JPH01288355A - 超微粒子の回収方法及びその回収装置 - Google Patents
超微粒子の回収方法及びその回収装置Info
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- JPH01288355A JPH01288355A JP11477488A JP11477488A JPH01288355A JP H01288355 A JPH01288355 A JP H01288355A JP 11477488 A JP11477488 A JP 11477488A JP 11477488 A JP11477488 A JP 11477488A JP H01288355 A JPH01288355 A JP H01288355A
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Classifications
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- B03—SEPARATION OF SOLID MATERIALS USING LIQUIDS OR USING PNEUMATIC TABLES OR JIGS; MAGNETIC OR ELECTROSTATIC SEPARATION OF SOLID MATERIALS FROM SOLID MATERIALS OR FLUIDS; SEPARATION BY HIGH-VOLTAGE ELECTRIC FIELDS
- B03C—MAGNETIC OR ELECTROSTATIC SEPARATION OF SOLID MATERIALS FROM SOLID MATERIALS OR FLUIDS; SEPARATION BY HIGH-VOLTAGE ELECTRIC FIELDS
- B03C3/00—Separating dispersed particles from gases or vapour, e.g. air, by electrostatic effect
- B03C3/34—Constructional details or accessories or operation thereof
- B03C3/38—Particle charging or ionising stations, e.g. using electric discharge, radioactive radiation or flames
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B03C3/02—Plant or installations having external electricity supply
- B03C3/04—Plant or installations having external electricity supply dry type
- B03C3/14—Plant or installations having external electricity supply dry type characterised by the additional use of mechanical effects, e.g. gravity
Landscapes
- Electrostatic Separation (AREA)
- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は気相反応によって生成された気体中に雲状に
浮遊している窒１ヒ珪素等の超微粒子を、その気体中か
ら捕集する際の回収方法及び装置に関するものである。
浮遊している窒１ヒ珪素等の超微粒子を、その気体中か
ら捕集する際の回収方法及び装置に関するものである。
従来技術
従来のこの種の方法及び装置にはフィルタによる濾過、
拡散・熱沈着で回収装置の壁面に付着した粒子を掻き取
るなどして回収する方法および装置がある。
拡散・熱沈着で回収装置の壁面に付着した粒子を掻き取
るなどして回収する方法および装置がある。
これらは何れにしても回収効率が極めて低く、その上回
収後の後処理工程が面倒であり、製造コストら高くなる
。
収後の後処理工程が面倒であり、製造コストら高くなる
。
発明が解決しようとする課題
−ｉに、気相から粒子を分離・回収するために利用でき
る物理的１を重力には粒子の慣性力、ブラウン拡散、重
力、遠心力、熱運動及び静電気力などがある。
