JPH01302169A - 半導体加速度センサの破損防止装置 - Google Patents
半導体加速度センサの破損防止装置Info
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- JPH01302169A JPH01302169A JP13309488A JP13309488A JPH01302169A JP H01302169 A JPH01302169 A JP H01302169A JP 13309488 A JP13309488 A JP 13309488A JP 13309488 A JP13309488 A JP 13309488A JP H01302169 A JPH01302169 A JP H01302169A
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- acceleration sensor
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- 230000001133 acceleration Effects 0.000 title claims abstract description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 7
- 230000003321 amplification Effects 0.000 abstract description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229920006328 Styrofoam Polymers 0.000 description 1
- 241001122767 Theaceae Species 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical group C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000008261 styrofoam Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体支持ばシを用いたピエゾ抵抗による
半導体加速度センサの破損防止装置に関し、特に取扱い
や搬送におけるセンサ素子の破損防止にかかわる。
半導体加速度センサの破損防止装置に関し、特に取扱い
や搬送におけるセンサ素子の破損防止にかかわる。
第３図は例えば特開昭６２−２２１１６４号公報に示さ
れた従来の半導体加速度センサを示す正面断面図である
。図において、ｌはシリコンからなる片持ばシで、固定
端部近くの表面部に溝部ｌａが設けられ、上部が局部的
に薄肉部１ｂにされ、センサ感度を高めている。この薄
肉部１ｂ表面部には熱拡散などによシ複飲のピエゾ抵抗
２が設けられていて、ブリッジ回路に構成されている。
れた従来の半導体加速度センサを示す正面断面図である
。図において、ｌはシリコンからなる片持ばシで、固定
端部近くの表面部に溝部ｌａが設けられ、上部が局部的
に薄肉部１ｂにされ、センサ感度を高めている。この薄
肉部１ｂ表面部には熱拡散などによシ複飲のピエゾ抵抗
２が設けられていて、ブリッジ回路に構成されている。
片持ばシ１の自由端側には重り３が接合されている０６
はセラミック又は合成樹脂などからなる容器で、台座フ
によシ片持ばシｌの固定端部を固着支持しておシ、セラ
ミック又は合成樹脂などのカバー８が取付けられている
。９は複数のリードで、各電極６に金属線ｉｌ！１０に
よシワイヤボンディング賂れている。
はセラミック又は合成樹脂などからなる容器で、台座フ
によシ片持ばシｌの固定端部を固着支持しておシ、セラ
ミック又は合成樹脂などのカバー８が取付けられている
。９は複数のリードで、各電極６に金属線ｉｌ！１０に
よシワイヤボンディング賂れている。
上記片持ばシ１を収容した容器６は、プリント基板又は
ハイブリッドＩＣ基板など回路基板（図示は略す）上に
装着され、この回路基板は外装パッケージ（図示は略す
）に組込まれ、この外装パッケージは輸送されて恢、車
体に搭載賂れる。
ハイブリッドＩＣ基板など回路基板（図示は略す）上に
装着され、この回路基板は外装パッケージ（図示は略す
）に組込まれ、この外装パッケージは輸送されて恢、車
体に搭載賂れる。
上記のような従来の半導体加速度センサは、外装パッケ
ージに組込まれて取扱われ、外装パッケージは輸送時に
はダンボールに収容されるが、輸送時の落下など取扱い
不具合いによシ、あるいは、外装パッケージを車に取付
けの際の落下などによシ生じる衝撃加速度によって、機
械的強度が小さく、耐衝撃性の低いセンサ素子が破損す
るという問題点があった。
ージに組込まれて取扱われ、外装パッケージは輸送時に
はダンボールに収容されるが、輸送時の落下など取扱い
不具合いによシ、あるいは、外装パッケージを車に取付
けの際の落下などによシ生じる衝撃加速度によって、機
械的強度が小さく、耐衝撃性の低いセンサ素子が破損す
るという問題点があった。
この発明は、このような問題点を解決するためになされ
