JPH0128934B2 - - Google Patents
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- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 14
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims description 6
- 239000005060 rubber Substances 0.000 claims description 6
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims description 2
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- BKIMMITUMNQMOS-UHFFFAOYSA-N nonane Chemical compound CCCCCCCCC BKIMMITUMNQMOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical group 0.000 description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 10
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 7
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 6
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 6
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000011161 development Methods 0.000 description 5
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 5
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZGEGCLOFRBLKSE-UHFFFAOYSA-N methylene hexane Natural products CCCCCC=C ZGEGCLOFRBLKSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 3
- ALRLPDGCPYIVHP-UHFFFAOYSA-N 1-nitropyrene Chemical compound C1=C2C([N+](=O)[O-])=CC=C(C=C3)C2=C2C3=CC=CC2=C1 ALRLPDGCPYIVHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 1-nonene Chemical compound CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 Azide compounds Chemical class 0.000 description 2
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 244000043261 Hevea brasiliensis Species 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JSQFXMIMWAKJQJ-UHFFFAOYSA-N [9-(2-carboxyphenyl)-6-(ethylamino)xanthen-3-ylidene]-diethylazanium;chloride Chemical compound [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(NCC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O JSQFXMIMWAKJQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- LMGZGXSXHCMSAA-UHFFFAOYSA-N cyclodecane Chemical compound C1CCCCCCCCC1 LMGZGXSXHCMSAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N cycloheptane Chemical compound C1CCCCCC1 DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GPTJTTCOVDDHER-UHFFFAOYSA-N cyclononane Chemical compound C1CCCCCCCC1 GPTJTTCOVDDHER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WJTCGQSWYFHTAC-UHFFFAOYSA-N cyclooctane Chemical compound C1CCCCCCC1 WJTCGQSWYFHTAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004914 cyclooctane Substances 0.000 description 2
- ILLHQJIJCRNRCJ-UHFFFAOYSA-N dec-1-yne Chemical compound CCCCCCCCC#C ILLHQJIJCRNRCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBBPTUVOZCXCSU-UHFFFAOYSA-L dipotassium;2',4',5',7'-tetrabromo-4,7-dichloro-3-oxospiro[2-benzofuran-1,9'-xanthene]-3',6'-diolate Chemical compound [K+].[K+].O1C(=O)C(C(=CC=C2Cl)Cl)=C2C21C1=CC(Br)=C([O-])C(Br)=C1OC1=C(Br)C([O-])=C(Br)C=C21 JBBPTUVOZCXCSU-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- YVXHZKKCZYLQOP-UHFFFAOYSA-N hept-1-yne Chemical compound CCCCCC#C YVXHZKKCZYLQOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 2