る物理的１を重力には粒子の慣性力、ブラウン拡散、重
力、遠心力、熱運動及び静電気力などがある。
なかでも静電気力による粒子移動速度は池の作用力を用
いた場合に較べて２桁以上も大きく、超微粒子の運動制
御には大変有効であり、また、エネルギ消費面から考え
ても最も有利である。
いた場合に較べて２桁以上も大きく、超微粒子の運動制
御には大変有効であり、また、エネルギ消費面から考え
ても最も有利である。
しかしなが゛ら、これまでのところ静電気力を利用した
超微粒子の分離・回収技術は開発されていなかった。
超微粒子の分離・回収技術は開発されていなかった。
その大きな理由の一つは超１故粒子の分離・回収という
目的に有効な荷電方法・装置が開発できなかったからで
ある。０．１ ミクロン以下の超微粒子の荷電には放射
熱源（例えばＡ ｍ −２４１）を用いる方法がとられ
ている。しかし、放射線の強度にもよるが、イオン密度
があまり高くできないので、粒子の荷電効率は良くても
１０％程度であり、実用には適さない。
目的に有効な荷電方法・装置が開発できなかったからで
ある。０．１ ミクロン以下の超微粒子の荷電には放射
熱源（例えばＡ ｍ −２４１）を用いる方法がとられ
ている。しかし、放射線の強度にもよるが、イオン密度
があまり高くできないので、粒子の荷電効率は良くても
１０％程度であり、実用には適さない。
また直流コロナ荷電も用いられているが、この場合には
イオン源であるコロナ放電の発生と、荷電後の超微粒子
の静電力による分離回収を行う電界形成を同一の電源で
行うので、両者をそれぞれの最ａ値に独立して設定でき
ず、コロナ放電によるＲ電に必要な電圧を加えると、静
電力による分離速度が早くなり過ぎて、コロナ荷電部に
すべての超微粒子が局所的に分離付着して強固な堆積層
を作り、目的とする場所に均一にかつやわらかく堆積し
た良質の分ｗ１層を１１！ってこれを回収し、超微粒子
の品質を維持するということが出来なかった。
イオン源であるコロナ放電の発生と、荷電後の超微粒子
の静電力による分離回収を行う電界形成を同一の電源で
行うので、両者をそれぞれの最ａ値に独立して設定でき
ず、コロナ放電によるＲ電に必要な電圧を加えると、静
電力による分離速度が早くなり過ぎて、コロナ荷電部に
すべての超微粒子が局所的に分離付着して強固な堆積層
を作り、目的とする場所に均一にかつやわらかく堆積し
た良質の分ｗ１層を１１！ってこれを回収し、超微粒子
の品質を維持するということが出来なかった。
この発明の目的はイオンの供給量と分１ｌｌｉ電界の速
度を独立に制御することにより、超微粒子を効率よく荷
電すると共に、超微粒子を所望の場所に均一に良質の状
態で静電分離・回収する事を可能にすることである。
度を独立に制御することにより、超微粒子を効率よく荷
電すると共に、超微粒子を所望の場所に均一に良質の状
態で静電分離・回収する事を可能にすることである。
発明の構成
この発明は気相凝縮反応管（以下ＣＶＤ反応管と称する
）内で生成したガス中の超微粒子を沿面放電極と捕ａｔ
極の間で荷電すると共に、該荷電した超微粒子を前記両
電極間に於ける該捕集電極寄りに配置した捕集体の表面
に静電沈着して、そこに超微粒子堆積層を形成し、その
後肢超微粒子堆積層を捕集体の表面から剥離することに
よって、該ガス中から超微粒子を回収する方法、および
ＣＶＤ反応ガスの流れの上流側にＣＶＤ反応管を具備し
た超微粒子生成装置、その下流側に沿面放電極と捕集電
極、およびこれら両ｔ８ｉ！間における捕集電極寄りに
設けた捕集体とからなる静電沈着装置を配設し、該沿面
放電極をアルミナ等のセラミック絶縁層の一方の面又は
肉厚内に埋設した面状ｔｆＩと、その該セラミック絶縁
層の他方の面上に形成された線状電極とで形成し、それ
ら両電極の間に高周波高圧電源を接続し、さらに前記沿
面放電極と捕集電極との間に直流高圧電源を接続してな
る超微粒子の回収装置である。
）内で生成したガス中の超微粒子を沿面放電極と捕ａｔ
極の間で荷電すると共に、該荷電した超微粒子を前記両
電極間に於ける該捕集電極寄りに配置した捕集体の表面
に静電沈着して、そこに超微粒子堆積層を形成し、その
後肢超微粒子堆積層を捕集体の表面から剥離することに
よって、該ガス中から超微粒子を回収する方法、および
ＣＶＤ反応ガスの流れの上流側にＣＶＤ反応管を具備し
た超微粒子生成装置、その下流側に沿面放電極と捕集電
極、およびこれら両ｔ８ｉ！間における捕集電極寄りに
設けた捕集体とからなる静電沈着装置を配設し、該沿面
