JPH01288782A - Probe card - Google Patents

Probe card

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JPH01288782A
JPH01288782A JP63118948A JP11894888A JPH01288782A JP H01288782 A JPH01288782 A JP H01288782A JP 63118948 A JP63118948 A JP 63118948A JP 11894888 A JP11894888 A JP 11894888A JP H01288782 A JPH01288782 A JP H01288782A
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JP
Japan
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probe
capacitor
bypass circuit
resistor
probe card
Prior art date
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Pending
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JP63118948A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Nobuyuki Hirakata
宣行 平方
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Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Publication of JPH01288782A publication Critical patent/JPH01288782A/en
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Abstract

PURPOSE:To measure the electric characteristic of an integrated circuit in a stable state, by inserting a resistor into a bypass circuit element constructed of a capacitor. CONSTITUTION:This card is constructed of a probe 1 for measurement, a probe board 2 for fixing and supporting the probe, and a bypass circuit 10. The circuit 10 is constructed of a capacitor 11 and a resistor 12, which are connected in series with each other. One of two electric terminals of the circuit 10 is connected to the probe 1 and the other of them is grounded. The insertion of the resistor 12 lowers a value of sharpness of the resonance of a resonance circuit formed by the capacitor 11 and the inductance of the probe 1.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置等の電気特性測定用の測定治具の1
つであるプローブカードに関する。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a measuring jig for measuring electrical characteristics of semiconductor devices, etc.
Regarding the probe card.

〔従来技術〕[Prior art]

集積回路等の半導体装置の電気特性は、まずウェーハ状
態で測定される。そしてこの電気特性の測定は、半導体
チップ上に形成された集積回路の外部端子であるポンデ
ィングパッドにプローブカードに固定した測定用プロー
ブを当接させ、この測定用プローブを介して行われる。
The electrical characteristics of semiconductor devices such as integrated circuits are first measured in a wafer state. The electrical characteristics are measured by bringing a measuring probe fixed to a probe card into contact with a bonding pad, which is an external terminal of an integrated circuit formed on a semiconductor chip.

そして、従来のプローブカードでは、測定用プローブの
根元、すなわち、ポンディングパッド当接端とは反対側
の端部にバイパス用のコンデンサーを接続し、このコン
デンサーの他端を接地していた。このように構成するこ
とにより、集積回路等に電気特性測定のために供給する
電源の電源ライン等の低インピーダンス化を図り、電気
特性の測定を安定化させていた。
In the conventional probe card, a bypass capacitor is connected to the base of the measurement probe, that is, the end opposite to the end in contact with the bonding pad, and the other end of this capacitor is grounded. With this configuration, it is possible to reduce the impedance of a power supply line or the like of a power supply that is supplied to an integrated circuit or the like for measuring electrical characteristics, thereby stabilizing the measurement of electrical characteristics.

更に、集積回路等の直流特性を測定する場合には、電源
ラインばかりでなく信号ラインのポンディングパッドに
当接する測定用プローブにも上記のようにコンデンサー
を接続していた。
Furthermore, when measuring the direct current characteristics of integrated circuits and the like, capacitors are connected not only to the power supply line but also to the measurement probes that come into contact with the bonding pads of the signal lines, as described above.

この様な従来の構成を第6図に示す。第6図において、
測定用プローブ1はプローブカード2にその一端1aが
固定され、他端1bは半導体基板3上に形成されたポン
ディングパッド3aに測定の際、当接される。プローブ
カード2の測定用プローブ1の固定部には導体2aが形
成され、この導体2aの端部5は外部の電源(図示せず
。)の出力端子に接続されている。一方、この導体2a
はコンデンサー4の一端4aに接続され、このコンデン
サー4の他端4bは接地されている。
Such a conventional configuration is shown in FIG. In Figure 6,
One end 1a of the measurement probe 1 is fixed to a probe card 2, and the other end 1b is brought into contact with a bonding pad 3a formed on a semiconductor substrate 3 during measurement. A conductor 2a is formed on the fixed portion of the measurement probe 1 of the probe card 2, and an end 5 of the conductor 2a is connected to an output terminal of an external power source (not shown). On the other hand, this conductor 2a
is connected to one end 4a of a capacitor 4, and the other end 4b of this capacitor 4 is grounded.

このようにコンデンサー4を介して接地しておくことに
より電源ライン等の低インピーダンス化を図っている。
By grounding through the capacitor 4 in this way, the impedance of the power supply line etc. is reduced.