- AFFLGGQVNFXPEV-UHFFFAOYSA-N n-decene Natural products CCCCCCCCC=C AFFLGGQVNFXPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003052 natural elastomer Polymers 0.000 description 2
- 229920001194 natural rubber Polymers 0.000 description 2
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- FSAONUPVUVBQHL-UHFFFAOYSA-N 1,3-bis(4-azidophenyl)prop-2-en-1-one Chemical compound C1=CC(N=[N+]=[N-])=CC=C1C=CC(=O)C1=CC=C(N=[N+]=[N-])C=C1 FSAONUPVUVBQHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARKQRZXCXIMZHG-UHFFFAOYSA-N 1-azido-4-[(4-azidophenyl)methyl]benzene Chemical compound C1=CC(N=[N+]=[N-])=CC=C1CC1=CC=C(N=[N+]=[N-])C=C1 ARKQRZXCXIMZHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HWEONUWVYWIJPF-OWOJBTEDSA-N 1-azido-4-[(e)-2-(4-azidophenyl)ethenyl]benzene Chemical compound C1=CC(N=[N+]=[N-])=CC=C1\C=C\C1=CC=C(N=[N+]=[N-])C=C1 HWEONUWVYWIJPF-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 1
- KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N 1-octene Chemical compound CCCCCCC=C KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Diphenylmethane Diisocyanate Chemical compound C1=CC(N=C=O)=CC=C1CC1=CC=C(N=C=O)C=C1 UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 4-diazoniophenolate Chemical compound [O-]C1=CC=C([N+]#N)C=C1 WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MPVDXIMFBOLMNW-ISLYRVAYSA-N 7-hydroxy-8-[(E)-phenyldiazenyl]naphthalene-1,3-disulfonic acid Chemical compound OC1=CC=C2C=C(S(O)(=O)=O)C=C(S(O)(=O)=O)C2=C1\N=N\C1=CC=CC=C1 MPVDXIMFBOLMNW-ISLYRVAYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- DPKHZNPWBDQZCN-UHFFFAOYSA-N acridine orange free base Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC2=NC3=CC(N(C)C)=CC=C3C=C21 DPKHZNPWBDQZCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007824 aliphatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000981 basic dye Substances 0.000 description 1
- DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N benzoquinolinylidene Natural products C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3N=C21 DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 1
- OIQPTROHQCGFEF-UHFFFAOYSA-L chembl1371409 Chemical compound [Na+].[Na+].OC1=CC=C2C=C(S([O-])(=O)=O)C=CC2=C1N=NC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1 OIQPTROHQCGFEF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000000986 disperse dye Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- YQGOJNYOYNNSMM-UHFFFAOYSA-N eosin Chemical compound [Na+].OC(=O)C1=CC=CC=C1C1=C2C=C(Br)C(=O)C(Br)=C2OC2=C(Br)C(O)=C(Br)C=C21 YQGOJNYOYNNSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGXGKXTZIQFQFO-CMDGGOBGSA-N ethenyl (e)-3-phenylprop-2-enoate Chemical compound C=COC(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 WGXGKXTZIQFQFO-CMDGGOBGSA-N 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical group FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229920003049 isoprene rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001084 poly(chloroprene) Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
