JPH01298766A - Semiconductor device - Google Patents
Semiconductor deviceInfo
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- JPH01298766A JPH01298766A JP12835788A JP12835788A JPH01298766A JP H01298766 A JPH01298766 A JP H01298766A JP 12835788 A JP12835788 A JP 12835788A JP 12835788 A JP12835788 A JP 12835788A JP H01298766 A JPH01298766 A JP H01298766A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はダンパダイオード内蔵のトランジスタにおける
破壊防止構造に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a breakdown prevention structure in a transistor with a built-in damper diode.
［従来の技術〕
プレーナ形のトランジスタ、たとえばＴＶ水平偏向用パ
ワートランジスタにおいて、ベースエミッタ間に抵抗を
設けるとともにエミッタ・コレクタ間にダイオードを接
続した構造のダンパダイオードが知られている。このダ
ンパ・ダイオードは従来の外付型から現在はベース・コ
レクタ接合を利用した内蔵型が使用されている。[Prior Art] In a planar transistor, for example, a power transistor for horizontal deflection of a TV, a damper diode having a structure in which a resistor is provided between a base and an emitter and a diode is connected between an emitter and a collector is known. This damper diode has changed from the conventional external type to the built-in type that utilizes a base-collector junction.
ダンパダイオード内蔵型のトランジスタは、第３図、第
４図に示すように、コレクタとなるｎ型半導体基板９，
１００−主表面にｐ型ベース８が形成され、ベース表面
にコンタクト部２を点在させてこれらをとり囲みｎ＋型
エミッタ抵抗層７を形成し、ベースの表面の一部に広い
面積をもつダイオードコンタクト部 を設けて上記エミ
ッタの間の抵抗Ｒによりコンタクト部直下のｐｎ接合を
ダンパダイオード利用したもので、トランジスタのエミ
ッタ・コレクタがオフした場合に上記ダンパダイオード
を通じて逆電流を流しトランジスタの破壊を防止するよ
うにしたものである。As shown in FIGS. 3 and 4, the transistor with a built-in damper diode has an n-type semiconductor substrate 9 serving as a collector,
100- A p-type base 8 is formed on the main surface, contact portions 2 are dotted on the base surface and an n + type emitter resistance layer 7 is formed surrounding them, and a diode having a large area on a part of the base surface. A contact part is provided and the pn junction directly under the contact part is used as a damper diode by the resistor R between the emitters, and when the emitter and collector of the transistor are turned off, reverse current flows through the damper diode and prevents destruction of the transistor. It was designed to do so.
ベース・エミッタ間の抵抗を得るために、従来はダイオ
ードコンタクト部とその周辺のベース・コンタクト部と
の距離（ｌ＋＋ｌｔ 、）は適当に設定されていた。In order to obtain the base-emitter resistance, the distance (l++lt,) between the diode contact portion and the surrounding base contact portion has conventionally been set appropriately.
ダイオードコンタクト部はエミッタ電極と重なり、トラ
ンジスタチップの一方側（図面の右側）に偏在されるた
めに、ベースコンタクトは反対側（左側）に集中的に設
けられることになった。Since the diode contact portion overlaps with the emitter electrode and is unevenly distributed on one side of the transistor chip (the right side in the drawing), the base contact is concentrated on the opposite side (left side).
前述のように、ダンパダイオード・コンタクト部とその
周辺のベースコンタクト部との距離が不定であることに
より、ダンパダイオード動作時にある部分ではホールへ
の引出し離い部分が生じて一部に（たとえばコンタクト
部の角部×印）に電流集中が起り、ダンパダイオードと
トランジスタを交互にオン・オフを繰り返すと破壊耐量
が弱（なるという結果となった。As mentioned above, because the distance between the damper diode contact part and the base contact part around it is undefined, when the damper diode operates, some parts are drawn out to the hole, and some parts (for example, contact Current concentration occurred at the corners of the parts (x marks), and when the damper diode and transistor were alternately turned on and off, the breakdown resistance became weak.
本発明は上記した課題を解決するだめのものであって、
その目的はダンパダイオードの破壊強度を同上し、信頼
性の畠いダンパダイオード内蔵のトランジスタを籾供す
ることにある。The present invention is intended to solve the above-mentioned problems, and
The purpose is to improve the breakdown strength of the damper diode and to provide a highly reliable transistor with a built-in damper diode.