放電極をアルミナ等のセラミック絶縁層の一方の面又は
肉厚内に埋設した面状ｔｆＩと、その該セラミック絶縁
層の他方の面上に形成された線状電極とで形成し、それ
ら両電極の間に高周波高圧電源を接続し、さらに前記沿
面放電極と捕集電極との間に直流高圧電源を接続してな
る超微粒子の回収装置である。
１Ｐ用
反応ガスをＣＶＤ反応管を具備した超微粒子生成装置に
供給し、その中で生成したセラミック等のＮ微粒子を静
電沈着装置に供給して、その静電沈着装置の一部を構成
する沿面放を衡の面状の沿面コロナ放電が供給する単極
性イオン（又は電子）によって該超微粒子を荷電すると
共に、その沿面放電極と粒子捕集電極の間に発生する直
流電界の１を用で粒子捕集電極に向かって駆動し、予め
該粒子捕集電極の手前に配置しておいた捕集体の表面に
堆積して、そこにＭｉ微粒子堆積層を形成する。その後
超微粒子堆積層を前記捕集体の表面から適宜の手段で剥
離して回収するものである。
供給し、その中で生成したセラミック等のＮ微粒子を静
電沈着装置に供給して、その静電沈着装置の一部を構成
する沿面放を衡の面状の沿面コロナ放電が供給する単極
性イオン（又は電子）によって該超微粒子を荷電すると
共に、その沿面放電極と粒子捕集電極の間に発生する直
流電界の１を用で粒子捕集電極に向かって駆動し、予め
該粒子捕集電極の手前に配置しておいた捕集体の表面に
堆積して、そこにＭｉ微粒子堆積層を形成する。その後
超微粒子堆積層を前記捕集体の表面から適宜の手段で剥
離して回収するものである。
実施例
この発明の方法および装置の実施例を添付図面によって
説明すると、第１図および第２図に示すごとく本例では
２種類の反応ガス１の流れの上流側にＣＶＤ反応管２と
ヒータ３とを具備した超微粒子生成装置４を設け、その
反応ガス１をＣＶＤ反応管２内に供給し、そこで発生し
た例えば窒化珪素の超微粒子ｐをシースガス１ａと共に
図示のごとくビームｔｂ状にして、シースガス１ｃと共
に前記超微粒子生成装置４の下流側に設けた静電沈着装
置７の主要部を構成する沿面放電極５と、捕集ｔ８ｉｉ
６の間の空間７ａに供給する。また該沿面放電極５を第
２図に示すごとくセラミック絶縁層、本例ではアルミナ
磁器層９の内部に設けた円筒又は棒状（以下これらを含
め円筒状と総称する）の誘導ｔｌｌＯと、そのアルミナ
磁器層９の外面に形成されたコイル（ピッチ２〜３ｍｍ
）状の線状ｔｉｌｌとで形成し、それら両電［１１０，
１１の間に高周波高圧電源１２を接続し、その間に高周
波高電圧（ＩＯＫＨｚ、１０ＫＨ２）を印加すると、沿
面放電極５の表面近肪に高密度の正負イオンを含む交流
沿面放電を発生する。この際、交流沿面放電には正及び
負のイオンが混在しており、その密度は該高周波高電圧
の大きさによって制御できる。いま沿面放電ｆＩ５と捕
集電極６の間に直流高圧電源１３で直流高電圧（１，５
ｋ ｖ〜０．５ ｋ ｖ ）を印加すると、その極性に
したがって沿面放電ｉ５の表面近傍の放電域から正また
は負極性のみの重陽性イオンが取り出せ、この単極性イ
オンは該直流高電圧の作用で該捕集電極６へと走行する
。空間７ａを通過する粒子は効率良く単極性に射突され
て荷電される。この場合粒子の荷電量は上記高周波高電
圧の大きさと、直流高電圧の大きさを制御することによ
りコントロールできる。荷電された超微粒子■）は前記
直流電圧によるクーロン力ｆを受け、本装置の中央部か
ら放射方向に泳動し、上記捕集体である円筒形の捕集管
１４の内面に均一かつやわらかに沈着し、多孔質の超微
粒子堆積層１５を生成する。該円筒形捕集管１４は矢印
Ａ１４方向にゆっくり回転しながら上または下方に連続
的に移動するので、その内面に均質な多孔質のすぐれた
超微粒子層１５が形成される。この様にしてｊｆＷ１粒
子層１５が形成された円筒形の偵集管１４はその外側に
設けられた静電沈着装置７の内部から外部に収り出され
其処で捕集管の内面に形成された超微粒子ｆｆ１１５を
掻き落とすなどして回収するものである。
説明すると、第１図および第２図に示すごとく本例では
２種類の反応ガス１の流れの上流側にＣＶＤ反応管２と
ヒータ３とを具備した超微粒子生成装置４を設け、その
反応ガス１をＣＶＤ反応管２内に供給し、そこで発生し
た例えば窒化珪素の超微粒子ｐをシースガス１ａと共に
図示のごとくビームｔｂ状にして、シースガス１ｃと共
に前記超微粒子生成装置４の下流側に設けた静電沈着装
置７の主要部を構成する沿面放電極５と、捕集ｔ８ｉｉ
６の間の空間７ａに供給する。また該沿面放電極５を第