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Description
本発明は、フオトレジスト材料に関し、特に有
機材料からなる被膜若しくは基板のフオトレジス
トパターンを形成する方法に関するものである。 これまで、微細パターン形成の一般的な方法と
してフオトレジストによる方法が知られている。
フオトレジストとしては、例えばキノンジアジド
系レジスト、ケイ皮酸ビニル系レジスト、環化ゴ
ム系レジスト、さらに超微細用として電子線レジ
ストなどが知られている。 これらのレジストは、芳香族系、セロツルブ
系、ケトン系の溶剤によつて、溶解され、スピン
コートやデツプコート等によつて、銅、アルミニ
ウム、シリコンウエハーなどの無機物からなる基
板に塗布され、同様の溶剤によつて、現像を行な
う事によつてパターン形成を行なつている。 ところで、有機材料からなる被膜や基板を用い
てフオトレジストによるパターン形成を行なう場
合、フオトレジスト塗布や現像処理に伴なう有機
溶剤の影響により、有機物被膜若しくは基板の溶
解現像による溶解や白濁が生じる。又溶解しなく
とも、溶剤シヨツクによる基板のヒビ割れや白濁
が生じる。このため、レジスト膜の均一性や寸法
精度、透過率等について、著しい悪影響を与える
事があり、正常なパターン形成を行なえる被膜ま
たは基板材料が非常に限定されてしまうという欠
点を有している。 本発明の目的は、上述の如き欠点を解決した有
機材料に対するパターン形成方法を提供するもの
である。 本発明によるフオトレジストパターンの形成方
法は溶剤の50重量%以上が脂肪族炭化水素である
溶剤を含むゴム系フオトレジスト材料を有機材料
の皮膜または有機材料の基板に塗布してパターン
形成することを特徴とするものである。 本発明の脂肪族炭化水素は、フオトレジスト材
料の溶剤として使用されるもので、特に溶解力や
溶剤シヨツクなどの作用性が少なく、有機材料被
膜若しくは基板に対して好適なパターン形成を付
与することができる。 溶解力や溶剤シヨツクなどの作用性は、溶解度
パラメーター(以下、「δ値」と略す)が目安と
なるが、δ値が小さい程その溶剤の作用性は少な
く、この順序はフルオロカーボン<脂肪族炭化水
素<芳香族炭化水素<ハロゲン化物<ケトン<ア
ルコール<水の順である。 本発明で用いる脂肪族炭化水素としては、ヘキ
サン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、シ
クロヘキサン、シクロオクタン、シクロノナン、
シクロデカン、ヘプテン、オクテン、ノネン、デ
セン、ヘプチン、オクチン、ノニン、デシンなど
を挙げることができ、一般的に炭素原子数5以上
のものが好ましい。 本発明で用いるフオトレジスト材料は、δ値の
小さいフオトレジスト樹脂であり、具体的には、
フオトレジスト樹脂としてゴムを主成分としたゴ
ム系レジスト材料を用いることができる。その具
体例を挙げれば、ネオプレンゴム、イソプレンゴ
ム、環化ゴム、天然ゴム等がある。 また、感光剤としては、P−フエニレンビスア
ジド、4,4′−ジアジドベンヅフエノン、4,
4′−ジアジドジフエニルメタン、4,4′−ジアジ
ドシフエニルスルフイド、4,4′−ジアジドスチ
ルベン、4,4′−ジアジドカルコン、2,6−ジ
(4′−アジドベンザル)シクロヘキサノン、2,
6,−ジ−(4′−アジドベンザル)−4−メチルシ
クロヘキサノン等のアジド化合物などを用いるこ
とができる。 これらのフオトレジスト材料は、必要に応じて
ニトロピレンなどの増感色素を加えることによつ
て分光増感されることもできる。 樹脂:感光剤は、重量比で2:1以下が好まし
く、またフオトレジスト材料に対する脂肪族炭化
水素の含有量は、通常基板への塗布が可能な範囲
であればよく、特に制限されるものではないが、
一般に重量比でフオトレジスト材料(樹脂+感光
剤))1に対して、2以下が好ましい。 また、本発明で用いるフオトレジスト材料に
は、脂肪族炭化水素以外にδ値の大きい溶剤を加
えることもできるが、その場合は少ない程より効
果を得ることができるが、その場合は少ない程よ
り効果を得ることができ、通常重量比で脂肪族炭
化水素1に対して1以下であること、即ち、溶剤
の50重量%以上が脂肪族炭化水素になるように
し、さらに使用する脂肪族炭化水素の沸点より低
沸点のもので、揮発性が大きいものが好ましい。 本発明で用いうる有機材料は、特に限定される
ものではない。例えば、樹脂類としてはアクリル
樹脂、スチロール樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビ
ニル樹脂などを用いることができる。染料として
は、エオシンG(C.I45380)、ローズベンガル(C.
I45440)、フロキシン(C.I45410)などの酸性染
料、アクリジンオレンジ(C.I46005)、ローダミ
ンG(C.I45160)、クリスタルバイオレツト(C.
I42555)などの塩基性染料、セリトンオレンジG
(C.I60700)、カヤロンフアーストバイオレツト
(C.I61105)などの分散染料、オイルイエローS
(C.I11020)、オイルバイオレツトR(C.I61100)
などの油溶性染料、あるいはフタロシアニンブル
ー(C.I74160)、フタロシアニングリーン(C.
I74260)、ピグメントグリーン(C.I10006)など
の顔料を用いることができる。 樹脂類は、適当な溶剤に溶解させて、適当な基
板に塗布することによつてその被膜を形成するこ
とができる。これらの樹脂類には、前述の染料や
顔料を含有または分散させることもできる。 また、染料または顔料は、真空蒸着法などの方
法により染料蒸着膜または顔料蒸着膜を形成する
ことができる。 本発明のフオトレジスト材料は、前述の如き有