たもので、落下など取扱い不具合いがあってもセンサ素
子が破損することのない半導体加速度センサの破損防止
装置を得ることを目的としている。
たもので、落下など取扱い不具合いがあってもセンサ素
子が破損することのない半導体加速度センサの破損防止
装置を得ることを目的としている。
この発明にかかる半導体加速度センサの破損防止装置は
、半導体加速度センサ素子部を収容した容器を装着し、
周辺回路を設けた回路基板を組込んだ外装パッケージの
各外周辺面に緩衝材を付着したもので、車体に搭載する
ときには緩衝材を外すか、あるいは、付着したままとす
る。
、半導体加速度センサ素子部を収容した容器を装着し、
周辺回路を設けた回路基板を組込んだ外装パッケージの
各外周辺面に緩衝材を付着したもので、車体に搭載する
ときには緩衝材を外すか、あるいは、付着したままとす
る。
この発明においては、外装パッケージは緩衝材で囲われ
ておシ、取扱い不具合で落下することがあっても、内部
のセンサ素子が破損することはない。取外した緩衝材は
再使用できる。
ておシ、取扱い不具合で落下することがあっても、内部
のセンサ素子が破損することはない。取外した緩衝材は
再使用できる。
第１図はこの発明による半導体加速度センサの破損防止
装置の一実施例を示す断面図である。図において、６は
上記第３図と同一の半導体加速度センサを収容した茶器
で、カバー８が取付けられている。１１は加速度センサ
の増幅回路、補償回路などの周辺回路、１２は容器６を
装着し周辺回路１１を設けたプリント基板又はパイグリ
ッドエＣ基板などの回路基板、１３はこの回路基板１２
を組込み収容した外装パッケージで、合成樹脂材などか
らなる。２０はこのパッケージ１３の各外周辺面に接着
によシ付Ｗｔされた緩衝材である。この緩衝材は両面接
着テープなどによシ取外し可能に付着してもよい。緩衝
材２０の材質は、例えばシリコンスポンジ、ポリワレタ
ンスポンジ、発泡スチロールなどである。
装置の一実施例を示す断面図である。図において、６は
上記第３図と同一の半導体加速度センサを収容した茶器
で、カバー８が取付けられている。１１は加速度センサ
の増幅回路、補償回路などの周辺回路、１２は容器６を
装着し周辺回路１１を設けたプリント基板又はパイグリ
ッドエＣ基板などの回路基板、１３はこの回路基板１２
を組込み収容した外装パッケージで、合成樹脂材などか
らなる。２０はこのパッケージ１３の各外周辺面に接着
によシ付Ｗｔされた緩衝材である。この緩衝材は両面接
着テープなどによシ取外し可能に付着してもよい。緩衝
材２０の材質は、例えばシリコンスポンジ、ポリワレタ
ンスポンジ、発泡スチロールなどである。
第２図に示すように、パッケージ１３の外周辺面には緩
衝材２０が付着されてあシ、輸送時や車体に載せる際、
誤って落下しても、衝撃が緩和され内部のセンサ素子の
破損が防止される。
衝材２０が付着されてあシ、輸送時や車体に載せる際、
誤って落下しても、衝撃が緩和され内部のセンサ素子の
破損が防止される。
パッケージ１６を車体に取付けるとき、緩衝材２０は取
外すか、付着したま１とする。取外した緩衝材２０は一
括返送し、再利用できる。
外すか、付着したま１とする。取外した緩衝材２０は一
括返送し、再利用できる。
以上のように、この発明によれば、半導体加速度センサ
素子を収容した容器を、周辺回路を設けた回路基板に装
着し、この回路基板を取付は収容した外装パッケージの
外周に緩衝材を付着したので、車体に取付は前の取扱い
不具合いで落下などがあっても、センサ素子部の破損が
防止される。
素子を収容した容器を、周辺回路を設けた回路基板に装
着し、この回路基板を取付は収容した外装パッケージの
外周に緩衝材を付着したので、車体に取付は前の取扱い
不具合いで落下などがあっても、センサ素子部の破損が
防止される。
第１図はこの発明による半導体加速度センナの破損防止
装置の一実施例を示す正面断面図、Ｎ２図は第１図の装
置のｆＰ＋視図１第３図は従来の半導体加速度センサの
正面断面図である。 １・・・半導体支持は夛（片持ばシ）、１ａ・・・溝部
、１ｂ・・・薄肉部、２・・・ピエゾ抵抗、６・・・容
器、８・・・カバー、１１・・・周辺回路、１２・・・
回路基板、１３・・・外装パッケージ、２０・・・緩衝
材 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
装置の一実施例を示す正面断面図、Ｎ２図は第１図の装
置のｆＰ＋視図１第３図は従来の半導体加速度センサの
正面断面図である。 １・・・半導体支持は夛（片持ばシ）、１ａ・・・溝部
、１ｂ・・・薄肉部、２・・・ピエゾ抵抗、６・・・容
器、８・・・カバー、１１・・・周辺回路、１２・・・
回路基板、１３・・・外装パッケージ、２０・・・緩衝
材 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 半導体支持ばりの固定端近くの裏面部に溝部が形成さ
れ上部が薄肉部にされ、この薄肉部の表面部に複数のピ
エゾ抵抗が形成されブリツジ回路に構成された半導体加
速度センサ、この加速度センサを取付け収容した容器、
この容器を装着し周辺回路を設けた回路基板、この回路