２図に示すごとくセラミック絶縁層、本例ではアルミナ
磁器層９の内部に設けた円筒又は棒状（以下これらを含
め円筒状と総称する）の誘導ｔｌｌＯと、そのアルミナ
磁器層９の外面に形成されたコイル（ピッチ２〜３ｍｍ
）状の線状ｔｉｌｌとで形成し、それら両電［１１０，
１１の間に高周波高圧電源１２を接続し、その間に高周
波高電圧（ＩＯＫＨｚ、１０ＫＨ２）を印加すると、沿
面放電極５の表面近肪に高密度の正負イオンを含む交流
沿面放電を発生する。この際、交流沿面放電には正及び
負のイオンが混在しており、その密度は該高周波高電圧
の大きさによって制御できる。いま沿面放電ｆＩ５と捕
集電極６の間に直流高圧電源１３で直流高電圧（１，５
ｋ ｖ〜０．５ ｋ ｖ ）を印加すると、その極性に
したがって沿面放電ｉ５の表面近傍の放電域から正また
は負極性のみの重陽性イオンが取り出せ、この単極性イ
オンは該直流高電圧の作用で該捕集電極６へと走行する
。空間７ａを通過する粒子は効率良く単極性に射突され
て荷電される。この場合粒子の荷電量は上記高周波高電
圧の大きさと、直流高電圧の大きさを制御することによ
りコントロールできる。荷電された超微粒子■）は前記
直流電圧によるクーロン力ｆを受け、本装置の中央部か
ら放射方向に泳動し、上記捕集体である円筒形の捕集管
１４の内面に均一かつやわらかに沈着し、多孔質の超微
粒子堆積層１５を生成する。該円筒形捕集管１４は矢印
Ａ１４方向にゆっくり回転しながら上または下方に連続
的に移動するので、その内面に均質な多孔質のすぐれた
超微粒子層１５が形成される。この様にしてｊｆＷ１粒
子層１５が形成された円筒形の偵集管１４はその外側に
設けられた静電沈着装置７の内部から外部に収り出され
其処で捕集管の内面に形成された超微粒子ｆｆ１１５を
掻き落とすなどして回収するものである。
その超微粒子の大きさは生成装置４におけるその生成条
件で制御され、また超微粒子堆積層１５の形成過程にお
ける粒子の均一性と堆積状態は、前記沿面放電のイオン
密度をコントロールする該高周波高電圧と両電極５．６
間の直流印加高電圧で制御する。
件で制御され、また超微粒子堆積層１５の形成過程にお
ける粒子の均一性と堆積状態は、前記沿面放電のイオン
密度をコントロールする該高周波高電圧と両電極５．６
間の直流印加高電圧で制御する。
以上本発明を第１図及び第２図の実施例について説明し
たが、本発明はそれだけに限定されるものでなく、本発
明の構成の範囲内においてその構成の具体的手段を変更
して実施することも可能である。
たが、本発明はそれだけに限定されるものでなく、本発
明の構成の範囲内においてその構成の具体的手段を変更
して実施することも可能である。
第３図乃至第６図に示すものはその例であり、それは窒
化珪素の超微粒子生成装置４、および超微粒子の静電沈
着装置７から構成されている事については前述の実施例
と同一であるが。
化珪素の超微粒子生成装置４、および超微粒子の静電沈
着装置７から構成されている事については前述の実施例
と同一であるが。
該生成装ｒ１１．４で生成した超微粒子は石英管１８内
において、円筒状の流れ１ｃになって静電沈着装置７に
移送され、該沈着装置７の一部を構成する円筒状沿面放
電極５の内面近傍に導かれる。
において、円筒状の流れ１ｃになって静電沈着装置７に
移送され、該沈着装置７の一部を構成する円筒状沿面放
電極５の内面近傍に導かれる。
ここで先の超は粒子は単極性に荷電され、沿面放電ｌＩ
ｒ１５と粒子捕集電極６の間に形成された直流電界の作
用でクーロン力を受け、中心部に向かって矢印Ａｉｄの
方向に移動し、該中心部に予め支持された棒状又は管状
の捕集電極６の外面に沈着し、良質の超微粒子堆積層１
５を形成するこの際、該捕集電極６を矢印Ａ６方向に上
下動及び矢印Ａ７方向に回転することによって、超微粒
子環ｆｌ［層の厚さを平均化すると共に、その捕集風ａ
ｉ６の外面に沈着した状態の超微粒子堆積層１５を、該
捕集電極６に圧接したスクレーバ２０でｔ１１離して粒
子回収函２１内に回収する。
ｒ１５と粒子捕集電極６の間に形成された直流電界の作
用でクーロン力を受け、中心部に向かって矢印Ａｉｄの
方向に移動し、該中心部に予め支持された棒状又は管状
の捕集電極６の外面に沈着し、良質の超微粒子堆積層１
５を形成するこの際、該捕集電極６を矢印Ａ６方向に上
下動及び矢印Ａ７方向に回転することによって、超微粒
子環ｆｌ［層の厚さを平均化すると共に、その捕集風ａ
ｉ６の外面に沈着した状態の超微粒子堆積層１５を、該
捕集電極６に圧接したスクレーバ２０でｔ１１離して粒
