ気（Ｖ＋ｉ（：）を行っ
て装置内の混合ガス即り反応ガス圧を３〜５ Ｘ ｆＯ
−’Ｔ。
するイオンガン部（ＩＧ）とエツチングが行われるエツ
チングチャンバ部（［ＩＣ）とからなっており、エツチ
ングに際しては、第１Ｖ４（１１）に示す状態の被処理
基板１６をステージ１７にに搭載し、・Ｃオンガン（１
Ｇ）側から所定の等し７い流晴で前記Ｎ２０ガスと静ガ
スを流入し、所定の真空ＩＪＩ気（Ｖ＋ｉ（：）を行っ
て装置内の混合ガス即り反応ガス圧を３〜５ Ｘ ｆＯ
−’Ｔ。
「ｒ程度に制御する。そしてＷフィラメン）・１０．！
−アノーロｌの間に５００〜１００ＯＶ程度の高電圧が
かけられ、１〕記反応ガスのプラズマをイオンガン （
１Ｇ）部に発生させる。
−アノーロｌの間に５００〜１００ＯＶ程度の高電圧が
かけられ、１〕記反応ガスのプラズマをイオンガン （
１Ｇ）部に発生させる。
このプラズマにより発生した正イオン及び正ラジカルは
負電位のカン−１′グリツド１３と更に深い負電位のエ
クストラクタグリッド１４の作用によってエツチングチ
ャンバ部（Ｉｉ Ｃ）内へ引き出され、カソードグリッ
ド１３とエクストラクタグリッド１４の電位差によっ°
ζ被処理八ハエ６面に対して１１１直な向ぎに高速に加
速される。そしてこの正イオン及び正ラジカルはニュー
１−ラ・１４月５から電子を受は取って中性なＡｒ粒子
とＮ、０粒子となって高速で被処理基板１６面にｊチ１
突してエツチングがなされる。
負電位のカン−１′グリツド１３と更に深い負電位のエ
クストラクタグリッド１４の作用によってエツチングチ
ャンバ部（Ｉｉ Ｃ）内へ引き出され、カソードグリッ
ド１３とエクストラクタグリッド１４の電位差によっ°
ζ被処理八ハエ６面に対して１１１直な向ぎに高速に加
速される。そしてこの正イオン及び正ラジカルはニュー
１−ラ・１４月５から電子を受は取って中性なＡｒ粒子
とＮ、０粒子となって高速で被処理基板１６面にｊチ１
突してエツチングがなされる。
なおりソードグリッド１３及びエクスＩ・ラクタグリッ
１′１４は例えば約３−―φの孔がｌく・−２当たり１
個の割合で形成された金属板に、Ｌ′、っ°（形成され
、二、、 −１−ラ・イザ１５は直径！酎のタングステ
ン線Ｈによって形成されろ。
１′１４は例えば約３−―φの孔がｌく・−２当たり１
個の割合で形成された金属板に、Ｌ′、っ°（形成され
、二、、 −１−ラ・イザ１５は直径！酎のタングステ
ン線Ｈによって形成されろ。
第３図は１−記反応のメカニズｌ、を示した図である。
、Ｃオンガンで加速され、［１，つ中性化されへ静↑◇
了及びＮ、０粒子のビーノ、＆：ｔ ｆｉｉ目Ｊｅ Ｉ
−、７ｊ、 Ｊ’、 ’＋にｃ ｕ Ｉ＋／）ニアｃご
Ｇ、■ぽ垂直に衝突するので、該Ｃｕ１ｌり７ばレジス
トパターン８の側面に沿って基板面に対しほぼ垂直な方
向に異方性エツチングされ、レジストパターン８に高精
度に整合したＣｕバクーンが形成でき、高ｆａ１度のサ
ブミクロンパターンが容易に形成される。
了及びＮ、０粒子のビーノ、＆：ｔ ｆｉｉ目Ｊｅ Ｉ
−、７ｊ、 Ｊ’、 ’＋にｃ ｕ Ｉ＋／）ニアｃご
Ｇ、■ぽ垂直に衝突するので、該Ｃｕ１ｌり７ばレジス
トパターン８の側面に沿って基板面に対しほぼ垂直な方
向に異方性エツチングされ、レジストパターン８に高精
度に整合したＣｕバクーンが形成でき、高ｆａ１度のサ
ブミクロンパターンが容易に形成される。
この際、静粒子はＮ、０粒子のエツチング反応によって
エツチング面に生成したＣｕ化合物のスパッタ除去に寄
与して、エツチング面に常に清浄なＣｕ面を表出せしめ
るので、エツチングは高速で進行する。
エツチング面に生成したＣｕ化合物のスパッタ除去に寄
与して、エツチング面に常に清浄なＣｕ面を表出せしめ
るので、エツチングは高速で進行する。
第１図（ｄ）参照
第１図（Ｃ）に示す工程に次いで、前記レジストパター
ン８及びＣｕＡ！線７タ全７タクにし、例えば６弗化硫
黄（Ｓｌ’６）をエツチングガスに用いるリアクう゛−
イブイオンエツチング処理により表出しているＴｉＮ層
６及びその下部の７１層５を選択的に除去し、レジスト
パターン８を除去して、下部にＴｉＮ層６よりなる拡ｆ
ｉＩ１．バリア層を介して７１層５よりｔζろシリニｔ
ンζ７食、１する−１ンククト層を有するサブミクロン
幅のＣｕ配線７オが形成される。