基板を取付けた外装パツケージ、この外装パツケージの
各外周面にそれぞれ付着された緩衝材を備えた半導体加
速度センサの破損防止装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13309488A JPH01302169A (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | 半導体加速度センサの破損防止装置 |
| US07/400,450 US5048952A (en) | 1988-05-26 | 1989-08-30 | Liquid mixing ratio sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13309488A JPH01302169A (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | 半導体加速度センサの破損防止装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01302169A true JPH01302169A (ja) | 1989-12-06 |
Family
ID=15096702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13309488A Pending JPH01302169A (ja) | 1988-05-26 | 1988-05-30 | 半導体加速度センサの破損防止装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01302169A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04221773A (ja) * | 1990-12-25 | 1992-08-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体加速度センサ |
| US5233873A (en) * | 1991-07-03 | 1993-08-10 | Texas Instruments Incorporated | Accelerometer |
| US5773881A (en) * | 1996-05-28 | 1998-06-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Acceleration sensor device |
| JP2013108886A (ja) * | 2011-11-22 | 2013-06-06 | Seiko Epson Corp | センサーユニット及びそれを用いた運動計測システム |
| JP2013253792A (ja) * | 2012-06-05 | 2013-12-19 | Seiko Epson Corp | センサーユニット及びそれを用いた運動計測システム |
-
1988
- 1988-05-30 JP JP13309488A patent/JPH01302169A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04221773A (ja) * | 1990-12-25 | 1992-08-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体加速度センサ |
| US5233873A (en) * | 1991-07-03 | 1993-08-10 | Texas Instruments Incorporated | Accelerometer |
| US5343748A (en) * | 1991-07-03 | 1994-09-06 | Texas Instruments Incorporated | Accelerometer with strain isolated sensor |
| US5773881A (en) * | 1996-05-28 | 1998-06-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Acceleration sensor device |
| JP2013108886A (ja) * | 2011-11-22 | 2013-06-06 | Seiko Epson Corp | センサーユニット及びそれを用いた運動計測システム |
| JP2013253792A (ja) * | 2012-06-05 | 2013-12-19 | Seiko Epson Corp | センサーユニット及びそれを用いた運動計測システム |
| US9404934B2 (en) | 2012-06-05 | 2016-08-02 | Seiko Epson Corporation | Sensor unit and motion measurement system using the same |
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