機材料からなる被膜若しくは基板の上にスピン塗
布法、バー塗布法、デイツピング塗布法などの適
当な塗布法により塗布されてフオトレジスト層を
形成できる。次いで、このフオトレジスト層に所
定のパターン、例えばストライプ状またはモザイ
ク状パターンの露光を与えてから現像することに
よつてエツチングマクスが形成される。この降に
用いうる現像剤としては、例えばヘキサン、ヘプ
タン、オクタン、ノナン、デカン、シクロヘキサ
ン、シクロヘプタン、シクロオクタン、シクロノ
ナン、シクロデカン、ヘプテン、オクテンノネ
ン、デセン、ヘプチン、オクチン、ノニン、デシ
ン等の脂肪族炭化水素が好ましい。 また、本発明のフオトレジスト材料は、耐湿性
の劣る有機材料被膜若しくは基板の保護膜として
も用いることができる。 本発明の方法によれば、従来のフオトレジスト
材料では、直接有機材料の被膜若しくは基板に塗
布すると、その表面が溶解、白濁またはヒビ割れ
を生じて、正常なパターン形成を行なうことがで
きなかつたが、この様な欠点は完全に解消でき、
特にカラーモザイクフイルターの作成に有効に用
いることができる。 以下、本発明を実施例に従つて説明する。 実施例 1 ブタジエンゴム(JSR−SR;日本合成ゴム(株)
製)10g、4,4′−ジフエニルメタン1g、1−
ニトロピレン0.1gをn−ノナン100gに溶解して
フオトレジスト感光液となした。これをスピンコ
ートにより2インチ角のアクリル樹脂基板に乾燥
後の膜厚が1ミクロンとなる様に塗布し、乾燥し
た。次いで、100W水銀灯にて5分間マスクとコ
ンタクト露光し、n−ヘキサンにて現像したとこ
ろ、アクリル樹脂基板には、溶解、白濁、ヒビ割
れ現象は全く生じていなかつた。 実施例 2〜5 前記実施例1のフオトレジスト感光液の被塗布
材として用いたアクリル樹脂基板に代えて、被塗
布材として下記第1表に記載のものを用いたほか
は、全く同様の方法によつてレジストパターンを
形成させた。これらの結果を第1表に示す。
機材料からなる被膜若しくは基板のフオトレジス
トパターンを形成する方法に関するものである。 これまで、微細パターン形成の一般的な方法と
してフオトレジストによる方法が知られている。
フオトレジストとしては、例えばキノンジアジド
系レジスト、ケイ皮酸ビニル系レジスト、環化ゴ
ム系レジスト、さらに超微細用として電子線レジ
ストなどが知られている。 これらのレジストは、芳香族系、セロツルブ
系、ケトン系の溶剤によつて、溶解され、スピン
コートやデツプコート等によつて、銅、アルミニ
ウム、シリコンウエハーなどの無機物からなる基
板に塗布され、同様の溶剤によつて、現像を行な
う事によつてパターン形成を行なつている。 ところで、有機材料からなる被膜や基板を用い
てフオトレジストによるパターン形成を行なう場
合、フオトレジスト塗布や現像処理に伴なう有機
溶剤の影響により、有機物被膜若しくは基板の溶
解現像による溶解や白濁が生じる。又溶解しなく
とも、溶剤シヨツクによる基板のヒビ割れや白濁
が生じる。このため、レジスト膜の均一性や寸法
精度、透過率等について、著しい悪影響を与える
事があり、正常なパターン形成を行なえる被膜ま
たは基板材料が非常に限定されてしまうという欠
点を有している。 本発明の目的は、上述の如き欠点を解決した有
機材料に対するパターン形成方法を提供するもの
である。 本発明によるフオトレジストパターンの形成方
法は溶剤の50重量%以上が脂肪族炭化水素である
溶剤を含むゴム系フオトレジスト材料を有機材料
の皮膜または有機材料の基板に塗布してパターン
形成することを特徴とするものである。 本発明の脂肪族炭化水素は、フオトレジスト材
料の溶剤として使用されるもので、特に溶解力や
溶剤シヨツクなどの作用性が少なく、有機材料被
膜若しくは基板に対して好適なパターン形成を付
与することができる。 溶解力や溶剤シヨツクなどの作用性は、溶解度
パラメーター(以下、「δ値」と略す)が目安と
なるが、δ値が小さい程その溶剤の作用性は少な
く、この順序はフルオロカーボン<脂肪族炭化水
素<芳香族炭化水素<ハロゲン化物<ケトン<ア
ルコール<水の順である。 本発明で用いる脂肪族炭化水素としては、ヘキ
サン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、シ
クロヘキサン、シクロオクタン、シクロノナン、
シクロデカン、ヘプテン、オクテン、ノネン、デ
セン、ヘプチン、オクチン、ノニン、デシンなど
を挙げることができ、一般的に炭素原子数5以上
のものが好ましい。 本発明で用いるフオトレジスト材料は、δ値の
小さいフオトレジスト樹脂であり、具体的には、
フオトレジスト樹脂としてゴムを主成分としたゴ
ム系レジスト材料を用いることができる。その具
体例を挙げれば、ネオプレンゴム、イソプレンゴ
ム、環化ゴム、天然ゴム等がある。 また、感光剤としては、P−フエニレンビスア
ジド、4,4′−ジアジドベンヅフエノン、4,
4′−ジアジドジフエニルメタン、4,4′−ジアジ
ドシフエニルスルフイド、4,4′−ジアジドスチ
ルベン、4,4′−ジアジドカルコン、2,6−ジ
(4′−アジドベンザル)シクロヘキサノン、2,
6,−ジ−(4′−アジドベンザル)−4−メチルシ
クロヘキサノン等のアジド化合物などを用いるこ
とができる。 これらのフオトレジスト材料は、必要に応じて
ニトロピレンなどの増感色素を加えることによつ
て分光増感されることもできる。 樹脂:感光剤は、重量比で2:1以下が好まし
く、またフオトレジスト材料に対する脂肪族炭化
水素の含有量は、通常基板への塗布が可能な範囲
であればよく、特に制限されるものではないが、
一般に重量比でフオトレジスト材料(樹脂+感光
剤))1に対して、2以下が好ましい。 また、本発明で用いるフオトレジスト材料に
は、脂肪族炭化水素以外にδ値の大きい溶剤を加
えることもできるが、その場合は少ない程より効
果を得ることができるが、その場合は少ない程よ
り効果を得ることができ、通常重量比で脂肪族炭
化水素1に対して1以下であること、即ち、溶剤
の50重量%以上が脂肪族炭化水素になるように
し、さらに使用する脂肪族炭化水素の沸点より低
沸点のもので、揮発性が大きいものが好ましい。 本発明で用いうる有機材料は、特に限定される
ものではない。例えば、樹脂類としてはアクリル
樹脂、スチロール樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビ
ニル樹脂などを用いることができる。染料として
は、エオシンG(C.I45380)、ローズベンガル(C.