〔発明の解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

しかし、先に説明した従来の方法では、高ゲイン・高帯
域の半導体装置の電気特性測定において、測定用プロー
ブのインダクタンスと挿入されたコンデンサーの電気容
量とにより共振回路が形成され、発振現象が生じること
がある。そのため、正確な電気特性測定ができないこと
があった。
However, with the conventional method described above, when measuring the electrical characteristics of high-gain, high-bandwidth semiconductor devices, a resonant circuit is formed by the inductance of the measurement probe and the capacitance of the inserted capacitor, causing an oscillation phenomenon. Sometimes. As a result, accurate electrical characteristic measurements may not be possible.

すなわち、バイパスコンデンサーを挿入したことにより
、電気特性測定にかえって悪影響を与えることがあった
。。
In other words, the insertion of a bypass capacitor may have an adverse effect on the measurement of electrical characteristics. .

本発明は上記問題点を解決し、この様な悪影響を防止し
、安定した状態で集積回路等の電気特性を測定できるプ
ローブカードを提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems and provide a probe card that can prevent such adverse effects and measure the electrical characteristics of integrated circuits and the like in a stable state.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本発明のプローブカードでは、n1定用プローブと、バ
イパス回路とを含み、前記バイパス回路が前記測定用プ
ローブの他端に接続された第1の端子部と、接地された
第2の端子部と、コンデンサーと、抵抗とを含み、前記
コンデンサーと前記抵抗とが互いに直列に接続されてい
ることを特徴とする。
The probe card of the present invention includes an n1 regular probe and a bypass circuit, and the bypass circuit has a first terminal portion connected to the other end of the measurement probe, and a second terminal portion that is grounded. , a capacitor, and a resistor, and the capacitor and the resistor are connected in series.

〔作用〕[Effect]

本発明のブロー・ブカードでは、コンデンサーよりなる
バイパス回路素子に抵抗を直列に挿入することにより、
測定用プローブに接続されたコンデンサーと測定用プロ
ーブのインダクタンスにより形成される共振回路の共振
の尖鋭度Qの値を低下させている。
In the blow card of the present invention, by inserting a resistor in series with a bypass circuit element consisting of a capacitor,
The value of the resonance sharpness Q of the resonant circuit formed by the capacitor connected to the measurement probe and the inductance of the measurement probe is reduced.

〔実施例〕〔Example〕

以下図面を参照しつつ本発明に従う実施例について説明
する。
Embodiments according to the present invention will be described below with reference to the drawings.

同一符号を付した要素は同一機能を有するため重複する
説明は省略する。
Elements with the same reference numerals have the same functions, so duplicate explanations will be omitted.

第1図は本発明に従うプローブカードの概略構成を示す
。このプローブカードは、測定用プローブ1と、測定用
プローブ1を固定支持するプローブボード2と、バイパ
ス回路10とより構成される。バイパス回路10はコン
デンサー11と抵抗12とより構成され、これらのコン
デンサー11及び抵抗12は互いに直列に接続されてい
る。また、バイパス回路10は2つの電気端子を有し、
その一方は測定用プローブ1に、他方は接地されるよう
に構成されている。ここで、このバイパス回路10は1
つの回路素子として一体的構成しておくことが取扱上好
ましい。
FIG. 1 shows a schematic configuration of a probe card according to the present invention. This probe card includes a measurement probe 1, a probe board 2 that fixedly supports the measurement probe 1, and a bypass circuit 10. The bypass circuit 10 is composed of a capacitor 11 and a resistor 12, and the capacitor 11 and the resistor 12 are connected in series with each other. Moreover, the bypass circuit 10 has two electrical terminals,
One of them is configured to be connected to the measurement probe 1, and the other is configured to be grounded. Here, this bypass circuit 10 is 1
For handling purposes, it is preferable to integrally configure the circuit element as one circuit element.

第1図に示すバイパス回路を回路素子として一体的に構
成した例を第2図に示す。
FIG. 2 shows an example in which the bypass circuit shown in FIG. 1 is integrally configured as a circuit element.

この第2図では、抵抗7とコンデンサー8が直列に接続
されており、これらの抵抗7とコンデンサー8とが一体
的にモールドされている。そして、接続端子6a、6b
がこの一体化されたモールドの両端から外部に伸びてい
る。このように一体化することにより、抵抗とコンデン
サーとを互いに接続する処理が必要なくなり、容易にバ
イパス回路を設けることができる。
In FIG. 2, a resistor 7 and a capacitor 8 are connected in series, and the resistor 7 and capacitor 8 are integrally molded. And connection terminals 6a, 6b
extend outward from both ends of this integrated mold. By integrating in this way, there is no need to connect the resistor and the capacitor to each other, and a bypass circuit can be easily provided.

