JPH01294753A - 光ディスク基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は光ディスク基板に係り、特に、特定の熱安定剤
を含有してなる、熱加工安定性に優れたポリビニルシク
ロヘキサン系樹脂より構成された光ディスク基板に関す
る。

［従来の技術］ レーザーを用いた光学記録は高密度の情報記録、保存、
及び再生が可能であるため、近年その開発が積極的に行
なわれている。この様な光学記録の一例として光ディス
クを挙げることが出来る。一般に光ディスクは、透明な
基板とその上にコートされた種々の記録媒体とから基本
的に構成される。

光ディスクの透明基板には無色透明な合成樹脂が用いら
れるケースが多く、その代表的なものとしてポリカーボ
ネート（以下、ｒＰｃＪと略称する。）又はポリメチル
メタクリレート（以下、ｒＰＭＭＡＪと略称する。）を
挙げることができる。これらの樹脂は無色透明性に秀い
でる他、夫々に固有の優れた性質を有するものではある
が、光学材料、特に光ディスク基板としての要件を全て
備えている訳ではなく、解決すべき問題点を有している
。例えば、ＰＣにおいてはその芳香族環に起因する複屈
折性の問題があり、また、吸水性或いは透水性において
も問題がある。−・方、ＰＭＭＡにおいては、耐熱性、
吸水性、靭性の面における問題点がかねてより指摘され
ている。

このように、これらの樹脂は夫々固有の問題点を内在さ
せつつ使用に供されているのであるが、実際には更に、
これらの樹脂よりなる透明基板の上にコートされる記録
媒体との関係において、後述のような新たな問題が生じ
ている。

一方、記録媒体については、従来より光ディスクの用途
に応じて多岐にわたる開発が行なわれている。例えば、
ライト・ワンス型と呼ばれる記録−再生専用のものでは
穴あけタイプのものが、またイレーザブル型と呼ばれる
、記録−再生一消去一再記録用のものでは、結晶転穆現
象を利用した相転移タイプのもの、光磁気効果を利用し
た光磁気タイプのもの等が知られている。これらの記録
媒体用材料は、ライト・ワンス型ではテルル又はその酸
化物、合金化合物等、イレーザブル型では、Ｇｄ−Ｆｅ
／ＴｂＦｅ、Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ／Ｔｂ　−ＦｅＣｏとい
ワた希土類−遷移金属のアモルファス合金化合物等、無
機系材料が主流とされており、一般に高真空下でのスパ
ッタリング等の乾式処決により、透明基板上に成膜する
ことにより形成されている。

ところで、ＰＣ，ＰＭＭＡの吸湿性及び透水性は、一方
では基板自身の吸湿時の膨張によるソリの問題を引き起
こすものであるが、他方、基板を通しての水分の透過に
より記録媒体の腐蝕を引か起こし、光ディスクの寿命を
縮める原因となっている。

また、基板用樹脂の耐熱性について更に言及すれば、次
のような問題がある。即ち、光ディスク、特にライト・
ワンス型、イレーザブル型等の光ディスクにおいては、
記録の書き込み、消去時の記録媒体の温度は２００℃以
上にもなる。このため、ディスク基板にこの熱が直接か
かることは無いにしても、記録の書き込み、消去時には
基板が相当高温になることが予想され、耐熱性の低い樹
脂では、基板の変形成いはグループの変形等の問題が起
こり得る。

一方、光ディスクの生産工程においては、基板或いは記
録媒体の経時変化防止等の目的で、熱処理工程を取り入
れることが多いが、生産性の向上のためには、できるだ
け高い処理温度で処理することにより処理時間を短縮す
ることが望まれる。

この様な観点からも、樹脂の耐熱性が低いと高い処理温
度を採用することができず、生産性を上げることができ
ないという不具合がある。

このようなことから、光ディスクの生産工程或いは使用
状況の高温度に耐えるには、耐熱性の低いＰＭＭＡでは
全く不十分であり、従来においては専ら、より耐熱性の
高いｐｃが透明基板材料として検討されている。しかし
ながら、ＰＣでも必ずしも耐熱性が十分であるという評
価を受けているわけではなく、より高い耐熱性を備える
樹脂材料の出現が望まれている。

ＰＣ，ＰＭＭＡ等の従来の樹脂の欠点を補うものとして
、特開昭６３−４３９１０等において、ポリビニルシク
ロヘキサン系樹脂を光ディスク基板として用いる方法が
提案されている。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、ポリビニルシクロヘキサン系樹脂を用い
た場合においても、必ずしも高特性光ディスク基板が得
られるわけではなく、いくつかの点で満足し得る結果が
得られていないのが現状である。