上記目的はダンパダイオード内蔵トランジスタにおいて
、ホールの引出し難い部分と引出し易い部分とがあられ
れないように、ダンパダイオード・コンタクト部と周辺
のい（つかのベースコンタクト部との間の距離を均一に
することにより、破壊耐量を同上させるものである。The above purpose is to equalize the distance between the damper diode contact part and the surrounding hole (some base contact part) in a transistor with a built-in damper diode, so that holes are difficult to extract and holes are easily extracted. This increases the breakdown resistance.
ダンパダイオード内蔵トランジスタにおいては、コレク
タとエミッタの間に表面のＡｌ［ｌｆ＜で接続されてい
るっトランジスタ動作時に電流はエミッタ側からコレク
タ側へ流れる。それはコレクタのｎ型、エミッタ側のｐ
型で構成されている。ベース・エミッタ間の抵抗は、ダ
ンパダイオード周辺のダイオードコンタクトとベースコ
ンタクトとの間のエミッタ直下のペース領域の抵抗Ｒを
利用しており、それらの間の距離（１）を均一化するこ
とにより、ダイオード動作時の電流集中がさけられ、し
たがって破壊耐量が同上する。In a transistor with a built-in damper diode, the collector and emitter are connected by surface Al[lf<>, and when the transistor operates, current flows from the emitter side to the collector side. It is n type on the collector and p on the emitter side.
It is made up of types. The resistance between the base and emitter uses the resistance R of the space region directly under the emitter between the diode contact around the damper diode and the base contact, and by making the distance (1) between them uniform, Current concentration during diode operation is avoided, and therefore breakdown resistance is improved.
以下本発明の一実施例について図面を参照し説明する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第１図はダンパダイオード内蔵トランジスタのダンパダ
イオード・コンタクト部とその近傍を含むコンタクト部
パターンを示す平面図である。１はダンパダイオードの
コンタクト部で広い面積でベース領域と接続する。２は
ベースコンタクト部でダンパダイオードコンタクト部の
周辺をほぼ等しい間隔ｌで取り囲み点在する。FIG. 1 is a plan view showing a contact portion pattern including a damper diode contact portion and its vicinity of a transistor with a built-in damper diode. Reference numeral 1 denotes a contact portion of the damper diode, which is connected to the base region over a wide area. Base contact portions 2 are scattered around the damper diode contact portion at approximately equal intervals l.
第２図は第１図におけるＡ−Ａ切断断面図であって、３
はエミッタ電極、４はベース電極、５はダンパダイオー
ド電極、６は酸化膜（Ｓｉｎ、膜）である。FIG. 2 is a sectional view taken along line A-A in FIG.
is an emitter electrode, 4 is a base electrode, 5 is a damper diode electrode, and 6 is an oxide film (Sin, film).
エミッタ電極３はいくつかのｎ＋拡散層からなるエミッ
タ領域７にコンタクト部を通じてオーミック接続する。Emitter electrode 3 is ohmically connected to emitter region 7 consisting of several n+ diffusion layers through a contact portion.
ベース電極４はメツ・／：＝−状に配列されたベースコ
ンタクトを通じてｐ拡散層からなるベース領域８にオー
ミック接続する。The base electrode 4 is ohmically connected to the base region 8 made of a p-diffused layer through base contacts arranged in a shape of ./:=-.
９はｎ−エピタキシャル層（又はｎ−基板）からなるコ
レクタ層、１０は口“基板（又はｎ＋拡散層）からなる
コレクタコンタクト層である。9 is a collector layer made of an n-epitaxial layer (or n-substrate), and 10 is a collector contact layer made of an open substrate (or n+ diffusion layer).
ベース・エミッタ抵抗Ｒはダンパダイオード（コンタク
ト）周辺のエミッタ領域７の直下のベース領域８で構成
し、ダンパダイオードはベース（ｐ型）とコレクタ（ｎ
型）とのｐｎ接合から構成される。The base-emitter resistance R is composed of a base region 8 directly under the emitter region 7 around the damper diode (contact), and the damper diode has a base (p type) and a collector (n
type).
トランジスタ動作時はキャリアが注入され、エミッタ下
に蓄積され、オフにすると同時にダンパダイオードがオ
ンするとエミッタ側からコレクタ側へ電流がながれる。During transistor operation, carriers are injected and accumulated under the emitter, and when the damper diode is turned on at the same time as it is turned off, current flows from the emitter side to the collector side.