第3図にバイパス回路素子の別の一例を示す。FIG. 3 shows another example of the bypass circuit element.

この第3図に示す例では、抵抗体7及びコンデンサー8
をダイキャップ型に形成し、これらを互いに積層してい
る。そして、積層体の上下面に電極9a及び9bを設け
、全体としてダイキャップ型に構成している。このよう
に構成することにより、コンパクトで実装しやすいバイ
パス回路を実現できる。
In the example shown in FIG. 3, the resistor 7 and the capacitor 8
are formed into a die cap type, and these are stacked on top of each other. Electrodes 9a and 9b are provided on the upper and lower surfaces of the laminate, and the entire structure is formed into a die cap type. With this configuration, a bypass circuit that is compact and easy to implement can be realized.

この第3図に示すバイパス回路素子を製造する方法の一
例を以下に説明する。
An example of a method for manufacturing the bypass circuit element shown in FIG. 3 will be described below.

まず絶縁基板、例えば、シリコン基板等の表面にスパッ
タリング等に導電層を形成する。この絶縁基板の種類及
び厚さ、導電層の種類及び厚さは、求められる電気容量
及び抵抗値により選択される。
First, a conductive layer is formed on the surface of an insulating substrate, such as a silicon substrate, by sputtering or the like. The type and thickness of this insulating substrate and the type and thickness of the conductive layer are selected depending on the required capacitance and resistance value.

次に、この基板の上下表面に電極となる金属を蒸着する
。この蒸着された電極上にフォトレジストを塗布し、フ
ォトリソグラフィ法により、矩形状の電極パターンを形
成し、このパターンにそって分割する。このように形成
することにより第3図に示すようなバイパス回路を一度
にかつ多量に製造することができる。
Next, metal that will become electrodes is vapor-deposited on the top and bottom surfaces of this substrate. A photoresist is applied onto the deposited electrode, a rectangular electrode pattern is formed by photolithography, and the electrode is divided along this pattern. By forming in this manner, a large number of bypass circuits as shown in FIG. 3 can be manufactured at one time.

次に、第3図に示すバイパス回路素子を測定用プローブ
に設ける具体例を第4図に示す。第4図(a)は測定用
プローブ構成の斜視図であり、第4図(b)は第4図(
a)のA−A断面形状を示し、第4図(c)はB−B断
面形状を示し、第4図(d)はC−C断面を示す。
Next, FIG. 4 shows a specific example in which the bypass circuit element shown in FIG. 3 is provided in a measurement probe. FIG. 4(a) is a perspective view of the measurement probe configuration, and FIG. 4(b) is a perspective view of the measurement probe configuration.
4(c) shows the sectional shape along the line BB, and FIG. 4(d) shows the sectional shape along the line CC in FIG. 4(c).

第4図では、測定用プローブ1が弾性を有する。In FIG. 4, the measuring probe 1 has elasticity.

絶縁材料より成る支持部材ICに、その一端が固定され
、支持部材ICは、プローブボード(図示していない)
に固定されている。この支持部材ICの断面形状はほぼ
矩形状であり、その−面には、接地するように構成され
たアース電極13が設けられている。このアース電極1
3が設けられた面に対向する面には、測定用プローブ1
に電気的に接続された信号用電極14が図示のように設
けられている。更にアース用電極13は、その−部(第
4図(a)のB−B断面部)において、第4図(c)に
示すように信号用電極14側に回り込んでいる。そして
、この部分のアース用電極13と信号用電極14との間
に、バイパス回路素子10が挿入されている。このバイ
パス回路素子10の上下電極9a’=9bはアース用電
極13と信号用電極14に、それぞれ接続されている。
One end thereof is fixed to a support member IC made of an insulating material, and the support member IC is connected to a probe board (not shown).
Fixed. The support member IC has a substantially rectangular cross-sectional shape, and a ground electrode 13 configured to be grounded is provided on the negative side thereof. This earth electrode 1
A measuring probe 1 is placed on the surface opposite to the surface provided with the measuring probe 3.
A signal electrode 14 electrically connected to is provided as shown. Furthermore, the grounding electrode 13 wraps around to the signal electrode 14 side at its - portion (BB--B cross section in FIG. 4(a)) as shown in FIG. 4(c). A bypass circuit element 10 is inserted between the grounding electrode 13 and the signal electrode 14 in this portion. Upper and lower electrodes 9a'=9b of this bypass circuit element 10 are connected to a grounding electrode 13 and a signal electrode 14, respectively.