子回収函２１内に回収する。
この沿面数ｔｆＬ５は第４図に示すごとくアルミナ磁器
層９で形成せる絶縁体を介して設けた線状１１極１１と
面状誘導電ｗ１１０とで構成されている。該荷電極１０
．１１とも極めて薄いフィルム状のタングステンより成
り、内側の線状電極１１は第４図ないし第６図で示され
たように平行なストリップ形状をし、ている。
層９で形成せる絶縁体を介して設けた線状１１極１１と
面状誘導電ｗ１１０とで構成されている。該荷電極１０
．１１とも極めて薄いフィルム状のタングステンより成
り、内側の線状電極１１は第４図ないし第６図で示され
たように平行なストリップ形状をし、ている。
該銹導電ｆ１１０と線状環ｆ１１１との間に高周波高圧
電源１２で高周波高電圧を印加すると、内面の線状電極
１１の表面近傍に高密度の正負イオンを含む交流沿面放
電を発生し、面状のイオン源を形成する。
電源１２で高周波高電圧を印加すると、内面の線状電極
１１の表面近傍に高密度の正負イオンを含む交流沿面放
電を発生し、面状のイオン源を形成する。
この交流沿面放電には正及び負のイオンが混在している
が、線状電極１１と中心部に設置された棒状又は管状の
捕ａｔ極６の間に電源１３で直流高電圧を印加すると、
その極性に崩って沿面放電ｆＩ５の表面近傍１寸近に正
または負極性のみの単極性イオンが取り出せ、この近傍
を通過する粒子はこのイオンの射突により効率よく単極
性に荷電される。
が、線状電極１１と中心部に設置された棒状又は管状の
捕ａｔ極６の間に電源１３で直流高電圧を印加すると、
その極性に崩って沿面放電ｆＩ５の表面近傍１寸近に正
または負極性のみの単極性イオンが取り出せ、この近傍
を通過する粒子はこのイオンの射突により効率よく単極
性に荷電される。
荷電された超微粒子は直流電界でクーロン力を受け、本
装置の中心部に向かって泳動し、上記捕集電極６の外面
の外面に付着し、そこに粒子堆積層１５を生成する。
装置の中心部に向かって泳動し、上記捕集電極６の外面
の外面に付着し、そこに粒子堆積層１５を生成する。
この際棒状捕集ｔｆ！６は矢印Ａ１４方向にゆっくり回
転しながら上または下方に連続的に移動するので、その
外面には均質な良質の粒子堆積層１５が形成される。
転しながら上または下方に連続的に移動するので、その
外面には均質な良質の粒子堆積層１５が形成される。
また第７図および第８図に示す実施例も超微粒子生成装
置４および静電沈着装置７で構成されていることは前述
のものと同様であるが、それらは全体の形状がほぼ平面
状である点において相違している。
置４および静電沈着装置７で構成されていることは前述
のものと同様であるが、それらは全体の形状がほぼ平面
状である点において相違している。
そして沿面放電極５は平面状のアルミナ磁器層９の両側
にそれぞれ線状電極１１および誘導電′ＩｆｉｌＯを密
着して形成し、これら両電極１１．１２の間に高周波高
圧電源１２を接続し、該線状電極１１と空間７ａを介し
て平面状の捕集電極６を設け、これら荷電ｆ！ｌｌ、６
の間に直流高圧電源１３を接続し、その空間７ａにおけ
る捕集電極６の近傍に無端帯状の捕集ベルト１４ａを設
け、この無端帯状の捕集ベルト１４ａを上下二つのロー
ラ６ａ、６ｂに捲き掛け、矢印Ａ１４ａ方向に駆動する
ものである。
にそれぞれ線状電極１１および誘導電′ＩｆｉｌＯを密
着して形成し、これら両電極１１．１２の間に高周波高
圧電源１２を接続し、該線状電極１１と空間７ａを介し
て平面状の捕集電極６を設け、これら荷電ｆ！ｌｌ、６
の間に直流高圧電源１３を接続し、その空間７ａにおけ
る捕集電極６の近傍に無端帯状の捕集ベルト１４ａを設
け、この無端帯状の捕集ベルト１４ａを上下二つのロー
ラ６ａ、６ｂに捲き掛け、矢印Ａ１４ａ方向に駆動する
ものである。
上述の超微粒子生成部４がら空間７ａに送り込まれた超
微粒子は前記沿面放電極５の線状電極１１の近傍に生ず
る沿面放電によって生じた単極性イオンの射突で荷電さ
れ、これと同時にこの空間７ａに生ずる直流電界によっ
て捕集ベルト１４ａに沈着するものである。沈着した超
微粒子は下方に運ばれスクレーパ１７によって掻き取ら
れ、粒子回収面１８内に回収される。
微粒子は前記沿面放電極５の線状電極１１の近傍に生ず
る沿面放電によって生じた単極性イオンの射突で荷電さ
れ、これと同時にこの空間７ａに生ずる直流電界によっ
て捕集ベルト１４ａに沈着するものである。沈着した超
微粒子は下方に運ばれスクレーパ１７によって掻き取ら
れ、粒子回収面１８内に回収される。