ン８及びＣｕＡ！線７タ全７タクにし、例えば６弗化硫
黄（Ｓｌ’６）をエツチングガスに用いるリアクう゛−
イブイオンエツチング処理により表出しているＴｉＮ層
６及びその下部の７１層５を選択的に除去し、レジスト
パターン８を除去して、下部にＴｉＮ層６よりなる拡ｆ
ｉＩ１．バリア層を介して７１層５よりｔζろシリニｔ
ンζ７食、１する−１ンククト層を有するサブミクロン
幅のＣｕ配線７オが形成される。
４仁吟本発明の方法は、上記実施例に示すＣｕ単体よ〃
）なる配線に限らず、Ｒｅ、 Ｔｉ、 Ｚｎ等を３んだ
Ｃｕ合金配線を形成する際にも適用される。
）なる配線に限らず、Ｒｅ、 Ｔｉ、 Ｚｎ等を３んだ
Ｃｕ合金配線を形成する際にも適用される。
またＣｕを腐蝕するガスには実施例に示すＮ２０以外に
Ｃ１□、５ｉＣＩｎ 、ＣＣｌ４、ｎｃ＋、を等の塩素
系のガスも用いられ、不活性ガスも計に限られない。
Ｃ１□、５ｉＣＩｎ 、ＣＣｌ４、ｎｃ＋、を等の塩素
系のガスも用いられ、不活性ガスも計に限られない。
なおまた、本発明の方法は１１層配線の形成にも勿論通
用される。
用される。
以ト説明のように本発明によれば、ナシミクロン幅のＣ
ｕもしくはＣｕ合金電極配線を品積（艷で効Ａ−１よく
形成することが可能になる。
ｕもしくはＣｕ合金電極配線を品積（艷で効Ａ−１よく
形成することが可能になる。
従っ°（本発明はＶｌ、ＳＩ等極度に高隼積化される゛
１′、導体装置のＬ”ｌ頼１／ト向１．にｆ１功である
。
１′、導体装置のＬ”ｌ頼１／ト向１．にｆ１功である
。
第１図（ｄ）〜（（１）は本発明の一実施例の１−程断
面図、第２図１１・ｆ４“ンビーノ、エツチング装置の
模式側断面図、 第３図は本発明の方法の反応のメカニズムを示す図であ
る。 図において、 １はｐ型シリニｌン基板、 ２番；ｆ： ｎ ’型不純物拡１１シ領域、３ば落色本
１！り、 ４はコンタクト窓、５はＴｉ層、
６はＴｉＮ層、７はＣｕ膜、
７１．はに１１配線、８はレジストパターン、 １０はＷフィラメント、 ！■はアノード、１２はマグ
ネット、 １３はカッ−トゲリッド、１４はエク
ストラククグリノド、 １５は二１−トライザ、 １６はン皮処［＋１すＳ１反
、１７ばステージ、 Ｖａｃは真空排気、１Ｇは
イオンガン部、 １）Ｃはエツチングチャンバ部 を示す。 木党明ｊ／友発例の工程断面図 第 １ 図 イオ〉ビームエ・ゾ乎シフ゛装厘の村１ベイ呉ｊｊ史り
幻図＄２図 オ余朗のオぼのメカニス゛ムを遭す図 第 ３ 図
面図、第２図１１・ｆ４“ンビーノ、エツチング装置の
模式側断面図、 第３図は本発明の方法の反応のメカニズムを示す図であ
る。 図において、 １はｐ型シリニｌン基板、 ２番；ｆ： ｎ ’型不純物拡１１シ領域、３ば落色本
１！り、 ４はコンタクト窓、５はＴｉ層、
６はＴｉＮ層、７はＣｕ膜、
７１．はに１１配線、８はレジストパターン、 １０はＷフィラメント、 ！■はアノード、１２はマグ
ネット、 １３はカッ−トゲリッド、１４はエク
ストラククグリノド、 １５は二１−トライザ、 １６はン皮処［＋１すＳ１反
、１７ばステージ、 Ｖａｃは真空排気、１Ｇは
イオンガン部、 １）Ｃはエツチングチャンバ部 を示す。 木党明ｊ／友発例の工程断面図 第 １ 図 イオ〉ビームエ・ゾ乎シフ゛装厘の村１ベイ呉ｊｊ史り
幻図＄２図 オ余朗のオぼのメカニス゛ムを遭す図 第 ３ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 銅もしくは銅合金の皮膜を、 レジストをマスクにし、 銅を腐蝕するガスと不活性ガスとの混合ガスの雰囲気中
において、 反応性イオンビームエッチング法によりパターニングす
る工程を有することを特徴とする銅もしくは銅合金電極
配線の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13971188A JPH01308028A (ja) | 1988-06-07 | 1988-06-07 | 銅もしくは銅合金電極配線の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13971188A JPH01308028A (ja) | 1988-06-07 | 1988-06-07 | 銅もしくは銅合金電極配線の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01308028A true JPH01308028A (ja) | 1989-12-12 |