そしてこのアース用電極13及び信号用電極14は、支
持部材1cの測定用プローブ1の反対の端部において、
第4図(d)に示すように同軸ケーブルの形態となって
いる。これらのこれらのアース用電極13、信号用電極
14は、金属メツキ及びフォトエツチング法を利用して
作成することができる。
The grounding electrode 13 and the signal electrode 14 are connected to the supporting member 1c at the opposite end of the measuring probe 1.
As shown in FIG. 4(d), it is in the form of a coaxial cable. These grounding electrodes 13 and signal electrodes 14 can be created using metal plating and photoetching methods.

上記例では、アース用電極を信号用電極に沿って設けて
いるため、マイクロストリップ線路形態となり、信号用
電極14の高周波特性を高めている。また支持部材IC
の測定用プローブ1の反対の端部ではアース電極13が
信号用電極14を囲み同軸ケーブルの形態となっている
ため雑音の影響を少なくすることができる。
In the above example, since the grounding electrode is provided along the signal electrode, it takes the form of a microstrip line and improves the high frequency characteristics of the signal electrode 14. Also, the support member IC
At the opposite end of the measurement probe 1, the ground electrode 13 surrounds the signal electrode 14 in the form of a coaxial cable, so that the influence of noise can be reduced.

また、バイパス回路素子を小形化して、測定用プローブ
に組み込むことにより、安定した測定が可能でかつ取扱
が容易なプローブカードを実現できる。
Furthermore, by downsizing the bypass circuit element and incorporating it into the measurement probe, a probe card that can perform stable measurements and is easy to handle can be realized.

また更に、測定用プローブのボンディング当接部近傍で
バイパス回路素子と接続できるので、より安定した測定
が可能となる。
Furthermore, since the measurement probe can be connected to the bypass circuit element near the bonding contact portion, more stable measurement is possible.

このようなプローブカードを用いてインバータ回路を構
成する集積回路の入力電圧と出力電圧とを測定したとこ
ろ、第5図(b)に示すような結果を得ることができた
。これに対し、従来のバイパスコンデンサーのみを測定
用プローブに接続し、その入出力電圧を測定したところ
第5図(a)に示す結果が得られた。この実験結果より
、本発明のプローブカードを用いたときのほうが、好ま
しいことが確かめられた。
When the input voltage and output voltage of the integrated circuit constituting the inverter circuit were measured using such a probe card, the results shown in FIG. 5(b) were obtained. On the other hand, when only the conventional bypass capacitor was connected to the measurement probe and its input and output voltages were measured, the results shown in FIG. 5(a) were obtained. From this experimental result, it was confirmed that the use of the probe card of the present invention is more preferable.

本発明は上記実施例に限定されるものでなく、種々の変
形例が考えられ得る。
The present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications may be made.

具体的には、先に説明したダイキャップ型バイパス回路
の製造方法では、絶縁基板上に導電層を形成し、更に電
極を形成しているが、絶縁基板の代わりに、電極板上に
絶縁層をスパッタリング法等で形成し、更にその上に導
電層をスパッタリング法等で形成してもよい。
Specifically, in the manufacturing method of the die-cap type bypass circuit described above, a conductive layer is formed on an insulating substrate and then an electrode is formed, but instead of an insulating substrate, an insulating layer is formed on an electrode plate. may be formed by a sputtering method or the like, and then a conductive layer may be further formed thereon by a sputtering method or the like.

また、上記実施例ではバイパス回路素子をn1定用プロ
ーブ等に組み込む例について説明してきたが、プローブ
ボードに埋め込んでもよいし、また、外付けとしてもよ
い。
Further, in the above embodiment, an example has been described in which the bypass circuit element is incorporated into the n1 regular probe, but it may be embedded in the probe board or may be attached externally.

〔効果〕〔effect〕

上記のように構成することにより、本発明のブローブカ
ードを用いて集積回路等の電気特性を測定すると、安定
【7た状態で集積回路の電気特性を測定することができ
る。
With the above configuration, when the electrical characteristics of an integrated circuit or the like are measured using the probe card of the present invention, the electrical characteristics of the integrated circuit can be measured in a stable state.