本発明者等は、前記特許出願において提案されているポ
リビニルシクロヘキサン系樹脂を用いた光ディスク基板
の成形性等について詳細に検討した結果、次のような知
見を得た。

ポリビニルシクロヘキサン系樹脂は、通常、ビニル芳香
族系重合体の芳香環の水添により得られ、一般にポリス
チレン同様の脆性高分子として知られている樹脂である
。

前述した様にライト・ワンス型、イレーザブル型等の光
ディスクにおいては、その使用状況、生産工程において
、相当の熱履歴を受けることから、樹脂基板に対して高
い耐熱性が要求される。

また、ディスク基板用樹脂材料としては、少なくとも射
出成形の際の金型離型時に破損しない程度の靭性も要求
される。

このような要求を満たすべく、耐熱性に秀れ、ある程度
の靭性を持つポリビニルシクロヘキサン系重合体を得る
ためには、合成に際し、芳香環の水添率を高くし、かつ
−窓以上の分子量を保持する必要がある。

一方、光ディスク基板としては、ソリ、歪が少くグルー
プの転写性が良好である必要があり、このような観点か
らは、射出成形時の樹脂の流動性はできるだけ良好であ
ることが好ましい、また、シルバーストリーク発生や着
色の防止のためには、樹脂の吸湿量を下げると共に、で
きる限り樹脂の劣化を防止する必要がある。

ところで、ある程度の靭性が保持されるような分子量を
持つポリビニルシクロヘキサン系樹脂に関して、樹脂の
劣化が防止できる低温での射出成形では、流動性が不十
分となるので、成形温度を高くする必要がある。このよ
うな成形温度としては２７０〜３３０℃、更には２８０
〜３２０℃の範囲が好ましい。

しかしながら上記温度範囲においては、ポリビニルシク
ロヘキサン系樹脂の劣化が避けられず、安定剤の使用が
不可欠となる。

本発明は、安定剤を配合することにより、耐熱性、靭性
、流動性、吸湿性、透明性等の特性を改善したポリビニ
ルシクロヘキサン系樹脂よりなる高特性光ディスク基板
を提供することを目的とする。

［課題を解決するための手段及び作用］本発明の光ディ
スク基板は、熱重量計で測定した５％重量減少温度が２
９５℃以上である、ヒンダードフェノール系熱安定剤及
びリン系熱安定剤を配合したポリビニルシクロヘキサン
系樹脂からなることを特徴とする。

即ち、本発明者等は、前述のポリビニルシクロヘキサン
系樹脂の熱劣化を効果的に防止する安定剤について鋭意
検討した結果、安定剤として、熱重量計で測定した５％
重量減少温度が２９５℃以上であるヒンダードフェノー
ル系熱安定剤及びリン系熱安定剤を併せて用いることに
より、樹脂の劣化が効果的に防止され、シルバーストリ
ークや着色の問題が解消されることを見出し、本発明に
到達した。

本発明において、ヒンダードフェノール系熱安定剤とし
ては、１分子中にヒンダードフェノール基を４つ以上有
するものが好ましい。

また、リン系熱安定剤としては、テトラキス（２，４−
ジ−ｔ−ブチルフェニル）−４，４゜−ビフェニレンホ
スフォナイト及び／又はビス（２，６−ジ−ｔ−ブチル
−４−メチルフェニル）ペンタエリスリトール−ジ−ホ
スファイトが好ましい。

更に、ポリビニルシクロヘキサン系樹脂の数平均分子量
は４０．０００〜３００，０００であることが好ましい
。

以下に本発明の詳細な説明する。

本発明で用いられるポリビニルシクロヘキサン系樹脂は
、好ましくはスチレン系樹脂（スチレン系重合体）を核
水添して得られる。

原料のスチレン系重合体としては、ビニル芳香族炭化水
素重合体或いはビニル芳香族炭化水素を主体とする重合
体セグメント（以下、「Ａセグメント」と略称する。）
と、少なくとも１種以上の共役ジエンを主体とする重合
体セグメント（以下、「Ｂセグメント」と略称する。）
とから成り、Ａセグメントの含有量が８０！ｉ量％以上
、好ましくは９０重量％以上のビニル芳香族炭化水素ブ
ロック共重合体であって、全光線透過率が８０％以上の
ものが用いられる。