I45440)、フロキシン(C.I45410)などの酸性染
料、アクリジンオレンジ(C.I46005)、ローダミ
ンG(C.I45160)、クリスタルバイオレツト(C.
I42555)などの塩基性染料、セリトンオレンジG
(C.I60700)、カヤロンフアーストバイオレツト
(C.I61105)などの分散染料、オイルイエローS
(C.I11020)、オイルバイオレツトR(C.I61100)
などの油溶性染料、あるいはフタロシアニンブル
ー(C.I74160)、フタロシアニングリーン(C.
I74260)、ピグメントグリーン(C.I10006)など
の顔料を用いることができる。 樹脂類は、適当な溶剤に溶解させて、適当な基
板に塗布することによつてその被膜を形成するこ
とができる。これらの樹脂類には、前述の染料や
顔料を含有または分散させることもできる。 また、染料または顔料は、真空蒸着法などの方
法により染料蒸着膜または顔料蒸着膜を形成する
ことができる。 本発明のフオトレジスト材料は、前述の如き有
機材料からなる被膜若しくは基板の上にスピン塗
布法、バー塗布法、デイツピング塗布法などの適
当な塗布法により塗布されてフオトレジスト層を
形成できる。次いで、このフオトレジスト層に所
定のパターン、例えばストライプ状またはモザイ
ク状パターンの露光を与えてから現像することに
よつてエツチングマクスが形成される。この降に
用いうる現像剤としては、例えばヘキサン、ヘプ
タン、オクタン、ノナン、デカン、シクロヘキサ
ン、シクロヘプタン、シクロオクタン、シクロノ
ナン、シクロデカン、ヘプテン、オクテンノネ
ン、デセン、ヘプチン、オクチン、ノニン、デシ
ン等の脂肪族炭化水素が好ましい。 また、本発明のフオトレジスト材料は、耐湿性
の劣る有機材料被膜若しくは基板の保護膜として
も用いることができる。 本発明の方法によれば、従来のフオトレジスト
材料では、直接有機材料の被膜若しくは基板に塗
布すると、その表面が溶解、白濁またはヒビ割れ
を生じて、正常なパターン形成を行なうことがで
きなかつたが、この様な欠点は完全に解消でき、
特にカラーモザイクフイルターの作成に有効に用
いることができる。 以下、本発明を実施例に従つて説明する。 実施例 1 ブタジエンゴム(JSR−SR;日本合成ゴム(株)
製)10g、4,4′−ジフエニルメタン1g、1−
ニトロピレン0.1gをn−ノナン100gに溶解して
フオトレジスト感光液となした。これをスピンコ
ートにより2インチ角のアクリル樹脂基板に乾燥
後の膜厚が1ミクロンとなる様に塗布し、乾燥し
た。次いで、100W水銀灯にて5分間マスクとコ
ンタクト露光し、n−ヘキサンにて現像したとこ
ろ、アクリル樹脂基板には、溶解、白濁、ヒビ割
れ現象は全く生じていなかつた。 実施例 2〜5 前記実施例1のフオトレジスト感光液の被塗布
材として用いたアクリル樹脂基板に代えて、被塗
布材として下記第1表に記載のものを用いたほか
は、全く同様の方法によつてレジストパターンを
形成させた。これらの結果を第1表に示す。
【表】
比較例 1
前記実施例1で用いたn−ノナン100gに代え
て、キシレン100gを用いたほかは、全く同様の
方法でフオトレジスト感光液を作成した。この感
光液を同様のアクリル樹脂基板に塗布したとこ
ろ、表面に白濁を生じてしまつた。 比較例 2〜3 前記実施例1で用いたn−ノナン100gに代え
て、メチルソルブアセテート100gおよびシクロ
ヘキサノン100gをそれぞれ用いたほかは、全く
同様の方法で2種のフオトレジスト感光液を作成
した。それぞれの感光液について同様のアクリル
樹脂基板に塗布したところ、表面に白濁を生じて
しまつた。 実施例 6〜10 前記実施例1で用いたn−ノナン100gに代え
て、第2表に記載の脂肪族炭化水素を用いたほか
は、全く同様の方法によつてフオトレジスト感光
液を調製し、それぞれの感光液についてガラス基
板上に形成したセリトンオレンジR蒸着膜の上
に、乾燥膜厚が1ミクロンとなるように塗布し
た。次いで、100W水銀灯にて5分間のパターン
露光を与えてから、n−ヘキサンにて現像した。
この時の蒸着膜の表面状態を第2表に示す。
て、キシレン100gを用いたほかは、全く同様の
方法でフオトレジスト感光液を作成した。この感
光液を同様のアクリル樹脂基板に塗布したとこ
ろ、表面に白濁を生じてしまつた。 比較例 2〜3 前記実施例1で用いたn−ノナン100gに代え
て、メチルソルブアセテート100gおよびシクロ
ヘキサノン100gをそれぞれ用いたほかは、全く