発明の効果
本発明は上述の通りであり、ＣＶＤ法によって生成した
超微粒子を静電沈着装置のクーロン力で、円筒状または
平板状の捕集体の表面に均一に、かつやわらかな層とし
て堆積し、その後そこから剥離して回収するので、良質
の超微粒子で径の揃っているものを容易に得る事が出来
る。
超微粒子を静電沈着装置のクーロン力で、円筒状または
平板状の捕集体の表面に均一に、かつやわらかな層とし
て堆積し、その後そこから剥離して回収するので、良質
の超微粒子で径の揃っているものを容易に得る事が出来
る。
特に本発明は交流沿面放電極の近傍に発生する面状の単
極性イオン源で荷電するので、広い面状領域全体を利用
して均一に能率よく荷電することが出来、その荷ｉｔ量
を自由に制御できるまた更に超微粒子の荷電特性、動力
学特性等は静電力を利用して居るので物質の種類に殆ど
依存しないで、この発明はアルミナを始めとして酸ｆヒ
チタン、ジルコニア、窒ｆヒ珪素、シリカなど、殆どの
超微粒子に適用できる。
極性イオン源で荷電するので、広い面状領域全体を利用
して均一に能率よく荷電することが出来、その荷ｉｔ量
を自由に制御できるまた更に超微粒子の荷電特性、動力
学特性等は静電力を利用して居るので物質の種類に殆ど
依存しないで、この発明はアルミナを始めとして酸ｆヒ
チタン、ジルコニア、窒ｆヒ珪素、シリカなど、殆どの
超微粒子に適用できる。
第１図は本発明の実施例の縦断面図、第２図はその要部
の拡大断面図、第３図は池の実施例の縦断面図、第４図
は第３図の要部の拡大断面図、第５Ｉ２１は第４１１２
１の■−■線部の断面図、第６図は第５図のＶｌ−Ｖｌ
線部の展開図、第７図は更に他の実施例の縦断面図、第
８図は第７図の線状電極の展開図である。 １１．１反応ガス ２、、、ＣＶＤ反応管 ４０９．超微粒子生成装置 ５００．沿面放電極 ６３１．捕集電極 ７．５．静電沈着装置 ９０．、アルミナ磁器層 １０、 、 、誘導ｔａｉ １１、 、 、線状電極 １２、 、 、高周波高圧電源 １３、 、 、直流高圧電源 １４、 、 、捕集管 １５、 、 、超微粒子堆積層
の拡大断面図、第３図は池の実施例の縦断面図、第４図
は第３図の要部の拡大断面図、第５Ｉ２１は第４１１２
１の■−■線部の断面図、第６図は第５図のＶｌ−Ｖｌ
線部の展開図、第７図は更に他の実施例の縦断面図、第
８図は第７図の線状電極の展開図である。 １１．１反応ガス ２、、、ＣＶＤ反応管 ４０９．超微粒子生成装置 ５００．沿面放電極 ６３１．捕集電極 ７．５．静電沈着装置 ９０．、アルミナ磁器層 １０、 、 、誘導ｔａｉ １１、 、 、線状電極 １２、 、 、高周波高圧電源 １３、 、 、直流高圧電源 １４、 、 、捕集管 １５、 、 、超微粒子堆積層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ＣＶＤ反応管内で生成したガス中の超微粒子を沿面
放電極と捕集電極の間で荷電すると共に、該荷電した超
微粒子を前記両電極間に於ける該捕集電極寄りに配置し
た捕集体の表面に静電沈着して、そこに超微粒子堆積層
を形成し、その後該超微粒子堆積層を捕集体の表面から
剥離することを特徴とする超微粒子の回収方法２、沿面
放電極がアルミナ磁器層を介して配設された線状電極と
誘導電極とからなり、また該線状電極に対向して捕集電
極が設けられていることを特徴とする請求項１記載の超
微粒子の回収方法 ３、沿面放電極が円筒状の誘導電極とその外周にアルミ
ナ磁器層を介して形成された線状電極とからなり、また
捕集電極が円管状に形成され、その中心に前記沿面放電
極が設けられていることを特徴とする請求項１記載の超
微粒子の回収方法 ４、沿面放電極が円筒形のアルミナ磁器層の外周面に面
状誘電極を形成し、その内周面に線状電極を形成し、そ
れら両電極の間に高周波高圧電源を接続したものである
ことを特徴とする請求項１記載の超微粒子の回収方法 ５、ＣＶＤ反応ガスの流れの上流側にＣＶＤ反応管を具
備した超微粒子生成装置、その下流側に沿面放電極と捕
集電極とからなる静電沈着装置を配設し、該沿面放電極
をアルミナ磁器層を介して相対する面状電極と、線状電
極とで形成し、それら両電極の間に高周波高圧電源を接
続し、さらに前記沿面放電極と捕集電極との間に直流高
圧電源を接続していることを特徴とする超微粒子の回収
装置 ６、沿面放電極が円筒状誘導電極とその外周にアルミナ
磁器層を介して形成された線状電極とからなり、それら
両電極の間に高周波高圧電源が接続されていることを特