この際に、抵抗を構成するエミッタの長さ（ベースコン
タクト部とダンパダイオードコンタクト部との距離ｌの
長いところがあるとホールの引出し難くなる。ダンパダ
イオード電流がながれたとき、このホールで電流がより
流れや丁くなるために過電流となり破壊する。本実施例
によれば、各ベースコンタクト部とダンパダイオードコ
ンタクト部の距離とを等しくなるようにし、ホールの引
出しを均一化することで破壊耐量を同上させる。At this time, if the length of the emitter that makes up the resistor is long (distance l between the base contact part and the damper diode contact part), it becomes difficult to extract the hole. When the damper diode current flows, the current becomes more This causes overcurrent and destruction due to current flow and blockage.According to this embodiment, by making the distances between each base contact part and the damper diode contact part equal, and making the hole extraction uniform, the destruction resistance can be increased. Same as above.
本発明は以上説明したように構成されているので、ダン
パダイオードの一部への電流集中がな（なり、放電テス
ト等においての破壊強度を向上し、それによって製品全
体の信頼性が向上するという効果な奏する。Since the present invention is configured as described above, current concentration in a part of the damper diode is prevented, and the breakdown strength in discharge tests etc. is improved, thereby improving the reliability of the entire product. Play effectively.
第１図は本発明の一実施例を示すトランジスタの一部平
面図である。
第２図は第１図におけるＡ−Ａ断面図である。
第３図は従来例を示すトランジスタの一部平面図である
。
第４図は第３図におけるＡ−Ａ断面図である。
第５図はダンパダイオード内蔵トランジスタの等価回路
図である。
１・・・ダンパダイオード・コンタクト部、２・・・ベ
ースコンタクト部、３・・・エミッタ電画、４・・・ベ
ース電極、５・・・ダンパダイオード電極、６・・・酸
化膜、７・・・エミッタ領域、８・・・ベース領域（層
）、９・・・第１図
第２図FIG. 1 is a partial plan view of a transistor showing an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a sectional view taken along the line AA in FIG. 1. FIG. 3 is a partial plan view of a conventional transistor. FIG. 4 is a sectional view taken along the line AA in FIG. 3. FIG. 5 is an equivalent circuit diagram of a transistor with a built-in damper diode. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Damper diode contact part, 2... Base contact part, 3... Emitter electric picture, 4... Base electrode, 5... Damper diode electrode, 6... Oxide film, 7... ...Emitter region, 8...Base region (layer), 9...Fig. 1 Fig. 2
Claims (1)
面に第２導電型半導体層がベースとして形成され、上記
ベースの表面にベースコンタクトを点在させ、これらを
とり囲み第１導電型領域がエミッタとして形成され、ベ
ースの表面の一部はその直下の接合をダンパダイオード
として広い面積をもつコンタクト部が形成され、上記エ
ミッタの一部と抵抗接続されたダンパダイオード内蔵ト
ランジスタであって、上記ダンパダイオードコンタクト
部とその周辺にあるベースコンタクト部とは、ほぼ均一
な距離で形成されていることを特徴とする半導体装置。1. A semiconductor layer of a second conductivity type is formed as a base on the surface of the base with a semiconductor substrate of a first conductivity type as a collector, base contacts are dotted on the surface of the base, and a region of the first conductivity type surrounds these and is formed as an emitter. A transistor with a built-in damper diode is formed, and a contact portion having a large area is formed on a part of the surface of the base with the junction immediately below it as a damper diode, and the damper diode is connected to a part of the emitter by resistance. A semiconductor device characterized in that a contact portion and a base contact portion around the contact portion are formed at substantially uniform distances.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12835788A JP2619479B2 (en) | 1988-05-27 | 1988-05-27 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12835788A JP2619479B2 (en) | 1988-05-27 | 1988-05-27 | Semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01298766A true JPH01298766A (en) | 1989-12-01 |
| JP2619479B2 JP2619479B2 (en) | 1997-06-11 |
Family
ID=14982822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12835788A Expired - Fee Related JP2619479B2 (en) | 1988-05-27 | 1988-05-27 | Semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2619479B2 (en) |
-
1988
- 1988-05-27 JP JP12835788A patent/JP2619479B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2619479B2 (en) | 1997-06-11 |
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