同様の方法で2種のフオトレジスト感光液を作成
した。それぞれの感光液について同様のアクリル
樹脂基板に塗布したところ、表面に白濁を生じて
しまつた。 実施例 6〜10 前記実施例1で用いたn−ノナン100gに代え
て、第2表に記載の脂肪族炭化水素を用いたほか
は、全く同様の方法によつてフオトレジスト感光
液を調製し、それぞれの感光液についてガラス基
板上に形成したセリトンオレンジR蒸着膜の上
に、乾燥膜厚が1ミクロンとなるように塗布し
た。次いで、100W水銀灯にて5分間のパターン
露光を与えてから、n−ヘキサンにて現像した。
この時の蒸着膜の表面状態を第2表に示す。
【表】
実施例 11
天然ゴム10g、2,6−(4′−アジドベンザル)
シクロヘキサノン1gをn−デカンとキシレン混
合溶剤100gに溶解してフオトレジスト感光液を
調製した。これをローダミンG蒸着膜(ガラス基
板)にスピンコートにより乾燥膜厚が0.7μとなる
様に塗布し、乾燥した。 次いで100W水銀灯にて5分間マスクとコンタ
クト露光してから、n−ヘキサンにて現像した。
尚、この時のn−デカンとキシレンの混合溶剤の
比率は、第3表に示すとおりで、この時の表面状
態を第3表に併記した。
シクロヘキサノン1gをn−デカンとキシレン混
合溶剤100gに溶解してフオトレジスト感光液を
調製した。これをローダミンG蒸着膜(ガラス基
板)にスピンコートにより乾燥膜厚が0.7μとなる
様に塗布し、乾燥した。 次いで100W水銀灯にて5分間マスクとコンタ
クト露光してから、n−ヘキサンにて現像した。
尚、この時のn−デカンとキシレンの混合溶剤の
比率は、第3表に示すとおりで、この時の表面状
態を第3表に併記した。
【表】
【表】
Claims (1)
- 1 溶剤の50重量%以上が脂肪族炭化水素である
溶剤を含むゴム系フオトレジスト材料を有機材料
の皮膜または有機材料の基板に塗布してパターン
形成することを特徴とするフオトレジストパター
ンの形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2112781A JPS57135946A (en) | 1981-02-16 | 1981-02-16 | Photoresist material |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2112781A JPS57135946A (en) | 1981-02-16 | 1981-02-16 | Photoresist material |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS57135946A JPS57135946A (en) | 1982-08-21 |
JPH0128934B2 true JPH0128934B2 (ja) | 1989-06-06 |
Family
ID=12046220
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2112781A Granted JPS57135946A (en) | 1981-02-16 | 1981-02-16 | Photoresist material |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS57135946A (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5151939A (ja) * | 1974-10-31 | 1976-05-07 | Canon Kk | Saisenpataanyohotorejisutogenzoeki |
-
1981
- 1981-02-16 JP JP2112781A patent/JPS57135946A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5151939A (ja) * | 1974-10-31 | 1976-05-07 | Canon Kk | Saisenpataanyohotorejisutogenzoeki |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS57135946A (en) | 1982-08-21 |
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