徴とする請求項５記載の超微粒子の回収装置 ７、沿面放電極がアルミナ磁器製円筒の外周面に形成さ
れた面状誘導電極と、その円筒の内面に形成された線状
電極とからなり、それら両電極の間に高周波高圧電源が
接続されていることを特徴とする請求項５記載の超微粒
子の回収装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11477488A JP2671009B2 (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | 超微粒子の回収方法及びその回収装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11477488A JP2671009B2 (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | 超微粒子の回収方法及びその回収装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01288355A true JPH01288355A (ja) | 1989-11-20 |
| JP2671009B2 JP2671009B2 (ja) | 1997-10-29 |
Family
ID=14646352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11477488A Expired - Lifetime JP2671009B2 (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | 超微粒子の回収方法及びその回収装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2671009B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0839930A1 (en) * | 1996-10-30 | 1998-05-06 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for vacuum line cleaning in substrate processing equipment |
| US6045618A (en) * | 1995-09-25 | 2000-04-04 | Applied Materials, Inc. | Microwave apparatus for in-situ vacuum line cleaning for substrate processing equipment |
| US6187072B1 (en) | 1995-09-25 | 2001-02-13 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reducing perfluorocompound gases from substrate processing equipment emissions |
| US6194628B1 (en) | 1995-09-25 | 2001-02-27 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning a vacuum line in a CVD system |
| US6255222B1 (en) | 1999-08-24 | 2001-07-03 | Applied Materials, Inc. | Method for removing residue from substrate processing chamber exhaust line for silicon-oxygen-carbon deposition process |
| US6354241B1 (en) | 1999-07-15 | 2002-03-12 | Applied Materials, Inc. | Heated electrostatic particle trap for in-situ vacuum line cleaning of a substrated processing |
| JP2006167641A (ja) * | 2004-12-17 | 2006-06-29 | Toyohashi Univ Of Technology | 電気集塵機用高電圧荷電装置 |
-
1988