Ａセグメントのビニル芳香族炭化水素としては、スチレ
ン、ｐ−メチルスチレン、α−メチルスチレン等を挙げ
ることができ、特に代表的なものとしてスチレンが挙げ
られ、ビニル芳香族炭化水素重合体としては、これらの
ビニル芳香族炭化水素ｔ　ｆｉよりなる単独重合体或い
は２種以上の共重合体が挙げられる。ビニル芳香族炭化
水素を主体とする重合体としては、上記ビニル芳香族炭
化水素と、これと共重合可能な単量体との共重合体等が
挙げられる。特に接着性等が要求される場合には、上記
ビニル芳香族炭化水素と、これと共重合可能な、極性基
を持つ不飽和単量体とを、ビニル芳香族炭化水素の特性
が失なわれない範囲で共重合して得られる共重合体を用
いるのが好ましい。

Ｂセグメントの共役ジエンとしては１．３−ブタジェン
、イソプレン、２．３−ジメチル−１，３−ブタジェン
、１，３−ペンタジェン、１．３−ヘキサジエン等が挙
げられ、特に、１．３−ブタジェン、イソプレンが一般
的である。

Ａセグメント及びＢセグメントからなるブロック共重合
体は、いわゆるリビングアニオン重合と称せられる公知
の方法、例えば有機リチウム化合物を開始剤とし、ヘキ
サン、ヘプタンの様な炭化水素溶媒中で重合する方法等
により容易に得ることができる。

なお、このようなブロック共重合体中のＡセグメントの
含有量は８０重量％以上、好ましくは９０重量％以上、
更に好ましくは９３重量％以上である。Ａセグメントの
含有量が８０重量％未満の場合には、水素付加後に得ら
れる樹脂の耐熱性が低下し、光ディスク基板としては不
適なものとなる。また、全光線透過率が８０％未満では
良好な透明基板が得られない。

本発明において、このようなブロック共重合体からなる
スチレン系重合体の分子量は、数平均分子量でｓｏ、ｏ
ｏｏ以上であることが好ましい。

スチレン系重合体の分子量が低過ぎると、水素付加後得
られる樹脂の耐熱性、靭性が低下する。

分子量の低下に伴う靭性の低下は、重合体中のジエン系
重合体の含有量が少いもの程著しい。

従って、ジエン系重合体を含まない重合体に関しては、
数平均分子量がａｏ、ｏｏｏより大であることが好まし
い、一方、分子量の上限については特に制限はないが、
通常の場合、４００，０００以下であることが好ましい
。

ポリビニルシクロヘキサン系樹脂は、このようなスチレ
ン系重合体を、芳香族水素化能を有する水素化触媒の存
在下で、核水添して得ることができる。ここで使用され
る水素化触媒としては、例えばニッケル、コバルト、ル
テニウム、ロジウム、白金、パラジウム等の金属又はそ
の酸化物、塩、錯体及びこれらを活性炭、ケイソウ土、
アルミナ等の担体に担持したもの等が挙げられる。これ
らの中でも特にラネーニッケル、ラネーコバルト、安定
化ニッケル及びルテニウム、ロジウム又は白金のカーボ
ン又はアルミナ担持触媒が、反応性の面から好ましい。

核水添反応は、５０〜２５０　ｋ　ｇ　／　ｃ　ｍ”の
圧力、１００〜２００℃の温度下にて、溶媒としてシク
ロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−オクタン、デ
カリン、テトラリン、ナフサ等の飽和炭化水素系溶媒を
用いて行なうのが好ましい。

なお、通常、スチレン系重合体の核水添においては、副
反応として重合体の分子鎖の切断を伴う、この分子鎖切
断を防ぐために、水素化はできるだけ高い水素圧力で、
かつ短時間で行なうことが好ましい。

核水添反応による芳香核の核水添率は９０％以上、特に
９５％以上であることが好ましい、核水添率が低く、９
０％未満であると、得られる樹脂の耐熱性の低下、複屈
折の増大等の問題があり好ましくない、なお、本発明に
おいて、樹脂の耐熱性としては、サーモメカニカルアナ
ライザーで測定した軟化点が１５０℃以上であることが
好ましく、複屈折率としては光ディスク基板として成形
した場合、後述するΔｎ、、、の値が３０ｎｍ以下とな
るものが好ましい。