更に、本発明のプローブカードに設けるバイパス回路を
グイキャップ構造に形成することにより、取扱が容易と
なる。特に、この様なバイパス回路をプローブカードま
たは測定用プローブに装着する際、電気接続等を簡単に
行なうことができる。
Furthermore, by forming the bypass circuit provided in the probe card of the present invention into a goose-cap structure, handling becomes easy. Particularly, when such a bypass circuit is attached to a probe card or a measurement probe, electrical connections can be made easily.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、本発明のプローブカードの回路構成説明図、
第2図は、本発明のプローブカードに設けるバイパス回
路の一例を示す図、第3図は、本発明のプローブカード
に設けるバイパス回路の別の一例を示す図、第4図は、
第3図に示すバイパス回路を測定用プローブに実装する
実装構造例を示す図、第5図は、本発明のプローブカー
ドを用いてインバータ回路の入出力特性を測定した場合
と従来のプローブカードを用いてインバータ回路を測定
する場合との効果の比較を説明する図、第6図は、従来
のプローブカードの回路構成例を示す図である。 1・・・測定用プローブ、IC・・・支持部材、2・・
・プローブカード、3・・・半導体基板、3a・・・ボ
ンデインクバッド、4.11・・・コンデンサー、5・
・・外部測定装置接続端、6・・・バイパス回路、7.
12・・・抵抗、6a、6b・・・接続端子、9a・・
・上側電極、9b・・・下側電極、10・・・バイパス
回路、13・・・アース用電極、14・・・信号用電極
。 特許出顕人  住友電気工業株式会社 代理人弁理士   長谷用  芳  樹間      
   寺   崎   史   朗Vin (a) 効果の比較 第5図
FIG. 1 is an explanatory diagram of the circuit configuration of the probe card of the present invention;
2 is a diagram showing an example of a bypass circuit provided in the probe card of the present invention, FIG. 3 is a diagram showing another example of a bypass circuit provided in the probe card of the present invention, and FIG. 4 is a diagram showing an example of a bypass circuit provided in the probe card of the present invention.
Figure 3 shows an example of a mounting structure in which the bypass circuit shown in the measurement probe is mounted, and Figure 5 shows a case where the input/output characteristics of an inverter circuit are measured using the probe card of the present invention and a case where the input/output characteristics of an inverter circuit are measured using the probe card of the present invention. FIG. 6 is a diagram illustrating an example of the circuit configuration of a conventional probe card. 1...Measurement probe, IC...support member, 2...
・Probe card, 3...Semiconductor board, 3a...Bonde ink bad, 4.11...Capacitor, 5.
・・External measurement device connection end, 6.・Bypass circuit, 7.
12...Resistor, 6a, 6b...Connection terminal, 9a...
- Upper electrode, 9b... Lower electrode, 10... Bypass circuit, 13... Earth electrode, 14... Signal electrode. Patent author: Sumitomo Electric Industries Co., Ltd. Patent attorney Yoshiki Hase
Fumiaki Terasaki Vin (a) Comparison of effects Figure 5

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、測定用プローブと、バイパス回路とを含み、 前記バイパス回路が前記測定用プローブの他端に接続さ
れた第1の端子部と、接地された第2の端子部と、コン
デンサーと、抵抗とを含み、前記コンデンサーと前記抵
抗とが互いに直列に接続されているプローブカード。 2、前記コンデンサーがセラミックコンデンサーであり
、前記抵抗と共に一体的にモールドされている請求項1
記載のプローブカード。 3、前記コンデンサーと前記抵抗とがダイキャップ型の
積層構造になっており、その積層構造体の上下表面に電
極が設けられている請求項1記載のプローブカード。
[Claims] 1. A measurement probe, a bypass circuit, a first terminal portion to which the bypass circuit is connected to the other end of the measurement probe, and a second terminal portion that is grounded. , a probe card including a capacitor and a resistor, the capacitor and the resistor being connected in series with each other. 2. Claim 1, wherein the capacitor is a ceramic capacitor and is integrally molded with the resistor.
Probe card listed. 3. The probe card according to claim 1, wherein the capacitor and the resistor have a die-cap type laminated structure, and electrodes are provided on the upper and lower surfaces of the laminated structure.
JP63118948A 1988-05-16 1988-05-16 Probe card Pending JPH01288782A (en)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006344662A (en) * 2005-06-07 2006-12-21 Mitsubishi Electric Corp Probe card, dc characteristic measuring method using this, and semiconductor device
US7737712B2 (en) * 2007-06-26 2010-06-15 Hynix Semiconductor, Inc. Probe-testing device and method of semiconductor device
JP2015511004A (en) * 2012-03-08 2015-04-13 ローゼンベルガー ホーフフレクベンツテクニーク ゲーエムベーハー ウント ツェーオー カーゲー Equipment for measuring electronic components

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