- 1988-05-13 JP JP11477488A patent/JP2671009B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6045618A (en) * | 1995-09-25 | 2000-04-04 | Applied Materials, Inc. | Microwave apparatus for in-situ vacuum line cleaning for substrate processing equipment |
| US6187072B1 (en) | 1995-09-25 | 2001-02-13 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reducing perfluorocompound gases from substrate processing equipment emissions |
| US6193802B1 (en) | 1995-09-25 | 2001-02-27 | Applied Materials, Inc. | Parallel plate apparatus for in-situ vacuum line cleaning for substrate processing equipment |
| US6194628B1 (en) | 1995-09-25 | 2001-02-27 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning a vacuum line in a CVD system |
| US6517913B1 (en) | 1995-09-25 | 2003-02-11 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reducing perfluorocompound gases from substrate processing equipment emissions |
| US6680420B2 (en) | 1995-09-25 | 2004-01-20 | Applied Materials Inc. | Apparatus for cleaning an exhaust line in a semiconductor processing system |
| US6689930B1 (en) | 1995-09-25 | 2004-02-10 | Applied Materials Inc. | Method and apparatus for cleaning an exhaust line in a semiconductor processing system |
| EP0839930A1 (en) * | 1996-10-30 | 1998-05-06 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for vacuum line cleaning in substrate processing equipment |
| US6354241B1 (en) | 1999-07-15 | 2002-03-12 | Applied Materials, Inc. | Heated electrostatic particle trap for in-situ vacuum line cleaning of a substrated processing |
| US6255222B1 (en) | 1999-08-24 | 2001-07-03 | Applied Materials, Inc. | Method for removing residue from substrate processing chamber exhaust line for silicon-oxygen-carbon deposition process |
| JP2006167641A (ja) * | 2004-12-17 | 2006-06-29 | Toyohashi Univ Of Technology | 電気集塵機用高電圧荷電装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2671009B2 (ja) | 1997-10-29 |
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