本発明において、このようにして得られるポリビニルシ
クロヘキサン系樹脂の分子量は、原料となるスチレン系
重合体の組成、分子量、水素化（水添）条件等に依存し
、またその適正範囲も、組成により異なるが、通常、数
平均分子量で３０，０００より大きく、好ましくは５０
．０００より大である。靭性の面からは、ジエン系重合
体の含有量が小であるもの程、分子量が高いことが要求
され、ジエン系重合体を含有しないものに関しては、分
子量は４０，０００より大であり、好ましくはｓｏ、ｏ
ｏｏより大であることが必要である０分子量の上限は、
成形性の面から規定されるが、通常は数平均分子量で３
００．０００以下である。

本発明においては、このようなポリビニルシクロヘキサ
ン系樹脂に、安定剤として、熱重量計において空気気流
下で測定されるところの５％重量減少温度が２９５℃以
上であるヒンダードフェノール系熱安定剤の少なくとも
一種と、同じく５％重量減少温度が２９５℃以上である
リン系熱安定剤の少なくとも一種とを組み合わせて配合
する。

なお、本発明において、熱重量計において空気気流下で
測定されるところの５％重量減少温度とは、空気流量１
００ｍｊ！／分の流通下、２０′ｃ／分の昇温速度で加
熱した時の重量減を測定し、重量減が５．０重量％とな
った時の温度である。

本発明で採用されるヒンダードフェノール系熱安定剤と
しては、テトラキス［メチレン−３−（３，５−ジ−ｔ
−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネートメ
タン、３．９−ビス［１，１−ジメチル−２−（β−（
３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル
）プロピオニルオキシ）エチル］−２，４，８゜１０−
テトラオキサスピロ［５，５］ウンデカン、１，３．５
−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベ
ンジル−５−トリアジン−２，４，６（ＩＨ，３Ｈ，５
Ｈ）−トリオン、１．３．５−）−ジメチル−２，４，
６−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ
ベンジル）ベンゼン等が挙げられる。

また、リン系熱安定剤としては、テトラキス（２，４−
ジ−ｔ−ブチルフェニル）−４，４’−ビフェニレンホ
スフォナイト、ビス（２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メ
チルフェニル）ペンタエリスリトール−ジ−ホスファイ
ト等が挙げられる。

これらの安定剤のうち、ヒンダードフェノール系安定剤
としては１分子中にヒンダードフェノール基を４つ以上
持つものを用いた時に最も優れた効果が得られる。

これら安定剤の好適な添加量は、ポリビニルシクロヘキ
サン系樹脂１００重量部に対して、ヒンダードフェノー
ル系熱安定剤及びリン系安定剤を各々０．０１〜３重量
部、好ましくは０．０５〜１重量部である。安定剤の添
加量がこの範囲未満では、劣化防止効果が不十分であり
、この範囲を超える添加量ではブリードが生じたり、光
ディスク基板として必要な透明性が低下する等の問題を
生じる場合がある。

これらの安定剤とポリビニルシクロヘキサン系樹脂との
混合方法については特に制限はないが、通常は樹脂と安
定剤とをリボンブレンダー、タンブラーブレンダー、ヘ
ンシェルミキサー等で混合し、その後、バンバリーミキ
サ−１−軸押出機、二軸押出機等で溶融混練し、ペレッ
ト形状とすることにより混合する。しかして、このよう
にして得られたベレットを用い、成形温度２７０〜３３
０℃、特に２８０〜３２０℃で射出成形することにより
、透明性、耐熱性等に優れ、着色もなく光学歪の著しく
小さい光ディスク基板を得ることができる。

本発明の光ディスク基板を用いて光ディスクを製造する
際には、該基板表面に金属蒸着等により前述の記録媒体
の皮膜を形成するか、或いは塗布等の方法で有機色素系
材料の皮膜を設け、これらを更に侃護膜で覆う等の方法
を採用することができる。

［実施例］ 以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をより具体的に
説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の
実施例に限定されるものではない。

なお、以下の実施例及び比較例における各種物性は、次
の方法によって測定したものである。

■　数平均分子量ニ ゲル・パーミェーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ
）により、ＴＨＦを溶媒としてポリスチレンと同様に測
定し、ポリスチレン換算の数平均分子量を求めた。