Family
ID=15251640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13971188A Pending JPH01308028A (ja) | 1988-06-07 | 1988-06-07 | 銅もしくは銅合金電極配線の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01308028A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0534513A (ja) * | 1991-07-29 | 1993-02-12 | Shimadzu Corp | 格子板の製造方法 |
| US5578166A (en) * | 1993-05-17 | 1996-11-26 | Fujitsu Limited | Method of reactive ion etching of a thin copper film |
| KR100495856B1 (ko) * | 1998-12-30 | 2005-09-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 구리 금속 배선 형성 방법 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57155383A (en) * | 1980-12-24 | 1982-09-25 | Ibm | Formation of metal pattern based on copper |
| JPS6086285A (ja) * | 1983-08-02 | 1985-05-15 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 銅のドライ・エツチング法 |
| JPS6265331A (ja) * | 1985-09-17 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 銅もしくは銅合金のエツチング方法 |
-
1988
- 1988-06-07 JP JP13971188A patent/JPH01308028A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57155383A (en) * | 1980-12-24 | 1982-09-25 | Ibm | Formation of metal pattern based on copper |
| JPS6086285A (ja) * | 1983-08-02 | 1985-05-15 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 銅のドライ・エツチング法 |
| JPS6265331A (ja) * | 1985-09-17 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 銅もしくは銅合金のエツチング方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH0534513A (ja) * | 1991-07-29 | 1993-02-12 | Shimadzu Corp | 格子板の製造方法 |
| US5578166A (en) * | 1993-05-17 | 1996-11-26 | Fujitsu Limited | Method of reactive ion etching of a thin copper film |
| KR100495856B1 (ko) * | 1998-12-30 | 2005-09-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 구리 금속 배선 형성 방법 |
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