■　核水添率（％）： ポリビニルシクロヘキサン系樹脂をテトラヒドロフラン
（ＴＨＦ）に溶解し、ＵＶ吸収により測定した。

■　軟化温度（℃）： Ｄｕｐｏｎｔ社製サーモメカニカルアナライザーを用い
て、５℃／分の昇温速度で軟化温度を測定した。

■　光ディスク基板の光線透過率（％）：ＪＩＳ　　Ｋ
　　６７１４に準拠して測定した。

■　光ディスク基板の複屈折（ｎｍ）：成形した厚さ１
．２ｍｍ、直径１３０ｍｍのディスクの中央から５．５
ｃｍ位置での複屈折（以下「Δｎｓ、ｓＪと略記する。

）で評価した。複屈折は日本光学社製の偏光顕微鏡によ
り測定した。

■　光ディスク基板の反り量（ｍｍ）：Ｎ　ｉ　ＤＥＫ
社フラットテスターＦＴ−７を用いて測定した。

■　光ディスク基板の外観： 後述する方法で成形した光ディスク基板に関して、着色
、シルバーストリークの発生等を目視により調べた。

実施例１ スチレン単独重合体の水添により得られた、数平均分子
量７０，０００、核水添率９９％のポリビニルシクロヘ
キサン１００重量部に、テトラキス［メチレン−３−（
３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プ
ロピオネートメタン（日本チバガイギー社製ｒｌ　ｒｇ
ａｎｏｘｌｏｌｏＪ　）０．２ｍｍ量部、テトラキス（
２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−４，４’　−ビフ
ェニレンホスフォナイト（同ｒｌ　ｒｇａｐｈｏｓＰ−
ＥＰＱＪ　）０．２重量部を添加し、押出機を用いて２
６０℃で溶融混練を行ないベレット化した。

このペレットを射出成形機（多機社製「Ｍｌ　４０ＡＪ
　）を用いて、可動金型側にグループ付スタンバ−を取
り付け、樹脂温度３００℃で厚さ１．２ｍｍ、直径１３
０ｍｍの円醗状光ディスク基板を成形した。

得られた光ディスク基板の物性を第１表に示す。

実施例２ アニオン重合によるスチレン−ブタジェン−スチレンブ
ロック共重合体（ブタジェン含量５重量％）の水添によ
り得られた数平均分子量６０．０００、核水添率９９％
のポリビニルシクロヘキサン系樹脂１００重量部に３．
９−ビス［１，１−ジメチル−２−（β−（３−ｔ−ブ
チル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオ
ニルオキシ）エチル］−２．４，８．１０テトラオキサ
スピロ［５，５］ウンデカン（アデカ・アーガス社製ｒ
Ｍａｒｋ　　Ａφ−８ｏ」）０．２重量部、テトラキス
（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル−４，４°−ビフェ
ニレンホスフォナイト（日本チバガイギー１　ｒｇａｐ
ｈｏｓＰ−ＥＰＱ）０．２重量部を添加し、実施例１と
同様にしてベレット化及び射出成形を行なった。

得られた光ディスク基板の物性を第１表に示す。

比較例１ 安定剤としてブチルヒドロキシトルエン０．　２重量部
を用い、射出成形温度を２６０℃としたこと以外は実施
例１と同様にして光ディスク基板を得た。

得られた光ディスク基板の物性を第１表に示す。

比較例２ 実施例１においてｒＩｒｇａｐｈｏｓ　　Ｐ−ＥＰＱＪ
の代わりにジステアリルチオプロピオネート０．２重量
部を加えたこと以外は同様にして光ディスク基板を得た
。

得られた光ディスク基板の物性を第１表に示す。

第１表より明らかなように、特定のヒンダードフェノー
ル系熱安定剤及びリン系熱安定剤を配合したポリビニル
シクロヘキサン系樹脂を用いることにより、耐熱性、透
明性、光特性、形状安定性に優れ、シルバーストリーク
や着色のない高特性光ディスク基板が得られる。これに
対し、比較例１のものでは、ディスクの軟化温度、透明
性等には変化はなかったが、若干の着色、シルバースト
リークの発生があり、反り量は０．５ｍｍ、複屈折Δｎ
ｓ、ｓ＝８ｎｍと高い、また、比較例２のものでは、着
色（黄色）が認められ、若干のシル［発明の効果］ 以上詳述した通り、本発明によれば、耐熱性、透明性等
に優れ、低吸湿性、低複屈折性の高特性ポリビニルシク
ロヘキサン樹脂から樹脂の劣化の問題もなく安定生産す
ることが可能な光ディスク基板が提供される。

本発明においては、特にヒンダードフェノール系熱安定
剤として、１分子中にヒンダードフェノール基を４つ以
上有するものを、リン系熱安定剤として、テトラキス（
２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−４，４°−ビフェ
ニレンホスフォナイト及び／又はビス（２，６−ジ−ｔ
−ブチル−４−メチルフェニル）ペンタエリスリトール
−ジ−ホスファイトを用い、また、ポリビニルシクロヘ
キサン系樹脂の数平均分子量が４０，０００〜３００．
０００である場合に極めて優れた効果が得られる。

代理人　　弁理士　　重　野　　剛 手続補正書 １　事件の表示 昭和６３年特許願第１２５４８１号 ２　発明の名称 光ディスク基板 ３　補正をする者 事件との関係　特許出願人 氏　名　　　　（５９Ｂ）三菱化成株式会社４　代理人 住　所　　東京都港区虎ノ門１丁目１５番７号〒１０５
　７Ｇ１１５ビル　８階 ６　補正の対象　　　　明細書 ７　補正の内容 （１）　明細書第１０頁第９行〜第１２頁第１８行に［
原料の・・・低下する」とあるのを下記の通りに訂正す
る。

記 「　原料のスチレン系重合体としては、ビニル芳香族炭
化水素重合体或いはビニル芳香族炭化水素ブロック共重
合体が挙げられる。後者のビニル芳香族炭化水素ブロッ
ク共重合体としてはビニル芳香族炭化水素重合体セグメ
ント（以下、「Ａセグメント」と略称する。）と少なく
とも１種以上の共役ジエン重合体セグメント（以下、「
Ｂセグメント」と略称する。）とから成るものが挙げら
れる。

千ツマ−とじて用いられるビニル芳香族炭化水素として
は、スチレン、ｐ−メチルスチレン、α−メチルスチレ
ン等を挙げることができ、特に代表的なものとしてスチ
レンが挙げられる。

ビニル芳香族炭化水素重合体としては、これらのビニル
芳香族炭化水素ｔ　ｆｉよりなる単独重合体或いは２種
以上の共重合体が挙げられる。特に接着性等が要求され
る場合には、上記ビニル芳香族炭化水素と、これと共重
合可能な、極性基を持つ不飽和単量体とを、ビニル芳香
族炭化水素重合体の特性が失なわれない範囲で共重合し
て得られる共重合体を用いるのが好ましい。

次に、ビニル芳香族炭化水素ブロック共重合体中のＡセ
グメントとしては上述のビニル芳香族炭化水素重合体と
同様のものが挙げられる。また、ブロック共重合体中の
Ｂセグメントの共役ジエンとしては、１．３−ブタジェ
ン、イソプレン、２．３−ジメチル−１，３−ブタジェ
ン、１．３−ペンタジェン、１．３−へキサジエン等が
挙げられ、特に、１．３−ブタジェン、イソプレンが一
般的である。Ａセグメント及びＢセグメントからなるブ
ロック共重合体は、いわゆるリビングアニオン重合と称
せられる公知の方法、例えば有機リチウム化合物を開始
剤とし、ヘキサン、ヘプタンの様な炭化水素溶媒中で重
合する方法等により容易に得ることができる。なお、こ
のようなブロック共重合体中のＡセグメントの含有量は
８０瓜量％以上、好ましくは９０重量％以上、更に好ま
しくは９３重量％以上である。Ａセグメントの含有量が
８０重量％未満の場合には、水素付加後に得られる樹脂
の耐熱性が低下し、光ディスク基板としては不敵なもの
となる。

本発明において、このような原料スチレン系重合体の分
子量は、数平均分子量で５０，０００以上であることが
好ましい、スチレン系重合体の分子量が低過ぎると、水
素付加後書られる樹脂の耐熱性、靭性が低下する。」 以上

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）熱重量計で測定した５％重量減少温度が２９５℃
   以上である、ヒンダードフェノール系熱安定剤及びリン
   系熱安定剤を配合したポリビニルシクロヘキサン系樹脂
   からなることを特徴とする光ディスク基板。
2. （２）ヒンダードフェノール系熱安定剤が、１分子中に
   ヒンダードフェノール基を４つ以上有することを特徴と
   する特許請求の範囲第１項に記載の光ディスク基板。
3. （３）リン系熱安定剤が、テトラキス（２，４−ジ−ｔ
   −ブチルフェニル）−４，４′−ビフェニレンホスフォ
   ナイト及び／又はビス（２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−
   メチルフェニル）ペンタエリスリトール−ジ−ホスファ
   イトであることを特徴とする特許請求の範囲第１項又は
   第２項に記載の光ディスク基板。
4. （４）ポリビニルシクロヘキサン系樹脂の数平均分子量
   が４０，０００〜３００，０００であることを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれか１項に
   記載の光ディスク基板。